本實(shí)用新型至少一實(shí)施例涉及一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元、陣列基板以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor liquid crystal display,TFT-LCD)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，測(cè)試單元與靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)單元采用分離設(shè)計(jì)的方式。通常測(cè)試單元位于數(shù)據(jù)線的邊側(cè)；ESD單元位于數(shù)據(jù)線的邊側(cè)或顯示屏四個(gè)角的位置。分離設(shè)計(jì)的測(cè)試單元與靜電放電單元占用面積較大，不利于獲得窄邊框和/或者高分辨率的顯示面板。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的至少一實(shí)施例提供一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元、陣列基板以及顯示裝置，以占用較小的面積，以便獲得窄邊框和/或者高分辨率的顯示面板。

本實(shí)用新型的至少一實(shí)施例提供一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，該復(fù)合單元包括第一信號(hào)線、與所述第一信號(hào)線電連接的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，與所述第一薄膜晶體管電連接的第二信號(hào)線、與所述第二薄膜晶體管電連接的第三信號(hào)線和第四信號(hào)線，該復(fù)合單元被配置來在第一階段為所述第一信號(hào)線提供測(cè)試信號(hào)并被配置來在第二階段為所述第一信號(hào)線提供靜電防護(hù)，所述第一階段為測(cè)試階段，所述第二階段為靜電防護(hù)階段。

本實(shí)用新型的至少一實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例所述的任一靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元。

本實(shí)用新型的至少一實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例所述的任一陣列基板。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，而非對(duì)本實(shí)用新型的限制。

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元的電路結(jié)構(gòu)(等效電路)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元的平面示意圖；

圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元組的平面示意圖；

圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的另一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元組的平面示意圖；

圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的另一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元的平面示意圖；

圖6為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的另一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元的平面示意圖；

圖7為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的陣列基板的顯示區(qū)域和周邊區(qū)域的示意圖。

附圖標(biāo)記：

10-第一信號(hào)線；01-第一TFT；02-第二TFT；03-第三TFT；20-第二信號(hào)線；30-第三信號(hào)線；40-第四信號(hào)線；50-第五信號(hào)線；60-第六信號(hào)線；70-第七信號(hào)線；011-第一源極；012-第一漏極；013-第一柵極；014-第一有源層；021-第二源極；022-第二漏極；023-第二柵極；024-第一有源層；101-第一信號(hào)線的第一部分；102-第一信號(hào)線的第二部分；1001-第一條第一信號(hào)線；1002-第二條第一信號(hào)線；1003-第N-1條第一信號(hào)線；1004-第N條第一信號(hào)線；201-第二信號(hào)線的第一部分；301-第三信號(hào)線的第一部分；401-第四信號(hào)線的第一部分；031-第三源極；032-第三漏極；033-第三柵極；034-第三有源層；501-第五信號(hào)線的第一部分；100-顯示區(qū)域；200-周邊區(qū)域；001-過孔；002-連接部。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

本公開中，薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)簡(jiǎn)寫為TFT。相應(yīng)的，第一薄膜晶體管簡(jiǎn)寫為第一TFT，第二薄膜晶體管簡(jiǎn)寫為第二TFT，第三薄膜晶體管簡(jiǎn)寫為第三TFT。并且，本公開中，源極和漏極相對(duì)而言，可相互替換。例如，將源極替換為漏極的情況下，漏極亦替換為源極。各附圖中，“S”表示源極，“D”表示漏極。

以液晶顯示屏為例，通常，液晶盒(Cell)的測(cè)試單元的使用方法如下：

(1)顯示屏的Cell制作完成后，沒有進(jìn)行芯片綁定(Bonding)之前，利用電學(xué)測(cè)試治具通過Cell的測(cè)試單元為顯示屏提供點(diǎn)亮所需信號(hào)；

(2)顯示屏點(diǎn)亮后需要對(duì)顯示屏的顯示效果及電學(xué)特性進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)；

(3)挑選步驟2中所選良品，進(jìn)行芯片Bonding工藝；該工藝步驟完成后Cell測(cè)試單元被廢棄。

本公開的實(shí)施例基于此，將測(cè)試單元和靜電放電單元整合形成靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，以減小占用面積。本公開中，測(cè)試階段的信號(hào)(高電平或者低電平信號(hào)等)可通過電學(xué)測(cè)試治具提供給靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，靜電放電階段的信號(hào)(高電平或者低電平信號(hào)等)可通過芯片提供給靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元。

