專利名稱：：用于多層抗蝕劑等離子體蝕刻的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于在半導(dǎo)體器件的制造中等離子體蝕刻多層抗蝕劑的改進的方法。
背景技術(shù)：
：如今集成電路芯片的性能與集成電路內(nèi)晶體管和線路互連(wiringinterconnect)的尺度有關(guān)。由于晶體管和線路互連的尺度持續(xù)縮小，使用光刻技術(shù)以圖案化更小特征的能力已成為促使集成電路產(chǎn)業(yè)成功的主要因素。光刻處理包括使用光刻成^f象工具和光刻月交材^K4吏用光刻成傳-可達到的最小分辨率由曝光波長的最小分辨率以及該光刻成^象工具所使用的透鏡系統(tǒng)的分辨能力或數(shù)值孔徑所約束。用于較大數(shù)值孔徑的4交短的曝光波長通常得到高分辨率，以在抗蝕劑力莫中印刷更小的圖案。然而，減少波長或者增加數(shù)值孔徑通常會導(dǎo)致焦深(DOF)的減小，因此要求減少該光刻膠膜的厚度。直到一個確定的點，簡單地減少抗蝕劑膜的厚度以增加分辨率是有效的。當(dāng)該抗蝕劑變得太薄而不能耐受隨后的蝕刻處理時，就達到這個點，該蝕刻處理將抗蝕劑圖案傳送至該抗蝕劑膜之下的一層或多層。為了克服這些問題，開發(fā)出雙層抗蝕劑以擴展光刻技術(shù)。雙層抗蝕劑膜典型地包括相對壽交厚的下部抗蝕劑層(也稱為掩才莫層或平面化層)，其設(shè)置在晶片或基片上；以及相對薄的上部抗蝕劑層，或成^f象層，其i殳置在該下部抗蝕劑層的頂部。該上部抗蝕劑層通過光線曝光和隨后的顯影而圖案化。所產(chǎn)生的上部層圖案用作蝕刻下部抗蝕劑層的掩模。通過該方法，可在該雙層抗蝕劑膜中形成高纟從4黃比的抗蝕劑圖案。當(dāng)該乂又層抗蝕劑進4亍下部#元蝕劑層蝕刻處理時，為了為該上部抗蝕劑層提供足夠的蝕刻抗性(resistance),通常在上部抗蝕劑層結(jié)合入石圭。由于下部抗蝕劑層通常由有才幾聚合物制成，通常氧基等離子體用于蝕刻下部抗蝕劑層，而使用圖案化的頂部抗蝕劑層作為掩模。因此，當(dāng)在氧基等離子體中蝕刻下部抗蝕劑層時，在上部抗蝕劑層中的石圭前體(siliconprecursors)在々蟲刻處J里過禾呈中^皮氧^f匕而形成耐高溫氧化物。耐高溫氧化物作為蝕刻阻隔物(barrier),導(dǎo)致上部抗蝕劑層的增強的蝕刻抗性。然而，已發(fā)現(xiàn)以這種方式實現(xiàn)的增強在很多應(yīng)用中是不夠的。下部抗4蟲劑蝕刻處理不〗義要求該上部^t蝕劑層和該下部纟元蝕劑層之間良好的蝕刻對比度，而且需要各向異性以實現(xiàn)良好的臨界尺寸(CD)控制。然而，使用純氧等離子體，只有在蝕刻處理過程中抗蝕劑層溫度保持在或低于大約-100。C時才能實現(xiàn)各向異性蝕刻。否則，通常會》見測到?jīng)_黃向的蝕刻或鉆蝕(undercutting),其表示CD損失。包4舌兩層以上的多層拍二蝕劑是可用的，并且普遍存在一些上述提及的問題。鑒于以上所述，需要一種方法和裝置，以在蝕刻多層抗蝕劑時提供可選的各向異性蝕刻條件。
發(fā)明內(nèi)容概括地說，通過引入用于為蝕刻多層抗蝕劑提供各向異性蝕刻條件的方案，本發(fā)明滿足了這些需求。應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明可以許多方式實施，包括作為一種處理，或一種方法。以下將描述本發(fā)明的多個創(chuàng)新的實施例。提供了一種用于在等離子體蝕刻室中蝕刻限定在基片上的多層抗蝕劑的方法。該方法^v引入基片到蝕刻室中開始，基片具有限定于多層抗蝕劑的第一層上的圖案。S02氣體流入蝕刻室，并且當(dāng)流入S02氣體時，等離子體在蝕刻室中被激發(fā)(struck)。然后多層抗蝕劑被蝕刻。提供了一種用于在蝕刻室中多層抗蝕劑蝕刻期間控制臨界尺寸偏差的方法。該方法從當(dāng)S02氣體流入室時，在室中激發(fā)氧基等離子體開始。等離子體密度保持在約lxloVcn^至約lxl012/cm3之間。然后多層抗蝕劑的每一層被蝕刻?？梢岳斫獾氖?，前面的概述和接下來的詳細描述對所請求保護的本發(fā)明僅是示例性的及解釋性的，而不是限制性的。這些附圖，其并入并且構(gòu)成該i兌明書的一部分，示出了本發(fā)明的示例性的實施例，并且與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是在形成淺溝槽隔離特征之前，硅基片上堆疊層的示意圖。圖2是淺溝槽蝕刻處理的示意圖，其中光刻膠和BARC層已經(jīng)凈皮去除并且氮4匕石圭和^"墊(pad)氧〗匕物層已經(jīng)-故蝕刻透。圖3是蝕刻入硅基片中的淺溝槽隔離特征的示意圖。圖4是具有彎曲形貌和亞溝槽化(subtrenched)底部的淺溝槽隔離特征的顯;f效照片。圖5是用含硅氣體蝕刻的淺溝槽隔離特征的顯孩i照片。圖6是包括頂部和底部圓化(rounding)的淺溝槽隔離特征的顯樣i照片。圖7是在執(zhí)行柵蝕刻之前，其上具有堆疊層的硅基片的示意圖。圖8是硅基片的示意圖，該硅基片具有氮化硅和多晶硅層，其被蝕刻透至柵氧化層。圖9A是一個蝕刻形貌的簡化示意圖，在過蝕刻(overetch)步驟過程中，在蝕刻氣體混合物中不使用含硅氣體。圖9B是具有CD控制的經(jīng)蝕刻柵特征的顯微照片。圖10是示出雙摻雜4冊結(jié)構(gòu)的簡化的坤黃截面示意圖，該雙纟參雜柵結(jié)構(gòu)已經(jīng)用含硅氣體蝕刻，該含硅氣體用于減輕由不同的摻雜區(qū)域?qū)е碌奈g刻率差異。圖11是蝕刻室的簡化的示意圖，蝕刻室凈皮配置為在過蝕刻處理中提供含硅氣體。圖12是示出設(shè)置在基片上雙層抗蝕劑的多個層的簡化的示意圖。圖13A示出了在蝕刻操作過程中作為使用二氧化硅的結(jié)果而在下部光刻力交層發(fā)生的刻痕(notching)和鉆蝕。