本發(fā)明的實(shí)施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用與電視、手機(jī)以及公共信息顯示，液晶顯示器在制造過程中或使用過程中，可能受到靜電損害。

靜電積累和釋放是半導(dǎo)體領(lǐng)域中造成器件破壞的主要因素之一。ESD(Electro-Static discharge，靜電釋放)保護(hù)電路的作用是有效阻隔或疏導(dǎo)靜電，避免器件被靜電破壞。而是否能夠較好的阻隔或疏導(dǎo)靜電，關(guān)鍵是ESD設(shè)計(jì)方案的合理性。

ESD的擊穿電壓V_B∝E_Bd，公式中E_B為絕緣層擊穿的臨界電場(chǎng)，與絕緣層材料相關(guān)；d為絕緣層厚度；在材料確定的情況下，E_B為常量，擊穿電壓V_B與絕緣層厚度d成正比。

在現(xiàn)有的顯示器制造過程中發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在產(chǎn)品的制程過程中，布線密集區(qū)域的功能導(dǎo)線，如柵線和數(shù)據(jù)線容易發(fā)生靜電擊穿，而通過將其與靜電線路導(dǎo)通進(jìn)行靜電釋放可以將這些功能導(dǎo)線上積累的靜電釋放，但是若將柵線或數(shù)據(jù)線直接與靜電線路連通時(shí)，其將不能實(shí)現(xiàn)基本功能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)產(chǎn)品中功能導(dǎo)線進(jìn)行有效的靜電釋放，又不影響其正常功能的實(shí)現(xiàn)。

第一方面，提供一種陣列基板，包括信號(hào)輸入引線、第一靜電保護(hù)單元、第二靜電保護(hù)單元、靜電防護(hù)線和公共電極線；

其中，所述信號(hào)輸入引線通過所述第一靜電保護(hù)單元連接至所述靜電防護(hù)線；所述靜電防護(hù)線通過所述第二靜電保護(hù)單元連接至所述公共電極線；

所述第二靜電保護(hù)單元用于隔離靜電防護(hù)線或公共電極線上的直流分量；在發(fā)生靜電時(shí)所述靜電從所述靜電防護(hù)線通過所述第二靜電保護(hù)單元向所述公共電極線進(jìn)行釋放或所述靜電從所述公共電極線通過所述第二靜電保護(hù)單元向所述靜電防護(hù)線進(jìn)行釋放。可選的，所述第一靜電保護(hù)單元包含晶體管，所述第二靜電保護(hù)單元用于隔離靜電防護(hù)線上的直流分量具體包括：所述第二靜電保護(hù)單元用于隔離所述晶體管的漏電流在所述靜電防護(hù)線上形成的直流分量。

可選的，所述第二靜電保護(hù)單元包括第一晶體管、第二晶體管和電容；

所述第一晶體管的柵極連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端，所述第一晶體管的源極連接所述電容的第一端，所述電容的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端；

所述第二晶體管的源極連接所述第一晶體管的漏極，所述第二晶體管的漏極連接所述第一晶體管的源極，所述第二晶體管的柵極連接所述第二晶體管的源極以及所述第二靜電保護(hù)單元的第二端；

其中所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述公共電極線；或者所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述公共電極線。

可選的，所述第二靜電保護(hù)單元包括第一晶體管、第二晶體管和電容；

所述第一晶體管的柵極連接所述電容的第一端，所述電容的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端；所述第一晶體管的源極連接第二靜電保護(hù)單元的第一端；

所述第二晶體管的源極連接所述第一晶體管的漏極，所述第二晶體管的漏極連接所述第一晶體管的源極，所述第二晶體管的柵極連接所述第二晶體管的源極以及所述第二靜電保護(hù)單元的第二端；

其中所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述公共電極線；或者所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述公共電極線。

可選的，所述第二靜電保護(hù)單元包括第一晶體管、第二晶體管、第一電容和第二電容；

所述第一晶體管的柵極連接所述第一電容的第一端，所述第一電容的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端，所述第一晶體管的源極連接所述第二電容的第一端，所述第二電容的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端；