本公開至少一實(shí)施例提供一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，如圖1和圖5所示，該復(fù)合單元包括第一信號(hào)線10、與第一信號(hào)線10電連接的第一TFT01和第二TFT02，與第一TFT01電連接的第二信號(hào)線20、與第二TFT02電連接的第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40，該復(fù)合單元被配置來在第一階段為第一信號(hào)線10提供測(cè)試信號(hào)并被配置來在第二階段為第一信號(hào)線10提供靜電防護(hù)。本公開的實(shí)施例中，第一階段為測(cè)試階段，第二階段為靜電防護(hù)階段。例如，測(cè)試階段是指在芯片綁定之前對(duì)顯示屏進(jìn)行測(cè)試的階段，靜電防護(hù)階段是指在芯片綁定之后對(duì)第一信號(hào)線上積累的靜電荷進(jìn)行靜電放電的階段。該靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元占用較小的面積，從而可獲得窄邊框和/或者高分辨率的顯示面板。

下面通過幾個(gè)具體的實(shí)施例來進(jìn)行說明。需要說明的是，以下各實(shí)施例中，N型TFT中，源極為低電平，漏極為高電平，正的柵壓(柵源壓差大于0)可打開N型TFT。P型TFT中，源極為高電平，漏極為低電平，負(fù)的柵壓(柵源壓差小于0)可打開P型TFT。本公開中，以漏極與柵極電連接形成二極管為例進(jìn)行說明。柵極與可與漏極電連接以構(gòu)成二極管，或者雖然柵極與漏極與不同的信號(hào)線相連，但與柵極相連的信號(hào)線和與漏極相連的信號(hào)線可以連接同一信號(hào)，從而可形成二極管的結(jié)構(gòu)。本公開以其為例進(jìn)行說明，但并不限于此。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，如圖1和圖2所示，該復(fù)合單元包括第一信號(hào)線10、與第一信號(hào)線10電連接的第一TFT01和第二TFT02，與第一TFT01電連接的第二信號(hào)線20、與第二TFT02電連接的第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40，該復(fù)合單元被配置來在第一階段為第一信號(hào)線10提供測(cè)試信號(hào)并被配置來在第二階段為第一信號(hào)線10提供靜電防護(hù)。第一階段為測(cè)試階段，第二階段為靜電防護(hù)階段。第一TFT01、第二TFT02、第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40既具有靜電防護(hù)功能又具有測(cè)試功能。即，在測(cè)試階段，第一TFT01、第二TFT02、第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40具有測(cè)試功能，在靜電放電階段，第一TFT01、第二TFT02、第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40具有靜電防護(hù)功能。

本實(shí)施例將測(cè)試與ESD復(fù)合設(shè)計(jì)，將完成綁定工藝后廢棄的測(cè)試單元轉(zhuǎn)化為ESD保護(hù)器件，增大了版圖布圖空間，利于窄邊框與高分辨率產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

例如，可利用電學(xué)測(cè)試治具通過本實(shí)施例的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元為顯示面板提供點(diǎn)亮所需信號(hào)。一些示例中，如圖1和圖2所示，測(cè)試階段，第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40為高電平信號(hào)線，第一TFT01和第二TFT02導(dǎo)通，將第二信號(hào)線20和第三信號(hào)線30施加的測(cè)試信號(hào)傳遞給第一信號(hào)線10。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40為低電平信號(hào)線，本公開對(duì)此不作限定。

然后將測(cè)試完成的良品進(jìn)行芯片綁定(Bonding)工藝，例如，本實(shí)施例的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元中，如圖2所示，第二信號(hào)線20連接芯片的VGH(高電平)引腳，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40線連接芯片的VGL(低電平)引腳?；蛘?，在另一些示例中，也可以本實(shí)施例的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元中，第二信號(hào)線20連接芯片的VGL(低電平)引腳，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40線連接芯片的VGH(高電平)引腳。一些示例中，如圖1和圖2所示，靜電放電階段，第二信號(hào)線20為高電平信號(hào)線，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40為低電平信號(hào)線，使得第一信號(hào)線10上積累的靜電荷經(jīng)第一TFT01以及第二信號(hào)線20導(dǎo)出或者經(jīng)第二TFT02以及第三信號(hào)線30導(dǎo)出。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第二信號(hào)線20為低電平信號(hào)線，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40為高電平信號(hào)線，使得第一信號(hào)線10上積累的靜電荷經(jīng)第一TFT01以及第二信號(hào)線20導(dǎo)出或者經(jīng)第二TFT02以及第三信號(hào)線30導(dǎo)出，本公開對(duì)此不作限定。

