專利名稱：用于磁性粒子成像的設(shè)備、用于影響和/或檢測多個(gè)和單個(gè)磁性粒子的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于磁性粒子成像的設(shè)備。此外，本發(fā)明涉及一 種用于影響和/或檢測作用區(qū)域中的多個(gè)磁性粒子的方法和在這種設(shè) 備和/或這種方法中使用的磁性粒子。
背景技術(shù)：
從德國專利申請DE 101 51 778 Al中可以獲知這種設(shè)備和方法。 在該公開中所述的方法的情況中，首先，產(chǎn)生具有磁場強(qiáng)度空間分布 的磁場，以便在檢查區(qū)中形成具有相對較低的磁場強(qiáng)度的第一子區(qū)和 具有相對較高的磁場強(qiáng)度的第二子區(qū)。然后，檢查區(qū)中的各子區(qū)的空 間位置被移動，以便檢查區(qū)中的粒子的磁化局部變化。記錄取決于檢 查區(qū)中的磁化的信號，所述磁化已經(jīng)受到子區(qū)的空間位置移動的影響， 并且從這些信號提取關(guān)于檢查區(qū)中磁性粒子的空間分布的信息，以便 可以形成檢查區(qū)的圖像。這種設(shè)備和這種方法具有的優(yōu)點(diǎn)在于，它可 以用于對隨機(jī)的檢查對象一例如人體一以非破壞的方式進(jìn)行檢查并且 不會造成任何傷害還具有高的特別分辨率，既可以靠近檢查對象的表 面也可以遠(yuǎn)離檢查對象的表面。
在已知的這種設(shè)備中，示蹤材料的性能對于整個(gè)方法的性能是至 關(guān)重要的。非單一域粒子的缺陷在于它們的性能并不充分，因?yàn)橛闪?子(或域)"看到，，的磁場由去磁場支配。其結(jié)果意味著在低應(yīng)用的 磁場下，磁化只能隨著外部磁場線性地變化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種最初提到的設(shè)備和方法，其中使
用具有減少的去磁系數(shù)的非單一域粒子。
上述目的通過一種用于磁性粒子成像的設(shè)備實(shí)現(xiàn)，所述設(shè)備包括 -作用區(qū)域中的磁性粒子，所述磁性粒子是可影響和/或可檢測的， -選擇裝置，用于產(chǎn)生具有磁場強(qiáng)度空間圖案的磁選擇場，以便在所述作用區(qū)域中形成具有相對較低的磁場強(qiáng)度的第一子區(qū)和具有相對 較高的磁場強(qiáng)度的第二子區(qū)，
-驅(qū)動裝置，用于通過磁驅(qū)動場改變作用區(qū)域中兩個(gè)子區(qū)的空間位 置，以便磁性粒子的磁化局部變化，
其中每個(gè)磁性粒子包括具有不銹鋼層的非磁襯底。
上述目的還通過一種用于影響和/或檢測作用區(qū)域中的磁性粒子
的方法實(shí)現(xiàn)，其中所述方法包括步驟
-將磁性粒子引入作用區(qū)域，每個(gè)磁性粒子包括具有不銹鋼層的非 磁襯底，
-產(chǎn)生具有磁場強(qiáng)度空間圖案的磁選擇場，以便在所述作用區(qū)域中 形成具有相對較低的磁場強(qiáng)度的笫一子區(qū)和具有相對較高的磁場強(qiáng)度 的第二子區(qū)，
-通過磁驅(qū)動場改變作用區(qū)域中兩個(gè)子區(qū)的空間位置，以便磁性粒 子的磁化局部變化。
根據(jù)本發(fā)明的創(chuàng)造性設(shè)備和方法的優(yōu)點(diǎn)在于磁性粒子提供了相當(dāng) 高的信號強(qiáng)度。涂覆了非磁襯底的不銹鋼的去磁系數(shù)有利地低于相同 尺寸的大型磁村底的去磁系數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明，可以理解的是，所述選擇裝置和/或所述驅(qū)動裝置和 /或所述接收裝置至少可以部分地以單個(gè)線圏或螺線管的形式提供。然 而，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選地是，提供分開的線圏以形成所述選擇裝置、驅(qū) 動裝置和接收裝置。此外，所述選擇裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)永久磁 體，其與作用區(qū)域的距離比驅(qū)動裝置遠(yuǎn)。此外，根據(jù)本發(fā)明，所述選