圖13B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在蝕刻操作過程中利用引入的SiCU氣體消除鉆蝕和刻痕。圖14A和14B示出才艮據(jù)本發(fā)明的一個實施例，與圖13A和13B相對應(yīng)的顯孩i照片，以示出4吏用SiCU氣體與S02對比的效果。圖15是一個流程圖，其示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于蝕刻限定于等離子體蝕刻室中基片上的雙層抗蝕劑的方法。圖16A是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，經(jīng)受多層光刻膠蝕刻的基片的多個層的簡化示意圖。圖16B是示出圖16A的被蝕刻的層的簡化示意圖。圖17A是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，圖16A的多層光刻月交的可選層的筒化示意圖。圖17B是示出圖17A的被蝕刻的層的簡化示意圖。圖18是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，用于蝕刻具有多層光刻膠的基片的方法操作的流程圖。具體實施例方式現(xiàn)在參照附圖詳細描述本發(fā)明的多個示例性的實施例。在下面的描述中，闡述了多個具體的細節(jié)以4是供對本發(fā)明的徹底理解。然而，可以理解的是，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，可以在缺少這些具體細節(jié)中的一些或全部的情況下實施本發(fā)明。在其它的例子中，沒有詳細地描述公知的處理操作，以避免不必要地使本發(fā)明模糊不清。圖1-11論述了用于淺溝槽隔離蝕刻應(yīng)用和柵蝕刻應(yīng)用的硅的使用。圖12-15論述了集中于用于蝕刻雙層光刻膠的SiCU的使用的一些實施例，而圖16A-18描述了集中于用于蝕刻多層抗蝕劑(即，兩個或多個抗蝕劑層)的SiCU和S02的使用的一些實施例。很多等離子體蝕刻應(yīng)用依賴于鈍化層的生成，以獲得需要的特征形貌(featureprofile)。形貌控制的主要機制包括蝕刻和沉積反應(yīng)的平衡。蝕刻反應(yīng)一般由反應(yīng)室參數(shù)直接控制，如輸入功率，壓力和氣流。在硅晶片的等離子體蝕刻中，蝕刻反應(yīng)產(chǎn)物是主要的沉積源，其結(jié)果是沉積4幾制#皮間*接控制。對于淺溝槽和柵應(yīng)用，使用多種蝕刻氣體化學(xué)成分。例如，當(dāng)使用HBr-02蝕刻氣體化學(xué)成分時，鈍化層主要由SixBryOz組成。對于Cl2-02蝕刻氣體化學(xué)成分，鈍化層主要由SixClyOz組成。鈍化層的其它成分可包4舌N、C、H和F。而且，4乍為蝕刻石圭晶片和/或室材料(如石英成分)的結(jié)果，揮發(fā)性硅蝕刻副產(chǎn)物被結(jié)合入鈍化層。如上所說明的，由于硅源(如硅晶片)和/或室材料的蝕刻，硅可被結(jié)合入鈍化層。這些硅源是次級產(chǎn)物，其并不是由該蝕刻氣體化學(xué)成分直接控制的。而且，由于揮發(fā)性硅蝕刻副產(chǎn)物從晶片表面向真空排出口輸送，存在含硅副產(chǎn)物沉積在晶片表面的有限的可能性。這可導(dǎo)致不均勻的硅副產(chǎn)物濃度跨越整個晶片以及導(dǎo)致蝕刻的特4i形貌和臨界尺寸的不均勻。等離子體可以在多種類型的等離子體反應(yīng)器中產(chǎn)生。這種等離子體反應(yīng)器通常具有使用RF能量、微波能量、磁場等的能量源，以產(chǎn)生中等密度至高密度的等離子體。例如，高密度等離子體可在變壓器壽禺合等離子體(TCPTM)(可,人LamResearchCorporation獲得，其也被稱作感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)器)、電子回旋加速器共振(ECR)等離子體反應(yīng)器、螺旋波(helicon)等離子體反應(yīng)器等中產(chǎn)生?？商峁└呙芏鹊入x子體的高流速等離子體反應(yīng)器的一個示例，公開在共有的美國專利No.5,820,261中。等離子體也可以在平行板蝕刻反應(yīng)器中產(chǎn)生，如在共有美國專利No.6,090,304中描述的雙頻等離子體蝕刻反應(yīng)器?？稍谝粋€感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)器中執(zhí)行處理，該感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)器通過一個連接至在反應(yīng)器壁上的一個出口的真空泵寸呆持需要的真空壓力。通過乂人氣體供應(yīng)(gassupply)向圍繞介電窗下側(cè)延伸的高壓間(plenum)提供氣體，可將蝕刻氣體提供至噴頭(showerhead)或噴射器裝置。通過從RF源向外部RF天線(如在該反應(yīng)器頂部介電窗外部具有一圈或多圈的平面螺;旋線圈)提供RF能量，可在該反應(yīng)器中生成高密度等離子體。等離子體生成源可以是模塊化安裝裝置的一部分，該才莫塊化安裝裝置以真空密封方式可移動地安裝在該反應(yīng)器的上端。一個晶片可在該反應(yīng)器內(nèi)支撐在基片支撐件上，例如懸臂卡盤裝置，該裝置可移動地由來自于該反應(yīng)器側(cè)壁的模塊化安裝裝置支撐。此種基片支撐件位于以懸臂方式安裝的支撐臂的一端，使得整個基片支撐/支撐臂組件可以通過將該組件穿過該反應(yīng)器側(cè)壁上的開口而從該反應(yīng)器移除?；渭砂ㄒ粋€卡盤裝置，如靜電卡盤(ESC),并且基片可以被介電聚焦環(huán)環(huán)繞?？