半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在第1基板的一方的主面上設(shè)置第1粘接劑層。經(jīng)由第2粘接劑層貼合第1基板和第2基板，對于第2粘接劑層，具有熱硬化性，與貼合在第1基板的第2基板及第1基板之間的粘附力比與第1粘接劑層間的粘附力大，以及覆蓋第1粘接劑層的表面。研磨第1基板的另一方的主面，薄化第1基板。向第2粘接劑層的周邊部施加物理的力，形成沿著第2粘接劑層的外周的環(huán)狀的切口部。在第1粘接劑和第2粘接劑的界面分離第1基板和第2基板。切口部形成為，外周位于比第2粘接劑層的外周更靠內(nèi)側(cè)，內(nèi)周比第1粘接劑層的外周更靠內(nèi)側(cè)，并且，在與第2基板間留下第2粘接劑層。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0001] 相關(guān)專利申請
[0002] 本申請享受以日本申請專利2013-58229號（申請日：2013年3月21日）作為 基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照這個基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部的內(nèi)容。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0004] 以前，存在以下步驟：通過粘接劑貼合半導(dǎo)體晶片等的基板和支持基板，研磨并薄 化由支持基板支持的基板，然后，對基板實施用于器件形成的加工等，并從支持基板剝離。
[0005] 在涉及的步驟中，需要通過支持基板堅固地支持研磨中的基板，對于基板和支持 基板的粘接，采用粘接力比較高的粘接劑。因此，存在從支持基板剝離基板的工作時間增大 這樣的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的一實施方式的目的在于提供一種能短時間從支持基板剝離基板的半導(dǎo) 體裝置的制造方法。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置的制造 方法中，在第1基板的一方的主面上設(shè)置第1粘接劑層。經(jīng)由第2粘接劑層貼合上述第1基 板和第2基板，其中對于上述第2粘接劑層，具有熱硬化性，與貼合在上述第1基板的上述 第2基板及上述第1基板之間的粘附力比與上述第1粘接劑層間的粘附力大，以及覆蓋上 述第1粘接劑層的表面。研磨上述第1基板的另一方的主面，薄化該第1基板。向上述第 2粘接劑層的周邊部施加物理的力，形成沿著該第2粘接劑層的外周的環(huán)狀的切口部。固 定上述第1基板側(cè)，使上述第1粘接劑和上述第2粘接劑的界面剝離，從上述第1基板分離 上述第2基板。上述切口部形成為，外周位于比上述第2粘接劑層的外周更靠內(nèi)側(cè)且內(nèi)周 位于比上述第1粘接劑層的外周更靠內(nèi)側(cè)，并且，在與上述第2基板間留下上述第2粘接劑 層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖1是表示第1實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
[0009] 圖2是表示第1實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
[0010] 圖3是表示第2實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
[0011] 圖4是表示第3實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
[0012] 圖5是表示第4實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
[0013] 符號的說明