擇裝置和/或所述驅(qū)動裝置和/或所述接收裝置的每一個(gè)可以由分開的 獨(dú)立部分構(gòu)成，特別是分開的獨(dú)立線圏或螺線管，這樣設(shè)有和/或設(shè)置 以便分開的部分一起形成所述選擇裝置和/或所述驅(qū)動裝置和/或所述 接收裝置。尤其是對于所述驅(qū)動裝置和/或所述選擇裝置，多個(gè)部分， 特別是線圈對(例如在Helmholtz或反Helmholtz構(gòu)造中)是優(yōu)選地， 以便可以產(chǎn)生和/或檢測在不同空間方向上定向的磁場分量。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是一種用在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備和/或用在根 據(jù)本發(fā)明的方法中的磁性粒子，所述磁性粒子包括具有不銹鋼層的非 磁襯底。
考慮到材料成本和/或生產(chǎn)過程，所述磁性粒子在生產(chǎn)過程中具有
5優(yōu)勢。本發(fā)明意義下的不銹鋼在許多自然和人造環(huán)境中具有比其它鋼 制品更高的抗氧化性和抗腐蝕性。特別地，根據(jù)本發(fā)明，不銹鋼是最
少有10. 5%鉻的鐵合金。優(yōu)選地，所述磁性粒子不包括任何保護(hù)涂層， 因?yàn)樗霾讳P鋼層自身有利地具有抵抗力。
根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的是不銹鋼層是弱磁性。有利地，通過使用弱 磁性不銹鋼防止了粒子的凝聚。本發(fā)明意義下的弱磁性意味著飽和磁 化值低于0. 8特斯拉。有利地，飽和磁化值位于0. 1特斯拉和0. 6特 斯拉之間。飽和磁化以特斯拉規(guī)定，這在國際單位系統(tǒng)(SI)的意義 下不完全準(zhǔn)確。為了獲得準(zhǔn)確值，必須除以磁場常數(shù)y。，因?yàn)樘厮估?是磁通量密度的單位。
根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選的是所述襯底是球形的。更為優(yōu)選的是所 述襯底是玻璃襯底。
根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選的是所述襯底的直徑比所述層的厚度至少 大1000倍，更優(yōu)選的是所述村底的直徑比所述層的厚度至少大10000 倍。有利地，通過增加村底直徑和層厚度之間的比值可以減小磁性粒 子的去磁系數(shù)。
形成所述層的不銹鋼合金的優(yōu)選例子至少包括元素鎳、錳、鉬、 銅和鈮之一。
根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的是所述不銹鋼合金包括鉻，尤其重量上在 10. 5%和20%之間，更為優(yōu)選的是重量在14%和16%之間。
此外，優(yōu)選的是，所述不銹鋼合金包括鎳，尤其重量上在5%和15% 之間，更為優(yōu)選的是重量在8%和12%之間。
此外，優(yōu)選的是，所述不銹鋼合金包括錳，尤其重量上在O. 5%和 4%之間，更為優(yōu)選的是重量在1. 5%和2. 5%之間。
根據(jù)下面的詳細(xì)描述(其通過舉例說明了本發(fā)明的原理)并結(jié)合 附圖，本發(fā)明的這些和其它特點(diǎn)、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯然。所作描述 僅出于舉例的目的，并不限制本發(fā)明的范圍。下面引出的參考圖是指 附圖。


圖1說明了根據(jù)本發(fā)明的用于實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的方法的設(shè)備。 圖2說明了由根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備產(chǎn)生的場線圖案的示例。圖3說明了作用區(qū)域中存在的磁性粒子的放大圖。 圖4a和4b說明了這種粒子的磁化特點(diǎn)。
具體實(shí)施例方式
將針對特定實(shí)施例并參考附圖描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不局限于 此而僅受權(quán)利要求限制。所示附圖僅是示意性的而并不進(jìn)行限制。在 附圖中，為了說明目的， 一些元素的尺寸可能被放大而沒有按照比例 繪制。
