一種高溫高濕條件下促進植物插穗快速生根的育苗方法
【專利摘要】本發(fā)明主要涉及一種高溫高濕條件下促進植物插穗快速生根的育苗方法，包括以下操作步驟：一、育苗設(shè)施建設(shè)，二、設(shè)施內(nèi)環(huán)境控制，三、育苗池布置，四、母株培養(yǎng)與插穗采集，五、插穗前處理，六、扦插與苗床管理，七、生根苗移栽。本發(fā)明利用高溫高濕極端條件，結(jié)合緩釋生根劑刺激，提高了插穗生根率與生根質(zhì)量，根數(shù)量多且粗壯，顯著縮短了成苗時間，可以有效的提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明扦插苗移入大田沒有明顯的緩苗期，移栽成活率達到95-100%，生長速度顯著加快，能夠提高苗體質(zhì)量。本發(fā)明扦插苗經(jīng)過了極端條件篩選，能夠從中選育出抗逆性和生長量更優(yōu)的新品系，而且扦插苗整齊度高，便于工廠化的周年批量生產(chǎn)。
【專利說明】一種高溫高濕條件下促進植物插穗快速生根的育苗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于植物扦插育苗【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種高溫高濕條件下促進植物插穗快速生根的育苗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]扦插育苗是林木、花卉植物常用的育苗方法，常規(guī)的扦插育苗方法成苗周期長，受環(huán)境變化影響大，生根率不高，移栽成活率低，苗木整齊度差，移栽后苗木生長慢，不便于標準生產(chǎn)。
[0003]研究表明植物生長發(fā)育受到體內(nèi)多種激素平衡的調(diào)控，外源植物生長調(diào)節(jié)劑進入植物體內(nèi)后，能夠改變體內(nèi)激素平衡，并通過調(diào)節(jié)一系列生理生化過程，影響到植物的生根、長芽等形態(tài)建成過程。因此，在一定的極端環(huán)境條件下，植物具有快速修復損傷、重建完整植株個體的潛能，結(jié)合生長調(diào)節(jié)劑刺激，能夠誘導植物插穗生根、長芽等形態(tài)重建過程。
[0004]2001年史玉群出版了《全光照噴霧嫩枝扦插育苗技術(shù)》一書，全面介紹了扦插育苗方法，對指導植物扦插育苗起到了重要的推動作用，其問題是開放環(huán)境條件下，插穗生根困難、苗木整齊度差、移栽后生長慢。袁強的發(fā)明專利《一種育苗池及育苗方法》，在塑料大棚設(shè)施條件下進行，提高了嫩枝扦插生根與移栽成活的效率，仍然存在苗木整齊度差等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種高溫高濕條件下促進植物插穗快速生根的育苗方法，該方法解決了成苗周期長，生根率不高，移栽成活率低，苗木整齊度差，移栽后苗木生長慢，不便于標準化生產(chǎn)的問題。
[0006]本發(fā)明實現(xiàn)上述目的采用的技術(shù)方案是:一種高溫高濕條件下促進植物插穗快速生根的育苗方法，包括以下操作步驟:
步驟一、育苗設(shè)施建設(shè)
按照南北走向建設(shè)育苗日光溫室大棚，棚高2.5-3m，地面做硬化處理，棚兩側(cè)設(shè)置通風換氣裝置；
步驟二、設(shè)施內(nèi)環(huán)境控制
溫室大棚內(nèi)安裝溫度、濕度探頭，并與控制室計算機連接，根據(jù)設(shè)定參數(shù)自動控制溫度、相對濕度，以及噴霧裝置的啟動；
步驟三、育苗池布置
