專利名稱：影響磁性顆粒的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種影響作用區(qū)域中磁性顆粒的設(shè)備。
磁性顆粒相對容易檢查并因此能夠用于檢查和研究(特別用于醫(yī)學(xué)中)?，F(xiàn)在還未公開的德國專利申請DE10151778.5(申請人的參考文獻PHDE010289)中描述了一種在檢查區(qū)域(即，作用區(qū)域)中確定磁性顆?？臻g分布的設(shè)備和方法，其中使用了適當(dāng)?shù)拇判灶w粒。這個專利申請下面將被稱為D1。為了確定檢查區(qū)域中磁性顆?？臻g分布，產(chǎn)生空間不均勻的磁場，該磁場至少有一個顆粒磁化強度處于非飽和狀態(tài)的區(qū)域。改變檢查區(qū)域內(nèi)這個區(qū)域的位置產(chǎn)生磁化強度變化，該變化能夠從外面探測并且給出檢查區(qū)域中磁性顆?？臻g分布的信息。
磁性顆粒還可以用來加熱它們的周圍環(huán)境，特別用在醫(yī)學(xué)高熱癥中。現(xiàn)在還未公開的德國專利申請DE10238853.9(申請人的參考文獻PHDE020195)中描述了一種這類由磁性或可磁化強度物質(zhì)的磁化強度變化來局部加熱目標(biāo)領(lǐng)域的方法和系統(tǒng)。這個專利申請下面將被稱為D2。為了局部加熱目標(biāo)區(qū)域(即，作用區(qū)域)，產(chǎn)生不均勻的磁場，該磁場具有其磁場強度的空間圖形，因此在目標(biāo)區(qū)域產(chǎn)生具有低磁場強度(磁性顆粒在其中沒有飽和)的第一子區(qū)域和具有較高磁場強度的第二子區(qū)域。然后在給定的頻率下長時間改變目標(biāo)區(qū)域內(nèi)的兩個子區(qū)域的空間位置，使得由于磁化強度的頻繁變化而將顆粒加熱到要求的溫度。
因此本發(fā)明的目的是研制一種設(shè)備和方法，通過它能夠以更多變化方式影響磁性顆粒。
通過作用區(qū)域中影響磁性顆粒的設(shè)備實現(xiàn)了這個目的，該設(shè)備具有a)用于產(chǎn)生磁場的裝置，所述磁場具有其磁場強度的空間圖形，使得在作用區(qū)域內(nèi)形成具有低磁場強度的第一子區(qū)域(301)和具有較高磁場強度的第二子區(qū)域(302)，b)改變作用區(qū)域內(nèi)兩個子區(qū)域空間位置的裝置，以便局部改變顆粒磁化強度，c)采集作用區(qū)域內(nèi)由磁化強度確定的信號的裝置，該磁化強度受空間位置變化影響，d)從該信號中獲得作用區(qū)域內(nèi)關(guān)于磁性顆粒信息的分析單元，e)使用這樣一個方式來控制裝置的控制單元，即-在第一操作模式中，變化兩個子區(qū)域位置，從中采集信號結(jié)果，并根據(jù)信號確定有關(guān)作用區(qū)域內(nèi)磁性顆粒的空間分布信息，-在第二操作模式中，在長時間和一個頻率下變化兩個子區(qū)域的空間位置，以便加熱至少一部分作用區(qū)域。
在這個設(shè)備中，在磁性顆粒所在的作用區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生具有低磁場強度的第一子區(qū)域和較高磁場強度的第二子區(qū)域的空間不均勻磁場。通過使用適當(dāng)手段，能夠改變兩個子區(qū)域的空間位置。在D1或D2中詳細(xì)地給出了不均勻磁場的產(chǎn)生和子區(qū)域位置變化的更多準(zhǔn)確描述。