其中當(dāng)涉及單個(gè)名詞時(shí)使用了非限定或限定用語，例如"一"、 "一個(gè)，，、"該"，這包括該名詞的復(fù)數(shù)，除非有明確說明。
此外，說明書和權(quán)利要求中的用語第一、第二、第三等等用于在 相似的元素之間進(jìn)行區(qū)分，并不必然描述空間或時(shí)間順序?？梢岳斫?的是，這樣使用的術(shù)語在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境下可以相互轉(zhuǎn)換，并且這里所述 的本發(fā)明的實(shí)施例能夠以這里所述以外的其它順序操作。
此外，說明書和權(quán)利要求中的用語上、下、上方、下方等等用于 說明目的并不必然描述相對位置?？梢岳斫獾氖?，這樣使用的術(shù)語在 適當(dāng)?shù)沫h(huán)境下可以相互轉(zhuǎn)換，并且這里所述的本發(fā)明的實(shí)施例能夠以 這里所述以外的其它方位操作。
請注意，說明書和權(quán)利要求中的用語"包括"不應(yīng)當(dāng)解釋為局限 于其后所列出的裝置，它不排除其它元件或步驟。因此，這樣的表達(dá) "包括裝置A和B的設(shè)備"的范圍不應(yīng)當(dāng)局限于僅僅包括組件A和B 的設(shè)備。它意味著，針對本發(fā)明，所述設(shè)備只涉及到的組件是A和B。
附圖1中，示出通過根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備IO被檢查的隨機(jī)對象。圖 1中的附圖標(biāo)記350指代對象，此情況下為人或動物患者，其被設(shè)置在 患者臺上，只有上部的部分被示出。在應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的方法之前， 在本發(fā)明設(shè)備10的作用區(qū)域300中設(shè)置磁性粒子100(圖1中未示出)。
尤其是在例如腫瘤的治療和/或診斷處理之前，通過被注射進(jìn)入患者 350體內(nèi)的包括磁性粒子100的液體(未示出)，在作用區(qū)域300中定 位磁性粒子100。
作為本發(fā)明的實(shí)施例，圖2所示的設(shè)備10包括多個(gè)線圏，其形成 選擇裝置210，它的范圍限定了作用區(qū)域300，也被稱為處理區(qū)域300。 例如，在患者350上方和下方或臺面上方和下方設(shè)置選擇裝置210。例如，選擇裝置210包括第一對線圏210，、 210"，每個(gè)包括兩個(gè)同樣構(gòu) 造的繞組210，和210"，其同軸地設(shè)置于患者350的上方和下方，并且 穿過同樣的電流，尤其是以相反的方向。下面，所述第一線圏對210，、 210"—起被稱為選擇裝置210。優(yōu)選地，在此情況下使用直流電。
選擇裝置210產(chǎn)生磁選擇場211，其通常是梯度磁場，在圖2中由 場線示意性地表示。在選擇裝置210的線圏對的軸向上(例如垂直)， 它具有基本上恒定的梯度，并且在該軸的點(diǎn)上達(dá)到零值。從該無場點(diǎn) (圖2中沒有單獨(dú)示出)開始，隨著到所述無場點(diǎn)的距離增加，磁選 擇場211的場強(qiáng)度在所有三個(gè)空間方向上增加。在由無場點(diǎn)周圍的虛 線表示的第一子區(qū)301或區(qū)域301中，場強(qiáng)度非常小以至于該第一子 區(qū)301中存在的粒子100的磁化不飽和，而第二子區(qū)302 (區(qū)域301 之外)中存在的粒子100的磁化處于飽和狀態(tài)。作用區(qū)域300的無場 點(diǎn)或笫一子區(qū)301優(yōu)選地是空間連貫領(lǐng)域；它也可以是點(diǎn)狀領(lǐng)域或線 或平面領(lǐng)域。在笫二子區(qū)302 (即區(qū)域301之外的作用區(qū)域300的剩余 部分)中磁場強(qiáng)度足夠強(qiáng)，以保持粒子100處于飽和狀態(tài)。通過改變 作用區(qū)域300里的兩個(gè)子區(qū)301、 302的位置，作用區(qū)域300中的(整 個(gè))磁化發(fā)生變化。通過測量作用區(qū)域300中的磁化或由磁化影響的 磁性粒子的物理參數(shù)，可以獲得有關(guān)作用區(qū)域中的磁性粒子的空間分 布的信息。為了改變作用區(qū)域300里的兩個(gè)子區(qū)301、 302的相對空間 位置，給作用區(qū)域300或至少部分作用區(qū)域300中的選擇場211疊加 上另一磁場，即所謂的磁驅(qū)動場221。
