專利名稱：細(xì)胞培養(yǎng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及一種細(xì)胞培養(yǎng)裝置，以及更具體地涉及一種用于培養(yǎng)細(xì)胞的連通托盤的堆疊。
背景技術(shù)：
包括堆疊托盤的細(xì)胞培養(yǎng)系統(tǒng)對大規(guī)模的細(xì)胞培養(yǎng)來說是有用的，并且已經(jīng)普遍用作傳統(tǒng)滾瓶、生物反應(yīng)器等的替代物。示例性的堆疊托盤系統(tǒng)包括NUNC CELL FACTORY系統(tǒng)(由位于丹麥洛斯基爾德的Nunc A/S公司出品)、Corning CELLSTACK (由位于馬薩諸塞州洛厄爾的Corning Inc.公司出品)和Millipore MILLI CELL HY瓶(由位于馬薩諸塞州比爾里卡的Millipore Corp.公司出品)。這種系統(tǒng)包括一個或多個培養(yǎng)托盤，與傳統(tǒng)裝置相比，每個托盤具有較大的細(xì)胞生長表面積，例如通常為至少200cm2的表面積。例如，NUNC CELL FACTORY系統(tǒng)包括托盤的堆疊，其中每個托盤約335毫米長、205毫米寬，以提供約632cm2的細(xì)胞生長表面積。這些托盤以單個托盤或以通常包括兩個、四個、十個或四十個托盤的堆疊而市售。構(gòu)成堆疊的托盤通常經(jīng)由超聲波焊接而附接。這些系統(tǒng)還具有約14.65毫米的高度且建議容納約200毫升的生長培養(yǎng)基。鑒于每個托盤的培養(yǎng)表面積約為632cm2，約200毫升的生長培養(yǎng)基將在托盤內(nèi)具有約1.5毫米的高度，約12.6毫米的剩余高度(在除去底壁所占厚度、例如約0.5毫米之后)被認(rèn)為是頂部空間。通常情況下，托 盤的堆疊配備氣體交換器，所述氣體交換器具有在托盤之間提供流體連通的氣體導(dǎo)管和用于給堆疊通風(fēng)的至少一個加工孔。氣體交換器為堆疊內(nèi)的所有托盤提供快速且基本均勻的氣體分布。雖然堆疊的托盤培養(yǎng)系統(tǒng)已被廣泛使用，特別是應(yīng)用于培養(yǎng)細(xì)胞的大規(guī)模培養(yǎng)，但是堆疊的托盤占據(jù)大量的培養(yǎng)箱、實(shí)驗(yàn)室和存儲空間，特別是當(dāng)購買的是包括十個或更多個托盤的堆疊時。因此，在不增加堆疊的高度或占地面積(footprint)的情況下，增加每個堆疊的總生長表面積將是有利的。生長表面積的增加將減少提供給定表面積所需的堆疊托盤系統(tǒng)的數(shù)量，并減少被堆疊占據(jù)的培養(yǎng)箱、實(shí)驗(yàn)室或存儲空間。然而，傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為細(xì)胞的正常生長需要在每個細(xì)胞生長表面積上方具有相當(dāng)體積的空氣空間，例如在細(xì)胞培養(yǎng)物上方的大于3毫米(在豎直維度上)的空氣空間。替代性地，傳統(tǒng)的裝置包括具有顯著的氧氣和/或二氧化碳可滲透性的底表面材料(例如，硅樹脂或3密耳的雙向拉伸聚苯乙烯薄膜)。因此，在無附加的托盤或不增加托盤占地面積的情況下，優(yōu)化總生長表面積對于空間問題是一項(xiàng)重大的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服了包括可堆疊托盤的傳統(tǒng)細(xì)胞培養(yǎng)裝置的前述問題和其它不足、缺點(diǎn)和挑戰(zhàn)。雖然將結(jié)合某些實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行描述，但應(yīng)理解本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。與此相反，本發(fā)明包括可包含于本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的所有替代、修改和等同物。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，提供一種用于培養(yǎng)細(xì)胞的細(xì)胞培養(yǎng)裝置。