1.一種靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，該復(fù)合單元包括第一信號(hào)線、與所述第一信號(hào)線電連接的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，與所述第一薄膜晶體管電連接的第二信號(hào)線、與所述第二薄膜晶體管電連接的第三信號(hào)線和第四信號(hào)線，該復(fù)合單元被配置來(lái)在第一階段為所述第一信號(hào)線提供測(cè)試信號(hào)并被配置來(lái)在第二階段為所述第一信號(hào)線提供靜電防護(hù)，所述第一階段為測(cè)試階段，所述第二階段為靜電放電階段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極；所述第一信號(hào)線與所述第一漏極電連接，所述第二信號(hào)線與所述第一源極電連接，或者，所述第一信號(hào)線與所述第一源極電連接，所述第二信號(hào)線與所述第一漏極電連接；所述第一柵極與所述第一漏極或所述第一源極電連接；
所述第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極和第二漏極；所述第一信號(hào)線與所述第二源極電連接，所述第三信號(hào)線與所述第二漏極電連接，或者，所述第一信號(hào)線與所述第二漏極電連接，所述第三信號(hào)線與所述第二源極電連接；所述第二柵極與所述第四信號(hào)線電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述測(cè)試階段，所述第二信號(hào)線、所述第三信號(hào)線和所述第四信號(hào)線為高電平信號(hào)線或低電平信號(hào)線，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管導(dǎo)通，將所述第二信號(hào)線和所述第三信號(hào)線施加的測(cè)試信號(hào)傳遞給所述第一信號(hào)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述靜電放電階段，所述第二信號(hào)線為高電平信號(hào)線，所述第三信號(hào)線和所述第四信號(hào)線為低電平信號(hào)線，或者，所述第二信號(hào)線為低電平信號(hào)線，所述第三信號(hào)線和所述第四信號(hào)線為高電平信號(hào)線，使得所述第一信號(hào)線上積累的靜電荷經(jīng)所述第一薄膜晶體管以及所述第二信號(hào)線導(dǎo)出或者經(jīng)所述第二薄膜晶體管以及所述第三信號(hào)線導(dǎo)出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第一薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第一信號(hào)線包括第一部分，所述第二信號(hào)線包括第一部分，所述第一信號(hào)線的第一部分作為所述第一漏極，所述第二信號(hào)線的第一部分作為所述第一源極，或者，所述第一信號(hào)線的第一部分作為所述第一源極，所述第二信號(hào)線的第一部分作為所述第一漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第一信號(hào)線包括第二部分，所述第三信號(hào)線包括第一部分，所述第一信號(hào)線的第二部分作為所述第二源極，所述第三信號(hào)線的第一部分作為所述第二漏極，或者，所述第一信號(hào)線的第二部分作為所述第二漏極，所述第三信號(hào)線的第一部分作為所述第二源極。
8.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第四信號(hào)線包括第一部分，所述第四信號(hào)線的第一部分作為所述第二柵極。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，還包括與所述第一信號(hào)線電連接的第三薄膜晶體管和與所述第三薄膜晶體管電連接的第五信號(hào)線，所述第二薄膜晶體管、所述第三信號(hào)線和所述第四信號(hào)線被配置來(lái)在第一階段為所述第一信號(hào)線提供測(cè)試信號(hào)，所述第一薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第二信號(hào)線和所述第五信號(hào)線被配置來(lái)在第二階段為所述第一信號(hào)線提供靜電防護(hù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第三薄膜晶體管包括第三柵極、第三源極和第三漏極；所述第五信號(hào)線與所述第三源極電連接，所述第一信號(hào)線與所述第三漏極電連接，或者，所述第五信號(hào)線與所述第三漏極電連接，所述第一信號(hào)線與所述第三源極電連接；所述第三柵極與所述第三漏極或所述第三源極電連接；所述第二薄膜晶體管的所述第二漏極或所述第二源極共用為所述第三薄膜晶體管的所述第三源極或所述第三漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述測(cè)試階段，所述第三信號(hào)線和所述第四信號(hào)線為高電平信號(hào)線或低電平信號(hào)線，所述第二薄膜晶體管導(dǎo)通，將所述第三信號(hào)線施加的測(cè)試信號(hào)傳遞給所述第一信號(hào)線。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述靜電放電階段，所述第二信號(hào)線為低電平信號(hào)線，所述第五信號(hào)線為高電平信號(hào)線，或者，所述第二信號(hào)線為高電平信號(hào)線，所述第五信號(hào)線為低電平信號(hào)線，使得所述第一信號(hào)線上積累的靜電荷經(jīng)所述第一薄膜晶體管以及所述第二信號(hào)線導(dǎo)出或者經(jīng)所述第三薄膜晶體管以及所述第五信號(hào)線導(dǎo)出。
13.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第三信號(hào)線和所述第四信號(hào)線與所述第五信號(hào)線同為高電平信號(hào)線或低電平信號(hào)線。
14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第五信號(hào)線包括第一部分，所述第五信號(hào)線的第一部分作為所述第三源極或所述第三漏極。
15.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元，其特征在于，所述第三薄膜晶體管為N型薄膜晶體管或P型薄膜晶體管。
16.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外的周邊區(qū)域，所述的靜電防護(hù)與測(cè)試復(fù)合單元位于所述周邊區(qū)域中。
18.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求16或17所述的陣列基板。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括液晶顯示裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。