溫室大棚內(nèi)按照東西走向設(shè)置育苗池，育苗池寬度為0.8-1.2!11，池深20-30 ，育苗池的材質(zhì)為鋁塑板，育苗池兩端落差3-5cm，低端的底部預留排水孔，育苗池底部鋪設(shè)一層直徑為3-5cm的鵝卵石，鵝卵石上鋪設(shè)有與育苗池內(nèi)部寬度相等的泡沫板，泡沫板厚度l-2cm,泡沫板上每隔5cm設(shè)置一個直徑為0.3-0.5cm的滲水孔，向泡沫板上噴水至排水孔有水流出；取直徑為0.2-0.3cm的珍珠巖，置于200-500 mg/kg的ClO2溶液中浸泡l_3d，將浸泡過的珍珠巖鋪設(shè)在育苗池內(nèi)的泡沫板上作為培養(yǎng)基質(zhì)，鋪設(shè)厚度為15-20cm，育苗池布置完成，備用；
步驟四、母株培養(yǎng)與插穗采集
在日出前或者陰天采集半木質(zhì)化程度的幼嫩枝條為插穗，保濕，備用；
步驟五、插穗前處理
先用自來水沖洗步驟四得到的插穗，再用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈與質(zhì)量濃度50%的甲基托布津的混合液，加水配制成500倍稀釋液，對插穗浸泡消毒lOmin，其中多菌靈與甲基托布津的質(zhì)量比為I ;1 ;然后將插穗修剪至長度為4-6cm，保留1-3片葉；接著用移栽生根劑的5-10倍稀釋液處理插穗基部l-2cm處10-30min，然后在30_40°C條件下保濕5_6h，備用;
步驟六、扦插與苗床管理
將步驟五得到的插穗插到步驟三育苗池內(nèi)的培養(yǎng)基質(zhì)上，插入深度為2-4cm，插穗之間的株行距不小于3cm，大棚內(nèi)每天6-18點的溫度和濕度分別設(shè)置如下:植物生根誘導期大棚內(nèi)的最高溫度為36-40°C、最低溫度為30-34°C、相對濕度為93_97%，噴霧時間間隔以葉片50%以上面積有水為度；植物生根表達期，大棚內(nèi)的最高溫度為38-42°C、最低溫度為30-35°C、相對濕度93-97%，噴霧時間間隔以葉片50%面積有水為度；植物根系伸長期，大棚內(nèi)的最高溫度為34-36°C、最低溫度為30-32°C、相對濕度為90_95%，噴霧時間間隔以葉片30%面積有水為度，根長達到Icm以上后噴霧時間間隔以葉片不超過20%面積有水為度；整個生根期間，夜間不噴霧，夜間溫度不低于30°C，濕度不小于90% ；
整個生根期間，每隔6天用質(zhì)量 濃度為50%的多菌靈或50%的甲基托布津的800倍稀釋液噴苗一次；
步驟七、生根苗移栽
當插穗根系長度達到2-3cm后移入營養(yǎng)缽，營養(yǎng)缽內(nèi)的栽培基質(zhì)為質(zhì)量比為3:1的腐植土與珍珠巖的混合物，在室內(nèi)溫度為30-35°C條件下，煉苗7-10d，然后移入大田常規(guī)水
肥管理。
[0007]本發(fā)明中采用的移栽生根劑為ZL200910064521.2公開的緩釋牡丹移栽生根齊U，由以下組成構(gòu)成:萘乙酸(NAA) 50-400mg/L、吲哚丁酸(IBA) 200_800mg/L、二甲亞砜
0.5-4%、硫酸鋅 0.01-0.05%、聚乙烯醇(PVA) 2_10%。
[0008]本發(fā)明的有益效果
其一、本發(fā)明利用高溫高濕極端條件，結(jié)合緩釋生根劑刺激，提高了插穗生根率與生根質(zhì)量，根數(shù)量多且粗壯，顯著縮短了成苗時間。多數(shù)品種20-30d成苗，少數(shù)品種10-15d成苗，與普通育苗方法的100-120d成苗周期相比，可以有效的提高生產(chǎn)效率。
[0009]其二、本發(fā)明扦插苗移入大田沒有明顯的緩苗期，移栽成活率達到95-100%，生長速度顯著加快，能夠提高苗體質(zhì)量。