按照本發(fā)明設(shè)備的第一操作模式，獲取位置空間變化產(chǎn)生的磁性顆粒的信號并且從中獲取有關(guān)顆?？臻g分布的信息。在第二操作模式中，通過空間位置的頻繁變化來使得加熱區(qū)域加熱，該加熱區(qū)域是作用區(qū)域的至少一部分。因此對于相對于磁性顆粒的空間分布來講將被檢查的目標(biāo)(磁性顆粒位于其中)(第一操作模式)以及對于將被加熱的部分目標(biāo)(第二操作模式)，可能使用根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備。該設(shè)備的各種裝置或部件在這種情況下可以用于兩個操作模式并且在不同操作模式下不需要附加的部件來操作該設(shè)備。憑借控制單元控制各個情況下所使用的不同部件的事實，而獲得不同的操作模式。
特別是，相對于設(shè)備的裝置或部件，在作用區(qū)域的空間位置沒有改變的情況下，所述設(shè)備允許在不同的操作模式期間在一個或者同一作用區(qū)域內(nèi)影響磁性顆粒。在第一步驟中，比如在第一操作模式中(例如，用圖像形式)可以確定一個目標(biāo)中的磁性顆粒的空間分布。能夠從該有關(guān)分布的信息中確定加熱區(qū)域。在第二步驟中，然后在第二操作模式中加熱先前定義的目標(biāo)區(qū)域，在這種情況下，該加熱可以以高的空間精度進行，這是因為關(guān)于磁性顆粒(在該方案中使用)分布的空間信息可以直接用于確定加熱區(qū)域。而這一點有可能實現(xiàn)，這是因為在兩個步驟中使用了所述設(shè)備的相同部件，并且對于所述目標(biāo)來講不需要相對于所述部件、或者相對于作用區(qū)域、或者相對于加熱區(qū)域來改變它的位置。
按照權(quán)利要求2，通過在第三操作模式中執(zhí)行組合形式的第一和第二操作模式，能夠延長依照本發(fā)明的設(shè)備的使用領(lǐng)域。在第三操作模式中，能夠被加熱的部分作用區(qū)域和有關(guān)磁性顆粒空間位置的信息能夠同時獲得。這一點有可能實現(xiàn)，這是由于在加熱期間還改變兩個子區(qū)域的空間位置，從而由磁性顆粒產(chǎn)生這樣的信號(與第一操作模式發(fā)生的相似方式)，從所述信號中可以得到磁性顆粒的空間分布。
例如使用永磁體產(chǎn)生依照本發(fā)明設(shè)備的梯度區(qū)域。不均勻磁場形成在相同極性的兩極之間的區(qū)域中，所述不均勻磁場具有由較大場強的第二子區(qū)域圍繞的低場強的小的第一子區(qū)域。僅僅在位于磁場為零的點的周圍區(qū)域中的顆粒內(nèi)，磁化強度未飽和。在這個區(qū)域外面的顆粒內(nèi)，磁化強度處于飽和狀態(tài)。為了使梯度場可切換或者容易調(diào)節(jié)，不是使用具有永久磁體的設(shè)備，而是依照權(quán)利要求3在作用區(qū)域內(nèi)提供一個梯度線圈設(shè)備，用于產(chǎn)生類似于如上所述磁場的梯度場。如果梯度線圈設(shè)備包括諸如排列在目標(biāo)區(qū)域兩側(cè)上的相同類型的兩個繞組(電流沿反方向流動)(麥克斯韋線圈)，那么沿著繞組軸的點上所討論的磁場為零，并且在這個點的兩側(cè)上相反的極性幾乎線性增加。
改變兩個子區(qū)域空間位置的一個可能方式是，一方面預(yù)定用于產(chǎn)生磁場的線圈和/或永久磁鐵設(shè)備(或它的部分)，或另一方面包括磁性顆粒的目標(biāo)彼此相對移動。這是當(dāng)用很高的梯度(顯微術(shù))檢查微細(xì)的目標(biāo)時優(yōu)選的方法。相反，權(quán)利要求4描述了不需要任何機械運動的優(yōu)選實施例。如果這個磁場隨著時間遵循適當(dāng)?shù)膱D形并且適當(dāng)取向，則用這種方法該場的零點能夠穿過作用區(qū)域。在這種情況下兩個子區(qū)域的空間位置能夠迅速地相對改變，這樣就提供了采集依賴于作用區(qū)域磁化強度的信號的附加優(yōu)點。