圖3示出與本發(fā)明的設(shè)備10—起使用的、根據(jù)本發(fā)明的磁性粒子 100的示例。它包括非磁襯底101，例如它是球形的，所述非磁襯底101 例如由玻璃制成。非磁襯底101設(shè)有不銹鋼層102，其厚度例如為5nm。 該不銹鋼層102不用任何涂層覆蓋，因?yàn)樗鰧?02自身有利地抵抗 化學(xué)和/或物理侵蝕環(huán)境，例如酸。這種粒子100的磁化飽和所需的磁 選擇場211的磁場強(qiáng)度取決于各種參數(shù)，尤其是粒子100的直徑、不 銹鋼層102的厚度及它們的比值。本領(lǐng)域4支術(shù)人員可以*〖人識到所述粒 子100并不給出層102的厚度和襯底101的直徑之間的準(zhǔn)確比例。事 實(shí)上，襯底101的直徑大約近似于磁性粒子100的直徑。
在例如襯底101 (或磁性粒子100)的直徑為10jum的情況下，則 需要大約800A/m(大約對應(yīng)于lmT的通量密度)的磁場，而100卩m
8的情況下，80A/m的磁場即足夠。當(dāng)減少不銹鋼層102的厚度時(shí)，甚至 可以獲得更小的值。
第一子區(qū)301的尺寸一方面取決于磁選擇場211的梯度的強(qiáng)度， 另一方面取決于飽和所需的磁場的場強(qiáng)度。為了在磁場強(qiáng)度為80A/m 以及磁選擇場211(在給定的空間方向上)的場強(qiáng)梯度等于160 '103 A/m2 時(shí)磁性粒子100的充分飽和，其中粒子100的磁化未飽和的第一子區(qū) 301具有大約lmm的尺寸(在給定的空間方向上)。通過增加磁場強(qiáng)度， 特別是磁選擇場211的磁梯度強(qiáng)度，可以提高根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備10的 空間分辨率。
當(dāng)另 一磁場(下面稱為磁驅(qū)動場221)被疊加給作用區(qū)域300中的 磁選擇場210 (或斜率磁場210)時(shí)，第一子區(qū)301在該磁驅(qū)動場221 的方向上相對于笫二子區(qū)302發(fā)生移動；該移動的程度隨著磁驅(qū)動場 221的強(qiáng)度的增加而增加。當(dāng)所疊加的磁驅(qū)動場221隨時(shí)間可變時(shí)，第 一子區(qū)301的位置相應(yīng)地隨時(shí)間和空間變化。比起磁驅(qū)動場221變化 的頻帶，以另一頻帶(被移動至更高頻率)來接收或檢查來自位于第 一子區(qū)301中的磁性粒子100的信號是有利的。這可能是因?yàn)槌霈F(xiàn)了 磁驅(qū)動場221頻率的更高諧波的頻率分量，其原因是由于磁化特征的 非線性而造成作用區(qū)域300中磁性粒子100的磁化變化。
為了對于空間中的任何給定方向產(chǎn)生這些磁驅(qū)動場221，這里設(shè)有 另外三個(gè)線團(tuán)對，即第二線圏對220，、第三線圏對220，，和第四線圏對 220，"，下面一起被稱為驅(qū)動裝置220。例如，第二線圈對220，產(chǎn)生磁 驅(qū)動場221的一分量，其在第一線圈對210，、 210"或選擇裝置210 (即 示例為垂直地)的線圈軸的方向上延伸。為此，第二線圏對220，的繞 組在相同方向上穿過等量的電流?？梢岳玫诙€圏對220，實(shí)現(xiàn)的所 述效果原則上也可以利用第一線圈對210，、 210"中相反的、等量電流 在相同方向上的疊加來實(shí)現(xiàn)，以便電流在一個(gè)線圏中減少，而在另一 線圏中增加。然而，尤其是為了具有更高信噪比的信號解釋，當(dāng)時(shí)間 上恒定(或準(zhǔn)恒定)的選擇場211 (也稱為梯度磁場)和隨時(shí)間可變的 垂直磁驅(qū)動場是由選擇裝置210的和驅(qū)動裝置220的分離線團(tuán)對形成 的時(shí)候是有利的。