所述細(xì)胞培養(yǎng)裝置包括多個托盤，每個托盤具有細(xì)胞生長表面和從細(xì)胞生長表面向上延伸的至少一個壁。所述至少一個壁配置成在其上接納附加的托盤。多個托盤的數(shù)量與多個托盤的高度尺寸的比率大于或等于約每12毫米I個托盤。根據(jù)本發(fā)明的另一其它實(shí)施例，一種制備用于細(xì)胞培養(yǎng)的托盤的堆疊的方法包括:將第一托盤相對于第二托盤定位在堆疊位置。第一和第二托盤包括側(cè)壁、端壁、限定于側(cè)壁和端壁內(nèi)的溝槽、底部以及懸垂于所述底部的舌狀件。在所述堆疊位置，第一托盤的溝槽接納第二托盤的舌狀件。本發(fā)明的又一實(shí)施例涉及一種細(xì)胞培養(yǎng)托盤。所述細(xì)胞培養(yǎng)托盤包括托盤底部，其具有面朝上的細(xì)胞生長表面和面朝下的表面。至少一個壁從細(xì)胞生長表面向上延伸并且包括頂部邊緣。至少一個通風(fēng)端口貫穿托盤底部。所述至少一個壁包括從頂部邊緣向下延伸、并限定溝槽內(nèi)壁和溝槽外壁的溝槽，所述面朝下的表面包括懸垂于其的舌狀件。所述溝槽配置成接納定位在所述細(xì)胞培養(yǎng)托盤上方的另一托盤的舌狀件，所述至少一個通風(fēng)端口配置成與所述另一托盤的至少一個通風(fēng)部分對齊。本發(fā)明的上述及其它目的和優(yōu)勢將從附圖和對其的描述中變得明顯。


并入說明書中且構(gòu)成本說明書一部分的附圖示出本發(fā)明的實(shí)施例，并連同上面給出的一般性描述和下面給出的對實(shí)施例的詳細(xì)描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，相應(yīng)或相同的附圖標(biāo)記或符號指示相應(yīng)或相同的結(jié)構(gòu)。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的細(xì)胞培養(yǎng)裝置的透視圖。

圖2是兩個細(xì)胞培養(yǎng)裝置的堆疊的剖視圖，其中每個細(xì)胞培養(yǎng)裝置均類似于圖1的細(xì)胞培養(yǎng)裝置。圖3是權(quán)利要求1中細(xì)胞培養(yǎng)裝置的一個端口的放大透視圖。圖4是圖1中細(xì)胞培養(yǎng)裝置的一部分沿圖1中4-4線截取的剖視圖。圖5是圖4中由附圖標(biāo)記5圈劃的連續(xù)托盤間的接頭的放大視圖，所述托盤構(gòu)成圖1的細(xì)胞培養(yǎng)裝置。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參照附圖，特別是參照圖1來描述根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的細(xì)胞培養(yǎng)裝置10(“裝置”10)。該裝置由多個托盤12a、12b、12c、12d組成，每個托盤配置成用于細(xì)胞的培養(yǎng)。每個托盤12a、12b、12c、12d相對于另一托盤12a、12b、12c、12d豎直地堆疊。示例性實(shí)施例中包括四個托盤，但是托盤12a、12b、12c、12d的數(shù)量可以變化。托盤12a、12b、12c、12d配置成彼此流體連通，并因此提供裝置總?cè)莘e,其為各個托盤12a、12b、12c、12d的每個容積13a、13b、13c、13d(圖2)的總和。裝置總?cè)莘e與裝置10的外部環(huán)境之間的氣體交換可經(jīng)由一個或多個通風(fēng)端口 14來進(jìn)行。關(guān)閉件16，16'可與定位在堆疊頂部處(或者如果僅需單個托盤，則定位在托盤中)的托盤12d的每個通風(fēng)端口 14相關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)施例中，關(guān)閉件16可包括低輪廓形狀以便于如圖2所示那樣進(jìn)行兩個或更多個的裝置10的堆疊。用于和裝置10—起使用的低輪廓關(guān)閉件16，16'的一個實(shí)例在與本申請同日提交、標(biāo)題為“VENTABLE CLOSURE WITH PORT”(代理人案卷編號NAC-147US)的第XX/XXX, XXX號美國專利申請中有所描述,其公開內(nèi)容以其整體通過引用并入本文。