在權(quán)利要求5中能夠檢查與場的零點位移一起變化的磁化強度。在這種情況下，用來接收檢查區(qū)域中產(chǎn)生的信號的線圈可以是檢查區(qū)域中已經(jīng)用來產(chǎn)生磁場的線圈。然而，為了接收而使用分離的線圈也具有優(yōu)點，這是因為能夠從產(chǎn)生時變磁場的線圈設(shè)備中去耦合這種線圈，并且用這種方法相對于信號接收來講能夠進行優(yōu)化。同樣，用一個線圈能夠獲得改善的信噪比，而且使用多個線圈會獲得更好效果。
在例如已經(jīng)闡明的和將要闡明的設(shè)備和方法中可能使用了D1和D2中描述的磁性顆粒。在這方面，讀者明確地參考了D1和D2。
通過影響作用區(qū)域中的磁性顆粒的方法實現(xiàn)了該目的，該方法具有以下步驟a)產(chǎn)生磁場，所述磁場具有其磁場強度的空間圖形，使得在作用區(qū)域內(nèi)形成具有低磁場強度的第一子區(qū)域(301)和具有較高磁場強度的第二子區(qū)域(302)，b)改變作用區(qū)域內(nèi)兩個子區(qū)域的空間位置，由此局部改變顆粒磁化強度，c)采集作用區(qū)域內(nèi)由磁化強度確定的信號，該磁化強度受空間位置變化的影響，d)分析該信號以獲得作用區(qū)域內(nèi)有關(guān)磁性顆粒空間分布的信息，e)定義用于加熱的區(qū)域，所述區(qū)域是作用區(qū)域的至少一部分，f)在長時間和一個頻率下改變作用區(qū)域中兩個子區(qū)域的空間位置，以便加熱已經(jīng)被定義的加熱區(qū)域。
為了局部加熱磁性顆粒，磁場的兩個子區(qū)域的空間位置連續(xù)變化。采用方法的步驟b)中的相似方式，產(chǎn)生信號，從所述信號中可以得到與磁性顆粒的空間分布相關(guān)的細(xì)節(jié)。如果依照權(quán)利要求7獲得這些信號，那么在加熱期間同時可以產(chǎn)生有關(guān)空間分布的信息。
參照下文的實施例，本發(fā)明的這些和其他方面是顯而易見的，并且將進行說明。
在附圖中

圖1表示實施依照本發(fā)明的方法的設(shè)備。
圖2表示通過所述設(shè)備中包含的線圈設(shè)備產(chǎn)生的磁力線圖形。
圖3表示存在于作用區(qū)域中的一個磁性顆粒。
圖4a和4b表示該顆粒的磁化強度特性。
圖5表示圖1中的設(shè)備的電路圖。
在圖1中，附圖標(biāo)記1指的是用于檢查或調(diào)查的目標(biāo)，在這種情況下是病人，該病人安置在僅僅部分示出的平板1的病床上。在檢查以前，例如在腸胃系統(tǒng)檢查以前，給病人服下具有磁性顆粒的液體或食物。
圖3中示出了這種類型的顆粒。所述類型顆粒包括例如玻璃的球形基板100，所述球形基板被涂覆有軟磁性層101，所述軟磁性層101包括例如鐵鎳合金(例如坡莫合金)。例如通過保護顆粒免受酸侵蝕的涂層102可以覆蓋這個層。這種顆粒的磁化強度飽和所需要的磁場強度取決于該顆粒的直徑。在直徑10微米的情況下，為實現(xiàn)這個目的需要1mT的磁場，而在直徑100微米的情況下，需要100mT的磁場。在選擇具有較低飽和磁化強度的材料涂層時，甚至獲得更小的值。
