技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供了一種二極管結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括隔離鰭區(qū)域與鰭陣列區(qū)域，在所述隔離鰭區(qū)域與所述鰭陣列區(qū)域上分別形成有多個(gè)第一鰭和第二鰭；第一淺溝槽，隔離所述隔離鰭區(qū)域與所述鰭陣列區(qū)域；多個(gè)相間隔排列的第一接觸件和第一虛擬件，位于多個(gè)所述第一鰭的上方；多個(gè)相間隔排列的第二接觸件和第二虛擬件，位于多個(gè)所述第二鰭的上方；多個(gè)第二淺溝槽，位于所述第一虛擬件底部的半導(dǎo)體襯底內(nèi)；第一虛擬件與第二虛擬件的設(shè)置，能夠提高后續(xù)化學(xué)機(jī)械平坦化步驟中介質(zhì)層的均一性，并且隔離層填充滿所述第二淺溝槽，用于減少柵極側(cè)壁的寄生電容，從而提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201621092544
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.29
技術(shù)公布日：2017.03.22