專利名稱：液晶顯示面板、像素結(jié)構(gòu)及像素結(jié)構(gòu)制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示面板、像素結(jié)構(gòu)及像素的制作方 法，特別涉及一種液晶顯示面板、像素結(jié)構(gòu)及像素結(jié)構(gòu)的制作方 法。
背景技術(shù)：
隨著高科技的發(fā)展，數(shù)字化的視頻或影像裝置己經(jīng)成為在一般曰
常生活中所常見的產(chǎn)品。就目前而言，傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)所 制造的顯示裝置，因具有體積大且耗電高的缺點(diǎn)，因此，各種平面顯 示裝置不斷地被開發(fā)出來，例如液晶顯示器(liquid crystal display, 1XD)、場發(fā)射顯示器(field emission display, FED)及 等離子體顯示面板(plasma display panel, PDP)等，而在這些平 面顯示裝置中，又以液晶顯示器為技術(shù)最純熟且最普及化的一項(xiàng)產(chǎn)
叩o
請參照圖1A，其為公知液晶顯示裝置1的結(jié)構(gòu)示意圖。液晶顯 示裝置1主要包括背光模塊11以及液晶顯示面板12。背光模塊11 提供均勻的背光源給液晶顯示面板12。
如圖1A與IB所示，液晶顯示面板12包含彩色濾光片基板121、 薄膜晶體管基板122，以及填充于彩色濾光片基板111與薄膜晶體管 基板122間的液晶層123。另外，彩色濾光片基板121具有基板121a， 以及設(shè)置于基板121a的彩色濾光層121b、黑色矩陣層121c (black matrix)及對向電極121d，其中，彩色濾光片基板121與薄膜晶體 管基板122間具有多個(gè)間隔物124 (spacer)(圖IB僅以一個(gè)表示)。 如圖1C所示，薄膜晶體管基板122上還包括有多個(gè)次像素S。
通常，相鄰的兩條數(shù)據(jù)線122a與相鄰的二條掃描線122b可圍繞 出一個(gè)次像素S， 一般定義三個(gè)相互并設(shè)且分別代表紅、綠、藍(lán)的次
像素S稱為一個(gè)像素P。另外，次像素S除了具有數(shù)據(jù)線122a與掃 描線122b之外，還包含儲存電容電極122c (storage capacitor electrode)、薄膜晶體管122d (TFT)以及像素電極122f (pixel electrode)。通過數(shù)據(jù)線122a與掃描線122b輸入信號，以控制各薄 膜晶體管122d驅(qū)動各次像素S顯示正確畫面。
此外，各次像素S還包含公用線122g (common line),其對應(yīng) 于掃描線122b平行設(shè)置，而圖IC所示的儲存電容電極122c形成于 公用線122g之上，以形成儲存電容Cst，此種型態(tài)的儲存電容C"又稱 為"儲存電容在公用線上(Cst on Co腿on)"的型態(tài)。
常用結(jié)構(gòu)中，液晶顯示面板12利用彩色濾光片基板121所具有 的黑色矩陣層121c，來覆蓋薄膜晶體管122d、儲存電容電極122c以 及其他不具有像素電極122f的非用于顯示的區(qū)域，以防止次像素S 間的漏光情形發(fā)生。
此外，在將彩色濾光片基板121與薄膜晶體管基板122利用機(jī)械 方式對位組裝為面板時(shí)，其具有一定的對位誤差，因此公知技術(shù)中利 用增加黑色矩陣層121c的面積范圍，以在組合彩色濾光片基板121 與薄膜晶體管基板122后，防止次像素S邊緣區(qū)域因?qū)ξ徽`差而造成 黑色矩陣層121c遮光不良的漏光問題。然而，如此一來將會造成像 素電極122f與黑色矩陣層121c間具有重疊區(qū)域A (如圖1C中疏斜 線與網(wǎng)點(diǎn)重疊區(qū)域所示)，且重疊區(qū)域A的最窄距離D通常需大于6 ym，以克服因機(jī)械方式組合所造成的對位誤差。因此，利用上述方 法不但降低了像素P的開口率，更影響液晶顯示面板12顯示畫面的 品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種液晶顯示面板、像素結(jié) 構(gòu)及像素結(jié)構(gòu)制作方法，具有較好的開口率的優(yōu)點(diǎn)。