所述第二晶體管的源極連接所述第一晶體管的漏極，所述第二晶體管的漏極連接所述第一晶體管的源極，所述第二晶體管的柵極連接所述第二晶體管的源極以及所述第二靜電保護(hù)單元的第二端；

其中所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述公共電極線；或者所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述公共電極線。

可選的，所述第二靜電保護(hù)單元包括第一晶體管、第二晶體管、第一電容和第二電容；

所述第一晶體管的柵極連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端，所述第一晶體管的源極連接所述第一電容的第一端，所述第一電容的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端；

所述第二晶體管的源極連接所述第一晶體管的漏極以及所述第二電容的第一端，所述第二電容的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第二端，所述第二晶體管的漏極連接所述第一晶體管的源極，所述第二晶體管的柵極連接所述第二靜電保護(hù)單元的第二端；

其中所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述公共電極線；或者所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述公共電極線。

可選的，所述第二靜電保護(hù)單元包括第一晶體管、第二晶體管、第一電容和第二電容；

所述第一晶體管的柵極連接所述第一電容的第一端，所述第一電容的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端，所述第一晶體管的源極連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端；

所述第二晶體管的源極連接所述第一晶體管的漏極以及所述第二電容的第一端，所述第二電容的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第二端，所述第二晶體管的漏極連接所述第一晶體管的源極，所述第二晶體管的柵極連接所述第二靜電保護(hù)單元的第二端；

其中所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述公共電極線；或者所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述公共電極線。

可選的，所述第二靜電保護(hù)單元包括第一晶體管、第二晶體管、第一電容、第二電容、第三電容和第四電容；

所述第一晶體管的柵極連接所述第一電容的第一端，所述第一晶體管的源連接所述第二電容的第一端，所述第一電容的第二端連接所述第二電容的第二端，所述第一電容的第二端還連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端；

所述第二晶體管的柵極連接所述第三電容的第一端，所述第二晶體管的源極連接所述第四電容的第一端以及所述第一晶體管的漏極，所述第三電容的第二端連接所述第四電容的第二端，所述第三電容的第二端還連接所述第二靜電保護(hù)單元的第二端；

其中所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述公共電極線；或者所述第二靜電保護(hù)單元的第二端連接所述靜電防護(hù)線，所述第二靜電保護(hù)單元的第一端連接所述公共電極線。

可選的，所述信號(hào)輸入引線包括柵線和數(shù)據(jù)線。

可選的，所述電容的兩個(gè)電極與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備。

可選的，所述第一電容的兩個(gè)電極和所述第二電容的兩個(gè)電極與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備。

可選的，所述第一電容的兩個(gè)電極、所述第二電容的兩個(gè)電極、所述第三電容的兩個(gè)電極和所述第四電容的兩個(gè)電極與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備。

第二方面，提供一種顯示裝置，包括上述任一陣列基板。

由于該方案中信號(hào)輸入引線通過第一靜電保護(hù)單元連接至靜電防護(hù)線時(shí)，由于靜電防護(hù)線與公共電極線之間設(shè)置有第二靜電保護(hù)單元，第二靜電保護(hù)單元能夠隔離靜電防護(hù)線或公共電極線上的直流分量，避免靜電防護(hù)線上產(chǎn)生的直流分量流入公共電極線，或者避免公共電極線上產(chǎn)生的直流分量流入靜電防護(hù)線，可防止直流分量影響陣列基板的正常功能的實(shí)現(xiàn)；在發(fā)生靜電時(shí)第二靜電保護(hù)單元將靜電從靜電防護(hù)線向公共電極線進(jìn)行釋放或?qū)㈧o電從公共電極線向靜電防護(hù)線進(jìn)行釋放。從而能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)產(chǎn)品中功能導(dǎo)線進(jìn)行有效的靜電釋放，又不影響其正常功能的實(shí)現(xiàn)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種陣列基板的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種第一靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖4為本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖5為本發(fā)明的又一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖6為本發(fā)明的再一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖7為本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖8為本發(fā)明的又一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖9為本發(fā)明的再一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖10為本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖11為本發(fā)明的又一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖12為本發(fā)明的再一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖13為本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖14為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種第二靜電保護(hù)單元的布線圖；