設(shè)有另外兩個(gè)線團(tuán)對220"、 220，"，以便產(chǎn)生磁驅(qū)動場221的分 量，其在空間的不同方向上延伸，例如在作用區(qū)域300 (或患者350 )的縱向方向上以及在與其垂直的方向上水平地延伸。如果Helmholtz 類型的第三和第四線圈對220"、 220，"(如選擇裝置210和驅(qū)動裝置 220的線圈對)用于此目的，則這些線圏對必須被分別設(shè)置于處理區(qū)域 的左邊或右邊或者該區(qū)域的前面和后面。這會影響作用區(qū)域300或處 理區(qū)域300的可達(dá)性。因此，笫三和/或笫四磁線圏對或線團(tuán)220"、 220"，也可以被設(shè)置在作用區(qū)域300的上方和下方，并且因此它們的繞 組配置必須與第二線圏對220，的繞組配置不同。然而這種類型的線圏 可以從具有開放式磁體(開放式MRI)的磁共振裝置領(lǐng)域中獲知，其中 射頻(RF)線圏對位于處理區(qū)域的上方和下方，所述RF線團(tuán)對能夠產(chǎn) 生水平的、隨時(shí)間可變的磁場。因此，這種線圏的構(gòu)造在這里不需要 進(jìn)一步闡述。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備10還包括選擇裝置230，它僅在圖1中示出。 選擇裝置230通常包括能夠檢測由作用區(qū)域300中的磁性粒子100的 磁化圖案感應(yīng)出的信號的線團(tuán)。然而，這種類型的線掛可以從磁共振 裝置領(lǐng)域中獲知，其中射頻(RF)線圈對位于作用區(qū)域300周圍，以 便具有盡可能高的信噪比。因此，這種線圏的構(gòu)造在這里不需要進(jìn)一 步闡述。通常用于或在選擇裝置210、驅(qū)動裝置220和接收裝置230的不同 部件中使用的頻率范圍大體如下由選擇裝置210產(chǎn)生的磁場并不在 所有時(shí)間上變化或者所述變化較慢，優(yōu)選地在大約1Hz和100Hz之間。 由驅(qū)動裝置220產(chǎn)生的磁場優(yōu)選地在大約25kHz和大約100kHz之間變 化。被認(rèn)為敏感的接收裝置的磁場變化優(yōu)選地在大約50kHz和大約 10MHz的頻率范圍內(nèi)。圖4a和4b示出磁化特征，即在各粒子處于分散時(shí)粒子100的磁 化M的變化(圖4a和4b未示出)，其作為所述粒子100的位置處的 磁場強(qiáng)度H的函數(shù)。所表現(xiàn)出的是磁化M不再變化超過磁場強(qiáng)度+H。和 低于磁場強(qiáng)度-H。，這意味著具有飽和的磁化。所述磁化M在值+H。和-H。 之間不飽和。圖4a示出在粒子100的某位置處的正弦磁場H(t)的效果，所述位 置處所產(chǎn)生的正弦磁場H(t)(即"由粒子100所看到的，，)的絕對值 低于使粒子100磁性飽和所需的磁場強(qiáng)度，即在沒有其他磁場活躍的 情況下。這種條件下粒子100或多個(gè)粒子100的磁化在它的飽和值之間以磁場H(t)的頻率的節(jié)奏往復(fù)運(yùn)動。所產(chǎn)生的磁化時(shí)間上的變化由 圖4a右側(cè)的標(biāo)記M(t)所表示。所表現(xiàn)出的是所述磁化也是周期性地變 化并且該粒子的磁化被周期性地反轉(zhuǎn)。曲線中央的虛線部分表示磁化M(t)的近似平均變化，其作為正弦 磁場H(t)的磁場強(qiáng)度的函數(shù)。由于從該中央線的偏離，當(dāng)磁場H從-Hc 增加至+H。時(shí)所述磁化稍向右延伸，而當(dāng)磁場H從+H。降低至-H。時(shí)所述 磁化稍向左延伸。這種已知的效果被稱為滯后效應(yīng)，其作為熱產(chǎn)生機(jī) 制的基礎(chǔ)。形成在彎曲路徑之間并且其形狀和尺寸取決于材料的所述 滯后表面面積是用于根據(jù)磁化的變化產(chǎn)生熱的一個(gè)量度。圖4b示出其上疊加了穩(wěn)定磁場Ht的正弦磁場H(t)的效果。因?yàn)?所述磁化處于飽和狀態(tài)，因此它實(shí)際上不受正弦磁場H(t)的影響。所 述磁化M(t)在該區(qū)域隨時(shí)間保持恒定。因此，磁場H(t)不造成磁化狀 態(tài)的變化。
權(quán)利要求