[0010]其三、本發(fā)明扦插苗經(jīng)過了極端條件篩選，能夠從中選育出抗逆性和生長量更優(yōu)的新品系，而且扦插苗整齊度高，便于工廠化的周年批量生產(chǎn)。
【具體實施方式】
[0011]一種高溫高濕條件下促進植物插穗快速生根的育苗方法，包括以下操作步驟: 步驟一、育苗設(shè)施建設(shè)按照南北走向建設(shè)育苗日光溫室大棚，棚高2.5-3m，地面做硬化處理，棚兩側(cè)設(shè)置通風換氣裝置；
步驟二、設(shè)施內(nèi)環(huán)境控制
溫室大棚內(nèi)安裝溫度、濕度探頭，并與控制室計算機連接，根據(jù)設(shè)定參數(shù)自動控制溫度、相對濕度，以及噴霧裝置的啟動；
步驟三、育苗池布置
溫室大棚內(nèi)按照東西走向設(shè)置育苗池，育苗池寬度為0.8-1.2m，池深20-30cm，育苗池的材質(zhì)為鋁塑板，育苗池兩端落差3-5cm，低端的底部預留排水孔，育苗池底部鋪設(shè)一層直徑為3-5cm的鵝卵石，鵝卵石上鋪設(shè)有與育苗池內(nèi)部寬度相等的泡沫板，泡沫板厚度l-2cm,泡沫板上每隔5cm設(shè)置一個直徑為0.3-0.5cm的滲水孔，向泡沫板上噴水至排水孔有水流出；取直徑為0.2-0.3cm的珍珠巖，置于200-500 mg/kg的ClO2溶液中浸泡l_3d，將浸泡過的珍珠巖鋪設(shè)在育苗池內(nèi)的泡沫板上作為培養(yǎng)基質(zhì)，鋪設(shè)厚度為15-20cm，育苗池布置完成，備用；
步驟四、母株培養(yǎng)與插穗采集
在日出前或者陰天采集半木質(zhì)化程度的幼嫩枝條為插穗，保濕，備用；
步驟五、插穗前處理
先用自來水沖洗步驟四得到的插穗，再用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈與質(zhì)量濃度50%的甲基托布津的混合液，加水配制成500倍稀釋液，對插穗浸泡消毒lOmin，其中多菌靈與甲基托布津的質(zhì)量比為I ;1 ;然后將插穗修剪至長度為4-6cm，保留1-3片葉；接著用移栽生根劑的5-10倍稀釋液處理插穗基部l-2cm處10-30min，然后在30_40°C條件下保濕5_6h，備用;
步驟六、扦插與苗床管理
將步驟五得到的插穗插到步驟三育苗池內(nèi)的培養(yǎng)基質(zhì)上，插入深度為2-4cm，插穗之間的株行距不小于3cm，大棚內(nèi)每天6-18點的溫度和濕度分別設(shè)置如下:植物生根誘導期大棚內(nèi)的最高溫度為36-40°C、最低溫度為30-34°C、相對濕度為93-97%，噴霧時間間隔以葉片50%以上面積有水為度；植物生根表達期，大棚內(nèi)的最高溫度為38-42°C、最低溫度為30-35°C、相對濕度93-97%，噴霧時間間隔以葉片50%面積有水為度；植物根系伸長期，大棚內(nèi)的最高溫度為34-36°C、最低溫度為30-32°C、相對濕度為90-95%，噴霧時間間隔以葉片30%面積有水為度，根長達到1cm以上后噴霧時間間隔以葉片不超過20%面積有水為度；整個生根期間，夜間不噴霧，夜間溫度不低于30°C，濕度不小于90% ；
整個生根期間，每隔6天用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈或50%的甲基托布津的800倍稀釋液噴苗一次；
步驟七、生根苗移栽
當插穗根系長度達到2-3cm后移入營養(yǎng)缽，營養(yǎng)缽內(nèi)的栽培基質(zhì)為質(zhì)量比為3:1的腐植土與珍珠巖的混合物，在室內(nèi)溫度為30-35°C條件下，煉苗7-10d，然后移入大田常規(guī)水