圖15為本發(fā)明的實(shí)施例提供的如圖14所示的第二靜電保護(hù)單元的布線圖的AA’剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為本發(fā)明的實(shí)施例提供的如圖14所示的第二靜電保護(hù)單元的布線圖的BB’剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

襯底-1；

信號(hào)輸入引線-10；

柵線11；

數(shù)據(jù)線12；

第一靜電保護(hù)單元-20；

靜電防護(hù)線-30；

公共電極線-40；

第二靜電保護(hù)單元-50；

柵極絕緣層-60；

鈍化層-70。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性相同的器件。此外，在下述方案中采用g表示晶體管的柵極，s表示晶體管的源極、d表示晶體管的漏極。

參照?qǐng)D1所示，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，包括信號(hào)輸入引線10、第一靜電保護(hù)單元20、第二靜電保護(hù)單元50、靜電防護(hù)線30和公共電極線40；

其中，所述信號(hào)輸入引線10通過所述第一靜電保護(hù)單元20連接至所述靜電防護(hù)線30；所述靜電防護(hù)線30通過所述第二靜電保護(hù)單元50連接至所述公共電極線40；

所述第二靜電保護(hù)單元50用于隔離靜電防護(hù)線30或公共電極線40上的直流分量；在發(fā)生靜電時(shí)所述靜電從所述靜電防護(hù)線30通過所述第二靜電保護(hù)單元50向所述公共電極線40進(jìn)行釋放或所述靜電從所述公共電極線40通過所述第二靜電保護(hù)單元50向所述靜電防護(hù)線30進(jìn)行釋放。

示例性的，信號(hào)輸入引線10可以為柵線11或數(shù)據(jù)線12。其中，所述第一靜電保護(hù)單元20包含晶體管，所述第二靜電保護(hù)單元50用于隔離靜電防護(hù)線30上的直流分量具體包括：所述第二靜電保護(hù)單元50用于隔離所述晶體管的漏電流在所述靜電防護(hù)線30上形成的直流分量。此外，參照?qǐng)D2所示，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種第一靜電保護(hù)單元20的結(jié)構(gòu)，包括晶體管M1和M2，連接關(guān)系如圖2所示，M1的柵極g1連接信號(hào)輸入引線10、M1的源極s1連接信號(hào)輸入引線10，M2的柵極g2連接靜電防護(hù)線30、M2的源極s2連接靜電防護(hù)線30以及M1的漏極d1、M2的漏極d2連接M1的源極s1；當(dāng)?shù)谝欢薃聚集靜電荷后，晶體管M1導(dǎo)通，靜電電荷從M1的源極s1流向M1的漏極d1，并流入到第二端B；當(dāng)?shù)诙薆聚集靜電荷后，晶體管M2導(dǎo)通，靜電電荷從M2的源極s2流向M2的漏極d2，并流入到第一端A；從而實(shí)現(xiàn)了信號(hào)輸入引線10至靜電防護(hù)線30的靜電釋放，或者靜電防護(hù)線30至信號(hào)輸入引線10的靜電釋放。

由于該方案中信號(hào)輸入引線通過第一靜電保護(hù)單元20連接至靜電防護(hù)線30時(shí)，由于靜電防護(hù)線30與公共電極線40之間設(shè)置有第二靜電保護(hù)單元50，第二靜電保護(hù)單元50能夠隔離靜電防護(hù)線30和公共電極線40上的直流分量，避免靜電防護(hù)線30上產(chǎn)生的直流分量流入公共電極線40，或者避免公共電極線40上產(chǎn)生的直流分量流入靜電防護(hù)線30，可防止直流分量影響陣列基板的正常功能的實(shí)現(xiàn)；在發(fā)生靜電時(shí)所述靜電從所述靜電防護(hù)線30通過所述第二靜電保護(hù)單元50向所述公共電極線40進(jìn)行釋放或所述靜電從所述公共電極線40通過所述第二靜電保護(hù)單元50向所述靜電防護(hù)線30進(jìn)行釋放。從而能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)產(chǎn)品中功能導(dǎo)線進(jìn)行有效的靜電釋放，又不影響其正常功能的實(shí)現(xiàn)。