第一信號(hào)線上可積累正的靜電荷或負(fù)的靜電荷。例如，第一信號(hào)線可為陣列基板中的數(shù)據(jù)線、柵線、時(shí)鐘信號(hào)線等，在此不作限定。陣列基板例如為構(gòu)成液晶顯示面板或有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的一個(gè)基板，在此不作限定，只要是其中包含待釋放靜電的信號(hào)線即可。以液晶顯示面板為例，可通過陣列制造工藝，成盒工藝完成單個(gè)顯示面板的制作，該步驟采用業(yè)界通常的工藝流程，在此不再贅述。

例如，本公開中，第一信號(hào)線上積累的正的靜電荷通過高電平信號(hào)線釋放，第一信號(hào)線上積累的負(fù)的靜電荷通過低電平信號(hào)線釋放。例如，靜電荷釋放時(shí)通過一個(gè)TFT以及與該TFT相連的高電平信號(hào)線或低電平信號(hào)線將電荷導(dǎo)出。例如，靜電荷通過第一TFT釋放給第二信號(hào)線，或者通過第二TFT釋放給第三信號(hào)線。

一些示例中，如圖1和圖2所示，第一TFT01為N型TFT，第二TFT02為N型TFT。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第一TFT01為P型TFT，第二TFT02為P型TFT，或者，第一TFT01為N型TFT，第二TFT02為P型TFT，第一TFT01為P型TFT，第二TFT02為N型TFT，本公開對(duì)此不作限定。

一些示例中，如圖1和圖2所示，第一TFT01包括第一源極011、第一漏極012、第一柵極013和第一有源層014；第一信號(hào)線10與第一漏極012電連接，第二信號(hào)線20與第一源極011電連接。第一柵極013與第一漏極012電連接。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第一信號(hào)線10與第一源極011電連接，第二信號(hào)線20與第一漏極012電連接，本公開對(duì)此不作限定。

一些示例中，如圖1和圖2所示，第二TFT02包括第二源極021、第二漏極022、第二柵極023和第二有源層024；第一信號(hào)線10與第二源極021電連接，第三信號(hào)線30與第二漏極022電連接；第二柵極023與第四信號(hào)線40電連接。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第一信號(hào)線10與第二漏極022電連接，第三信號(hào)線30與第二源極021電連接。

本公開中，一個(gè)TFT包括源極、漏極、柵極和有源層，源極和漏極分設(shè)在有源層的兩側(cè)。在一些示例中，源極和漏極可直接與有源層電連接；也可以通過過孔與有源層電連接。如圖2所示，第一源極011和第一漏極012分別通過過孔與第一有源層014電連接，第二源極021和第二漏極022分別通過過孔與第二有源層024電連接。

需要說明的是，本公開中，第一信號(hào)線、第二信號(hào)線、第三信號(hào)線、第四信號(hào)線以及其他信號(hào)線之間若有交叉部分，其中一條信號(hào)線可在交叉處斷開，在其他導(dǎo)電層設(shè)置連接部，該連接部的兩端可通過絕緣層過孔與斷開的信號(hào)線的兩端電連接。

圖2中，以第一柵極013和第二柵極023同層形成，第一信號(hào)線10、第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30、第四信號(hào)線40同層形成為例進(jìn)行說明。第一柵極013和第二柵極023所在的層與第一信號(hào)線10、第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40所在的層之間可設(shè)置絕緣層。兩條交叉的信號(hào)線之間可通過連接部電連接。例如，第一信號(hào)線10在和第二信號(hào)線20交叉的地方斷開，通過與第一柵極013和第二柵極023同層的連接部002以及過孔001電連接斷開處。需要說明的是，本公開不限于此。

需要說明的是，本公開中，對(duì)電連接的方式不作限定。例如可直接電連接，或者一體形成，也可通過過孔電連接，只要是能實(shí)現(xiàn)電連接即可。

一些示例中，第一信號(hào)線10包括第一部分101，第二信號(hào)線20包括第一部分201，第一信號(hào)線10的第一部分101作為第一漏極012，第二信號(hào)線20的第一部分201作為第一源極011。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第一信號(hào)線10的第一部分101作為第一源極011，第二信號(hào)線20的第一部分201作為第一漏極012，本公開對(duì)此不作限定。