ūP可包括RF偏置電極，用于在蝕刻處理期間將RF偏壓施加到基片。由氣體供應(yīng)提供的蝕刻氣體可流過窗口和下層氣體分布板(GDP)之間的通道，并且穿過GDP中的氣體出口進入室內(nèi)部。反應(yīng)器也可包括從GDP延4申出的力。熱^1^反。處理也可在包括內(nèi)部結(jié)構(gòu)的平行板等離子體反應(yīng)器中執(zhí)行，該內(nèi)部結(jié)構(gòu)通過連接在該反應(yīng)器壁上出口的真空泵維持在所需的真空壓力?？赏ㄟ^從氣體供應(yīng)提供氣體而將蝕刻氣體供至噴頭電極，并且，通過乂人一個或多個RF源提供RF能量到噴頭電才及和/或底部電極，可產(chǎn)生中等密度的等離子體?？蛇x地，該噴頭電極可電接地，并且可以向該底部電極提供兩種不同頻率的RF能量。對于本領(lǐng)域4支術(shù)人員來i兌，顯而易見的是各種氣體的流速依賴多種因素，如等離子體反應(yīng)器的類型、電源設(shè)置(powersetting)、反應(yīng)器中的真空壓力、等離子體源的離解率等等。反應(yīng)器壓力優(yōu)選地保持在適于在反應(yīng)器中維持(sustain)等離子體的水平。通常，過低的反應(yīng)器壓力會導(dǎo)致等離子體熄滅，然而，在高密度蝕刻反應(yīng)器中，過高的反應(yīng)器壓力可導(dǎo)致蝕刻停止的問題。對于高密度等離子體反應(yīng)器，反應(yīng)器壓力優(yōu)選地低于100毫托。支撐正在經(jīng)受蝕刻的半導(dǎo)體基片的基片支撐件優(yōu)選地充分冷卻基片以防止有害的副反應(yīng)，如基片上任何光刻膠的燃燒以及不需要的反應(yīng)氣體基團的形成。在高密度和中高密度等離子體反應(yīng)器中，將基片支撐件冷卻到-10到+80。C的溫度是足夠的。基片支撐件可包括用于在該基片處理過程中向基片提供RF偏壓的底部電極以及用于夾緊基片的ESC。例如，基片可包括硅晶片，其被靜電夾緊且通過在晶片和ESC的頂面之間以需要的壓力4是供氦(He)而冷卻。為了將晶片維持在所需的溫度，在該晶片和該卡盤之間的空間內(nèi)，He的壓力可維持在10到304乇(Torr)。圖1-3示出了可如何將淺溝槽蝕刻在硅層中的示意圖。如圖1所示，硅基片10包括其上的堆疊層，該堆疊層包括100A的襯墊氧化物12,1500A厚的氮化石圭層14,600A厚的底部抗反射涂層(BARC)16，和一個3200A厚的光刻膠層18,該光刻膠層18已預(yù)先被圖案化以提供開口20。在硅晶片上蝕刻淺溝槽的過程中，該光刻膠18將包括很多與所需的溝槽位置相對應(yīng)的開口20。該氮化硅層14在開口20的位置開口，以形成圖案化的硬掩模。在開口該硬掩模14中，使用等離子體蝕刻來開口BARC層16。在一個示例性的BARC開口步驟中，室可處于5毫托的真空壓力并且該用于爿尋射頻能量感應(yīng)地)馬合入該室的天線可^皮i殳為350瓦特?；渭砂ㄒ粋€電極，其通過向該電極供88瓦特的功率而提供RF偏壓?？墒褂?0sccmCF4等離子體蝕刻60秒而開口BARC，同時保持該晶片的溫度在大約60°C。接下來，該室設(shè)置為同樣的壓力，但提高天線功率至1000瓦特，氮化硅層14和襯墊氧化物層12凈皮開口，以形成開口22?？衫?0sccm的CHF3和300sccm的Ar蝕刻氮化硅層44秒，同時保持該晶片溫度在大約60°C。然后，使用10毫托的室壓力和向該天線提供1000瓦特功率來剝除該光刻月交和BARC?？梢?吏用200sccm02持續(xù)45秒而剝除光刻月交。作為剝離步驟的結(jié)果，BARC和光刻月交層已^皮去除并且暴露的硅的區(qū)域已被02等離子體氧化。在一個示例性的處理中，室設(shè)在5毫托并且向天線提供350瓦特功率。使用50sccmCF4蝕刻被氧化的硅持續(xù)7秒，同時保持晶片溫度在大約60°C。接下來，可將室壓力設(shè)在50毫托以及向該天線提供1000瓦特功率來蝕刻硅基片?？上虻撞侩姌O提供大約220瓦特功率，并且蝕刻氣體可包括125sccmCl2，14sccm02和14sccmN2,同時保持該晶片溫度在大約60°C。為了提供所需的圓化和/或形貌和/或CD控制，可在該蝕刻氣體中加入含石圭氣體如SiCl4。在形成如圖3所示的溝沖曹結(jié)構(gòu)24之后，可使用HF浸泡2分鐘，然后利用去離子水旋轉(zhuǎn)沖洗以清洗該晶片。圖4是使用125sccmCl2并且沒有在該蝕刻氣體中加入SiCl4所形成的溝槽結(jié)構(gòu)的顯孩i照片。如圖4所示，這些溝槽具有彎曲形貌和亞溝槽化底部。改進的臨界尺寸(CD)和形貌控制可通過向蝕刻氣體增加含硅氣體而獲得。圖5是在淺溝槽蝕刻過程中使用含^圭氣體時所形成的溝槽結(jié)構(gòu)的顯;f效照片。^:用75sccmC^和25sccmSiCU蝕刻圖5所示的溝槽結(jié)構(gòu)。圖6是由于在該淺溝槽蝕刻過程中使用含硅氣體而具有圓化頂部和底部的錐形溝槽的顯微照片。圖7和8是柵蝕刻的示意圖。如圖7所示，硅晶片30包括其上的堆疊層，該堆疊層包括15A厚的氧化物層32，1500A厚的多晶硅層34，200A厚的氮化硅層36，和2000A厚的光刻膠層38，該光刻月交層38已經(jīng)-故圖案化，以在其中包4舌與該4冊蝕刻位置相對應(yīng)的開口40。應(yīng)當(dāng)理解的是，阻擋層不限于氮化硅。例如，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解柵應(yīng)用中的硬掩模為二氧化硅(Si02)或氮氧化硅(SK)xNy)。另夕卜，阻擋層的厚度可為300A,或任何其它適合的厚度。盡管在圖7中只示出單個開口40,然而在晶片上蝕刻柵結(jié)構(gòu)中將有許多與需要的柵位置對應(yīng)的開口40。一個示例性的4冊蝕刻的處理如下。