仍參考圖1，每個托盤12a、12b、12c、12d包括限定生長表面20的底板或底部18，以及從托盤12a、12b、12c、12d的底部18向上延伸的至少一個壁。雖然托盤12a、12b、12c、12d可結(jié)合任何適當(dāng)?shù)男螤?包括例如矩形、方形、圓形、圓圈形、長圓形、橢圓形、多邊形或梯形，但所示裝置10基本為矩形，并包括從托盤12的底部18向上延伸的兩個基本平行的端壁22和兩個基本平行的側(cè)壁24。在堆疊時，一個托盤的底部18可向位于所述一個托盤下方的緊鄰?fù)斜P提供頂部或蓋。因此，頂部托盤12d可保持對裝置10外部的環(huán)境開放，替代性地，可使用單獨(dú)的蓋件(未示出)。托盤12a、12b、12c、12d可包括設(shè)計(jì)成向裝置10提供特定益處的一個或多個特征；然而，所述特征可以并入到任意組合中，并且所述特征中的全部或一些可不包含在特定實(shí)施例中。例如，每個托盤12a、12b、12c、12d可由一個或多個增強(qiáng)肋26來增強(qiáng)，所述一個或多個增強(qiáng)肋至少部分地在托盤12a、12b、12c、12d的底部18的縱向方向上延伸。所述增強(qiáng)肋26可沿著端壁22進(jìn)一步向上延伸。在一些實(shí)施例中，增強(qiáng)肋26可沿底部18的大部分延伸，為底部18提供結(jié)構(gòu)支撐。在一些實(shí)施例中，側(cè)壁24也可以包括增強(qiáng)肋27，其可以類似于增強(qiáng)肋26 (例如，沿著托盤12a、12b、12c、12d的底部18延伸)、或者如圖所示以主要定位于底部18和側(cè)壁24間交界處的方式來成形。如圖2中所示，裝置10中的至少頂部托盤12d可以包括一個或多個標(biāo)示，例如，線或其它標(biāo)記30，用于指示每個托盤12a、12b、12c、12d的內(nèi)容物的體積和/或裝置10的內(nèi)容物的總體積。此類標(biāo)記30可位于側(cè)壁24或端壁22的一個或兩者上。在一些實(shí)施例中，增強(qiáng)件26也可包括標(biāo)記30，或者與標(biāo)記30共同延伸，藉此提供體積指示及結(jié)構(gòu)增強(qiáng)功能。雖然如圖2中所示的標(biāo)記30附帶有指示體積量的標(biāo)簽，諸如“100”、“200”、“300”，但是應(yīng)該理解所述標(biāo)簽不是必要的。

參照圖3，由于最頂部的托盤12a可能需要用于執(zhí)行一項(xiàng)或多項(xiàng)特定功能的結(jié)構(gòu)特征，最頂部的托盤與構(gòu)成堆疊的其它托盤12b、12c、12d相比可略微不同。例如,最頂部托盤12d的通風(fēng)端口 14可包括傾倒口 28。在這方面，傾倒口 28可形成為遠(yuǎn)離框邊31側(cè)向延伸的唇緣29，所述框邊31限定托盤12d的各壁22、24的頂部邊緣。因此，以及在關(guān)閉件16從通風(fēng)端口 14移除時，傾倒口 28可配置成從裝置10中排出流體。托盤12a、12b、12c、12d可使用熱塑性材料(包括例如聚苯乙烯)模制而成。取決于所使用的材料，托盤底部18的厚度可以變化，但應(yīng)當(dāng)足以在裝置10填充有合適體積的培養(yǎng)基32 (圖4)時防止底部18的顯著弓曲。針對聚苯乙烯，對于具有約632cm2的培養(yǎng)表面積并配置成保持約200ml到約300ml培養(yǎng)基32 (圖4)的托盤而言，建議厚度為約0.5mm。在一些實(shí)施例中，裝置10可由經(jīng)過滅菌的材料構(gòu)成，上述滅菌包括例如通過(β或Y射線)輻照、高壓蒸汽、環(huán)氧乙烷、化學(xué)消毒劑的滅菌或者干熱滅菌。在這些或其它實(shí)施例中，裝置10可由熱塑性材料制成，和/或由例如通過注射成型而形成的材料來制成。適于在該情況下使用的材料實(shí)例包括例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚砜、聚甲基戊烯、聚甲基丙烯酸甲酯、對苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯、或ABS(丙烯-丁二烯-苯乙烯)。