因此，為達(dá)上述目的，依本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)包含第一基板、第一 金屬層、絕緣層、第二金屬層、保護(hù)層、第一像素電極及第二像素電 極。其中，第一金屬層設(shè)置于第一基板上，絕緣層設(shè)置于第一金屬層
上，第二金屬層設(shè)置于絕緣層上并具有第一電容電極，保護(hù)層設(shè)置于 第二金屬層上，且保護(hù)層具有第一開口，第一像素電極設(shè)置于保護(hù)層 上，并通過第一開口與第二金屬層電連接，第二像素電極設(shè)置于保護(hù) 層上，第二像素電極與第一像素電極相鄰設(shè)置，且第二像素電極與第 一像素電極之間具有間隔，第二金屬層對應(yīng)間隔設(shè)置，以使第一電容 電極與第二像素電極具有重疊區(qū)域。
此外，為達(dá)上述目的，依本發(fā)明的液晶顯示面板，包含多個(gè)像素 結(jié)構(gòu)與一個(gè)驅(qū)動器，其中，各像素結(jié)構(gòu)具有第一基板、第一金屬層、
絕緣層、第二金屬層、保護(hù)層、第一像素電極及第二像素電極，第一 金屬層設(shè)置于第一基板上，絕緣層設(shè)置于第一金屬層上，第二金屬層 設(shè)置于絕緣層上并具有第一電容電極，保護(hù)層設(shè)置于第二金屬層上， 且保護(hù)層具有第一開口，第一像素電極設(shè)置于保護(hù)層上，并通過第一 開口與第二金屬層電連接，第二像素電極設(shè)置于保護(hù)層上，第二像素 電極與第一像素電極相鄰設(shè)置，且第二像素電極與第一像素電極之間 具有間隔，第二金屬層對應(yīng)間隔設(shè)置，以使第一電容電極與第二像素 電極具有重疊區(qū)域，而驅(qū)動器驅(qū)動各像素結(jié)構(gòu)。
此外，為達(dá)上述目的，依本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法，包含以下 步驟形成第一金屬層于第一基板上、形成絕緣層于第一金屬層上、 形成具有第一電容電極的第二金屬層于絕緣層上、形成保護(hù)層于第二 金屬層上、在保護(hù)層形成第一開口，以及形成第一像素電極與第二像 素電極于保護(hù)層上，其中，第一像素電極通過第一開口與第二金屬層 電連接，第二像素電極與第一像素電極相鄰設(shè)置，且第二像素電極與 第一像素電極之間具有間隔，第二金屬層對應(yīng)間隔設(shè)置，以使該第一 電容電極與該第二像素電極具有重疊區(qū)域。
綜上所述，依本發(fā)明的液晶顯示面板、像素結(jié)構(gòu)及像素結(jié)構(gòu) 制作方法，由于第二金屬層對應(yīng)第一像素電極與第二像素電極間 的間隔設(shè)置，以使第二金屬層中的第一電容電極與第二像素電極 間具有重疊區(qū)域，在本實(shí)施例中，重疊區(qū)域的最窄距離可小于6 Um。較之常用技術(shù)而言，本發(fā)明的液晶顯示面板、像素結(jié)構(gòu)及 像素結(jié)構(gòu)制作方法確實(shí)增加像素結(jié)構(gòu)的開口率。此外，在實(shí)施例
中，第二金屬層的第二電容電極與公用線的重疊面積范圍較小， 因而可減少公用線設(shè)置的面積范圍，同樣更可增加像素結(jié)構(gòu)的開 口率，確實(shí)有助于液晶顯示面板顯示畫面品質(zhì)的提升。


圖1A為公知的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖1B為公知的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖1C為公知的薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板的示意圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖4為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖，其為沿圖3中 B-B剖線的剖面圖5為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的另一剖面圖，為沿圖3中