參照?qǐng)D3、4所示，提供一種第二靜電保護(hù)單元，所述第二靜電保護(hù)單元50包括第一晶體管T1、第二晶體管T2和電容C；

所述第一晶體管T1的柵極連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A，所述第一晶體管T1的源極連接所述電容C的第一端，所述電容C的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A；

所述第二晶體管T2的源極連接所述第一晶體管T1的漏極，所述第二晶體管T2的漏極連接所述第一晶體管T1的源極，所述第二晶體管T2的柵極連接所述第二晶體管T2的源極以及所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B；

參照?qǐng)D3所示，提供一種第二靜電保護(hù)單元，其中所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述公共電極線40；或者參照?qǐng)D4所示，提供一種第二靜電保護(hù)單元，所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述公共電極線40。

本發(fā)明實(shí)施例中，第一晶體管T1的源極為s1，第一晶體管T1的漏極為d1，第一晶體管T1的柵極g1；第二晶體管T2的源極為s2，第二晶體管T2的漏極為d2，第二晶體管T2的柵極g2。

其中，參照?qǐng)D3所示上述方案中電容C起到阻隔該第二靜電保護(hù)單元50的兩端分別連接的靜電防護(hù)線30或公共電極線40上的直流分量的作用，當(dāng)靜電防護(hù)線30上有直流分量時(shí)，例如，第一靜電保護(hù)單元20中晶體管的漏電流在所述靜電防護(hù)線30上形成的直流分量，即使該直流分量足以將第一晶體管T1導(dǎo)通，但該電容C隔斷該直流分量，防止該直流分量(或漏電流)通過第一晶體管T1進(jìn)入公共電極線40，造成公共電壓的變化；當(dāng)公共電極線40上有直流分量時(shí)，該電容C防止該直流分量通過第二晶體管T2進(jìn)入靜電防護(hù)線30，由于靜電防護(hù)線30上通過第一靜電保護(hù)單元20連接有柵線11或數(shù)據(jù)線12，從而也避免了引起柵線11或數(shù)據(jù)線12上電壓的變化；以圖3所述的方案為例，靜電防護(hù)線30聚集有靜電時(shí)，靜電釋放時(shí)，靜電信號(hào)可以看成一個(gè)隨時(shí)間短暫變化的信號(hào)，這個(gè)信號(hào)可以通過電容C耦合到對(duì)應(yīng)的第一晶體管T1的源極，同時(shí)該靜電信號(hào)將T1導(dǎo)通，靜電從靜電防護(hù)線30釋放到公共電極線40，實(shí)現(xiàn)了靜電釋放；當(dāng)公共電極線40聚集有靜電時(shí)，第二晶體管T2導(dǎo)通，靜電信號(hào)通過電容C耦合到靜電防護(hù)線30，實(shí)現(xiàn)靜電釋放，靜電在靜電防護(hù)線30和公共電極線40之間有效分散；電容C在靜電釋放過程中，還起到緩沖靜電沖擊的作用，例如，靜電從靜電防護(hù)線30釋放到公共電極線40時(shí)，降低靜電對(duì)第一晶體管T1的源極和第二晶體管T2的漏極的沖擊強(qiáng)度。圖4所示的電路工作原理與圖3相同這里不再贅述。

參照?qǐng)D5、6所示，第二靜電保護(hù)單元50包括第一晶體管T1、第二晶體管T2和電容C；

所述第一晶體管T1的柵極連接所述電容的第一端，所述電容C的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元的第一端A；所述第一晶體管T1的源極連接第二靜電保護(hù)單元50的第一端A；

