專利名稱：基因芯片用襯底表面衍生化處理技術的制作方法
(一)、所屬領域本發(fā)明涉及的是材料的處理方法，具體地說是一種應用于采用點樣法或片上原位合成基因芯片的制作的玻璃片、石英或硅片襯底的處理方法。
(二)、背景技術基因芯片技術是二十世紀九十年代發(fā)展起來的高新技術，主要用于基因測序、疾病診斷等領域，并且在藥物篩選、SNPs分析等方面也有非常廣闊的應用前景?；蛐酒囊r底可以是硅片、玻璃、聚苯乙烯薄膜等。其中玻璃因具有原料易得、成本低、易于加工等特點，所以使用最為廣泛。在制作基因芯片時，須先將襯底表面進行處理，以便于與核苷酸分子的端羥基進行共價聯(lián)結。目前的處理方法包括氨基化處理、醛基化處理、多聚賴氨酸處理、聚合物表面包被改性等。其中氨基化、醛基化及多聚賴氨酸處理多用于玻璃襯底的處理，聚合物表面包被改性多用于高分子薄膜基體襯底的處理。但無論哪種方法，使用效果都不佳，主要存在問題為連接不牢固、檢測結果不穩(wěn)定、一致性差。
(三)、發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種熒光背景低、聯(lián)結牢固、一致性好的基因芯片用襯底表面衍生化處理技術。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的(1)、襯底的清洗將襯底在純水中超聲清洗10-20分鐘，而后在無水乙醇中超聲清洗10-20分鐘；(2)、襯底的羥基化將經(jīng)清洗的襯底置于體積比濃度為1∶1的濃硫酸與雙氧水的混合洗液中，70-90℃下煮10-30分鐘，而后將襯底在摩爾濃度為1-3M的堿性溶液中、在50-80℃的溫度下處理10-20分鐘；(3)、襯底的氨基化將羥基化的襯底置于體積比濃度為2-10％氨基硅烷偶聯(lián)劑的pH值3.0-6.5的酸性溶液中，處理12-24小時；(4)、襯底的醛基化將氨基化的襯底置于重量比為2-10％的戊二醛的溶液中處理15-30分鐘。
本發(fā)明中的襯底的羥基化所用的堿性溶液是NaOH、KOH或NH4OH中的任何一種；襯底的氨基化所用的氨基硅烷是氨丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷或者是氨丙基二甲氧基硅烷中的任何一種；襯底是玻璃片、石英片或硅片中的任何一種。
采用本工藝制作的基因芯片用襯底熒光背景低、連接率高、并且穩(wěn)定一致。與其它相關處理方法所得的同類襯底對比如下
(四)、具體實施方案下面舉例對本發(fā)明做更詳細地描述實施例一1、玻片的清洗將玻片在純水中超聲清洗10分鐘，而后在無水乙醇中超聲清洗10分鐘。
2、玻片的羥基化將經(jīng)清洗的玻片置于濃硫酸與雙氧水(1∶1vt％)的混合洗液中，70℃下煮10-30分鐘，而后在摩爾濃度為2M的KOH中70℃處理20分鐘。
3、玻片的氨基化將羥基化的玻片置于3％(vt)的氨丙基三甲氧基硅烷的酸性溶液中，pH值3.0，處理過夜，即得到氨基化玻片。
4、玻片的醛基化將氨基化的玻片置于10％的戊二醛的溶液中處理30分鐘，即得到醛基化玻片。
實施例二1、硅片的清洗將硅片在純水中超聲清洗15分鐘，而后在無水乙醇中超聲清洗10分鐘。
2、硅片的羥基化將經(jīng)清洗的硅片置于濃硫酸與雙氧水(1∶1vt％)的混合洗液中，90℃下煮20-30分鐘，將經(jīng)清洗的硅片在摩爾濃度為1M的NaOH中80℃處理20分鐘。
3、硅片的氨基化將羥基化的硅片置于10％(vt)的氨丙基三乙氧基硅烷的酸性溶液中，pH值5.0，處理過夜，即得到氨基化硅片。
4、硅片的醛基化將氨基化的硅片置于8％的戊二醛的溶液中處理15分鐘，即得到醛基化硅片。
實施例三1、石英片的清洗將石英片在純水中超聲清洗10分鐘，而后在無水乙醇中超聲清洗10分鐘。
2、石英片的羥基化將經(jīng)清洗的石英片置于濃硫酸與雙氧水(1∶1vt％)的混合洗液中，80℃下煮20-30分鐘，將經(jīng)清洗的石英片在摩爾濃度為2M的NH4OH中50℃處理20分鐘。
3、石英片的氨基化將羥基化的石英片置于5％(vt)的氨丙基二甲氧基硅烷的酸性溶液中，pH值6.0，處理過夜，即得到氨基化石英片。
4、石英片的醛基化將氨基化的石英片置于8％的戊二醛的溶液中處理20分鐘，即得到醛基化石英片。
權利要求
1.一種基因芯片用襯底表面衍生化處理技術，其特征是(1)、襯底的清洗將襯底在純水中超聲清洗10-20分鐘，而后在無水乙醇中超聲清洗10-20分鐘；(2)、襯底的羥基化將經(jīng)清洗的襯底置于體積比濃度為1∶1的濃硫酸與雙氧水的混合洗液中，70-90℃下煮10-30分鐘，而后將襯底在摩爾濃度為1-3M的堿性溶液中、在50-80℃的溫度下處理10-20分鐘；(3)、襯底的氨基化將羥基化的襯底置于體積比濃度為2-10％氨基硅烷偶聯(lián)劑的pH值3.0-6.5的酸性溶液中，處理12-24小時；(4)、襯底的醛基化將氨基化的襯底置于重量比為2-10％的戊二醛的溶液中處理15-30分鐘。
2.根據(jù)權利要求1所述的基因芯片用襯底表面衍生化處理技術，其特征是襯底的羥基化所用的堿性溶液是摩爾濃度1-3M的NaOH、KOH或NH4OH中的任何一種。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的基因芯片用襯底表面衍生化處理技術，其特征是襯底的氨基化所用的氨基硅烷是氨丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷或者是氨丙基二甲氧基硅烷中的任何一種。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的基因芯片用襯底表面衍生化處理技術，其特征是襯底是玻璃片、石英片或硅片中的任何一種。
5.根據(jù)權利要求3所述的基因芯片用襯底表面衍生化處理技術，其特征是襯底是玻璃片、石英片或硅片中的任何一種。
全文摘要
本發(fā)明涉及的是一種基因芯片用襯底表面衍生化處理技術。將經(jīng)超凈清洗的襯底采用堿性溶液進行羥基化處理，而后用氨基硅烷偶聯(lián)劑進行氨基化處理，從而形成氨基化襯底，進一步可用戊二醛進行醛基化處理，即成為醛基化襯底。采用本技術制作的襯底可用于采用點樣法或片上原位合成基因芯片的制作。采用本工藝制作的基因芯片用襯底熒光背景低、連接率高、并且穩(wěn)定一致。
文檔編號C12Q1/68GK1552895SQ03132420
公開日2004年12月8日 申請日期2003年6月4日 優(yōu)先權日2003年6月4日
發(fā)明者劉曉為, 王春生, 閻玉清, 殷景華, 賀訓軍, 閻作梅, 張宇輝, 于晶 申請人:哈爾濱基太生物芯片開發(fā)有限責任公司