[0014] 1器件基板，2第1粘接劑層，3支持基板，4第2粘接劑層，5、5a，5b，5c切口部，6 剝離帶，7刀片

【具體實施方式】
[0015] 以下，參照附圖，詳細(xì)地說明實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法。再者，本發(fā) 明并非通過這個實施方式來限定。
[0016] (第1實施方式）
[0017] 以下，說明以下步驟：將形成半導(dǎo)體元件和/或集成電路的第1基板（以下，記載 為"器件基板"）和第2基板（以下，記載為"支持基板"）貼合，薄化由支持基板支持的器 件基板，然后，從支持基板剝離。
[0018] 圖1及圖2是表示第1實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。再者， 如圖1及圖2,模式地表示器件基板1和/或支持基板3的周邊部、及其旁邊的截面。
[0019] 第1實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，準(zhǔn)備器件基板1和支持基板 3。在這里，器件基板1是半導(dǎo)體晶片。還有，支持基板3是包括玻璃和/或硅等，直徑及厚 度與器件基板1大致上相同的圓盤狀的基板。再者，支持基板3的直徑、厚度等的形狀不限 于此。
[0020] 繼續(xù)，如圖1 (a)所示，在器件基板1的一方的主面（在這里，上表面），設(shè)置第1粘 接劑層2。在這里，通過向器件基板1的上表面涂布例如采用聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、丙 烯、聚對苯二甲酸乙酯、氟樹脂、氨甲酸酯樹脂等的具有熱塑性的粘接劑來形成第1粘接劑 層2。
[0021] 此時，在器件基板1的上表面的除了周邊部的區(qū)域涂布具有熱塑性的粘接劑。例 如，在器件基板1的周邊部俯視從外周留下寬度3_左右的環(huán)狀的非涂布區(qū)域，在器件基板 1的上表面涂布具有熱塑性的粘接劑。再者，第1粘接劑層2,也可以取代具有熱塑性的粘 接劑的涂布，通過形成具有上述的熱塑性的材料的雙面帶進(jìn)行粘貼。
[0022] 繼續(xù)，如圖1 (b)所示，在支持基板3的一方的主面（在這里，上表面），設(shè)置第2粘 接劑層4。在這里，通過向支持基板3的上表面涂布例如采用酚醛樹脂、密胺、玻璃纖維增強(qiáng) 塑料等的具有熱硬化性的粘接劑來形成第2粘接劑層4。
[0023] 此時，在支持基板3的上表面的全部，涂布比第1粘接劑層2厚的具有熱硬化性的 粘接劑。還有，在這里，通過涂布與第1粘接劑層2之間的粘附力比與支持基板3及器件基 板1之間的粘附力小的粘接劑來形成第2粘接劑層4。
[0024] 繼續(xù)，如圖1(c)所示，將在表背面反轉(zhuǎn)的器件基板1的一方的主面（在這里，下表 面）設(shè)置的第1粘接劑層2的表面、和第2粘接劑層4的表面壓接，使器件基板1和支持基 板3貼合。
[0025] 在這里，形成為第2粘接劑層4的表面積比第1粘接劑層2的表面積大，而且，第2 粘接劑層4的一方比第1粘接劑層2厚。因此，第2粘接劑層4覆蓋第1粘接劑層2的表 面，并且，覆蓋沒設(shè)置第1粘接劑層2的器件基板1的周邊部。
[0026] 在這里，第2粘接劑層4和第1粘接劑層2的邊界24的粘附力比較小，但是，第2 粘接劑層4和器件基板1的邊界14以及支持基板3的邊界34的粘附力比第2粘接劑層4 和第1粘接劑層2的邊界24的粘附力大。因此，器件基板1，在周邊部通過與支持基板3間 介入的第2粘接劑層4與支持基板3堅固地粘合。
[0027] 繼續(xù)，如圖1 (d)所示，研磨器件基板1的沒設(shè)置第1粘接劑層2的另一方的主面， 薄化器件基板1。例如，在通過研磨機(jī)研磨器件基板1的另一方的主面之后，對研磨面通 過進(jìn)行CMP (Chemical Mechanical Polishing :化學(xué)機(jī)械拋光），將器件基板1薄化到厚度 50um左右。此時，如圖1 (d)所示，處于剩下器件基板1和第2粘接劑層4的邊界14的狀 態(tài)。