肥管理。
[0012]以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步說明:
實施例1:
一種高溫高濕條件下促進美國紅楓插穗快速生根的育苗方法，包括以下操作步驟:步驟一、育苗設(shè)施建設(shè)
按照南北走向建設(shè)育苗日光溫室大棚，棚高2.5m，地面做硬化處理，棚兩側(cè)設(shè)置通風換氣裝置；
步驟二、設(shè)施內(nèi)環(huán)境控制
溫室大棚內(nèi)安裝溫度、濕度探頭，并與控制室計算機連接，根據(jù)設(shè)定參數(shù)自動控制溫度、相對濕度，以及噴霧裝置的啟動；
步驟三、育苗池布置
溫室大棚內(nèi)按照東西走向設(shè)置育苗池，育苗池寬度為0.Sm,池深20cm，育苗池的材質(zhì)為鋁塑板，育苗池兩端落差3cm，低端的底部預留排水孔，育苗池底部鋪設(shè)一層直徑為3-5cm的鵝卵石，鵝卵石上鋪設(shè)有與育苗池內(nèi)部寬度相等的泡沫板，泡沫板厚度1cm，泡沫板上每隔5cm設(shè)置一個直徑為0.3cm的滲水孔，向泡沫板上噴水至排水孔有水流出；取直徑為0.2-0.3cm的珍珠巖，置于200 mg/kg的ClO2溶液中浸泡ld，將浸泡過的珍珠巖鋪設(shè)在育苗池內(nèi)的泡沫板上作為培養(yǎng)基質(zhì)，鋪設(shè)厚度為15cm，育苗池布置完成，備用；
步驟四、母株培養(yǎng)與插穗采集
在田間加強對母株的水肥與病蟲管理，水肥適中，采集插穗前每3天淋水一次，插穗前一個月追肥一次，平均每畝40kg ;無病蟲害，以獲得高質(zhì)量的插穗；在日出前或者陰天采集半木質(zhì)化程度的幼嫩枝條為插穗，保濕，備用；
步驟五、插穗前處理
先用自來水沖洗步驟四得到的插穗，再用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈與質(zhì)量濃度50%的甲基托布津的混合液， 加水配制成500倍稀釋液，對插穗浸泡消毒lOmin，其中多菌靈與甲基托布津的質(zhì)量比為I ;1 ;然后將插穗修剪至長度為4-6cm，保留1-3片葉；接著用移栽生根劑的5倍稀釋液處理插穗基部l-2cm處lOmin，然后在30°C條件下保濕5h，誘導插穗傷口愈合,備用；
步驟六、扦插與苗床管理
將步驟五得到的插穗插到步驟三育苗池內(nèi)的培養(yǎng)基質(zhì)上，插入深度為2-4cm，插穗之間的株行距不小于3cm，大棚內(nèi)每天6-18點的溫度和濕度分別設(shè)置如下:植物生根誘導期大棚內(nèi)的最高溫度為36°C、最低溫度為30°C、相對濕度為93%，噴霧時間間隔以葉片50%以上面積有水為度；植物生根表達期，大棚內(nèi)的最高溫度為38°C、最低溫度為30°C、相對濕度93%，噴霧時間間隔以葉片50%面積有水為度；植物根系伸長期，大棚內(nèi)的最高溫度為34°C、最低溫度為30°C、相對濕度為90%，噴霧時間間隔以葉片30%面積有水為度，根長達到Icm以上后噴霧時間間隔以葉片不超過20%面積有水為度；整個生根期間，夜間不噴霧，夜間溫度不低于30°C，濕度不小于90% ；
整個生根期間，每隔6天用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈或50%的甲基托布津的800倍稀釋液噴苗一次；
步驟七、生根苗移栽
當插穗根系長度達到2-3cm后移入營養(yǎng)缽，營養(yǎng)缽內(nèi)的栽培基質(zhì)為質(zhì)量比為3:1的腐植土與珍珠巖的混合物，在室內(nèi)溫度為30-35°C條件下，煉苗7d，然后移入大田常規(guī)水肥管理。