C-C剖線的剖面圖；以及
圖6為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照相關(guān)附圖，說明依本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面 板、像素結(jié)構(gòu)及像素結(jié)構(gòu)制作方法。
請參閱圖2，其為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板2，包含多 個(gè)像素結(jié)構(gòu)PS與兩個(gè)驅(qū)動器30、 31。其中，液晶顯示面板2以薄膜 晶體管液晶顯示面板 (thin film transistor liquid crystal display panel, TFT LCD panel)為例，驅(qū)動器30、 31驅(qū)動這些像 素結(jié)構(gòu)PS。另外，這些像素結(jié)構(gòu)PS可呈行列排列，而形成陣列 (array)。此外，液晶顯示面板2具有多條數(shù)據(jù)線與多條掃描線，且 各數(shù)據(jù)線與各掃描線垂直相交，而相鄰的數(shù)據(jù)線n、 n+1與相鄰的掃 描線m、 m+1所定義出來的區(qū)域即為一次像素S。 一般來說，三個(gè)分 別代表紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)三色的次像素S稱為像素P，而于本實(shí) 施例中的像素結(jié)構(gòu)PS具有兩個(gè)以上的次像素S，且像素結(jié)構(gòu)PS可為 同像素P的次像素S所構(gòu)成，或是由不同像素P的次像素S所構(gòu)成。
接著，請參閱圖3與圖4，其中，圖4為沿圖3中B-B剖線的剖 面示意圖，其顯示像素結(jié)構(gòu)PS具有第一基板21、第一金屬層22、絕 緣層23、第二金屬層24、保護(hù)層25、第一像素電極26及第二像素 電極27。
在本實(shí)施例中，第一基板21可為玻璃基板，多個(gè)薄膜晶體管設(shè) 置于第一基板21，圖3中以兩個(gè)薄膜晶體管TFT1、 TFT2為例，且薄 膜晶體管TFT1與第一像素電極26電連接，薄膜晶體管TFT2與第二 像素電極27電連接。
第一金屬層22設(shè)置于第一基板21上。如圖3所示，第一金屬層 22具有掃描線(scan line) m及公用線(common line) 221，其中， 薄膜晶體管TFT1的柵極連接至掃描線m，而公用線221實(shí)質(zhì)上平行 于掃描線m設(shè)置。另外，第一金屬層22還具有掃描線m+l，薄膜晶 體管TFT1的柵極連接至掃描線m+l。
如圖4所示，絕緣層23設(shè)置于第一金屬層22上，以絕緣第一金 屬層22及第二金屬層24，絕緣層23的材質(zhì)可為氮化硅(SiNx)。
第二金屬層24 (如圖中蜂巢狀紋路所示)設(shè)置于絕緣層23上。 請參閱圖3，第二金屬層24具有第一電容電極241、第二電容電極 242及數(shù)據(jù)線n，其中，數(shù)據(jù)線n傳送相對應(yīng)的畫面信號至各個(gè)次像 素S，且數(shù)據(jù)線n與掃描線m垂直相交，第一電容電極241與掃描線 m實(shí)質(zhì)上平行且對應(yīng)地設(shè)置。
此外，第一金屬層22的掃描線m沿?cái)?shù)據(jù)線n的延伸方向上具有 第一長度Ll，第二金屬層24的第一電容電極241沿?cái)?shù)據(jù)線n的延伸 方向上具有第二長度L2，且第一長度Ll小于第二長度L2設(shè)置。另 外，如圖4所示，第一電容電極241與掃描線m形成第一儲存電容 (storage capacity) Cstl。
請參閱圖4，保護(hù)層25設(shè)置于第二金屬層24上并具有第一開口 251，且保護(hù)層25的材質(zhì)可為氮化硅(SiNx)。在本實(shí)施例中，第一 開口 251位于掃描線m之上。第一像素電極26設(shè)置于保護(hù)層25上， 并通過第一開口 251與第二金屬層24的第一電容電極241電連接。