圖4a和4b顯示出了磁化強度特性，也就是在包含這種顆粒的分散中，磁化強度M的變化與磁場強度H的函數(shù)關(guān)系。能夠看出，超過磁化強度+Hc和小于磁場強度-He時，磁化強度M不再變化，這意味著出現(xiàn)飽和磁化強度。在數(shù)值+Hc和-He之間時，磁化強度沒有飽和。
圖4a說明了如果磁場不再有效時正弦磁場H(t)的效果。磁化強度以磁場H(t)的頻率在其飽和值之間變化。由圖4a中的標(biāo)記M(t)表示隨著磁化強度時間的合成變化?？梢钥闯?，磁化強度呈周期性變化，這樣在線圈的外部感應(yīng)出相似的周期信號。由于磁化強度特性的非線性，這個信號就不再完全是正弦形的，而是包含了諧波，也就是正弦基波的高次諧波。這樣的諧波是測量顆粒濃度的量度，并且可以容易地從基波中分離出來。
特性曲線中心線路的虛線部分表示作為磁場函數(shù)的磁化強度的近似平均值變化。隨著從中心線偏離，當(dāng)磁場H從-Hc增加到+Hc時磁化強度稍微地向右延伸，當(dāng)磁場H從+Hc減少到-Hc時磁化強度稍微地向左延伸。這種已知的效應(yīng)稱作磁滯效應(yīng)并且成為生成熱的機制的基礎(chǔ)。特性曲線路線之間形成的磁滯表面面積是對依據(jù)磁化強度變化產(chǎn)生的熱的度量，該磁滯表面面積的形狀和大小取決于材料。
圖4b表示了上面疊加了靜態(tài)磁場H1的正弦磁場H(t)的效用。因為磁化強度處于飽和狀態(tài)，所以實際上它不受正弦磁場H(t)的影響。磁化強度M(t)在該區(qū)域隨著時間保持不變。因此，磁場H(t)不會改變磁化強度的狀態(tài)，并且不會產(chǎn)生通過合適的線圈能夠檢查出的信號。
本發(fā)明中，磁性微粒處于作用區(qū)域中，通過作用區(qū)域中的適當(dāng)裝置產(chǎn)生空間不均勻的磁場。這種裝置可以是比如永久磁體或操作狀態(tài)中電流流過線圈中的導(dǎo)電體。產(chǎn)生的磁場包括低磁場強度的第一子區(qū)域和較高磁場強度的第二磁性子區(qū)域。位于第二子區(qū)域的那些磁性顆粒的磁化強度處于飽和狀態(tài)。位于第一子區(qū)域的磁性顆粒的磁化強度沒有飽和。為了獲得被檢查目標(biāo)1中的磁性顆?？臻g濃度的任何詳細(xì)情況，多個成對的線圈被設(shè)置在病人1或病床的上方和下方，這些成對的線圈限定了一個檢查區(qū)域(圖1)。第一個線圈對3包括在病人的上方和下方同軸設(shè)置的兩個結(jié)構(gòu)相同的繞組3a和3b，它們感應(yīng)大小相同但是方向相反的電流。這樣產(chǎn)生的梯度磁場通過圖2中的磁力線300來描繪。在線圈對的軸的(垂直)方向上，存在基本恒定的梯度，并且在軸上的一點達到零值。從該場零點開始，磁場強度在空間的全部三個方向上隨著距該點的距離變化而增加。在場零點周圍的用虛線指示的區(qū)域301(第一子區(qū)域)中，磁場強度很小，以致于那里的磁性顆粒的磁化強度不飽和，而在區(qū)域301之外的地方磁化強度處于飽和狀態(tài)。
區(qū)域301的大小確定了設(shè)備的空間分辨率，它一方面取決于梯度磁場的梯度強度，另一方面取決于飽和所需要的磁場強度。對于圖3中所示的直徑為10微米的球體，強度量為1mT，而對于直徑為100微米的球體，強度量為100μT。對于后者的值和磁場的0.2T/m的梯度，區(qū)域301(其中顆粒的磁化強度沒有飽和)的尺寸是1毫米。
當(dāng)另一磁場疊加在作用區(qū)域中的梯度磁場上時，區(qū)域301將朝著該另一磁場的方向移動，該磁場的強度越大，移動的范圍就越大。如果疊加的磁場是時變的，區(qū)域301的位置會隨時間和空間而相應(yīng)變化。