[0013] 實施例2:一種高溫高濕條件下促進紅葉石楠插穗快速生根的育苗方法，包括以下操作步驟: 步驟一、育苗設(shè)施建設(shè)
按照南北走向建設(shè)育苗日光溫室大棚，棚高3m，地面做硬化處理，棚兩側(cè)設(shè)置通風換氣裝置；
步驟二、設(shè)施內(nèi)環(huán)境控制
溫室大棚內(nèi)安裝溫度、濕度探頭，并與控制室計算機連接，根據(jù)設(shè)定參數(shù)自動控制溫度、相對濕度，以及噴霧裝置的啟動；
步驟三、育苗池布置
溫室大棚內(nèi)按照東西走向設(shè)置育苗池，育苗池寬度為1.2m,池深30cm，育苗池的材質(zhì)為鋁塑板，育苗池兩端落差5cm，低端的底部預留排水孔，育苗池底部鋪設(shè)一層直徑為3-5cm的鵝卵石，鵝卵石上鋪設(shè)有與育苗池內(nèi)部寬度相等的泡沫板，泡沫板厚度2cm，泡沫板上每隔5cm設(shè)置一個直徑為0.5cm的滲水孔，向泡沫板上噴水至排水孔有水流出；取直徑為0.2-0.3cm的珍珠巖，置于500 mg/kg的ClO2溶液中浸泡3d，將浸泡過的珍珠巖鋪設(shè)在育苗池內(nèi)的泡沫板上作為培養(yǎng)基質(zhì)，鋪設(shè)厚度為20cm，育苗池布置完成，備用；
步驟四、母株培養(yǎng)與插穗采集
在田間加強對母株的水肥與病蟲管理，水肥適中，采集插穗前每2天對根部淋水一次，插穗前一個月追肥一次，平均每畝30kg ;無病蟲害，以獲得高質(zhì)量的插穗；在日出前或者陰天采集半木質(zhì)化程度的幼嫩枝條為插穗，保濕，備用；
步驟五、插穗前處理
先用自來水沖洗步驟四得到的插`穗，再用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈與質(zhì)量濃度50%的甲基托布津的混合液，加水配制成500倍稀釋液，對插穗浸泡消毒lOmin，其中多菌靈與甲基托布津的質(zhì)量比為I ;1 ;然后將插穗修剪至長度為4-6cm，保留1-3片葉；接著用移栽生根劑的5-10倍稀釋液處理插穗基部l-2cm處10-30min,然后在40°C條件下保濕6h,誘導插穗傷口愈合，備用；
步驟六、扦插與苗床管理
將步驟五得到的插穗插到步驟三育苗池內(nèi)的培養(yǎng)基質(zhì)上，插入深度為2-4cm，插穗之間的株行距不小于3cm，大棚內(nèi)每天6-18點的溫度和濕度分別設(shè)置如下:植物生根誘導期大棚內(nèi)的最高溫度為40°C、最低溫度為34°C、相對濕度為97%，噴霧時間間隔以葉片50%以上面積有水為度；植物生根表達期，大棚內(nèi)的最高溫度為42°C、最低溫度為35°C、相對濕度97%，噴霧時間間隔以葉片50%面積有水為度；植物根系伸長期，大棚內(nèi)的最高溫度為36°C、最低溫度為32°C、相對濕度為95%，噴霧時間間隔以葉片30%面積有水為度，根長達到Icm以上后噴霧時間間隔以葉片不超過20%面積有水為度；整個生根期間，夜間不噴霧，夜間溫度不低于30°C，濕度不小于90% ；
整個生根期間，每隔6天用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈或50%的甲基托布津的800倍稀釋液噴苗一次；
步驟七、生根苗移栽
當插穗根系長度達到2-3cm后移入營養(yǎng)缽，營養(yǎng)缽內(nèi)的栽培基質(zhì)為質(zhì)量比為3:1的腐植土與珍珠巖的混合物，在室內(nèi)溫度為35°C條件下，煉苗10d，然后移入大田常規(guī)水肥管理。
【權(quán)利要求】
