1.一種洗菜機(jī)用磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，包括：進(jìn)水管、清洗池和出水管，其中，清洗池設(shè)置有殺菌用磁場(chǎng)發(fā)生器。
2.一種洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，包括：
依次連接的進(jìn)水管、清洗池和出水管，
所述清洗池的側(cè)壁設(shè)有磁場(chǎng)線圈和脈沖磁場(chǎng)發(fā)生器，所述磁場(chǎng)線圈與所述磁場(chǎng)脈沖發(fā)生器連接，
所述磁場(chǎng)線圈包括第一磁場(chǎng)線圈L1和第二磁場(chǎng)線圈L2，
所述脈沖磁場(chǎng)發(fā)生器包括第一電路、第二電路和隔離變頻器，
所述第一電路包括輸入電源(Vin)、濾波電感(Ldc)、第一MOS管(S1)、第二MOS管(S2)、第一體二極管(D1)、第二體二極管(D2)、第一諧振電容(Cr1)、第二諧振電容(Cr2)、第一續(xù)流電容(C1)、第二續(xù)流電容(C2)、第一保護(hù)電容(Ct1)和漏磁電感(Ls)，
所述輸入電源(Vin)的正極與所述濾波電感(Ldc)的第一端連接，所述輸入電源(Vin)的負(fù)極分別與所述第二MOS管(S2)的漏極、所述第二體二極管(D2)的正極、第二諧振電容(Cr2)的第一端和所述第二續(xù)流電容(C2)的第一端連接，
所述濾波電感(Ldc)的第二端分別與所述第一MOS管(S1)的漏極、所述第一體二極管(D1)的正極、所述第一諧振電容(Cr1)的第一端、所述第二MOS管(S2)的源極、所述第二體二極管(D2)的負(fù)極、所述第二諧振電容(Cr2)的第二端和所述第一保護(hù)電容(Ct1)的第一端連接，
所述第一MOS管(S1)的源極分別與所述第一體二極管(D1)的負(fù)極、所述第一諧振電容(Cr1)的第二端和第一續(xù)流電容(C1)的第一端連接，
所述第一保護(hù)電容(Ct1)的第二端與所述第一磁場(chǎng)線圈L1、所述漏磁電感(Ls)依次連接，
所述第二電路包括第二保護(hù)電容(Ct2)、第三MOS管(S3)、第四MOS管(S4)、第三體二極管(D3)、第四體二極管(D4)、第三諧振電容(Cr3)、第四諧振電容(Cr4)、第三續(xù)流電容(C3)和第四續(xù)流電容(C4)連接，
所述第二磁場(chǎng)線圈L2和所述第二保護(hù)電容(Ct2)的第一端連接，
所述第二保護(hù)電容(Ct2)的第二端分別與所述第三MOS管(S3)的漏極、所述第四MOS管(S4)的源極、所述第三體二極管(D3)的正極、所述第四體二極管(D4)的負(fù)極、所述第三諧振電容(Cr3)的第一端和所述第四諧振電容(Cr4)的第一端連接，
所述第三MOS管(S3)的源極分別與所述第三體二極管(D3)的負(fù)極、所述第三諧振電容(Cr3)的第二端和所述第三續(xù)流電容(C3)的第一端連接，
所述第四MOS管(S4)的漏極分別與所述第四體二極管(D4)的正極、所述第四諧振電容(Cr4)的第二端和所述第四續(xù)流電容(C4)的第一端連接，
所述隔離變頻器的初級(jí)繞組的第一端與所述漏磁電感(Ls)連接，所述隔離變頻器的初級(jí)繞組的第二端分別與所述第一續(xù)流電容(C1)和所述第二續(xù)流電容(C2)的第二端連接，
所述隔離變頻器的次級(jí)繞組的第一端與所述第二磁場(chǎng)線圈L2連接，所述隔離變頻器的次級(jí)繞組的第二端分別與所述第三續(xù)流電容(C3)和所述第四續(xù)流電容(C4)的第二端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，
所述輸入電源(Vin)為直流電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，
所述第一MOS管(S1)、所述第二MOS管(S2)、所述第三MOS管(S3)和所述第四MOS管(S4)的開(kāi)關(guān)頻率為50KHz。
5.根據(jù)權(quán)利要求2～4任意一項(xiàng)所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置的磁場(chǎng)強(qiáng)度為3.5T。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，
所述第一MOS管(S1)、所述第二MOS管(S2)、所述第三MOS管(S3)和所述第四MOS管(S4)均為N溝道增強(qiáng)型MOS管。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，
所述第一MOS管(S1)、所述第二MOS管(S2)、所述第三MOS管(S3)和所述第四MOS管(S4)的占空比為0.5。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，
所述第一保護(hù)電容(Ct1)和所述第二保護(hù)電容(Ct2)的電容值為1uF/1500V。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置，其特征在于，
所述清洗池的側(cè)壁包括由外到內(nèi)依次連接的外殼、銅網(wǎng)、所述磁場(chǎng)線圈、絕緣層和內(nèi)壁。
10.一種利用了權(quán)利要求2～9任意一項(xiàng)所述洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌裝置的洗菜機(jī)用掃頻磁場(chǎng)殺菌方法，其特征在于，包括：
步驟S1，控制第一MOS管(S1)和第三體二極管(D3)導(dǎo)通，
第一電流(Id1)低于第二電流(Ir1)，
所述隔離變頻器的初級(jí)繞組電壓值(Vr1)與第一續(xù)流電容(C1)的第一電壓值(V1)相同，所述隔離變頻器的次級(jí)繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同；
步驟S2，控制所述第一MOS管(S1)關(guān)斷，控制第二MOS管(S2)導(dǎo)通，所述第三體二極管(D3)導(dǎo)通，所述第一電流(Id1)上升，所述第二電流(Ir1)下降至零，
所述隔離變頻器的初級(jí)繞組電壓值(Vr1)由所述第一電壓值(V1)下降，直至與第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，所述隔離變頻器的次級(jí)繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同；
步驟S3，控制所述第二MOS管(S2)和第三MOS管(S3)導(dǎo)通，所述第一電流(Id1)繼續(xù)上升，所述第二電流(Ir1)的極性改變，反向增大，
所述隔離變頻器的初級(jí)繞組電壓值(Vr1)與所述第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，所述隔離變頻器的次級(jí)繞組電壓值(Vr2)與第三續(xù)流電容(C3)的第三電壓值(V3)相同；
步驟S4，控制所述第三MOS管(S3)關(guān)斷，控制所述第四MOS管(S4)導(dǎo)通，所述第一電流(Id1)繼續(xù)上升，所述第二電流(Ir1)繼續(xù)反向增大，所述隔離變頻器的初級(jí)繞組電壓值(Vr1)與所述第二續(xù)流電容(C2)的第二電壓值(-V2)相同，所述隔離變頻器的次級(jí)繞組電壓值(Vr2)由所述第三電壓值(V3)下降至第四電壓值(-V4)；
步驟S5，控制所述第一MOS管(S1)和所述第四MOS管(S4)導(dǎo)通，所述第一電流(Id1)下降，所述第二電流(Ir1)反向減小至零后正向增大，所述隔離變頻器的初級(jí)繞組電壓值(Vr1)由所述第二電壓值(-V2)上升至所述第一電壓值(V1)，所述隔離變頻器的次級(jí)繞組電壓值(Vr2)與所述第四續(xù)流電容(C4)的第四電壓值(-V4)相同。