專利名稱：熱管制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種熱管的制造方法，尤其是指一種應(yīng)用于發(fā)熱電子元件散熱的熱管的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，中央處理器等電子元件處理能力日益加強(qiáng)，產(chǎn)生的熱量與之俱增，散熱片結(jié)合風(fēng)扇的散熱模組已逐漸無(wú)法滿足散熱需求，尤其筆記型電腦而言，目前熱管是一個(gè)被廣泛使用于傳熱用的重要元件。熱管作為一種傳熱裝置，其是在密封低壓導(dǎo)熱性能良好的金屬殼體內(nèi)盛裝適量工作液體，并利用工作液體在殼體內(nèi)作汽液兩相間轉(zhuǎn)化時(shí)而吸收或放出大量熱的原理進(jìn)行工作的。工作液體通常選用汽化熱高、流動(dòng)性好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、沸點(diǎn)較低的液態(tài)物質(zhì)，如水、乙醇、丙酮等。為加速冷卻后液體的回流速度，通常在殼體內(nèi)壁上還設(shè)置有毛細(xì)結(jié)構(gòu)，在毛細(xì)結(jié)構(gòu)的毛細(xì)吸附力作用下，大大加速液體的回流速度。由于熱管內(nèi)的工作液體循環(huán)速度快，因此傳熱效率高。
目前已有多種制造熱管的方法，其中一種方法是對(duì)一散熱板進(jìn)行加工，以開(kāi)設(shè)多道末端未貫通的導(dǎo)熱通道；再對(duì)各導(dǎo)熱通道的開(kāi)口端進(jìn)行封口并保留至少一開(kāi)口端；自該被保留的開(kāi)口端進(jìn)行同時(shí)充填工作流體及抽真空工藝，并再對(duì)其予以封口的最終工藝。傳統(tǒng)的熱管制造方法加工成的熱管雖具有較好的熱傳效率，在一定程度上可以滿足發(fā)熱電子元件散熱要求，但熱管一般體積較大，需要與散熱器、風(fēng)扇結(jié)合使用才能達(dá)到良好的散熱效果，所占空間較大。隨著中央處理器等電子元件性能不斷提高，發(fā)熱量越來(lái)越大，傳統(tǒng)熱管體積偏大與電子元件體積日趨變小矛盾，不能滿足發(fā)熱量高的電子元件的散熱。
近幾年隨著微機(jī)電制造技術(shù)不斷發(fā)展，微小系統(tǒng)的研究開(kāi)始被人們重視。微機(jī)電制造技術(shù)是一種結(jié)合光、機(jī)、電、材、控制、物理、生醫(yī)、化學(xué)等多種技術(shù)領(lǐng)域的整合型與微小化系統(tǒng)制造技術(shù)。微機(jī)電制造技術(shù)是精于制造微結(jié)構(gòu)的技術(shù)，此種技術(shù)和傳統(tǒng)機(jī)械加工方法最大的不同在于微機(jī)電制造技術(shù)可以批次制造，對(duì)于不同參數(shù)的修改方便，可以做到加工件與成品一體成型，并可與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程技術(shù)緊密結(jié)合。微機(jī)電制造技術(shù)是所有微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，此項(xiàng)技術(shù)可制造出比頭發(fā)更細(xì)微的微結(jié)構(gòu)、元件及產(chǎn)品等。因此，業(yè)界開(kāi)始應(yīng)用此項(xiàng)技術(shù)加工微小散熱元件。
隨著發(fā)熱電子元件性能不斷提高，相應(yīng)體積卻日趨變小，如何提供一種能滿足發(fā)熱量大、體積小的發(fā)熱電子元件散熱的熱管的制造方法成為業(yè)界解決此類問(wèn)題的關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能滿足發(fā)熱量大、體積小的發(fā)熱電子元件散熱的熱管的制造方法。
本發(fā)明熱管的制造方法，包括以下步驟提供一基片，在該基片表面形成一氧化層；在該氧化層表面附著一光阻層；通過(guò)微機(jī)電制造技術(shù)在光阻層上形成通道；將通道的開(kāi)口端封口；在光阻層表面覆蓋一層高分子聚合物，形成熱管的外殼；在外殼及光阻層上開(kāi)設(shè)一供工作流體進(jìn)入的孔口；由孔口向通道內(nèi)充液；封孔。
本發(fā)明中由于利用微機(jī)電制造技術(shù)，使該熱管較傳統(tǒng)熱管的體積小，所占空間小，可滿足發(fā)熱電子元件體積日趨變小的情況；另外，利用微機(jī)電制造技術(shù)加工的熱管管壁較薄具有可撓性，能隨意彎曲與發(fā)熱電子元件一端接觸，安裝靈活不受發(fā)熱電子元件空間限制。
下面參照附圖，結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

圖1是本發(fā)明熱管制造方法示意圖。
圖2是圖1所示光阻層的加工示意圖。