1.一種用于磁性粒子成像的設(shè)備(10)，所述設(shè)備包括-作用區(qū)域(300)中的磁性粒子(100)，所述磁性粒子是可影響的和/或可檢測的，-選擇裝置(210)，用于產(chǎn)生具有磁場強(qiáng)度空間圖案的磁選擇場(211)，以便在所述作用區(qū)域(300)中形成具有相對較低的磁場強(qiáng)度的第一子區(qū)(301)和具有相對較高的磁場強(qiáng)度的第二子區(qū)(302)，-驅(qū)動裝置(220)，用于通過磁驅(qū)動場(221)改變作用區(qū)域(300)中兩個(gè)子區(qū)(301，302)的空間位置，以便所述磁性粒子(100)的磁化局部變化，其中每個(gè)磁性粒子(100)包括具有不銹鋼層(102)的非磁襯底(101)。
2. —種用于影響和/或檢測作用區(qū)域(300 )中的磁性粒子(100) 的方法，其中所述方法包括步驟-將磁性粒子(100)引入作用區(qū)域(300 )，每個(gè)磁性粒子(100) 包括具有不銹鋼層(102)的非磁襯底(101)，-產(chǎn)生具有磁場強(qiáng)度空間圖案的磁選擇場(211)，以便在所述作 用區(qū)域(300 )中形成具有相對較低的磁場強(qiáng)度的第一子區(qū)(301)和 具有相對較高的磁場強(qiáng)度的第二子區(qū)(302 )，-通過磁驅(qū)動場(221)改變作用區(qū)域(300 )中兩個(gè)子區(qū)(301， 302 )的空間位置，以便所述磁性粒子(100)的磁化局部變化。
3. 用于根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備(10 )和/或用于根據(jù)權(quán)利要求2的 方法中的磁性粒子(100)，所述磁性粒子(100)包括具有不銹鋼層(102) 的非磁襯底(101)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的磁性粒子(100)，其中不銹鋼層(101)為 弱磁性。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3的磁性粒子(100)，其中所述村底(101)為 球形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3的磁性粒子(100)，所迷襯底(101)的直徑 比所述層(101)的厚度至少大1000倍，優(yōu)選地所述襯底(101)的直 徑比所述層(101)的厚度至少大10000倍。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3的磁性粒子(100),其中所述層(101)由至少具有元素鎳、錳、鉬、銅和鈮之一的不銹鋼合金制成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的磁性粒子(100)，其中所述不銹鋼合金包括 鉻，優(yōu)選地重量上在10. 5%和20%之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7的磁性粒子(100),其中所述不銹鋼合金包括 鎳，優(yōu)選地重量上在5%和15%之間。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7的磁性粒子(100)，其中所述不銹鋼合金包 括錳，優(yōu)選地重量上在0. 5%和4%之間。
全文摘要
公開了一種用于磁性粒子成像的設(shè)備和用于影響和/或檢測作用區(qū)域中的磁性粒子的方法，所述設(shè)備包括作用區(qū)域中的磁性粒子，所述磁性粒子可影響和/或可檢測，選擇裝置，用于產(chǎn)生具有磁場強(qiáng)度空間圖案的磁選擇場，以便在所述作用區(qū)域中形成具有相對較低的磁場強(qiáng)度的第一子區(qū)和具有相對較高的磁場強(qiáng)度的第二子區(qū)，驅(qū)動裝置，用于通過磁驅(qū)動場改變作用區(qū)域中兩個(gè)子區(qū)空間中的位置，以便磁性粒子的磁化局部變化，其中每個(gè)磁性粒子包括具有不銹鋼層的非磁襯底。
文檔編號A61B5/05GK101626725SQ200880005229
公開日2010年1月13日 申請日期2008年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月15日
發(fā)明者A·倫丁, B·格萊克, H·尼格爾, J·韋澤尼克 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司