第二像素電極27設(shè)置于保護(hù)層25上，第二像素電極27相鄰第 一像素電極26設(shè)置，且第二像素電極27與第一像素電極26之間具 有間隔I，而第二金屬層24的第一電容電極241對應(yīng)間隔I設(shè)置。 另外，請同時(shí)參閱圖3與圖4，第二金屬層24的第一電容電極241 與第二像素電極27具有重疊區(qū)域A，而重疊區(qū)域A的最窄距離Dl小 于6um，在本實(shí)施例中，重疊區(qū)域A的最窄距離D1以2um為例。
請參閱圖5，其為沿圖3中C-C剖線的剖面示意圖，第二金屬層 24的第二電容電極242實(shí)質(zhì)平行并對應(yīng)公用線221設(shè)置，且第二電 容電極242與公用線221之間形成第二儲存電容(storage capacity) Cst2。如此一來，薄膜晶體管TFTl經(jīng)由掃描線m+l啟動后即可對第一 儲存電容Cst 1與第二儲存電容Cst2進(jìn)行充電，使得電荷保存于電容中， 以留到下一次畫面更新時(shí)使用。
此外，保護(hù)層25還具有第二開口 252，其位于公用線221之上， 第一像素電極26通過第二開口 252與第二電容電極242電連接。
如圖4與圖5所示，在本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)PS還包含第二基 板28，其設(shè)置于第一像素電極26與該第二像素電極27之上。在本 實(shí)施例中，第二基板28可為玻璃基板，第二基板28面對第一基板 21的表面上依序設(shè)置有彩色濾光層281及對向透明電極層282，且第 二基板28與第一基板21間具有液晶層L。在本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu) PS還包含黑色矩陣層29，設(shè)置于第二基板28上，如圖3所示，黑色 矩陣層29于對應(yīng)第一像素電極26與第二像素電極27分別設(shè)有第一 開口區(qū)域291與第二開口區(qū)域292。在本實(shí)施例中，第一開口區(qū)域291 與第二開口區(qū)域292間具有開口連通區(qū)域293，開口連通區(qū)域293對 應(yīng)于第二金屬層24的第一電容電極241設(shè)置。
由于，第二金屬層24的第一電容電極241對應(yīng)第一像素電極26 與第二像素電極27間的間隔I設(shè)置，于是，第一電容電極241具有 遮擋間隔I處非用于顯示的光線的作用，以取代在公知技術(shù)中黑色矩 陣層121c的角色，使得第二基板28對應(yīng)間隔I的位置不需設(shè)置黑色 矩陣層29，而且，第一電容電極241與第二像素電極27重疊區(qū)域A 的最窄距離Dl可設(shè)置為小于公知黑色矩陣層121c與像素電極122f 的重疊區(qū)域A的最窄距離D，可見確實(shí)可增加像素結(jié)構(gòu)PS的開口率。
換句話說，本實(shí)施例的第一電容電極241具有遮光的功用。由于 第一電極電容241經(jīng)由薄膜晶體管工藝中的光刻、蝕刻等圖案化工藝 所形成，較之一般機(jī)械對位組合第一基板21與第二基板28的工藝更 為精準(zhǔn)，故其與間隔I的對位誤差較之公知利用機(jī)械方法來組合的對 位誤差小了許多，因此為防止對位誤差所設(shè)置重疊區(qū)域A最窄距離 Dl可小于公知的最窄距離D，仍可發(fā)揮遮光功能而避免漏光的情形產(chǎn) 生。
此外，由于本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)PS中同時(shí)具有第一儲存電容CU 與第二儲存電容Cst2，因此，相對于公知技術(shù)中只有一個(gè)位于公用線 221上的儲存電容C"而言，本實(shí)施例可更進(jìn)一步縮小第二儲存電容 Cst2,也就是位于公用線221上的第二電容電極242的重疊面積范圍， 進(jìn)而能減少公用線221的面積范圍。如此一來，具有另一增加像素結(jié) 構(gòu)PS開口率的效果，進(jìn)而更加提升液晶顯示面板2顯示畫面的品質(zhì)。
接著，請參閱圖6，其為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)PS制作 方法的流程圖，以下配合流程圖，說明本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu) PS制作方法。
