一種霍山石斛的組織培養(yǎng)方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及到一種霍山石斛的組織培養(yǎng)方法，將帶側(cè)芽的霍山石斛莖段用清洗干凈后，經(jīng)一定的消毒程序之后，轉(zhuǎn)移到無菌操作臺上去除葉片及膜質(zhì)葉鞘，進(jìn)一步消毒處理后放置在無菌的培養(yǎng)皿中；將保存的幼芽接種到幼芽增殖培養(yǎng)基中，進(jìn)行幼芽的誘導(dǎo)和增殖；將生長狀況良好的幼芽接種到生根培養(yǎng)基上，培養(yǎng)溫度25℃，光照強(qiáng)度2000lx，光照時間12h/d條件下培養(yǎng)，獲得生長狀況良好的培苗，經(jīng)過煉苗、栽種后，植株的成活率達(dá)到90％以上，這表明通過組織培養(yǎng)，建立無性快速繁殖體系，提高繁殖系數(shù)，能達(dá)到短裙內(nèi)獲得大量霍山石斛培苗的目的。
【專利說明】一種霍山石斛的組織培養(yǎng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于植物組織培養(yǎng)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種霍山石斛類莖段的快速增殖的簡易培養(yǎng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]霍山石斛俗稱米斛，是蘭科石斛屬草本植物，主產(chǎn)于大別山區(qū)的安徽省霍山縣?；羯绞莻鹘y(tǒng)的名貴中藥，有“千金草”、“軟黃金”之稱?，F(xiàn)代藥理學(xué)研究表明，霍山石斛的多糖含量為普通石斛的3倍之多，能提高人體免疫力，尤其是對眼、咽、肺等器官疾病有特殊療效；霍山石斛能大幅度提高人體內(nèi)SOD水平，非常適用于經(jīng)常熬夜、用腦過度、體虛乏力的人群。然而霍山石斛在煉苗及原產(chǎn)地栽培過程中，成活率極低，嚴(yán)重影響了霍山石斛的發(fā)展。
[0003]因此，霍山石斛的莖段是霍山石斛的體細(xì)胞胚，具有和植株同樣的物質(zhì)代謝和形態(tài)發(fā)育潛能，可用來代替原藥材生產(chǎn)相關(guān)的活性物質(zhì)。因此，研究高效、廉價的霍山石斛莖段的快速增殖技術(shù)是至關(guān)重要，實現(xiàn)霍山石斛的規(guī)?；a(chǎn)，緩解野生資源緊張的局面、滿足藥材市場的需求具有重要意義。本發(fā)明采用組織培養(yǎng)的方法保護(hù)霍山石斛，提供一種霍山石斛類莖段快速、無性增殖的簡易培養(yǎng)方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了探索霍山石斛組織培養(yǎng)的無性繁殖技術(shù)，提高其繁殖系數(shù)，大量獲得組培苗的研究工作，對于藥 用霍山石斛野生資源保護(hù)和擴(kuò)大栽培及其綜合利用具有極其重要的意義。
[0005]本發(fā)明通過下列技術(shù)方案實現(xiàn):一種霍山石斛的組織培養(yǎng)方法，其特征在于以帶側(cè)芽的霍山石斛莖段位母體，并經(jīng)過下列步驟:
[0006]A.將莖段經(jīng)過水洗、75%的酒精浸泡I~2min、無菌水洗后，轉(zhuǎn)移到無菌超凈臺上去除葉片及膜質(zhì)葉鞘，再次經(jīng)過0.1 % HgCl2加I滴吐溫80消毒5~IOmin后，無菌水洗后無菌保存；
[0007]B.將保存的幼芽接種到幼芽增殖培養(yǎng)基中，進(jìn)行幼芽的誘導(dǎo)和增殖；
[0008]C.將生長狀況良好的幼芽接種到生根培養(yǎng)基上，培養(yǎng)溫度25~28°C，光照強(qiáng)度20001x，光照時間12~14h/d條件下培養(yǎng)；
[0009]D.獲得生長狀況良好的培苗，將培苗取出，洗凈根部的培養(yǎng)基，在木屑的基質(zhì)中栽培，保持適當(dāng)?shù)耐L(fēng)和足夠的濕度，獲得種苗。
[0010]所述A步驟的帶側(cè)芽的霍山石斛莖段經(jīng)過水洗、消毒、無菌水洗、去除葉片和膜質(zhì)葉鞘、消毒、無菌水洗、無菌保存的操作方法。
[0011]所述B步驟的幼芽增殖培養(yǎng)基為:
[0012]1/2MS為基礎(chǔ)培養(yǎng)基，蔗糖濃度20~30g/L，香蕉泥濃度100~200g/L，萘乙酸濃度0.2~0.3mg/L，6-芐基腺嘌呤濃度0.4~0.5mg/L，pH值為5.0~6.0。[0013]所述C步驟的生根培養(yǎng)基為:
[0014]MS為基本培養(yǎng)基，蔗糖濃度20~30g/L ;6_芐基腺嘌呤濃度1.0~20mg/L，萘乙酸濃度0.5~1.0mg/L ;香蕉泥100g/L，pH值5.8~6.0,培養(yǎng)溫度25~28°C，光照強(qiáng)度20001x，光照時間12~14h/d條件下培養(yǎng)；
[0015]所述D步驟的是將培苗取出，洗凈根部的培養(yǎng)基，在木屑的基質(zhì)中栽培，保持適當(dāng)?shù)耐L(fēng)和足夠的濕度，獲得種苗。 [0016]本發(fā)明具有下列優(yōu)點和效果:針對霍山石斛的莖段是霍山石斛的體細(xì)胞胚，具有和植株同樣的物質(zhì)代謝和形態(tài)發(fā)育潛能，可用來代替原藥材生產(chǎn)相關(guān)的活性物質(zhì)的這一特點，利用霍山石斛的莖段作為母體進(jìn)行無性繁殖；以MS為基礎(chǔ)培養(yǎng)基，在此基礎(chǔ)上添加蔗糖、天然植物如香蕉泥、激素如6-芐基腺嘌呤和萘乙酸，保證組織能夠順利的增殖和生根；將培苗接種到基質(zhì)上栽種，植株的成活率超過90%，表明該法可用于霍山石斛莖段的研究、開發(fā)和生產(chǎn)中的各個領(lǐng)域，尤其適合霍山石斛類的工業(yè)化大規(guī)模培養(yǎng)。
【權(quán)利要求】
1.一種霍山石斛的組織培養(yǎng)方法，其特征在于以帶側(cè)芽的霍山石斛莖段位母體，并經(jīng)過下列步驟: A.將莖段經(jīng)過水洗、75%的酒精浸泡I~2min、無菌水洗后，轉(zhuǎn)移到無菌超凈臺上去除葉片及膜質(zhì)葉鞘，再次經(jīng)過0.1 % HgCl2加I滴吐溫80消毒5~IOmin后，無菌水洗后無菌保存； B.將保存的幼芽接種到幼芽增殖培養(yǎng)基中，進(jìn)行幼芽的誘導(dǎo)和增殖； C.將生長狀況良好的幼芽接種到生根培養(yǎng)基上，培養(yǎng)溫度25~28°C，光照強(qiáng)度20001x，光照時間12~14h/d條件下培養(yǎng)； D.獲得生長狀況良好的培苗，將培苗取出，洗凈根部的培養(yǎng)基，在木屑的基質(zhì)中栽培，保持適當(dāng)?shù)耐L(fēng)和足夠的濕度，獲得種苗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍山石斛組織方法，其特征在于所述A步驟的帶側(cè)芽的霍山石斛莖段經(jīng)過水洗、消毒、無菌水洗、去除葉片和膜質(zhì)葉鞘、消毒、無菌水洗、無菌保存的操作方法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍山石斛組織培養(yǎng)方法，其特征在于所述B步驟的幼芽增殖培養(yǎng)基為: 1/2MS為基礎(chǔ)培養(yǎng)基，蔗糖濃度20~30g/L，香蕉泥濃度100~200g/L，萘乙酸濃度0.2~0.3mg/L，6-芐基腺 嘌呤濃度0.4~0.5mg/L，pH值為5.0~6.0。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍山石斛組織培養(yǎng)方法，其特征在于所述C步驟的生根培養(yǎng)基為: MS為基本培養(yǎng)基，蔗糖濃度20~30g/L ；6-芐基腺嘌呤濃度1.0~20mg/L，萘乙酸濃度 0.5 ~1.0mg/L ;香蕉泥 100g/L, pH 值 5.8 ~6.0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霍山石斛組織培養(yǎng)方法，其特征在于所述C步驟是將生長狀況良好的幼芽接種到生根培養(yǎng)基上，培養(yǎng)溫度25°C，光照強(qiáng)度20001x，光照時間12h/d條件下培養(yǎng)。
6.據(jù)權(quán)利要求1所述的霍山石斛組織培養(yǎng)方法，其特征在于所述D步驟是將培苗取出，洗凈根部的培養(yǎng)基，在木屑的基質(zhì)中栽培，保持適當(dāng)?shù)耐L(fēng)和足夠的濕度，獲得種苗。
【文檔編號】A01H4/00GK104012400SQ201310061664
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月28日
【發(fā)明者】毛健, 姬中偉, 張敏, 牟穰, 陽志銳, 郭燕飛, 黎衛(wèi), 馮東陽, 鞏丹, 劉蕓雅 申請人:江南大學(xué)