一些示例中，第一信號(hào)線10包括第二部分102，第三信號(hào)線30包括第一部分301，第一信號(hào)線10的第二部分102作為第二源極021，第三信號(hào)線30的第一部分301作為第二漏極022。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第一信號(hào)線10的第二部分102作為第二漏極022，第三信號(hào)線30的第一部分301作為第二源極021，本公開對(duì)此不作限定。

一些示例中，第四信號(hào)線40包括第一部分401，第四信號(hào)線40的第一部分401作為第二柵極023。

需要說明的是，圖2中只是例舉，并非限定，例如，圖2中第二信號(hào)線20的第一部分亦可作為第一漏極012，第一柵極與第二信號(hào)線20的第一部分(第一漏極012)電連接，此情況下，第一TFT01和第二TFT為P型TFT，在測(cè)試階段，第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40可為低電平信號(hào)線，第一TFT01和第二TFT02導(dǎo)通，將第二信號(hào)線20和第三信號(hào)線30施加的測(cè)試信號(hào)傳遞給第一信號(hào)線10，在靜電放電階段，第二信號(hào)線20為低電平信號(hào)線，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40為高電平信號(hào)線，使得第一信號(hào)線10上積累的靜電荷經(jīng)第一TFT01以及第二信號(hào)線20導(dǎo)出或者經(jīng)第二TFT02以及第三信號(hào)線30導(dǎo)出。

一些示例中，多條第一信號(hào)線10形成的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元組可如圖3所示，每條第一信號(hào)線均為本實(shí)施例所述的任意一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元結(jié)構(gòu)，或者，也可如圖4所示，奇數(shù)列和偶數(shù)列分別為本實(shí)施例所述的任意一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元結(jié)構(gòu)，例如，奇數(shù)列對(duì)應(yīng)第二信號(hào)線20、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40，偶數(shù)列對(duì)應(yīng)第六信號(hào)線60、第四信號(hào)線40和第七信號(hào)線70。圖3和圖4中僅示出了第一條第一信號(hào)線1001、第二條第一信號(hào)線1002、第N-1條第一信號(hào)線1003和第N條第一信號(hào)線1004。

例如，本實(shí)施例還提供一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元的制作方法，該方法包括如下步驟。

(1)在襯底基板上形成緩沖層；

(2)在緩沖層上形成半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層003包括第一有源層014、第二有源層024的圖形；

(3)在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；

(4)在柵極絕緣層上形成第一柵極013、第二柵極023的圖形；

(5)在柵極絕緣層上形成過孔；

(6)在形成了過孔的柵極絕緣層上形成第一TFT01的第一源極011和第一漏極012、第二TFT02的第二源極021和第二漏極022、以及第一信號(hào)線、第二信號(hào)線、第三信號(hào)線和第四信號(hào)線同層設(shè)置的部分的圖形；

(7)形成層間絕緣層并在該層間絕緣層內(nèi)形成過孔，在形成了過孔的層間絕緣層上形成連接部的圖形，將在交叉處斷開的信號(hào)線電連接。

需要說明的是，本公開的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元的制作方法不限于上述給出的方法。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元與實(shí)施例1的不同之處在于：如圖5所示，靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元還包括與第一信號(hào)線10電連接的第三TFT03和與第三TFT03電連接的第五信號(hào)線50。第二TFT02、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40被配置來在第一階段為第一信號(hào)線10提供測(cè)試信號(hào)，第一TFT01、第三TFT03、第二信號(hào)線20和第五信號(hào)線50被配置來在第二階段為第一信號(hào)線10提供靜電防護(hù)。第一階段為測(cè)試階段，第二階段為靜電防護(hù)階段。即，在測(cè)試階段，第二TFT02、第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40具有測(cè)試功能；在靜電放電階段，第一TFT01、第三TFT03、第二信號(hào)線20和第五信號(hào)線50具有靜電防護(hù)功能。

一些示例中，如圖5所示，第三TFT03包括第三源極031、第三漏極032、第三柵極033和第三有源層034；第五信號(hào)線50與第三源極031電連接，第一信號(hào)線10與第三漏極032電連接；第三柵極033與第三漏極032電連接；第二TFT02的第二源極021共用為第三TFT03的第三漏極032。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第五信號(hào)線50與第三漏極032電連接，第一信號(hào)線10與第三源極031電連接，本公開對(duì)此不作限定。在另一些示例中，亦可第二TFT02的第二源極021共用為第三TFT03的第三漏極032，或者，第二TFT02的第二漏極022共用為第三TFT03的第三源極031，或者，第二TFT02的第二漏極022共用為第三TFT03的第三漏極032，本公開對(duì)此不作限定。例如，第三源極031和第三漏極032分別通過過孔與第三有源層034電連接。