[0028] 此后，對器件基板1，實施形成TSV (Through Silicon Via :娃通孔）、布線、和連接 端子等（圖示省略）的加工處理。進(jìn)行加工處理的步驟中，包括多個熱處理步驟。在涉及 的熱處理步驟中，具有熱塑性的第1粘接劑層2軟化。但是，第2粘接劑層4,由于具有熱硬 化性，不軟化反而硬化。
[0029] 因此，反復(fù)熱處理步驟，第1粘接劑層2也反復(fù)軟化和硬化，第2粘接劑層4堅固 地保持器件基板1，因此抑制熱處理步驟導(dǎo)致的器件基板1的變形。由此，能抑制器件基板 1的變形引起的成品率的降低。
[0030] 繼續(xù)，從支持基板3剝離器件基板1。在這里，器件基板1，如圖1(d)所示，通過第 2粘接劑層4在周邊部（器件基板1和第2粘接劑層4的邊界14)與支持基板3堅固地粘 合。
[0031] 因此，如圖2 (a)所示，向第2粘接劑層4的周邊部施加物理的（機(jī)械的）力形成 沿著第2粘接劑層4的外周的環(huán)狀的切口部5,由此，除去包含器件基板1和第2粘接劑層 4的邊界14的區(qū)域。
[0032] 具體地，從器件基板1的另一方的主面（在這里，上表面）側(cè)，通過刀片（圖示省 略），研磨器件基板1及第2粘接劑層4的周邊部，除去包含器件基板1和第2粘接劑層4 的邊界14的區(qū)域。再者，也可以從器件基板1及第2粘接劑層4的周面（在這里，側(cè)面） 側(cè)，研磨器件基板1及第2粘接劑層4的周邊部，除去包含器件基板1和第2粘接劑層4的 邊界14的區(qū)域。
[0033] 還有，在除去包含器件基板1和第2粘接劑層4的邊界14的區(qū)域的場合，在支持 基板3的周邊部上留下第2粘接劑層4。使切口部5的底面不到達(dá)支持基板3的表面。這 樣，通過不損傷支持基板3形成切口部5,能夠?qū)χС只?進(jìn)行再利用。
[0034] 繼續(xù)，如圖2 (b)所示，使貼合器件基板1及支持基板3的結(jié)構(gòu)的表面和背面反轉(zhuǎn)， 將器件基板1的另一方的主面（在這里，下表面）向剝離帶6貼合。在這里，作為剝離帶6， 與器件基板1間的粘附力比第1粘接劑層2和第2粘接劑層4間的粘附力大。
[0035] 此時，器件基板1和支持基板3,通過在第1粘接劑層2和第2粘接劑層4的邊界 24的比較小的粘附力粘合。因此，通過以比第1粘接劑層2和第2粘接劑層4間的比較小 的粘附力大的剝離力從器件基板1剝離支持基板3,如圖2 (c)所示，能容易地從支持基板3 短時間剝離器件基板1。
[0036] 此后，從器件基板1除去剝離帶6之后，通過溶劑洗滌殘留在器件基板1上的第1 粘接劑層2,結(jié)束從支持基板3剝離器件基板1的工作。
[0037] 再者，第1實施方式中，在器件基板1側(cè)設(shè)置第1粘接劑層2,在支持基板3側(cè)設(shè)置 第2粘接劑層4之后，使第1粘接劑層2及第2粘接劑層4抵接，貼合器件基板1和支持基 板3,但是，這僅是一個例子，可以進(jìn)行各種變形。
[0038] 例如，也可以在器件基板1的一方的主面上設(shè)置第1粘接劑層2之后，以覆蓋第1 粘接劑層2的表面的方式設(shè)置第2粘接劑層4,此后，在第2粘接劑層4的表面上抵接支持 基板3,使器件基板1和支持基板3貼合。
[0039] 還有，也可以在支持基板3的主面上設(shè)置第2粘接劑層4,在第2粘接劑層4的表 面，設(shè)置面積比第2粘接劑層4小的第1粘接劑層2,在第1粘接劑層2的表面，抵接器件基 板1的一方的周面，使器件基板1和支持基板3貼合。
[0040] 如上述，第1實施方式中，經(jīng)由覆蓋在器件基板1的一方的主面設(shè)置的第1粘接劑 層2的具備熱硬化性的第2粘接劑層4,貼合器件基板1和支持基板3。由此，在對器件基 板1實施熱處理的場合，第2粘接劑層4抑制器件基板1的變形，能抑制器件基板1的變形 導(dǎo)致的成品率的降低。
[0041] 還有，第1實施方式中，通過向堅固地粘著器件基板1和支持基板3的第2粘接劑 層4的周邊部施加物理的力，除去包含器件基板1和第2粘接劑層4的邊界14的區(qū)域。因 此，能短時間除去將器件基板1和支持基板3堅固地粘著的器件基板1和第2粘接劑層4 的邊界14的部分。
