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一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐的制作方法

文檔序號:3457115閱讀:285來源:國知局
一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐,其包括頂部進(jìn)氣管,底部進(jìn)氣管,底盤,封頭,進(jìn)氣小管,爐體,夾套,夾套進(jìn)水管,夾套出水管,底盤進(jìn)水管,底盤出水管,硅芯,出氣管等。其中,通過頂部進(jìn)氣管和底部進(jìn)氣管通入按一定比例混合的提純?nèi)葰涔韬蜌錃鈿怏w,底部進(jìn)氣管的氣體經(jīng)進(jìn)氣小管分散進(jìn)入爐體內(nèi),與此同時,夾套進(jìn)水管和底盤進(jìn)水管通入冷卻水對還原爐進(jìn)行降溫。此種結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)的“下進(jìn)下出”的進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)在氣體流場方面更加均勻,也改善了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)由于爐體中心溫度較高影響硅棒生長的情況,同時提高了能量利用效率,降低了能耗。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及一種用西門子法生成多晶硅的還原爐,特別是一種新型進(jìn)、出氣 結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐,屬于太陽能光伏能源【技術(shù)領(lǐng)域】。 一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐

【背景技術(shù)】
[0002] 近幾年來,全球面臨著愈加嚴(yán)重的能源短缺和生態(tài)環(huán)境惡化壓力,如何在提高多 晶硅的產(chǎn)量同時降低能耗成為一項重要的課題。目前,國內(nèi)外在多晶硅生產(chǎn)中主要運用的 工藝方法是"西門子改良法",用提純后的高純?nèi)葰涔枧c氫氣按一定比例混合后通入爐 體,在一定溫度和壓力下發(fā)生復(fù)雜的化學(xué)沉積反應(yīng),反應(yīng)溫度控制在1080°C左右,最終制備 多晶硅產(chǎn)品。傳統(tǒng)的多晶硅設(shè)備通常采用提高爐體容積增加硅芯數(shù)量的方法來提高多晶硅 產(chǎn)量,降低能耗比,此種方法雖然有效,但提高幅度較小,因此亟需一種新型的能夠顯著降 低能耗、提高能源利用率的方法,而采用改良進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的方法,則不僅可以大幅度提高 多晶硅的產(chǎn)量,而且可以顯著地降低能耗。 實用新型內(nèi)容
[0003] 本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)節(jié)能型多晶硅還原 爐,能夠克服能耗較高的問題,實現(xiàn)能源的高效利用,提高還原爐的多晶硅產(chǎn)量,節(jié)能降耗, 降低生產(chǎn)成本,提高設(shè)備安全性和穩(wěn)定性。
[0004] 為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型提供了一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原 爐,其包括頂部進(jìn)氣管,底部進(jìn)氣管,底盤,封頭,進(jìn)氣小管,爐體,夾套,目視鏡,導(dǎo)流板,夾 套進(jìn)水管,夾套出水管,底盤進(jìn)水管,底盤出水管,硅芯,排渣口,出氣管,出氣口等。所述頂 部進(jìn)氣管通過封頭進(jìn)入爐體內(nèi);所述底部進(jìn)氣管與進(jìn)氣小管連接,所述進(jìn)氣小管通過底盤 進(jìn)入爐體內(nèi);所述頂部進(jìn)氣管的結(jié)構(gòu)形式可以是直管,開孔,彎頭等多種形式;所述底部進(jìn) 氣管通過更細(xì)的進(jìn)氣小管通入爐體內(nèi)部,進(jìn)氣小管數(shù)目可以為3個或3個以上,每個進(jìn)氣小 管與周圍硅芯呈六邊形等距分布;所述硅芯在爐體內(nèi)等距排布,可以為18對,24對,36對, 48對等。
[0005] 本實用新型的多晶硅還原爐采用了頂部和底部同時進(jìn)氣的方式,頂部進(jìn)氣的進(jìn)氣 管結(jié)構(gòu)可以采用圓柱管直接進(jìn)氣,也可以是采用氣體分布器方式進(jìn)氣。此種進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)較 傳統(tǒng)的"下進(jìn)下出"的進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)優(yōu)點在于:第一,氣體在還原爐內(nèi)的氣體流場分布更加均 勻,有利于氣體反應(yīng)生成硅棒,可以大幅提高硅棒生長效率;第二,氣體通過上下進(jìn)氣口的 對流,有利于氣體在還原爐內(nèi)的流動,對于降低還原爐內(nèi)部溫度,提高硅棒生長速率十分有 利;第三,還原爐每批次產(chǎn)量較現(xiàn)在多晶硅還原爐有大幅增加,同時電耗大幅降低,降低了 能源消耗。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 圖1是本實用新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)多晶硅還原爐結(jié)構(gòu)圖。
[0007] 圖2是進(jìn)氣小管分布圖。
[0008] 圖中:1頂部進(jìn)氣管,2夾套出水管,3封頭,4硅芯,5爐體,6夾套,7目視鏡,8導(dǎo) 流板,9夾套進(jìn)水管,10底盤,11排渣口,12底盤出水管,13底盤進(jìn)水管,14出氣管,15底部 進(jìn)氣管,16出氣口,17進(jìn)氣小管。

