技術(shù)編號：12121504
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及集成電路(IC)器件，特別涉及一種鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)器件中的二極管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在迅速發(fā)展的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FinFET器件用于許多邏輯和其他應(yīng)用中，并且集成到各種不同類型的半導(dǎo)體器件中。FinFET器件包括其中形成晶體管的溝道和源極/漏極區(qū)域的半導(dǎo)體鰭，在半導(dǎo)體鰭的一部分上方以及沿著半導(dǎo)體鰭的該部分的側(cè)面形成柵極。與具有相同的器件區(qū)域的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET中的溝道和源極/漏極區(qū)域的表面積增大促使形成更快速、更可靠以及更好控...
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