[0042] 由此，通過僅對支持基板3施加在第1粘接劑層2和第2粘接劑層4的邊界24的 比較小的剝離力，以第1粘接劑層2和第2粘接劑層4的邊界24為分界，能容易地從支持 基板3短時間剝離器件基板1。再者，如圖2所示的切口部5是形狀是一個例子。以下的實 施方式中，關(guān)于切口部5的形狀的變形例來說明。
[0043] (第2實施方式）
[0044] 圖3是表示第2實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。對于第2實施 方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，如圖1所示的制造步驟之后進(jìn)行的制造步驟與第1實 施方式不同。因此，如圖3,表示如圖1所示的制造步驟之后進(jìn)行的制造步驟。還有，以下的 說明中，關(guān)于如圖1及圖2表示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，附加與如圖1及圖2所示的符 號相同的符號，省略那個說明。
[0045] 第2實施方式中，如圖3(a)所示，薄化器件基板1之后，在器件基板1的一方的主 面（在這里，上表面）的周邊部，形成沿著第2粘接劑層4的外周的環(huán)狀的溝作為切口部 5a〇
[0046] 具體地，從器件基板1的周邊部的上表面向支持基板3側(cè)開始研磨，在溝的底面到 達(dá)支持基板3之前結(jié)束研磨形成切口部5a。由此，與第1實施方式相同，能夠進(jìn)行支持基板 3的再利用。
[0047] 此時，以俯視環(huán)狀的切口部5a的內(nèi)周與第2粘接劑層4的外周一致（或比第2粘 接劑層4的外周更靠內(nèi)側(cè)）、外周位于比第2粘接劑層4的外周更靠內(nèi)側(cè)的方式形成切口部 5a。由此，除去包含器件基板1和第2粘接劑層4的邊界14 (參照圖1)的區(qū)域，器件基板1 和支持基板3成為根據(jù)粘附力比較小的第1粘接劑層2和第2粘接劑層4的邊界24粘合 的狀態(tài)。
[0048] 這樣，不研磨第2粘接劑層4的外周部分，以留下的狀態(tài)形成切口部5a。由此，能 抑制用于除去包含器件基板1和第2粘接劑層4的邊界14(參照圖1)的區(qū)域的研磨區(qū)域 狹窄，所以能縮短切口部5a的形成需要的研磨時間。
[0049] 繼續(xù)，如圖3 (b)所示，使貼合器件基板1及支持基板3的結(jié)構(gòu)的表面和背面反轉(zhuǎn)， 將器件基板1的另一方的主面（在這里，下表面）向剝離帶6貼合。
[0050] 并且，通過以比第1粘接劑層2和第2粘接劑層4間的比較小的粘附力更大的剝 離力從器件基板1剝離支持基板3,如圖3 (c)所示，能容易地從支持基板3短時間剝離器件 基板1。
[0051] 如上述，根據(jù)第2實施方式，通過抑制用于除去包含器件基板1和第2粘接劑層4 的邊界14(參照圖1)的區(qū)域的研磨區(qū)域狹窄，能縮短切口部5a的形成需要的研磨時間。因 此，能進(jìn)一步縮短從支持基板3剝離器件基板1的工作時間。
[0052] (第3實施方式）
[0053] 圖4是表示第3實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。對于第3實施 方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，如圖1所示的制造步驟之后進(jìn)行的制造步驟與第1實 施方式不同。因此，如圖4,表示如圖1所示的制造步驟之后進(jìn)行的制造步驟。還有，以下的 說明中，關(guān)于如圖1及圖2表示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，附加與如圖1及圖2所示的符 號相同的符號，省略那個說明。