然而，在此給出的實(shí)例在本質(zhì)上僅是示例性的，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解如何選擇適合用于構(gòu)建所述裝置的其它材料?，F(xiàn)在參照圖4，示出下部的托盤12b、12c、12d包括一體積的液體，諸如細(xì)胞培養(yǎng)基32。下部托盤12b、12c、12d通常經(jīng)由通風(fēng)端口 14彼此流體連通，所述通風(fēng)端口 14作為下部托盤12b、12c、12d的一部分，其缺少關(guān)閉件16，并因此限定下部托盤12b、12c、12d之間和之中的流體路徑或通道34。開口 36形成于每個托盤12b、12c、12d的通風(fēng)端口 14和上方直接相鄰的托盤12a、12b、12c之間，并且在托盤12b、12c、12d的容積13b、13c、13d之間提供流體連通。以這種方式，氣體可以在每個托盤12b、12c、12d內(nèi)的細(xì)胞培養(yǎng)物之間進(jìn)行交換，進(jìn)而提供更均勻的生長環(huán)境。通道34具有最下端37，其與關(guān)閉件16對置且位于最下部的托盤12d內(nèi)。在這方面，最下部的托盤12d可包括處于通風(fēng)端口 14內(nèi)的止動件38，來密封通道34的最下端37并防止培養(yǎng)基32的意外損失和/或減少微生物污染的風(fēng)險。止動件38可包括用于與通風(fēng)端口 14形成密封的一個或多個肋、至少一個螺紋、0形環(huán)39、或者帶或不帶粘合劑的其它裝置。仍參考圖4，可通過結(jié)合構(gòu)成堆疊的托盤12a、12b、12c、12d中的相鄰?fù)斜P來構(gòu)建裝置10，上述結(jié)合可包括例如激光焊接、超聲波焊接、溶劑粘接或粘合劑粘接(膠合)。粘合劑粘接提供了生產(chǎn)優(yōu)勢，例如通過減少因焊接附接失敗而不被接受的堆疊數(shù)量。因此，為了進(jìn)一步提高粘合劑粘接的有效性，托盤12a、12b、12c、12d可包括有助于堆疊、對齊和附接的各種結(jié)構(gòu)元件。更具體而言，且現(xiàn)在參照圖4和圖5，托盤12a、12b、12c、12d可在托盤12a、12b、12c、12d中相鄰?fù)斜P之間的接觸點(diǎn)處包括接頭41，S卩，舌槽接頭。圖5更詳細(xì)地例示出舌槽接頭41的這樣一個實(shí)施例。特別地，每個托盤12b、12c、12d (不包括最上部的托盤12a，因?yàn)樵撏斜P具有傾倒口 28)均包括位于每個端壁22和側(cè)壁24上且貼近框邊31定位的上表面40。溝槽42向下延伸到壁22、24中，并且可圍繞每個托盤12b、12c、12d的壁22、24的上周邊的至少一部分而延伸。溝槽42限定溝槽內(nèi)壁44和溝槽外壁46，其中溝槽內(nèi)壁44通?？啥逃跍喜弁獗?6。溝槽42具有這樣的形狀和尺寸:其配置成接納從托盤12a、12b、12c、12d的外底表面50向下懸垂的舌狀件48。在一些實(shí)施例中，舌狀件48可圍繞每個托盤12a、1·2b、12c、12d的下周邊的至少一部分延伸。因此，以及在第一托盤12a、12b、12c放置于第二托盤12b、12c、12d的上方且定位到其上時，第二托盤12b、12c、12d的溝槽42接納第一托盤12a、12b、12c (即上方直接相鄰的托盤12a、12b、12c)的舌狀件48。在一些實(shí)施例中，舌狀件48可與壁22、24共同延伸；或者以其它方式，舌狀件48可從所述壁22、24向內(nèi)遠(yuǎn)離并從外底表面50處延伸。溝槽內(nèi)壁44可具有上表面52，其配置成接納且鄰近上方直接相鄰的托盤的外底表面50。該接觸配置成抵制粘合劑從溝槽42移動到托盤12b、12c、12d的容積13b、13c、13d內(nèi)。在一些實(shí)施例中，舌狀件48具有的橫向?qū)挾瘸叽缈尚∮跍喜?2的橫向?qū)挾瘸叽?，因而舌狀?8可駐留于溝槽42內(nèi)，但不完全填滿溝槽42。在一些實(shí)施例中，舌狀件48可配置成不接觸溝槽內(nèi)壁44、溝槽外壁46、或溝槽42的底壁53。