所述第二晶體管T2的源極連接所述第一晶體管T1的漏極，所述第二晶體管T2的漏極連接所述第一晶體管T1的源極，所述第二晶體管T2的柵極連接所述第二晶體管T2的源極以及所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B；

參照?qǐng)D5所示，提供一種第二靜電保護(hù)單元，其中第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述公共電極線40；或者參照?qǐng)D6所示，提供一種第二靜電保護(hù)單元，其中所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述公共電極線40。

其中，參照?qǐng)D5所示，上述方案中電容C起到阻隔該第二靜電保護(hù)單元50的兩端分別連接的靜電防護(hù)線30或公共電極線40上的直流分量的作用，當(dāng)靜電防護(hù)線30上有直流分量時(shí)，該電容C隔斷該直流分量，防止該直流分量(或漏電流)將T1導(dǎo)通，從而避免該直流分量(或漏電流)通過第一晶體管T1進(jìn)入公共電極線40，造成公共電壓的變化；參照?qǐng)D6所示，當(dāng)公共電極線40上有直流分量時(shí)，電容C防止該直流分量(或漏電流)將T1導(dǎo)通，從而避免該直流分量(或漏電流)通過第一晶體管T1進(jìn)入靜電防護(hù)線30，由于靜電防護(hù)線30上通過第一靜電保護(hù)單元20連接有柵線11或數(shù)據(jù)線12，從而也避免了引起柵線11或數(shù)據(jù)線12上電壓的變化；靜電釋放時(shí)，以圖5為例，靜電防護(hù)線30聚集靜電荷時(shí)，靜電信號(hào)可以看成一個(gè)隨時(shí)間短暫變化的信號(hào)，這個(gè)信號(hào)可以通過電容耦合到對(duì)應(yīng)的第一晶體管T1的柵極，從而將T1導(dǎo)通，靜電從靜電防護(hù)線30釋放至公共電極線40，實(shí)現(xiàn)了靜電釋放，并且電容C還起到降低靜電對(duì)第一晶體管T1的柵極的沖擊強(qiáng)度的作用。靜電釋放時(shí)，以圖6為例，公共電極線40聚集靜電荷時(shí)，靜電信號(hào)可以看成一個(gè)隨時(shí)間短暫變化的信號(hào)，這個(gè)信號(hào)可以通過電容耦合到對(duì)應(yīng)的第一晶體管T1的柵極，從而將T1導(dǎo)通，靜電從公共電極線40釋放至靜電防護(hù)線30，實(shí)現(xiàn)了靜電釋放，并且電容C還起到降低靜電對(duì)第一晶體管T1的柵極的沖擊強(qiáng)度的作用。

參照?qǐng)D7、8所示，提供一種第二靜電保護(hù)單元，其中所述第二靜電保護(hù)單元50包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第一電容C1和第二電容C2；

所述第一晶體管T1的柵極連接所述第一電容C1的第一端，所述第一電容C1的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A，所述第一晶體管T1的源極連接所述第二電容C2的第一端，所述第二電容C2的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A；

所述第二晶體管T2的源極連接所述第一晶體管T1的漏極，所述第二晶體管T2的漏極連接所述第一晶體管T1的源極，所述第二晶體管T2的柵極連接所述第二晶體管T2的源極以及所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B；

其中所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述公共電極線40；或者所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述公共電極線40。