為了在空間的任意需要方向上產(chǎn)生這種時變磁場，進一步提供了三個線圈對。具有繞組4a和4b的線圈對4產(chǎn)生在線圈對3a和3b的線圈軸的方向上延伸的磁場，即垂直的。為此目的，兩個繞組具有相等的并朝同一個方向流動的電流。通過這個線圈對可以達到的效果，原理上也可以通過將朝同一個方向流動的電流疊加到線圈對3a和3b中的反向相等的電流上來實現(xiàn)，結(jié)果是一個線圈對中的電流減小，另一個線圈對中的電流增加。然而，如果時間恒定梯度磁場和時變垂直磁場由不同的線圈對產(chǎn)生時，這一點可能是有利的。
為了產(chǎn)生在病人的縱向空間水平延伸和垂直方向延伸的磁場，進一步提供了包括繞組5a、5b和6a、6b的兩個線圈對。如果象線圈對3a、3b和4a、4b這樣的Helmholz類型的線圈對被用于此目的，則這些線圈對就必須設(shè)置在檢查區(qū)域的左邊和右邊或者檢查區(qū)域的前邊和后邊。這樣就阻止了檢查區(qū)域的可達性。
因此，線圈對的繞組5a、5b和6a、6b也將設(shè)置在作用區(qū)域的上方和下方，并且它們的繞組結(jié)構(gòu)必須不同于線圈對4a和4b的繞組結(jié)構(gòu)。然而這種線圈，在具有開放式磁體(開放式MRI)的磁共振設(shè)備領(lǐng)域中是公知的，其中RF線圈對被設(shè)置在作用區(qū)域的上方和下方，所述RF線圈對用來產(chǎn)生水平的、時變磁場。因此，這樣的線圈結(jié)構(gòu)就不需要在這里作詳細(xì)描述了。
最后，附圖1顯示了用來檢測作用區(qū)域中產(chǎn)生的信號的另一線圈7。原理上，任何產(chǎn)生磁場的線圈對3到6都可以起到這個作用。然而使用單獨的接收線圈更好?？梢垣@得更好的信噪比(特別是使用多個接收線圈時)，并且該線圈可以以從其它線圈中去耦合的方式來設(shè)置和切換。
圖5表示了圖1中設(shè)備的電路框圖。圖解示出的線圈對3(為了簡化，省略了圖5中所有線圈對的后綴a、b)被提供有可控電流源31的直流電流，所述直流電流受控制單元10的控制可以被接通和關(guān)閉?？刂茊卧?0和工作站12合作，所述工作站配備有用來顯示表示作用區(qū)域中的顆粒分布圖像的監(jiān)視器13。用戶可以通過鍵盤或其它輸入單元14進行輸入。
線圈對4、5、6從電流放大器41、51和61接收電流。將被放大并產(chǎn)生所需磁場的電流Ix、Iy和Iz其隨時間變化的波形由各自波形發(fā)生器42、52和62進行預(yù)設(shè)。波形發(fā)生器42、52和62受控制單元10的控制，控制單元10計算用于特定檢查、調(diào)查或者治療程序所需要的隨時間變化的波形，并且將它裝載到波形發(fā)生器。在檢查、調(diào)查或者治療過程中，從波形發(fā)生器中讀出這些信號，并將它們饋送到放大器41、51和61，該放大器用來在線圈對4、5和6中產(chǎn)生所需要的電流。
一般而言，在區(qū)域301相對于梯度線圈設(shè)備3的中心位置偏離與流過梯度線圈設(shè)備的電流之間存在非線性關(guān)系。而且，當(dāng)區(qū)域301要沿中心以外延伸的直線移動時，所有的三個線圈通常都將產(chǎn)生磁場。在預(yù)設(shè)了隨時間變化的電流波形的地方，例如借助于合適的病床，通過控制單元可以實現(xiàn)這一點。因此，區(qū)域301可以沿著任意需要形狀路徑而移動通過作用區(qū)域。