一些示例中，第二TFT02為P型TFT，如圖5所示，測(cè)試階段，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40為低電平信號(hào)線，第二TFT02導(dǎo)通，將第三信號(hào)線30施加的測(cè)試信號(hào)傳遞給第一信號(hào)線10。需要說明的是，在另一些示例中，測(cè)試階段，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40可為高電平信號(hào)線，本公開對(duì)此不作限定。

一些示例中，如圖5所示，第一TFT01為N型TFT，第三TFT03為P型TFT，靜電放電階段，第二信號(hào)線20為高電平信號(hào)線，第五信號(hào)線50為低電平信號(hào)線，使得第一信號(hào)線10上積累的靜電荷經(jīng)第一TFT01以及第二信號(hào)線20導(dǎo)出或者經(jīng)第三TFT03以及第五信號(hào)線50導(dǎo)出。例如，使得第一信號(hào)線10上積累的正的靜電荷經(jīng)第一TFT01以及第二信號(hào)線20導(dǎo)出，第一信號(hào)線10上積累的負(fù)的靜電荷經(jīng)第三TFT03以及第五信號(hào)線50導(dǎo)出。需要說明的是，在另一些示例中，亦可第二信號(hào)線20為低電平信號(hào)線，第五信號(hào)線50為高電平信號(hào)線，本公開對(duì)此不作限定。

一些示例中，如圖5所示，第五信號(hào)線50包括第一部分501，第五信號(hào)線50的第一部分501作為第三源極031或第三漏極032。

一些示例中，如圖5所示，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40與第五信號(hào)線50同為低電平信號(hào)線。需要說明的是，在另一些示例中，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40與第五信號(hào)線50可同為高電平信號(hào)線，本公開對(duì)此不作限定。

一些示例中，如圖6所示，第三TFT03為N型TFT，第一TFT01和第二TFT02也為N型TFT，第二TFT02的第二源極021共用為第三TFT03的第三漏極032，測(cè)試階段，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40為高電平信號(hào)線，第二TFT02導(dǎo)通，將第三信號(hào)線30施加的測(cè)試信號(hào)傳遞給第一信號(hào)線10。在靜電放電階段，第二信號(hào)線20為低電平信號(hào)線，第三信號(hào)線30和第四信號(hào)線40與第五信號(hào)線50同為高電平信號(hào)線。使得第一信號(hào)線10上積累的靜電荷經(jīng)第一TFT01以及第二信號(hào)線20導(dǎo)出或者經(jīng)第三TFT03以及第五信號(hào)線50導(dǎo)出。例如，使得第一信號(hào)線10上積累的正的靜電荷經(jīng)第三TFT03以及第五信號(hào)線50導(dǎo)出，第一信號(hào)線10上積累的負(fù)的靜電荷經(jīng)第一TFT01以及第二信號(hào)線20導(dǎo)出。

實(shí)施例3

本實(shí)施例提供一種陣列基板，包括實(shí)施例1或?qū)嵤├?所述的任一靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元。

一些示例中，如圖7所示，陣列基板包括顯示區(qū)域100和位于顯示區(qū)域100外的周邊區(qū)域200，靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元可設(shè)置在周邊區(qū)域200中。例如，周邊區(qū)域可位于顯示區(qū)的至少一側(cè)，或者周邊區(qū)域可圍繞顯示區(qū)設(shè)置。例如，顯示區(qū)內(nèi)還可設(shè)置有TFT和與TFT漏極電連接的像素電極等，在此不再詳述。

實(shí)施例4

本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例3所述的任一陣列基板。

所述顯示裝置可以為液晶顯示器、電子紙、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、手表、平板電腦、筆記本電腦、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

有以下幾點(diǎn)需要說明：

(1)除非另作定義，本公開的實(shí)施例附圖中的同一標(biāo)號(hào)代表同一含義。

(2)本實(shí)用新型實(shí)施例附圖中，只涉及到與本實(shí)用新型實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可在本公開的基礎(chǔ)上參考通常設(shè)計(jì)。

(3)為了清晰起見，在用于描述本實(shí)用新型的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(4)在不沖突的情況下，本實(shí)用新型的不同的實(shí)施例及同一實(shí)施例中的特征可以相互組合。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。