其中，上述方案中第二電容C2起到阻隔該第二靜電保護(hù)單元50的兩端分別連接的靜電防護(hù)線30或公共電極線40上的直流分量的作用，以圖7為例，當(dāng)靜電防護(hù)線30上有直流分量時(shí)，即使該直流分量足以將第一晶體管T1，但該電容C2隔斷該直流分量，防止該直流分量(或漏電流)通過第一晶體管T1進(jìn)入公共電極線40，造成公共電壓的變化；當(dāng)公共電極線40上有直流分量時(shí)，防止該直流分量通過第二晶體管T2進(jìn)入靜電防護(hù)線30，由于靜電防護(hù)線30上通過第一靜電保護(hù)單元20連接有柵線11或數(shù)據(jù)線12，從而也避免了引起柵線11或數(shù)據(jù)線12上電壓的變化；同時(shí)，上述方案中第一電容C1也起到阻隔該第二靜電保護(hù)單元50的兩端分別連接的靜電防護(hù)線30和公共電極線40上的直流分量的作用，當(dāng)靜電防護(hù)線30上有直流分量時(shí)，該第一電容C1隔斷該直流分量，防止該直流分量(或漏電流)將第一晶體管T1導(dǎo)通，從而避免該直流分量(或漏電流)通過第一晶體管T1進(jìn)入公共電極線40，造成公共電壓的變化。

以圖7為例，靜電防護(hù)線30聚集靜電荷，靜電釋放時(shí)，靜電信號(hào)可以看成一個(gè)隨時(shí)間短暫變化的信號(hào)，這個(gè)信號(hào)可以通過第二電容C2耦合到對(duì)應(yīng)的第一晶體管T1的源極，這個(gè)信號(hào)可以通過第一電容C1耦合到對(duì)應(yīng)的第一晶體管T1的柵極，從而將第一晶體管T1導(dǎo)通，靜電從靜電防護(hù)線30向所述公共電極線40釋放，實(shí)現(xiàn)了靜電釋放。靜電釋放時(shí)，第一電容C1還能降低靜電對(duì)第一晶體管T1的柵極的沖擊，第二電容C2還能降低靜電對(duì)第一晶體管T1的源極和第二晶體管T2的漏極的沖擊。其中圖8的電路工作原理與圖7相同這里不再贅述。

參照?qǐng)D9、10所示，提供一種第二靜電保護(hù)單元，所述第二靜電保護(hù)單元50包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第一電容C1和第二電容C2；

所述第一晶體管T1的柵極連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A，所述第一晶體管T1的源極連接所述第一電容C1的第一端，所述第一電容C1的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A；

所述第二晶體管T2的源極連接所述第一晶體管T1的漏極以及所述第二電容C2的第一端，所述第二電容C2的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B，所述第二晶體管T2的漏極連接所述第一晶體管T1的源極，所述第二晶體管T2的柵極連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B；

其中所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述公共電極線40；或者所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述公共電極線40。

其中，上述方案中第一電容C1和第二電容C2起到阻隔該第二靜電保護(hù)單元50的兩端分別連接的靜電防護(hù)線30或公共電極線40上的直流分量的作用，參照?qǐng)D9當(dāng)靜電防護(hù)線30上有直流分量時(shí)，即使該直流分量足以將第一晶體管T1導(dǎo)通，但該第一電容C1隔斷該直流分量，防止該直流分量(或漏電流)通過第一晶體管T1進(jìn)入公共電極線40，造成公共電壓的變化；同理當(dāng)公共電極線40上有直流分量時(shí)，第二電容C2隔斷該直流分量防止該直流分量通過第二晶體管T2進(jìn)入靜電防護(hù)線30，由于靜電防護(hù)線30上通過第一靜電保護(hù)單元20連接有柵線11或數(shù)據(jù)線12，從而也避免了引起柵線11或數(shù)據(jù)線12上電壓的變化；圖10的原理同上，這里不再贅述。靜電釋放時(shí)，在圖9中，第一電容C1還能起到降低靜電對(duì)第一晶體管T1的源極和第二晶體管T2的漏極的沖擊的作用；在圖10中，第二電容C2還能起到降低靜電對(duì)第二晶體管T2的源極和第一晶體管T1的漏極的沖擊的作用。其中圖10的電路工作原理與圖9類似這里不再贅述。

參照?qǐng)D11和12所示，所述第二靜電保護(hù)單元50包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第一電容C1和第二電容C2；

所述第一晶體管T1的柵極連接所述第一電容C1的第一端，所述第一電容C1的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A，所述第一晶體管T1的源極連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A；