通過線圈7接收到的信號經(jīng)由合適的濾波器71被饋送到放大器72。放大器72輸出的信號通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器73被數(shù)字化，從而饋送到圖像處理單元74，圖像處理單元74可以通過該信號以及在接收信號期間區(qū)域301被占用的位置來重構(gòu)顆粒的空間分布。請讀者參考D1關(guān)于重構(gòu)由線圈7接收的信號的精確描述。根據(jù)重構(gòu)的信號，產(chǎn)生圖像，所述圖像顯示在工作站12的監(jiān)視器13上。
利用工作站12的輸入單元14，用戶可以標(biāo)記在下一步將要加熱的那些圖像區(qū)域。比如，這些可以由用戶使用電腦鼠標(biāo)跟蹤加熱區(qū)域周圍來交互地指定該區(qū)域而實現(xiàn)。工作站12根據(jù)將被加熱區(qū)域的位置來確定位置信息并將這些位置信息傳遞到控制單元10。在第二操作模式中(在該操作模式中操作設(shè)備)，實際加熱被選擇用于加熱的區(qū)域。采用與成像相似的方式，利用線圈對4、5和6，由控制單元10產(chǎn)生與位置信息成一直線的場零點的位移，所述控制單元10相應(yīng)控制波形發(fā)生器42、52、62。
對于由于機械運動而對加熱有貢獻的顆粒，可以使用例如值 作為磁場強度變化(對圖3示出的顆粒，例如，依靠該層特性可以使用 或 的頻率)頻率的原則數(shù)值，因此根據(jù)完全磁性反向的需要，對于磁場場強 獲得大約1MHz的頻率。在三個線圈對4、5、6上采用這個頻率，例如線圈對4，以致交變場影響該作用區(qū)域并且在該對線圈4的磁場方向使用快速振蕩方式連續(xù)地移動磁場區(qū)域301。結(jié)果，在治療區(qū)域(在區(qū)域301的球形形狀下，獲得延長圓柱形區(qū)域而不是帶)內(nèi)，加熱準(zhǔn)一維長度區(qū)域作為目標(biāo)區(qū)域，該準(zhǔn)一維長度區(qū)域通過對應(yīng)的線圈電流的幅值可被調(diào)節(jié)。施加到這個帶的總熱能從而取決于(除了別的因素外)交變場(由帶的空間長度給出)的頻率和幅值，以及取決于產(chǎn)生最大熱量所需要的磁場強度(例如，飽和磁場強度)。頻率越高，加熱功率將越大。在其他方向中通過其他兩對線圈5和6移動快速振蕩磁場區(qū)域301，從而加熱整個加熱區(qū)域。在這種情況下帶的寬度可以同時變化。有關(guān)詳細(xì)情形可參照文件D2。
代替具有與圖3有關(guān)的軟磁性涂覆的顆粒，也可以使用其他磁性顆粒。這種顆粒與移動磁場區(qū)域301的適當(dāng)修改方式一起在D2中描述了。
在第三操作模式中，加熱用于加熱的選定區(qū)域完全與第二操作模式一樣。同時在監(jiān)視器13上示出了作用區(qū)域的圖像。因為在加熱期間均勻移動區(qū)域301是可能的，因此與第一操作模式一樣產(chǎn)生信號，根據(jù)所述信號可以重構(gòu)和示出作用區(qū)域的圖像。
權(quán)利要求
1.一種在作用區(qū)域中影響磁性顆粒的設(shè)備，該設(shè)備具有a)用于產(chǎn)生磁場的裝置，所述磁場具有其磁場強度的空間圖形，使得在作用區(qū)域內(nèi)形成具有低磁場強度的第一子區(qū)域(301)和具有較高磁場強度的第二子區(qū)域(302)，b)改變作用區(qū)域內(nèi)兩個子區(qū)域空間位置的裝置，以便局部改變顆粒磁化強度，c)采集作用區(qū)域內(nèi)由磁化強度確定的信號的裝置，該磁化強度受空間位置變化影響，d)從該信號中獲得作用區(qū)域內(nèi)關(guān)于磁性顆粒信息的分析單元，e)