技術(shù)編號(hào)：12827298
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)自集成電路的發(fā)明以來，由于各個(gè)電子組件和半導(dǎo)體封裝件的集成密度的持續(xù)改進(jìn)，半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了連續(xù)的快速增長(zhǎng)。對(duì)于大部分而言，這些集成密度的改進(jìn)來自于最小部件尺寸的反復(fù)減小，允許更多的組件集成至半導(dǎo)體芯片或封裝件。一種用于允許更多組件集成至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法是三維集成電路(3DIC)堆疊技術(shù)的采用，其中，硅晶圓和/或管芯彼此堆疊并且使用通孔垂直互連，從而使得它們充當(dāng)為單個(gè)器件以獲得比傳統(tǒng)二維工藝改進(jìn)的性能。然而，用于3DIC堆疊的傳統(tǒng)技術(shù)允許在基襯...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。