最初，#丸4于一個{務(wù)整(trimming)步驟，該室壓力設(shè)置在15毫托以及天線功率設(shè)置在400瓦特。用于該^夢整步驟的蝕刻氣體可包4舌30sccmHBr和10sccm02。然后，通過將室i殳在10sccmCF4來蝕刻該氮化石圭層36，以在該氮化硅層36中^是供與該開口40對應(yīng)的開口。然后，分四步蝕刻多晶硅，包括穿透(breakthrough)步驟，第一主蝕刻，第二主蝕刻和過蝕刻。在該穿透步驟中，存在于硅表面的本征氧化物4皮蝕刻，因為一些化學(xué)成分(例如，HBr)不能容易或均一地蝕刻Si02。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是在該化學(xué)成分包含CF4的情況下，4吏用該穿透步驟不是必需的。在該第一主蝕刻中，該室設(shè)在10毫4乇以及天線i殳在800瓦特功率。々i刻氣體包4舌50sccmCl2，175sccmHBr，60sccmCF4和5sccm02。在該第二主蝕刻中，該室i殳在30毫托以及該天線設(shè)在350瓦特。用于該第二主蝕刻的蝕刻氣體包括300sccmHBr和3sccm02。在該過蝕刻步艱《中，該室i殳在80毫才乇以及向該天線提供500瓦特功率。在該過蝕刻中的蝕刻氣體包括130sccmHBr,4sccm02和大約270sccmHe。含石圭氣體(^口SiCl4)可加入該第一或第二主蝕刻和/或該過蝕刻中，以改進4冊形貌4空制和晶片內(nèi)CD控制。在該多晶硅蝕刻之后，開口42延伸至柵氧化層32，如圖8所示。圖9A是在過蝕刻步驟期間沒有在蝕刻氣體混合物中使用含硅氣體的蝕刻形貌的簡化示意圖。經(jīng)蝕刻的4冊特征102a至102c包4舌在每個經(jīng)蝕刻的4冊特4i基底的刻痕(notch)100。在蝕刻處J里末尾，當(dāng)去除多晶硅縱梁(stringer)時(即在該過蝕刻步驟過程中)，為保持柵完整性，當(dāng)執(zhí)行過蝕刻步驟時需要維持對氧化物的高選擇性。如通常所知，4冊氧化層點蝕是一種現(xiàn)象，由該現(xiàn)象在小的局部區(qū)域有選4奪地蝕刻斥冊氧化層、或斥冊材料，導(dǎo)致在下面的硅的蝕刻，因此產(chǎn)生點蝕。圖9B是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的、通過在該過蝕刻處理中加入含硅氣體而得到帶有臨界尺寸控制的經(jīng)蝕刻的柵特征的示例性的顯微照片。在硅蝕刻氣體混合物中的含硅氣體增加側(cè)壁鈍化的量以緩和任何刻痕。因此，由于添加的>5圭蝕刻氣體^是供的側(cè)壁#/[匕，柵特征102a至102c顯示為具有無刻痕基體。在一個實施例中，關(guān)于石更掩沖莫4冊應(yīng)用，該側(cè)壁4屯化主要由Si、O、X基材沖+組成，X為囟素或囟素混合物，例如，溴、氯、氟等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是卣素依賴于蝕刻化學(xué)成分。這里，該前兩個蝕刻步艱《經(jīng)過包含蝕刻副產(chǎn)物的反應(yīng)將硅從該基片結(jié)合入鈍化層。然而，在該多晶硅蝕刻的末尾，在過蝕刻步驟期間，硅基副產(chǎn)物由于待蝕刻的硅才才泮+的消庫毛而消辟毛。同時，蝕刻物質(zhì)(species)濃度增加。結(jié)果，在過蝕刻步驟期間很少產(chǎn)生鈍化，并且在線(line)的基底(base)存在的鈍化可以被蝕刻物質(zhì)腐蝕，導(dǎo)致多晶硅線的刻痕。然而，在過蝕刻步驟期間增加的硅將取代先前由被蝕刻的硅材料提供的所消-€的>5圭。圖10為示出經(jīng)蝕刻的雙摻雜柵結(jié)構(gòu)的簡化的橫截面示意圖。這里，柵110由N-摻雜多晶硅組成，而柵112由P-摻雜多晶石圭組成。應(yīng)當(dāng)理解的是在整個蝕刻處理中加入含石圭氣體會增強鈍化層的形成，從而減輕由該基片上的不同摻雜斥冊結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的差別。當(dāng)蝕刻化學(xué)成分對于4冊氧化層更加具有選擇性時，在4冊蝕刻處理的最后步艱《中，橫向的腐蝕量也可以隨4參雜類型而變化。因此，在該石圭蝕刻的第一步驟中限定的形貌可在該最終的步驟中改變，導(dǎo)致在不同的才參雜區(qū)域之間形貌和臨界尺寸的差別(即，也稱為N/P形貌負載(profileloading))。因此，在另一個實施例中，在蝕刻最后步駛《中(如該過蝕刻步驟)氣體混合物中硅源的增力口，減少了不同類型4參雜硅之間的蝕刻率微負載(micro-loading)。另外，該硅氣體向這些線增加更多鈍化，因此降低了在形貌輪廓上不同類型摻雜硅之間橫向蝕刻差別的影響。因此，在硅蝕刻過程中在蝕刻氣體混合物中加入含石圭氣體將消除在這些特征底部的刻痕。此外，在過蝕刻步驟過程中的該蝕刻氣體混合物中的含硅氣體將增加對氧化物的可選擇性。此外，娃蝕刻過程中蝕刻氣體混合物中的含石圭氣體將降低存在于同一基片上的不同類型摻雜石圭之間的形貌差別。也就是"i兌，在石圭蝕刻過程中在蝕刻氣體混合物中加入含硅氣體將降低N-摻雜、P-摻雜或非摻雜線之間的臨界尺寸偏差。圖11是配置為在一個過蝕刻處理過程中提供含硅氣體的蝕刻室的簡4b示意圖。蝕刻室120包才舌氣體入口122,頂部電4及124，支撐晶片或半導(dǎo)體基片126的靜電卡盤128。蝕刻室120還包括出口130,其可與一個泵流動連通，以4由空該蝕刻室。處理氣體供應(yīng)132與氣體入口122流動連通。應(yīng)當(dāng)理解的是，鈍化增強氣體(例如，上面提及的含硅氣體)可以通過氣體入口122提供至該室。與室120和處理氣體供應(yīng)132連通的4空制器134可配置為^r測4屯^f匕々幾餓(starved)狀態(tài)(即，過蝕刻處理)。