【具體實施方式】
[0009] 下面結(jié)合圖1和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明,以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員 可以更好的理解本實用新型并能予以實施,但所舉實施例不作為對本實用新型的限定。 [0010] 如圖1所示,本實用新型的一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐的實施例中,其 包括頂部進(jìn)氣管1,底部進(jìn)氣管15,底盤10,封頭3,進(jìn)氣小管17,爐體5,夾套6,目視鏡7, 導(dǎo)流板8,夾套進(jìn)水管9,夾套出水管2,底盤進(jìn)水管13,底盤出水管12,硅芯4,排渣口 11,出 氣管14等。
[0011] 在本實施例中,頂部進(jìn)氣管1采用圓柱管直接進(jìn)氣方式進(jìn)行說明。頂部進(jìn)氣管1與 底部進(jìn)氣管15同時通入按一定比例混合的高純?nèi)葰涔枧c氫氣,底部進(jìn)氣管15與更細(xì)的 進(jìn)氣小管17連接,進(jìn)氣小管17通過底盤10進(jìn)入爐體5內(nèi),通入底部進(jìn)氣管15的氣體通過 進(jìn)氣小管17進(jìn)入爐體內(nèi);與此同時,打開冷卻水閥使冷卻水進(jìn)入底盤進(jìn)水管13和夾套進(jìn)水 管9開始對爐體5和封頭3降溫,底盤冷卻水通過底盤出水管12流出底盤10,爐體5和封 頭3則由夾套進(jìn)水管9通入冷卻水而后經(jīng)螺旋形導(dǎo)流板8經(jīng)夾套出水管2流出。此例中, 氣體通入爐體循環(huán)一定時間后,氣體在爐體內(nèi)分布均勻,溫度場開始分布均勻,氣體則通過 底盤上的若干個出氣口 16由出氣管14排出爐體,在此過程中氣體通過化學(xué)反應(yīng)開始在硅 芯4上沉積生長,過程中可以通過目視鏡7對硅棒生長情況進(jìn)行觀察,生長結(jié)束之后的硅粉 廢渣通過排渣口 11排出爐體。
[0012] 在本實施例中,采用頂部與底部進(jìn)氣結(jié)構(gòu)可以提高爐體內(nèi)氣體流動性,改善中心 區(qū)域溫度,上述結(jié)構(gòu)設(shè)計的多晶硅還原爐具有硅棒生長更加均勻,多晶硅沉積率高,硅棒生 長速率快,能耗低,節(jié)約用水用電等優(yōu)點。
[0013] 以上所述實施例僅是為充分說明本實用新型而所舉的實施例之一,本實用新型的 保護(hù)范圍不限于此。本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換, 均在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐,包括頂部進(jìn)氣管(1),底部進(jìn)氣管(15),底 盤(10),封頭(3),進(jìn)氣小管(17),爐體(5),夾套(6),目視鏡(7),導(dǎo)流板(8),夾套進(jìn)水管 (9),夾套出水管(2),底盤進(jìn)水管(13),底盤出水管(12),硅芯(4),排渣口(11),出氣管 (14),出氣口(16),其特征在于: 所述頂部進(jìn)氣管(1)通過封頭(3)進(jìn)入爐體(5)內(nèi); 所述底部進(jìn)氣管(15)與進(jìn)氣小管(17)連接,所述進(jìn)氣小管(17)通過底盤(10)進(jìn)入 爐體(5)內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐,其特征在于,所述進(jìn) 氣小管(17)的數(shù)目為3個或3個以上,每個進(jìn)氣小管(17)與周圍硅芯(4)呈六邊形等距 分布。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型進(jìn)、出氣結(jié)構(gòu)的多晶硅還原爐,其特征在于,所述硅 芯⑷在爐體內(nèi)等距排布,為18對,24對,36對或48對。
【文檔編號】C01B33/035GK203904000SQ201420221899
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】馬寧, 茅陸榮, 張華芹, 程佳彪 申請人:上海森松化工成套裝備有限公司
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