所述第二晶體管T2的源極連接所述第一晶體管T1的漏極以及所述第二電容C2的第一端，所述第二電容C2的第二端連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B，所述第二晶體管T2的漏極連接所述第一晶體管T1的源極，所述第二晶體管T2的柵極連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B；

其中所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述公共電極線40；或者所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述公共電極線40。

其中，上述方案中第一電容C1和第二電容C2起到阻隔該第二靜電保護(hù)單元50的兩端分別連接的靜電防護(hù)線30或公共電極線40上的直流分量的作用，參照?qǐng)D11當(dāng)靜電防護(hù)線30上有直流分量時(shí)，第一電容C1隔斷該直流分量，防止該直流分量(或漏電流)將第一晶體管T1導(dǎo)通，從而避免該直流分量(或漏電流)通過第一晶體管T1進(jìn)入公共電極線40，造成公共電壓的變化；第二電容C2也可以隔斷該直流分量，防止該直流分量(或漏電流)通過第一晶體管T1進(jìn)入公共電極線40，造成公共電壓的變化；當(dāng)公共電極線40上有直流分量時(shí)，第二電容C2隔斷該直流分量防止該直流分量通過第二晶體管T2進(jìn)入靜電防護(hù)線30，由于靜電防護(hù)線30上通過第一靜電保護(hù)單元20連接有柵線11或數(shù)據(jù)線12，從而也避免了引起柵線11或數(shù)據(jù)線12上電壓的變化；靜電釋放時(shí)，參照?qǐng)D11，靜電信號(hào)可以看成一個(gè)隨時(shí)間短暫變化的信號(hào)，靜電防護(hù)線30上的靜電信號(hào)可以通過第一電容C1耦合到對(duì)應(yīng)的第一晶體管T1的柵極，將T1導(dǎo)通，靜電信號(hào)通過第二電容C2耦合到公共電極線40；或者公共電極線40上的靜電信號(hào)通過第二電容C2耦合到第二晶體管T2的源極，同時(shí)第二晶體管T2導(dǎo)通，靜電從公共電極線40釋放至靜電防護(hù)線30，實(shí)現(xiàn)了靜電釋放。圖12的原理同圖11，這里不再贅述。

參照?qǐng)D13所示，所述第二靜電保護(hù)單元50包括第一晶體管T1、第二晶體管T2、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3和第四電容C4；

所述第一晶體管T1的柵極連接所述第一電容C1的第一端，所述第一晶體管T1的源連接所述第二電容C2的第一端，所述第一電容C1的第二端連接所述第二電容C2的第二端，所述第一電容C1的第二端還連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A；

所述第二晶體管T2的柵極連接所述第三電容C3的第一端，所述第二晶體管T2的源極連接所述第四電容C4的第一端以及所述第一晶體管T1的漏極，所述第三電容C3的第二端連接所述第四電容C4的第二端，所述第三電容C3的第二端還連接所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B；

其中所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述公共電極線40；或者所述第二靜電保護(hù)單元50的第二端B連接所述靜電防護(hù)線30，所述第二靜電保護(hù)單元50的第一端A連接所述公共電極線40。