響應(yīng)于檢測鈍化饑餓狀態(tài)，控制器可以觸發(fā)處理氣體供應(yīng)134,以向室120提供含硅氣體。應(yīng)當(dāng)理解的是，該控制器134可通過任何適合的端點^r測而^r測該4屯化饑餓狀態(tài)，或者過蝕刻處理的開始可觸發(fā)該含石圭氣體的供應(yīng)。另外，在一個實施例中，控制器134為通用計算機。與引入該含硅氣體例如SiCU有關(guān)的參數(shù)，總結(jié)于表1中。表1<table>complextableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>應(yīng)當(dāng)理解的是，表l是示例性的而不是為了限定。也就是說，可以使用任何適合的含硅氣體。另外，依賴于該室的構(gòu)造，這些參凄t的范圍可以變4匕。在一個實施例中，當(dāng)在過蝕刻步驟中將SiCU或其它適合的含Si氣體加入該氣體混合物中時，多晶硅仍然被蝕刻，然而，在柵氧化層上發(fā)生保護性沉積。也就是i兌，在該4冊氧^:層或氮化4冊氧化層上可沉>積有SiOx薄層，其可以結(jié)合入Br或Cl或存在于室中的任]可適合的元素。應(yīng)當(dāng)理解的是也可以提供氧源以形成該SiOx層。用于薄層的氧源可由引入含氧氣體得到或者由容器中的含氧成分(如石英、氧化鋁、正被蝕刻的基片的含氧成分，等等)的存在而產(chǎn)生?？梢岳斫獾氖牵诙嗑Ч韬脱趸镏g的蝕刻速率選擇性變得無窮大，即，作為薄的含石圭氧化層沉積的結(jié)果，4冊氧化層沒有^皮蝕刻。因此，其導(dǎo)致改進的柵完整性，即，最低限度氧損耗(如果有的話)、更少的硅凹口(recess)和顯著地降低點蝕的可能性。另外，由于處理可以在如果沒有改進的選擇性的情況下將會發(fā)生點蝕的區(qū)域進行，因此增加的蝕刻率選擇性展寬了處理窗口。在另一個實施例中，石圭固體源可以包含在該室中，以1更為4屯化層才是供硅。也就是"i兌，在過蝕刻處理過程中，其中木史蝕刻的石圭基本上耗盡，硅固體源提供鈍化層所需的硅以防止出現(xiàn)刻痕。例如，蝕刻室的頂部電極可包括固體硅源，其可在過蝕刻步驟中通過向該頂部電才及施加射頻(RF)偏壓而^皮觸發(fā)。表2示出了與蝕刻室有關(guān)的處理參數(shù)，以便實現(xiàn)此處根據(jù)用于蝕刻雙層抗蝕劑的各向異性蝕刻條件而描述的實施例?？梢岳斫獾氖?，表2是示例性的而并非限制性的。可在Versys2300蝕刻機器(該機器可以從受讓人得到)的使用中應(yīng)用表2中列出的參數(shù)。當(dāng)然，表2中列出的范圍可以根據(jù)執(zhí)行蝕刻操作的機器的類型而變化。<table>complextableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>關(guān)于在該雙層抗蝕劑蝕刻過程中4吏用的氣體，一個合適的組合包括使用氧(02)、氮(N2)、SiCl4、溴化氫(HBr)和氯(Cl2)。氧的流速范圍為大約100-200標準立方厘米每分鐘(sccm)。it匕^b,4吏用氧作為々蟲刻劑。在處玉里過禾呈中氮的流速在大約50至200sccm之間。應(yīng)當(dāng)理解的是，氮幫助保持整個基片表面的一致性。一個示例性的溴化氪的流速在大約50至100sccm之間。溴化氫用于側(cè)壁4屯化。氯的流速在大約10至50sccm之間。在一個實施例中，氯的流速大約是氧流速的10%。也就是說，氧的流速與氯的流速的比為10:1。使用氯來幫助去除揮發(fā)性氣體。SiCl4的流速在0.1至6sccm之間。SiCl4氣體用來幫助保持根據(jù)此處所描述的實施例的CD。在雙層抗蝕劑蝕刻過程中使用的其它i殳置包括在大約3至15毫托(毫托)的壓力范圍。頂部電極的功率在大約300至1000瓦特之間，而底部電極可得到的峰值功率在大約200至300伏特。該室的溫度在大約20至70攝氏度之間，如表2所示。在一個實施例中，等離子體密度保持在1x109每立方厘米至1x1012每立方厘米之間。表2所述的壓力和頂部功率的設(shè)置限定該等離子體密度。離子能量維持在大約150至大約400伏特之間，此處，離子能量是提供至該底部電極的RF峰值功率的函數(shù)。圖12是示出了設(shè)置在基片上的雙層抗蝕劑的各個層的簡化示意圖。這里，晶片150包括多晶硅層152、底部光刻膠層154和頂部光刻"交層156。頂部光刻力交層156隨后,皮圖案化和顯影。其后，由第一光刻力交層154和第二光刻力交層156組成的雙層光刻力交纟皮蝕刻以限定圖案。典型地，頂部光刻月交層156包括石圭，而底部光刻月交層是有才幾光刻月交。圖13A和13B示出了分別使用標準多晶硅化學(xué)成分和SiCU氣體蝕刻雙層光刻膠所限定的圖案。圖13A示出了因在該蝕刻才喿作過程中使用傳統(tǒng)化學(xué)成分，而發(fā)生在該底部光刻膠層154中的刻痕和鉆蝕。如圖13A所示，由于該刻痕和鉆蝕，存在限定在^皮蝕刻的底部光刻膠層154之間的臨界尺寸的損失，其轉(zhuǎn)而將影響隨后多晶硅層152的蝕刻。然而，圖13B示出了通過使用在蝕刻操作過程中引入的SiCU氣體消除該鉆蝕和刻痕。這里，底部光刻月交層154和頂部光刻膠層156的蝕刻導(dǎo)致不損失CD的蝕刻操作。x圖14A和14B示出了與圖13A和圖13B詳目乂寸應(yīng)的實際顯孩丈照片，示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例使用SiCU氣體的效果。如圖14B所示，相比圖14A，CD的損失是極小的。圖14A是在蝕刻操作過程中4吏用標準多晶石圭化學(xué)成分(HBr，02,N2)的結(jié)果。圖14B將Cl2，HBr，02，N2和SiCU用于蝕刻才喿作?？梢岳斫獾氖?，在蝕刻才喿作的過程中SiCU與02生成Si02，以最小化CD的損失。