將舌狀件48遠(yuǎn)離這些壁44、46、53間隔開一定間距會在舌狀件48和溝槽42之間限定出配置成接納粘合劑54的空間。溝槽內(nèi)壁44和溝槽外壁46的形狀和尺寸配置成在托盤12a、12b、12c、12d處于堆疊布置時使粘合劑圍繞舌狀件48向上擴(kuò)散。以這種方式使粘合劑擴(kuò)散增大了粘合劑粘接的表面積。而上述間距可以變化，在一些實(shí)施例中，舌狀件48和溝槽內(nèi)壁44之間的間距可約為0.015英寸(0.381毫米)，舌狀件48和溝槽外壁46之間的間距可約為0.025英寸(0.635毫米)，舌狀件48和溝槽42的底部之間的間距可約為0.010英寸(0.254毫米)。為了構(gòu)建裝置10，且一旦托盤12a、12b、12c、12d堆疊，少量的粘合劑54便被引導(dǎo)到溝槽42中。粘合劑54相對于溝槽42的壁表面的接觸角、和/或粘合劑的粘度致使粘合劑擴(kuò)散并填充舌狀件48與溝槽內(nèi)壁44、溝槽外壁46和底壁53之間的空間，如上面詳細(xì)論述的那樣。雖然可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的用于粘接塑料的任何合適的粘合劑，但是合適的粘合劑可包括具有低細(xì)胞毒性的那些粘合劑，或更優(yōu)選地，可包括被認(rèn)為無細(xì)胞毒性的粘合劑。用于制造本發(fā)明的合適粘合劑的實(shí)例包括但不限于UV/光固化聚氨酯丙烯酸酯粘合劑、氧/濕固化或UV/光固化的氰基丙烯酸酯粘合劑、自固化的環(huán)氧樹脂、和UV/光固化的乙烯基丙烯酰胺基粘合劑。這樣的粘合劑可包括聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)、聚(甲基丙烯酸異冰片酯)、聚(丙烯酸異冰片酯)、或它們的組合。以上述方式構(gòu)建的圖1的裝置10可提供幾個優(yōu)勢。其一，舌槽接頭14相對表面的嚴(yán)格公差以及形狀和尺寸，使得能夠由自動化的機(jī)器并根據(jù)有效的制造工藝來進(jìn)行制造。制造方法的自動化可提供在產(chǎn)品制造方面的一致性，并減少制造誤差。此外，舌槽接頭41可提供一個托盤12a、12b、12c、12d相對于相鄰?fù)斜P12a、12b、12c、12d相對定位的一致性，藉此減少潛在的定位誤差，否則上述定位誤差會在包括大量托盤的堆疊中疊加，例如，具有二十、四十或更多個托盤的堆疊。同樣，溝槽內(nèi)壁44相對于上方直接相鄰的托盤底表面50的形狀和尺寸容納有通常到達(dá)舌槽接頭41的粘合劑，并且能抵制到托盤12a、12b、12c、12d的容積13a、13b、13c、13d內(nèi)的泄漏，降低相關(guān)污染的風(fēng)險。根據(jù)本發(fā)明的各個實(shí)施例，裝置10的高度可以降低，以便為裝置10的每單位高度提供更大的細(xì)胞生長表面積。因此，以及再次參照圖4，每個托盤12a、12b、12c、12d具有高度尺寸htMy，其從舌狀件48的底部邊緣59延伸至同一托盤12a、12b、12c、12d的框邊31。包括托盤12的堆疊在內(nèi)的裝置10從最下部托盤12d的舌狀件48的底部邊緣59向上延伸至最上部托盤12a (不包括任何關(guān)閉件16，所述關(guān)閉件16從堆疊10移除)的框邊31，其限定裝置總高度hstadi 。堆疊高度hstadi可大約等于構(gòu)成堆疊的托盤部件高度htray的總和，但是由于托盤12a、12b、12c、12d在接頭41的區(qū)域中重疊，裝置總高度hstaek實(shí)際上稍小于所述直接總和。在使用期間，以及在培養(yǎng)基32容納于托盤12a、12b、12c、12d的容積13a、13b、13c、13d內(nèi)時，頂部空間60被限定為一空間，該空間位于容納在托盤12b、12c、12d內(nèi)的培養(yǎng)基32與上方直接相鄰的托盤12a、12b、12c的外底表面50之間。每個托盤12a、12b、12c、12d的托盤高度htMy主要可通過減小壁22、24的高度而減小。令人驚訝的是，頂部空間60的量可以減小，而不會對細(xì)胞培養(yǎng)物的生長速率和健康狀況造成不利影響。