其中，參照?qǐng)D13，當(dāng)靜電防護(hù)線30上有直流分量時(shí)，第一電容C1能夠隔斷該直流分量傳輸至第一晶體管T1的柵極，第二電容C2能夠防止該直流分量傳輸至第一晶體管T1的源極，從而防止該直流分量(或漏電流)由靜電防護(hù)線30進(jìn)入公共電極線40，造成公共電壓的變化；當(dāng)公共電極線40上有直流分量時(shí)，第三電容C3能夠隔斷該直流分量傳輸至第二晶體管T2的柵極，第四電容C4能夠防止該直流分量傳輸至第二晶體管T2的源極，也可以防止直流分量從公共電極線40進(jìn)入靜電防護(hù)線30，避免了引起柵線11或數(shù)據(jù)線12上電壓的變化；在靜電釋放時(shí)，靜電信號(hào)可以看成一個(gè)隨時(shí)間短暫變化的信號(hào)，靜電防護(hù)線30上的靜電信號(hào)可以通過第一電容C1耦合到對(duì)應(yīng)的第一晶體管T1的柵極，將第一晶體管T1導(dǎo)通，并通過第二電容C2耦合至第一晶體關(guān)T1的源極，并通過第四電容C4耦合至公共電極線40，實(shí)現(xiàn)了靜電釋放，靜電釋放時(shí)，第一電容C1降低了靜電對(duì)第一晶體管T1的柵極的沖擊，第二電容C2降低了靜電對(duì)第一晶體管T1的源極和第二晶體管T2的漏極的沖擊；或者公共電極30上的靜電信號(hào)通過第三電容C3耦合至第二晶體管T2的柵極，將第二晶體管T2導(dǎo)通，通過第四電容C4耦合到第二晶體管T2的源極，并通過第二電容C2耦合至靜電防護(hù)線30，實(shí)現(xiàn)了靜電釋放，靜電釋放時(shí)，第三電容C3降低了靜電對(duì)第二晶體管T2的柵極的沖擊，第四電容C4降低了靜電對(duì)第二晶體管T2的源極和第一晶體管T1的漏極的沖擊。

參照?qǐng)D14、15、16所示，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種如圖14所示的第二靜電保護(hù)單元的布線圖；g1為第一晶體管T1的柵極，s1為第一晶體管T1的源極，s1為公共電極線40的一部分，ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)電極I1通過過孔h1連接公共電極線40，ITO電極I2通過過孔h2連接第一晶體管T1的柵極g1，d1為第一晶體管T1的漏極；d2為第二晶體管T2的漏極，s2為第二晶體管T2的源極，g2為第二晶體管T2的柵極，g2為靜電防護(hù)線30的一部分，ITO電極I3通過過孔h3連接靜電防護(hù)線30；ITO電極I4通過過孔h4連接第二晶體管T2源極S2；60為柵極絕緣層，70為鈍化層，A 1為第一晶體管T1的有源層，A 2為第二晶體管T2的有源層，1為襯底。陣列基板和彩膜基板對(duì)盒后，在液晶盒中灌入液晶，ITO電極I1和ITO電極I2之間將形成第一電容C1,液晶為第一電容C1的電介質(zhì)材料；ITO電極I3和ITO電極I4之間將形成第二電容C2，液晶為第二電容C2的電介質(zhì)材料。ITO電極I1、ITO電極I2、ITO電極I3、ITO電極I4可以與陣列基板上的像素電極同層，并且使用與像素電極相同的材料制備，形成第一電容C1和第二電容C2不需要增加額外的工藝步驟。本發(fā)明的實(shí)施例僅是以圖14的實(shí)施例為例提供一種電路布圖設(shè)計(jì)，其他方案的布圖這里不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例中，第二靜電保護(hù)單元50中的電容的兩個(gè)電極都可以與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備。電容C的兩個(gè)電極都可以與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備，第一電容C1的兩個(gè)電極都可以與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備，第二電容C2的兩個(gè)電極都可以與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備，第三電容C3的兩個(gè)電極都可以與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備，第四電容C4的兩個(gè)電極都可以與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備。

例如，圖3、圖4、圖5和圖6中所述電容C的兩個(gè)電極與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備。

例如，圖7、圖8、圖9、圖10、圖11和圖12中所述第一電容C1的兩個(gè)電極和所述第二電容C2的兩個(gè)電極與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備。

例如，圖13中所述第一電容C1的兩個(gè)電極、所述第二電容C2的兩個(gè)電極、所述第三電容C3的兩個(gè)電極和所述第四電容C4的兩個(gè)電極與像素電極同層并且使用與像素電極相同的材料制備。

本發(fā)明實(shí)施例中，第一晶體管T1和第二晶體管T2可以是N型薄膜晶體管，或第一晶體管T1和第二晶體管T2也可以是P型薄膜晶體管。

第二方面，提供一種顯示裝置，包括上述任一實(shí)施例提供的陣列基板。另外，顯示裝置可以為：電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。