圖15為示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，用于在等離子體蝕刻室中蝕刻限定在基片上的雙層抗蝕劑的方法的流程圖。該方法/人才喿作160起始，其中，引入基片到蝕刻室中，該基片具有限定在雙層光刻膠的第一層上的圖案。然后，該方法進行至操作162,其中，SiCl4氣體與表2中列出的氣體混合物一起流入該蝕刻室。如才艮據(jù)表2所描述的，在一個實施例中，該SiCU氣體的流速率為0.1至6SCCM之間。然后，該方法進4亍l乘作164,其中，當(dāng)該SiCU氣體流入該室時，氧基等離子體在該蝕刻室中^皮激發(fā)。此處，表2列出的氣體與該SiCl4氣體一起流入該室。在一個實施例中，在蝕刻室中保持在大約1x109每立方厘米至1x1012每立方厘米之間的等離子體密度。在另一個實施例中，在蝕刻室中，保持在大約150伏特至大約400伏特之間的離子能量。然后，該方法轉(zhuǎn)移至才喿作166,其中，依照此處所描述的條件蝕刻該雙層抗蝕劑。圖16A是示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例，經(jīng)受多層光刻膠蝕刻的基片的各種層的簡化的示意圖。光刻月交層200i殳置在底部抗反射涂層202上。在這個實施例中，可通過已知技術(shù)顯影光刻膠層200。底部抗反射涂層(BARC)202i殳置在帽介電層(capdielectriclayer)204上，該帽介電層204i殳置在下層光刻膠(ULPR)206上，而下層光刻膠206又設(shè)置在層208上。在一個實施例中，光刻膠層200的厚度在大約1200-2000埃之間。底部抗反射涂層(BARC)202的厚度在大約600-1000埃之間。在一個實施例中，帽介電層204的厚度在大約200-400埃之間，以及ULPR206的厚度在大約2000-3000埃之間。在另一個實施例中，其中，ULPR206由無定形碳組成，如，高級圖案化月莫(APF)(可從APPLIEDMATERIALS得到)或者可灰化硬掩模(AHM)(可以從NOVELLUS得到)。ULPR層206的厚度在大約600-1200埃之間。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解光刻膠層200可以是任何合適的光刻膠層，如193納米的光刻膠。如通常所知，BARC層202用于通過抑制標準波效應(yīng)和由薄膜干涉引起的反射刻痕，來增強臨界尺寸的控制。需要注意的是，BARC層202是可選的，因此，耳又決于該帽介電層204的組成和/或?qū)刂圃撐g刻處理的實體的偏好，可以包括或者不包括該BARC層202。在一個示例性實施例中，帽介電層204可以是氮氧化硅層，如SiON。可選地，帽介電層204可為氧化硅層，化學(xué)式為SiOx,其中x是大于或等于1的整數(shù)。圖16B是示出圖16A的經(jīng)蝕刻的層的簡化的示意圖。在一個實施例中，應(yīng)用^f吏用表3的處理參數(shù)的方法以獲得圖16B所述的結(jié)果。如所示出的，已經(jīng)從蝕刻才喿作中去除了圖16A中的層200和202。用于圖16A和16B的實施例的蝕刻劑材料可以是任何常用的氟基蝕刻劑，如CF4、CHFg或CH2F2。另夕卜，用于圖16A和16B的實施例的等離子體可以是氧基等離子體。因此，相同的蝕刻劑和等離子體可以用于蝕刻圖16A和16B所示的層。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，無定形石友晶片通常包^r帽電介質(zhì)，然而，不同于無定形碳的ULPR通常包括含硅BARC。因此，SiCU或SCb可用在如下論述的整個蝕刻操作的這些情形中。表3提供一個示例性配方的進一步的細節(jié)以及相應(yīng)的《且成和"i殳置。如上參照圖16A所提到的，BARC層202在一個實施例中是可選的。圖17A是示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例，用于圖16A的多層光刻膠的可選層的簡化的示意圖。在圖17A中，光刻膠200在含硅的BARC層210上顯影。含硅的BARC層210設(shè)置在ULPR層206上。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，含硅的BARC層210可由硅、氧和碳元素的組合形成。應(yīng)該注意的是，圖16A和圖17A之間共同層的厚度是類似的。在一個實施例中，含硅的BARC層210的厚度在大約600-900埃之間。應(yīng)當(dāng)進一步理解，為了實現(xiàn)圖17B所描述的蝕刻形貌而4丸行圖17A的蝕刻，可〗吏用與上述關(guān)于圖16Ai侖述的蝕刻的些i午不同的配方(recipe)。在圖17A中，用于頂部光刻月交層200的蝕刻劑可與如關(guān)于圖16A所描述的蝕刻劑類似，即氟基蝕刻劑。然而，關(guān)于圖17A的其余層，氯化硅(也稱為四氯化硅(SiCU))/氧基蝕刻劑可以在以后使用。例如，一種這樣的蝕刻劑配方可包括SiCl4/02/He/HBr/Cl2。在一個可選的實施例中，二氧化碌u(S02)可用來取代SiCl4。使用氯化硅或二氧化硫幫助鈍化該含硅BARC層210和該ULPR層206,以確4呆正確的蝕刻。當(dāng)然，此處所描述的SiCU或S02蝕刻劑可用于關(guān)于圖16A和16B"i侖述的層，以耳又代氟基々蟲刻劑。圖18是示出才艮據(jù)本發(fā)明一個實施例，用于蝕刻具有多層光刻膠的基片的操作方法的流程圖。該方法從操作220起始，該操作中將基片引入蝕刻室，該基片具有限定在多層抗蝕劑的第一層上的圖案。該方法前進到才喿作222,該才喿作中扭j刊務(wù)整纟喿作。如上所纟是及的，該<多整操作可依照表3中的i殳置沖黃向蝕刻多層抗蝕劑頂層的一部分。在一個實施例中，該修整操作可在BARC層被開口后進行。