圖3是本發(fā)明熱管尚未封口的立體示意圖。
圖4是沿圖3 IV-IV線的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1至圖4，本發(fā)明熱管制造方法為提供一基片10(本發(fā)明實(shí)施例中以硅晶片為基底)；以干式氧化法在基片10的表面形成一層很薄的二氧化硅氧化層20。將上述表面附著有氧化層20的基片10置于一真空涂布機(jī)上，涂布適量的光阻附著液使其均勻分布在氧化層20上，形成一光阻層30。涂布完畢后，將其放在加熱盤上以90℃溫度進(jìn)行軟烤，使光阻層30由原來(lái)的液態(tài)變?yōu)楣虘B(tài)均勻薄膜，至此即可形成所需的光阻層30。將上述光阻層30放在曝光機(jī)的載臺(tái)上通過(guò)儀器100進(jìn)行曝光，以便將所需圖案轉(zhuǎn)移到光阻層30上；以顯影液對(duì)光阻層30上的圖案進(jìn)行顯影處理，將曝光部分用化學(xué)溶液除去，未曝光部分留下，從而在光阻層30上形成一通道40。接著，將光阻層30沖洗、吹干，放在加熱盤上以120℃溫度進(jìn)行硬烤。之后，用氫氧化鉀蝕刻去除基片10，此時(shí)，氧化層20的主要作用是作為氫氧化鉀蝕刻時(shí)的阻擋物，利用氫氧化鉀對(duì)二氧化硅蝕刻速率緩慢的原理達(dá)到保護(hù)基片10的目的。將通道40的開(kāi)口端封口，提供一高分子聚合物，將其涂在光阻層30的表面上，形成一殼體包圍在光阻層30的外表面作為熱管的外殼50。在外殼50及光阻層30上開(kāi)設(shè)一與外部連通的孔口60。然后，將外殼50表面烤干，以去離子水作為工作流體70由孔口60滴入通道40后，用膠體封孔，即可完成整個(gè)熱管的制作過(guò)程。
本發(fā)明中由于利用微機(jī)電制造技術(shù)，使該熱管體積較傳統(tǒng)熱管小，所占空間小，可滿足發(fā)熱電子元件體積日趨變小的情況；另外，利用微機(jī)電制造技術(shù)加工的熱管管壁變薄具有可撓性，能隨意彎曲與發(fā)熱電子元件一端接觸，安裝靈活不受發(fā)熱電子元件空間限制。
另外，在光阻層30上可形成多個(gè)通道40，且通道40的形狀可根據(jù)實(shí)際需要而定。
權(quán)利要求
1.一種熱管制造方法，包括以下步驟(1)提供一基片，在該基片表面形成一氧化層；(2)在該氧化層表面附著一光阻層；(3)通過(guò)微機(jī)電制造技術(shù)在光阻層上形成通道；(4)將通道的開(kāi)口端封口；(5)在光阻層表面覆蓋一層高分子聚合物，形成熱管的外殼；(6)在外殼及光阻層上開(kāi)設(shè)一供工作流體進(jìn)入的孔口；(7)由孔口向通道內(nèi)充液；(8)封孔。
2.如權(quán)利要求1所述的熱管制造方法，其特征在于上述第(2)步驟中的光阻層是通過(guò)在氧化層表面涂布光阻附著液，然后進(jìn)行軟烤而形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的熱管制造方法，其特征在于上述第(3)步驟進(jìn)一步包括以下步驟(1)將光阻層曝光，使所需圖案轉(zhuǎn)移到光阻層上；(2)對(duì)光阻層上的圖案進(jìn)行顯影處理；(3)將光阻層沖洗、吹干、硬烤，形成上述通道。
4.如權(quán)利要求1所述的熱管制造方法，其特征在于上述第(3)步驟與第(4)步驟之間還包括用氫氧化鉀蝕刻除去基片。
5.如權(quán)利要求1所述的熱管制造方法，其特征在于上述第(8)步驟是利用膠體封孔。
6.如權(quán)利要求1所述的熱管制造方法，其特征在于所述通道中的工作流體為去離子水。
7.如權(quán)利要求1所述的熱管制造方法，其特征在于所述基片為硅晶片。
8.如權(quán)利要求1所述的熱管制造方法，其特征在于所述氧化層為二氧化硅。
9.如權(quán)利要求1所述的熱管制造方法，其特征在于所述光阻層上開(kāi)設(shè)有多個(gè)通道。
全文摘要
一種熱管的制造方法，包括以下步驟提供一基片，在該基片表面形成一氧化層；在該氧化層表面附著一光阻層；通過(guò)微機(jī)電制造技術(shù)在光阻層上形成通道；將通道的開(kāi)口端封口；在光阻層表面覆蓋一層高分子聚合物，形成熱管的外殼；在外殼及光阻層上開(kāi)設(shè)一供工作流體進(jìn)入的孔口；由孔口向通道內(nèi)充液；封孔。由該制造方法而得的熱管所占空間小，可滿足發(fā)熱電子元件體積日趨變小的情況；熱管管壁具有可撓性，能隨意彎曲與發(fā)熱電子元件一端接觸，安裝靈活不受發(fā)熱電子元件空間限制。
文檔編號(hào)F28D15/02GK1719600SQ20041002801
公開(kāi)日2006年1月11日 申請(qǐng)日期2004年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月6日
發(fā)明者沈志華 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司