[0054] 第3實施方式中，如圖4(a)所示，薄化器件基板1之后，在器件基板1的一方的主 面（在這里，上表面）的周邊部，形成直徑比第2實施方式的切口部5a小的環(huán)狀的溝作為 切口部5b。
[0055] 具體地，以俯視環(huán)狀的切口部5b的內(nèi)周及外周位于比第1粘接劑層2的外周更靠 內(nèi)側(cè)的方式形成切口部5b。由此，器件基板1和支持基板3成為在環(huán)狀的切口部5b的內(nèi) 偵h根據(jù)相對粘附力小的第1粘接劑層2和第2粘接劑層4的邊界24b粘合的狀態(tài)。
[0056] 涉及的切口部5b的形成位置中，外周至少比第1粘接劑層2的外周靠內(nèi)側(cè)即可。 因此，根據(jù)切口部5b，能容易且短時間進(jìn)行調(diào)整切口部5b的形成位置的位置對合工作。
[0057] 還有，根據(jù)切口部5b，能縮小俯視的切口部5b的寬度，能進(jìn)而縮短切口部5b的形 成需要的時間。再者，同樣，在形成切口部5b的場合，在溝的底面到達(dá)支持基板3之前結(jié)束 研磨。由此，能夠進(jìn)行支持基板3的再利用。
[0058] 繼續(xù)，如圖4(b)所示，使貼合器件基板1及支持基板3的結(jié)構(gòu)的表面和背面反轉(zhuǎn)， 將器件基板1的另一方的主面（在這里，下表面）向剝離帶6貼合。
[0059] 并且，通過以比第1粘接劑層2和第2粘接劑層4間的比較小的粘附力更大的剝 離力從器件基板1剝離支持基板3,如圖3 (c)所示，能容易地從支持基板3短時間剝離器件 基板1。
[0060] 如上述，第3實施方式中，能容易且短時間進(jìn)行調(diào)整切口部5b的形成位置的位置 對合工作。而且，通過進(jìn)一步縮小俯視的切口部5b的寬度，能縮短切口部5b的形成時間。 因此，能進(jìn)一步縮短從支持基板3剝離器件基板1的工作時間。
[0061] (第4實施方式）
[0062] 圖5是表示第4實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。第4實施方式 涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，如圖1所示的制造步驟之后進(jìn)行的制造步驟與第1實施方 式不同。因此，如圖5,表示如圖1所示的制造步驟之后進(jìn)行的制造步驟。還有，以下的說明 中，關(guān)于如圖1及圖2表示的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，附加與如圖1及圖2所示的符號相 同的符號，省略那個說明。
[0063] 第4實施方式中，如圖5(a)所示，在俯視的器件基板1的外周和第2粘接劑層4 的外周之間，形成沿著第2粘接劑層4的外周的環(huán)狀的溝作為切口部5c。
[0064] 具體地，以俯視環(huán)狀的切口部5c的內(nèi)周與器件基板1的外周一致、切口部5c的外 周位于比第2粘接劑層4的外周更靠內(nèi)側(cè)的方式，形成切口部5c。再者，同樣，在形成切口 部5c的場合，溝的底面到達(dá)支持基板3之前結(jié)束研磨。由此，能夠進(jìn)行支持基板3的再利 用。
[0065] 繼續(xù)，如圖5(b)所示，從第2粘接劑層4的外周面向器件基板1和第1粘接劑層 2的界面插入刀片7。再者，此時，也可以從第2粘接劑層4的外周面向第1粘接劑層2和 第2粘接劑層4的邊界24插入刀片7。
[0066] 在這里，在第2粘接劑層4的周邊部，在插入刀片7之前預(yù)先形成切口部5c。由 此，從第2粘接劑層4的外周面到切口部5c的外周面的寬度為dl，從切口部5c的內(nèi)周面到 第1粘接劑層2的寬度為d2,能通過刀片7使薄的第2粘接劑層4的周邊部裂開。
[0067] 因此，如果沒形成切口部5c，則刀片7的尖端不能容易到達(dá)第1粘接劑層2。由此， 器件基板1和支持基板3成為根據(jù)相對粘附力小的第1粘接劑層2和第2粘接劑層4的邊 界24粘合的狀態(tài)。