在另一個實施例中，也執(zhí)行硬掩模修整(即，其是修整硬掩模的光刻月交《奮整)。然后，該方法進行4喿作224，該纟喿作中，SiCl4氣體或so2氣體^^皮引入到蝕刻室中。產(chǎn)生等離子體，并且穿過該基片的BARC層進4亍蝕刻，其中SiCl4和S02用于該BARC蝕刻。當(dāng)然，氟基蝕刻劑也可用于該BARC蝕刻。在一個實施例中，該等離子體是氧基等離子體。然后，該方法進行操作226，該操作中可引入額外的元素/氣體，即，氦氣、溴化氫、氯氣、氮氣和/或氬氣等等，以穿過圖16A-17B所示的各個層執(zhí)行該蝕刻?？梢岳斫獾氖?，當(dāng)使用S02氣體時，具有CxSy(其中x和y是非零整數(shù))組分的鈍化層在被蝕刻特征的側(cè)壁上聚集。當(dāng)使用SiCU氣體時，可在經(jīng)蝕刻的特征的側(cè)壁上形成SiOx或SiOxCl2(或SiOxBry)鈍化層(其中x和y是非零整數(shù))，以防止發(fā)生橫向蝕刻。在一個實施例中，當(dāng)多層光刻膠包括帽介電層時(如圖16A和16B的實施例)，可使用SiCl4氣體作為蝕刻劑。在另一個實施例中，so2氣體可與具有或不具有帽介電層的多層光刻膠一起使用，例如圖16A-17B中任一個所示的實施例。表3提供了用于關(guān)于圖16A-17B提及的蝕刻處理的示例性處理設(shè)置。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，這些設(shè)置可以根據(jù)所采用的蝕刻室而變化，并且表3中提供的設(shè)置是示例性的，并不是為了限定。應(yīng)該注意的是，這些示例性的范圍和組成可應(yīng)用于所i侖述的關(guān)于圖18所述的方法。另外，除非明確描述不可能的情況，這些i殳置和組成的各種組合也是可能的。在表3的第3-9欄中詳細說明了該處理/對應(yīng)的層，而第1欄提供該組成/設(shè)置，并且第2欄提供用于對應(yīng)組成/設(shè)置的測量的單位。如表3所示出的，》務(wù)整處理可在一開始沖丸4亍，或者在開始之外的某個時間才丸行。寺丸行該》f整處理以"'f整，，該光刻月交的寬度，并且在第3欄提供這些設(shè)置。例如，由于光刻的限制，可以比所需的厚度稍大的厚度顯影光刻膠。該修整操作將進一步降低掩模的厚度。在一個實施例中，降低或消除偏置功率以及增加氧(02)流速將導(dǎo)致更多的橫向腐蝕，以寺丸行該修整揭:作。在第4欄，提供用于底部抗反射涂層(BARC)的蝕刻操作的設(shè)置。這里，S02氣體帶有或者不帶有HBr、Cl2和氦氣。在一個實施例中，可使用SiCU替代S02。對于含硅的BARC,在第5欄提供設(shè)置。這里，以相應(yīng)的流速提供so2,而其它氣體在這個實施例中可^皮可選地4是供。用于帽電介質(zhì)(如SiON)蝕刻的設(shè)置在第6欄提供，其中使用氟基蝕刻劑。在第7和8欄，才是供用于蝕刻下層光刻"交(ULPR)的不同實施例的示例性i殳置。在第7欄，這些設(shè)置包括使用S02，而SiCU用于第8欄中的示例性設(shè)置。在一個實施例中，其中ULPR是無定形碳材料，在第9欄提供這些設(shè)置。如前所述，在表3中提供的設(shè)置是示例性的，并且依賴于設(shè)備。然而，各種氣體和設(shè)置的組合提供了用于此處所述的多層蝕刻的期望的結(jié)果。在一個實施例中，該多層抗蝕劑蝕刻包括最少三個抗蝕劑層，如圖16A-17B所示。表3<table>complextableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>前面所述描述了本發(fā)明的原理、優(yōu)選實施例和操作的方法。然而，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)解釋為限定于所i侖述的特定的實施例。因此，上述實施例應(yīng)當(dāng)認為是示例性的而不是限制性的，并且應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不脫離所附的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，對這些實施例中啦文出改變。此處，才艮據(jù)多個示例性的實施例描述了本發(fā)明。通過考慮本發(fā)明的具體說明和實現(xiàn)，本發(fā)明的其它實施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來i兌是顯而易見的。上述的實施例和優(yōu)選的特征應(yīng)當(dāng)認為是示例性的，而本發(fā)明由所附4又利要求限定。權(quán)利要求1.一種用于在等離子體蝕刻室中蝕刻限定在基片上的多層抗蝕劑的方法，包括以下方法操作將所述基片引入到所述蝕刻室中，所述基片具有限定在所述多層抗蝕劑的第一層上的圖案；使SO2氣體流入所述蝕刻室中；在流入所述SO2氣體的同時，在所述蝕刻室中激發(fā)等離子體；以及蝕刻所述多層抗蝕劑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述使S02氣體流入所述蝕刻室中的方法操作包括以大約0.1才示準立方厘米每分4中(sccm)和200sccm之間的流速流入所述so2氣體。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括使氯氣流入所述蝕刻室中；使溴化氫氣體流入所述室中；以及使惰性氣體流入所述室中。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述惰性氣體為氮，并且所述多層抗蝕劑包括至少三個抗蝕劑層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述S02氣體的同時在所述蝕刻室中激發(fā)等離子體的方法操作包括生成氧基等離子體。