1.一種高溫高濕條件下促進植物插穗快速生根的育苗方法，其特征在于:包括以下操作步驟: 步驟一、育苗設(shè)施建設(shè) 按照南北走向建設(shè)育苗日光溫室大棚，棚高2.5-3m，地面做硬化處理，棚兩側(cè)設(shè)置通風換氣裝置； 步驟二、設(shè)施內(nèi)環(huán)境控制 溫室大棚內(nèi)安裝溫度、濕度探頭，并與控制室計算機連接，根據(jù)設(shè)定參數(shù)自動控制溫度、相對濕度，以及噴霧裝置的啟動； 步驟三、育苗池布置 溫室大棚內(nèi)按照東西走向設(shè)置育苗池，育苗池寬度為0.8-1.2!11，池深20-30( ，育苗池的材質(zhì)為鋁塑板，育苗池兩端落差3-5cm，低端的底部預留排水孔，育苗池底部鋪設(shè)一層直徑為3-5cm的鵝卵石，鵝卵石上鋪設(shè)有與育苗池內(nèi)部寬度相等的泡沫板，泡沫板厚度l-2cm,泡沫板上每隔5cm設(shè)置一個直徑為0.3-0.5cm的滲水孔，向泡沫板上噴水至排水孔有水流出；取直徑為0.2-0.3cm的珍珠巖，置于200-500 mg/kg的ClO2溶液中浸泡l_3d，將浸泡過的珍珠巖鋪設(shè)在育苗池內(nèi)的泡沫板上作為培養(yǎng)基質(zhì)，鋪設(shè)厚度為15-20cm，育苗池布置完成，備用； 步驟四、母株培養(yǎng)與插穗采集 在日出前或者陰天采集半木質(zhì)化程度的幼嫩枝條為插穗，保濕，備用； 步驟五、插穗前處理 先用自來水沖洗步驟四得到的插穗，再用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈與質(zhì)量濃度50%的甲基托布津的混合液，加水配制成500倍稀釋液，對插穗浸泡消毒lOmin，其中多菌靈與甲基托布津的質(zhì)量比為I ;1 ;然后將插穗修剪至長度為4-6cm，保留1-3片葉；接著用移栽生根劑的5-10倍稀釋液處理插穗基部l-2cm處10-30min，然后在30_40°C條件下保濕5_6h，備用; 步驟六、扦插與苗床管理 將步驟五得到的插穗插到步驟三育苗池內(nèi)的培養(yǎng)基質(zhì)上，插入深度為2-4cm，插穗之間的株行距不小于3cm，大棚內(nèi)每天6-18點的溫度和濕度分別設(shè)置如下:植物生根誘導期大棚內(nèi)的最高溫度為36-40°C、最低溫度為30-34°C、相對濕度為93_97%，噴霧時間間隔以葉片50%以上面積有水為度；植物生根表達期，大棚內(nèi)的最高溫度為38-42°C、最低溫度為30-35°C、相對濕度93-97%，噴霧時間間隔以葉片50%面積有水為度；植物根系伸長期，大棚內(nèi)的最高溫度為34-36°C、最低溫度為30-32°C、相對濕度為90_95%，噴霧時間間隔以葉片30%面積有水為度，根長達到Icm以上后噴霧時間間隔以葉片不超過20%面積有水為度；整個生根期間，夜間不噴霧，夜間溫度不低于30°C，濕度不小于90% ； 整個生根期間，每隔6天用質(zhì)量濃度為50%的多菌靈或50%的甲基托布津的800倍稀釋液噴苗一次； 步驟七、生根苗移栽 當插穗根系長度達到2-3cm后移入營養(yǎng)缽，營養(yǎng)缽內(nèi)的栽培基質(zhì)為質(zhì)量比為3:1的腐植土與珍珠巖 的混合物，在室內(nèi)溫度為30-35°C條件下，煉苗7-10d，然后移入大田常規(guī)水肥管理。
【文檔編號】A01G1/00GK103430749SQ201310386664
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】史國安, 施江, 郭香鳳, 高雙成, 劉春洋 申請人:河南科技大學