使用這樣一個方式來控制裝置的控制單元，即-在第一操作模式中，變化兩個子區(qū)域位置，從中采集信號結(jié)果，并根據(jù)信號確定有關(guān)作用區(qū)域內(nèi)磁性顆粒的空間分布信息，-在第二操作模式中，在長時間和一個頻率下變化兩個子區(qū)域的空間位置，以便加熱至少一部分作用區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1中所述的設(shè)備，其中，在第三操作模式中，以通過執(zhí)行第二操作模式以及同時采集由兩個子區(qū)域位置改變產(chǎn)生的信號和從其中確定作用區(qū)域內(nèi)磁性顆粒的空間分布信息的方式，所述控制單元控制裝置。
3.如權(quán)利要求1中所述的設(shè)備，其中產(chǎn)生磁場的裝置包括產(chǎn)生梯度磁場的梯度線圈設(shè)備，該梯度磁場使它的方向反向并且在第一子區(qū)域中具有零交叉。
4.如權(quán)利要求1中所述的設(shè)備，其中通過強加在梯度磁場上的時變磁場使得作用區(qū)域內(nèi)的兩個子區(qū)域位置偏移。
5.如權(quán)利要求1中所述的設(shè)備，其中利用線圈設(shè)備接收由于磁化強度中的時間變化而在作用區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的信號。
6.一種影響作用區(qū)域中磁性顆粒的方法，該方法具有以下步驟a)產(chǎn)生磁場，所述磁場具有其磁場強度的空間圖形，使得在作用區(qū)域內(nèi)形成具有低磁場強度的第一子區(qū)域(301)和具有較高磁場強度的第二子區(qū)域(302)，b)改變作用區(qū)域內(nèi)兩個子區(qū)域的空間位置，由此局部改變顆粒磁化強度，c)采集作用區(qū)域內(nèi)由磁化強度確定的信號，該磁化強度受上述位置變化的影響，d)分析該信號以獲得作用區(qū)域內(nèi)有關(guān)磁性顆?？臻g分布的信息，e)定義用于加熱的區(qū)域，所述區(qū)域是作用區(qū)域的至少一部分，f)在長時間和一個頻率下改變作用區(qū)域中兩個子區(qū)域的空間位置，以便加熱已經(jīng)被定義的加熱區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6中所述的方法，其中在加熱所述加熱區(qū)域期間另外執(zhí)行步驟c)和d)。
全文摘要
本發(fā)明涉及影響作用區(qū)域中磁性顆粒的設(shè)備。利用具有產(chǎn)生磁場裝置的設(shè)備，在這種情況下產(chǎn)生一種空間不均勻的磁場，該磁場具有至少一個區(qū)域(301)，在該區(qū)域中顆粒的磁化強度處于不飽和狀態(tài)，而顆粒在其他區(qū)域處于飽和狀態(tài)。通過在作用區(qū)域內(nèi)移動所述區(qū)域，產(chǎn)生磁化強度的變化，所述變化能夠在第一操作模式中從外面檢查到，并且給出作用區(qū)域內(nèi)有關(guān)磁性顆?？臻g分布的信息。在第二操作模式中，頻繁地重復(fù)所述移動以便加熱作用區(qū)域。
文檔編號A61N1/40GK1774203SQ200480010046
公開日2006年5月17日 申請日期2004年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月15日
發(fā)明者B·格萊奇 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司