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述S02氣體的同時在所述蝕刻室中激發(fā)等離子體的方法操作包括將等離子體密度保持在大約1xlo9/cm3和大約lx1012/(^13之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述S02氣體的同時在所述蝕刻室中激發(fā)等離子體的方法操作包括將離子能量^f呆持在大約150伏特和大約400伏特之間。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述將等離子體密度保持在大約1x10Vcm3和大約1x10^/cm3之間的方法操作包括建立在大約2毫托和大約20毫托之間的室壓；以及將所述蝕刻室的頂部電極的功率級設(shè)置在大約200瓦特和大約1000瓦特之間。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述將離子能量保持在大約150伏特和大約400伏特之間的方法#:作包括將底部電極的射頻(RF)峰值電壓建立在大約200伏特和300伏特之間。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述so2氣體的同時在所述蝕刻室中激發(fā)等離子體的方法操作包括將室溫度保持在大約204聶氏度和大約70才聶氏度之間。11.一種用于在蝕刻室中在多層抗蝕劑蝕刻期間控制臨界尺寸偏差的方法，包4舌如下方法^喿作在使so2氣體流入所述室中的同時，在所述室中激發(fā)氧基等離子體；將等離子體密度保持在大約lxlO"cn^和大約lx10"/cm3之間；以及蝕刻所述多層抗蝕劑的每一層。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述在使S02氣體流入所述室中的同時在所述室中激發(fā)氧基等離子體的方法操作包括4吏氯氣流入所述蝕刻室中；使溴化氫(HBr)氣體流入所述室中；以及使惰性氣體流入所述室中。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述在使S02氣體流入所述室中的同時在所述室中激發(fā)氧基等離子體的方法操作包括以大約0.1標準立方厘米每分鐘(sccm)和200sccm之間的流速4吏所述so2氣體流入所述室中。14.才艮據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進一步包括將離子能量保持在大約150伏特和大約400伏特之間。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述將離子能量保持在大約150伏特和大約400伏特之間的方法纟喿作包4舌將底部電極的射頻(RF)峰值電壓建立在大約200伏特和300伏特之間。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述將等離子體密度保持在大約1x10Vcm3和大約1x1012/^113之間的方法操作包括將與頂部電極相關(guān)的功率級保持在大約300瓦特和大約1000瓦4爭之間。17.才艮據(jù)4又利要求12所述的方法，進一步包括將進入所述室的氧氣的流速與進入所述室的氯氣的流速的比保持在大約10:1。18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述惰性氣體的流速在大約50sccm和大約200sccm之間，戶斤述HBr氣體的;虎速在大約50sccm和大約100sccm之間，以及所述氯氣的流速在大約10sccm和大約50sccm之間。19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述多層抗蝕劑包括設(shè)置在第二層上的第一層，所述第一層是有機光刻膠，所述第二層是含石圭的底部抗反射涂層(BARC),所述第二層i殳置在第三層上，其中，所述第三層是下層光刻膠(ULPR)。20.—種用于在等離子體蝕刻室中蝕刻限定在基片上的多層抗蝕劑的方法，包^r以下方法纟喿作將所述基片引入到所述蝕刻室中，所述基片具有限定在所述多層抗蝕劑的第一層上的圖案；<吏SiCl4或S02氣體中的一種;危入所述々蟲刻室中；在流入所述SiCl4或so2氣體的同時，在所述蝕刻室中激發(fā)等離子體；以及蝕刻所述多層抗蝕劑。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述使SiClt或S02氣體流入所述蝕刻室中的方法操作包括當(dāng)S02氣體被引入到所述蝕刻室中時，以大約0.1標準立方厘米每分4中(SCCm)和200sccm之間的;危速;i;危入所述S02氣體；以及當(dāng)SiCU氣體被引入到所述蝕刻室中時，以大約0.1標準立方厘米每分4中(sccm)和200sccm之間的力乾速流入所述SiCl4氣體。22.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，進一步包括使氯氣流入所述蝕刻室中；使溴化氫氣體流入所述室中；以及使惰性氣體流入所述室中。全文摘要一種用于在等離子體蝕刻室中蝕刻限定在基片上的多層抗蝕劑的方法。該方法從引入基片到蝕刻室中開始，該基片具有限定于多層抗蝕劑的第一層上的圖案。SO₂氣體流入蝕刻室，并且當(dāng)流入SO₂氣體時，在該蝕刻室中激發(fā)等離子體。然后蝕刻多層抗蝕劑。文檔編號H01L21/027GK101197258SQ20071018751公開日2008年6月11日申請日期2007年11月21日優(yōu)先權(quán)日2006年11月22日發(fā)明者克里斯·李,山口陽子申請人:朗姆研究公司