所述的另一種方式，業(yè)已發(fā)現(xiàn)托盤高度htray可減小至從約12毫米到約6毫米的范圍內(nèi)，而不會對細(xì)胞培養(yǎng)物的生長和健康造成不利影響。例如，具有約632cm2的生長表面積以及在約7.5毫米至約9.5毫米范圍內(nèi)的托盤高度的托盤可容下多達(dá)每托盤300mL的培養(yǎng)基，同時提供足夠用于氣體交換和細(xì)胞生長的頂部空間。由于托盤高度的這種降低，根據(jù)本發(fā)明一個或多個實(shí)施例、包括六十個托盤的堆疊的裝置可具有的裝置高度例如基本上相當(dāng)于包括四十個傳統(tǒng)托盤的裝置的裝置高度。類似地，根據(jù)本發(fā)明一個或多個實(shí)施例、包括十五個托盤的堆疊的裝置具有的裝置高度基本上相當(dāng)于包括常規(guī)托盤的堆疊的裝置的裝置高度。高度的降低在空間和資源方面帶來大幅節(jié)省。因此，根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的裝置的細(xì)胞生長總表面積與具有類似高度的傳統(tǒng)裝置的細(xì)胞生長總表面積相比是增大的。因此，包括托盤12堆疊的裝置10，其特征可在于托盤數(shù)量與裝置高度毫米數(shù)的比率。在一些實(shí)施例中，該比率可在約1:12至約1:6的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，該比率可為約1:9.5。還在其它實(shí)施例中，該比率可為1:6或1:7.5。根據(jù)本發(fā)明各個實(shí)施例的裝置可包括具有長度和寬度的任意組合的托盤，并因此提供大范圍的生長表面積。一些實(shí)施例可包括表面積在約200cm2至700cm2范圍內(nèi)的托盤，但也可考慮在該范圍之外的尺寸。此外，該裝置可包括配置成經(jīng)由機(jī)械(機(jī)器人)器械操控的形狀和/或尺寸。雖然通過其實(shí)施例的描述示出了本發(fā)明，并且雖然相當(dāng)詳細(xì)地描述了實(shí)施例，但是并不意圖以任何方式將所附權(quán)利要求的范圍制約或限制到這種細(xì)節(jié)。附加的優(yōu)勢和修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。因此，本發(fā)明在其最廣泛的方面并不限于所示和所述的具體細(xì)節(jié)。本文所公開的各個特征也可在特定應(yīng)用所必要或需要的任何組合中使用。因此，在 不脫離以下權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可對本文所述的細(xì)節(jié)作出改變。
權(quán)利要求
1.一種細(xì)胞培養(yǎng)裝置，包括: 多個托盤，每個托盤具有細(xì)胞生長表面和從細(xì)胞生長表面向上延伸的至少一個壁，所述至少一個壁配置成在其上接納附加的托盤； 其中，所述多個托盤的數(shù)量與所述多個托盤的高度尺寸的比率大于或等于約每12毫米I個托盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其中，所述比率小于或等于約每6毫米I個托盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其中，相鄰的托盤通過舌-槽接頭堆疊并連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其中，每個托盤包括底表面和圍繞每個托盤的下周邊的至少一部分從所述底表面向下懸垂的舌狀件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其中，每個托盤還包括側(cè)壁、端壁、以及圍繞每個托盤的上周邊的至少一部分延伸的溝槽，所述溝槽限定在側(cè)壁和井中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其中，所述舌狀件小于所述溝槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，還包括粘接相鄰?fù)斜P的粘合劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，還包括形成為包括傾倒口的通風(fēng)端口。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其中，所述傾倒口包括從傾倒口延伸的唇緣。
