1.一種甘草種植方法，包括：
步驟（1）整地；
步驟（2）施肥；
步驟（3）覆膜；
步驟（4）播種，
所述步驟（1）整地包括深松、碎土和成壟環(huán)節(jié)，在進行整地時，深松土壤，深松溝寬，溝上自然起壟；
所述步驟（2）施肥時，進行壟上機械集中施肥；
所述步驟（4）播種采用膜下精量點播技術(shù)，進行膜下精量點播時，采用一壟多行點播技術(shù)，播種深度3.0cm以下，種穴輕微覆土2.0cm以下，在播種前，甘草種子經(jīng)稀鹽酸攪拌浸泡，經(jīng)稀鹽酸攪拌浸泡，
其特征在于：在甘草莖部長至4-6cm時，掐去甘草頂端幼芽，破壞其頂端生長點，可使甘草縱向長勢停止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的甘草種植方法，其特征在于：所述步驟（1）整地包括深松、碎土和成壟環(huán)節(jié)，在進行整地時，深松土壤0.5-2.5m，深松溝寬20-60cm，溝上自然起壟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的甘草種植方法，其特征在于：所述步驟（2）施肥時，進行壟上機械集中施肥，施肥深度10-16cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的甘草種植方法，其特征在于：所述步驟（4）播種采用膜下精量點播技術(shù)，進行膜下精量點播時，采用一壟雙行點播或一壟四行點播技術(shù)，播種深度1.6-1.9cm，種穴輕微覆土1.4-1.8cm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的甘草種植方法，其特征在于：在播種前，甘草種子經(jīng)稀鹽酸攪拌浸泡，經(jīng)稀鹽酸攪拌浸泡 18-25min，浸泡溫度為20-30℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的甘草種植方法，其特征在于：所述步驟（2）所施用肥料為液態(tài)有機肥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的甘草種植方法，其特征在于：在甘草莖部長至4-6cm時，掐去甘草頂端幼芽后，在頂端進行表面消毒。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的甘草種植方法，其特征在于：所述表面消毒步驟包括，（1）用消毒液將甘草頂端表面擦拭干凈；（2）用蒸餾水清洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的甘草種植方法，其特征在于：所述消毒液為酒精。