[0068] 繼續(xù)，如圖5 (c)所示，使貼合器件基板1及支持基板3的結(jié)構(gòu)的表面和背面反轉(zhuǎn)， 將器件基板1的另一方的主面（在這里，下表面）向剝離帶6貼合。
[0069] 并且，通過以比第1粘接劑層2和第2粘接劑層4間的比較小的粘附力更大的剝 離力從器件基板1剝離支持基板3,如圖5 (d)所示，能容易地從支持基板3短時間剝離器件 基板1。
[0070] 如上述，第4實施方式中，通過在器件基板1的外周和第2粘接劑層4的外周之間 設(shè)置切口部5c，能容易且短時間地使刀片7的尖端從第2粘接劑層4的外周面到達(dá)第1粘 接劑層2。
[0071] 由此，器件基板1和支持基板3成為根據(jù)相對粘附力小的第1粘接劑層2和第2 粘接劑層4的邊界24粘合的狀態(tài)。因此，同樣，根據(jù)第4實施方式，能縮短從支持基板3剝 離器件基板1的工作時間。
[0072] 雖然說明本發(fā)明的幾個實施例，但是這些實施例只是作為例示，而不是限定發(fā)明 的范圍。這些實施例可以各種各樣的形態(tài)實施，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍，可進(jìn)行各種省 略、置換、變更。這些實施例及其變形也是發(fā)明的范圍、要旨所包含的，同時也是權(quán)利要求的 范圍所述的發(fā)明及其均等的范圍所包含的。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： 在第1基板的一方的主面上設(shè)置第1粘接劑層； 經(jīng)由第2粘接劑層貼合上述第1基板和第2基板，其中，上述第2粘接劑層，具有熱硬 化性，與貼合在上述第1基板的上述第2基板及上述第1基板之間的粘附力比與上述第1 粘接劑層間的粘附力大，并覆蓋上述第1粘接劑層的表面； 研磨上述第1基板的另一方的主面，薄化該第1基板； 向上述第2粘接劑層的周邊部施加物理的力，形成沿著該第2粘接劑層的外周的環(huán)狀 的切口部； 固定上述第1基板側(cè)，使上述第1粘接劑和上述第2粘接劑的界面剝離，從上述第1基 板分離上述第2基板； 其中，上述切口部形成為，外周位于比上述第2粘接劑層的外周更靠內(nèi)側(cè)且內(nèi)周位于 比上述第1粘接劑層的外周更靠內(nèi)側(cè)，并且，在與上述第2基板間留下上述第2粘接劑層。
2. -種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： 經(jīng)由第1粘接劑層和第2粘接劑層以上述第1粘接劑成為在上述第1基板側(cè)的方式貼 合上述第1基板的主面和第2基板，其中，上述第2粘接劑層，具有熱硬化性，與貼合在上述 第1基板的上述第2基板及上述第1基板之間的粘附力比與上述第1粘接劑層間的粘附力 大，并覆蓋上述第1粘接劑層的表面； 研磨上述第1基板的另一方的主面，薄化該第1基板； 向上述第2粘接劑層的周邊部施加物理的力，形成沿著該第2粘接劑層的外周的環(huán)狀 的切口部。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述切口部形成在包含上述第1基板和上述第2粘接劑層的邊界的區(qū)域。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述切口部，外周位 于比上述第2粘接劑層的外周更靠內(nèi)側(cè)。
5. 如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述切口部，內(nèi)周位 于比上述第1粘接劑層的外周更靠內(nèi)側(cè)。
6. 如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述切口部形成為， 在與上述第2基板之間殘留上述第2粘接劑層。
【文檔編號】H01L21/683GK104064506SQ201310364759
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月21日
【發(fā)明者】高野英治 申請人:株式會社 東芝