10.一種制備用于細(xì)胞培`養(yǎng)的托盤的堆疊的方法，所述方法包括以下步驟: 將第一托盤相對于第二托盤定位在堆疊位置； 第一和第二托盤包括側(cè)壁、端壁、限定在側(cè)壁和端壁中的溝槽、底部以及懸垂于所述底部的舌狀件； 其中，在所述堆疊位置，第一托盤的溝槽接納第二托盤的舌狀件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括: 將粘合劑放置于第一托盤的溝槽中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，放置粘合劑在定位第一托盤之前進(jìn)行。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，每個托盤的舌狀件小于每個托盤的溝槽。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，每個托盤的溝槽由溝槽內(nèi)壁和溝槽外壁限定，并且粘合劑定位在舌狀件與溝槽內(nèi)壁和溝槽外壁中的至少一個之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述粘合劑定位在舌狀件與溝槽內(nèi)壁和溝槽外壁之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二托盤還包括關(guān)閉件。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二托盤還包括傾倒口。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述傾倒口包括從其延伸的唇緣。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述堆疊具有一堆疊高度，并且托盤的數(shù)量與堆疊高度的比率大于或等于約每12毫米I個托盤，且小于或等于約每6毫米I個托盤。
20.一種細(xì)胞培養(yǎng)托盤，包括: 托盤底部，其具有面朝上的細(xì)胞生長表面和面朝下的表面； 至少一個壁，其從細(xì)胞生長表面向上延伸且具有頂部邊緣； 至少一個通風(fēng)端口，其貫穿托盤底部；溝槽，其從所述至少一個壁的頂部邊緣向下延伸，并限定溝槽內(nèi)壁和溝槽外壁；以及 舌狀件，其懸垂于所述面朝下的表面； 其中，所述溝槽配置成接納位于所述細(xì)胞培養(yǎng)托盤上方的另一托盤的舌狀件，所述至少一個通風(fēng)端口配置成與所述另一托盤的所述至少一個通風(fēng)端口對齊。
21.一種細(xì)胞培養(yǎng)裝置，包括: 根據(jù)權(quán)利要求20所述的細(xì)胞培養(yǎng)托盤的堆疊； 關(guān)閉裝置，其流體聯(lián)接至最頂部細(xì)胞培養(yǎng)托盤的所述至少一個通風(fēng)端口 ；以及 密封件，其聯(lián)接至最 下部細(xì)胞培養(yǎng)托盤的所述至少一個通風(fēng)端口。
全文摘要
用于細(xì)胞培養(yǎng)的細(xì)胞培養(yǎng)裝置(10)。所述細(xì)胞培養(yǎng)裝置(10)包括多個托盤(12a,12b,12c,12d)，每個托盤(12a,12b,12c,12d)具有細(xì)胞生長表面(20)和從細(xì)胞生長表面(20)向上延伸的至少一個壁(22,24)。所述至少一個壁(22,24)配置成在其上接納附加的托盤。所述多個托盤(12a,12b,12c,12d)的數(shù)量與所述多個托盤(12a,12b,12c,12d)的高度尺寸的比率大于或等于約每12毫米1個托盤。
文檔編號C12M1/22GK103249828SQ201180058584
公開日2013年8月14日 申請日期2011年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月12日
發(fā)明者G·S·潘克拉茨, T·尼爾松, J·M·斯塔頓 申請人:納格·南科國際有限公司