首先，在步驟S1中，形成第一金屬層22于第一基板21上。其 中，第一基板21可為玻璃基板。另外，二薄膜晶體管TFT1、 TFT2 分別設(shè)置于第一基板21上，且薄膜晶體管TFT1與第一像素電極26 電連接，薄膜晶體管TFT2與第二像素電極276電連接。在本實(shí)施例 中，第一金屬層22具有掃描線m與公用線221，其中，薄膜晶體管 TFT1的柵極連接至掃描線m，而公用線221實(shí)質(zhì)上平行于掃描線m設(shè) 置。另外，第一金屬層22更具有掃描線m+l，薄膜晶體管TFT1的柵 極連接至掃描線m+l。
接著，如圖4與圖5所示，在步驟S2中，形成絕緣層23于第一 金屬層22上。
然后，在步驟S3中，形成第二金屬層24于絕緣層23上。如圖 3所示，在本實(shí)施例中，第二金屬層24具有第一電容電極241(如圖 4所示)、第二電容電極242(如圖5所示)及數(shù)據(jù)線n。其中，數(shù)據(jù)線 n傳送相對應(yīng)的畫面信號至各個(gè)次像素S，且數(shù)據(jù)線n與掃描線m垂
直相交，第一電容電極241與掃描線m實(shí)質(zhì)上平行且對應(yīng)設(shè)置。此外， 第一金屬層22沿?cái)?shù)據(jù)線n的延伸方向上具有第一長度Ll，第二金屬 層24的第一電容電極241沿?cái)?shù)據(jù)線n的延伸方向上具有第二長度L2， 且第一長度Ll小于第二長度L2設(shè)置。另外，如圖4所示第二金屬層 24的第一電容電極241與掃描線m間形成第一儲存電容(storage capacity) Cstl，如圖5所示，第二金屬層24的第二電容電極242與 公用線221之間形成第二儲存電容(storage capacity) Cst2。如此 一來，薄膜晶體管TFT1經(jīng)由掃描線m+1啟動后即可對第一儲存電容 Cstl與第二儲存電容Cst2進(jìn)行充電，使得電荷保存于電容中，以留到 下一次畫面更新時(shí)使用。
在步驟S4中，形成保護(hù)層25于第二金屬層24上，且在保護(hù)層 25形成第一開口251。如圖5所示，本實(shí)施例中，第一開口251位于 掃描線m上。此外，如圖6所示，保護(hù)層25還包含第二開口 252, 第二開口 252位于公用線221之上。
在步驟S5中，形成第一像素電極26與第二像素電極27于保護(hù) 層25上，第一像素電極26通過第一開口 251與第二金屬層24的第 一電容電極241電連接，第二像素電極27與第一像素電極26之間具 有間隔I，第二金屬層24對應(yīng)間隔I設(shè)置。另外，如圖3所示，第 二金屬層24的第一電容電極241與第二像素電極27具有重疊區(qū)域A， 而本實(shí)施例中的第一電極電容241可經(jīng)由薄膜晶體管工藝中的光刻、 蝕刻等圖案化工藝所形成，重疊區(qū)域的最窄距離D1以2"m為例。
在本實(shí)施例中，還包含步驟S6，設(shè)置第二基板28于第一像素電 極26與第二像素電極27之上，本實(shí)施例中，第二基板28可為玻璃 基板，且第一基板21與第二基板28之間具有液晶層L。
于本實(shí)施例中，還包含步驟S7，設(shè)置黑色矩陣層29于第二基板 28上。如圖3所示，黑色矩陣層29在對應(yīng)第一像素電極26與第二 像素電極27分別設(shè)有第一開口區(qū)域291與第二開口區(qū)域292，且第 一開口區(qū)域291與第二開口區(qū)域292間具有開口連通區(qū)域293，開口 連通區(qū)域293對應(yīng)第二金屬層24的第一電容電極241所設(shè)置。
經(jīng)由上述制作方法。由于第二金屬層24的第一電容電極241對
應(yīng)于第一像素電極26與第二像素電極27間的間隔I設(shè)置，而可降低 黑色矩陣層29的設(shè)置范圍，而第二金屬層24的第一電容電極241與 第二像素電極27的重疊區(qū)域A的最窄距離Dl可較小，因此具有提高 開口率的作用。
請參閱圖4，其為本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)PS，包含第一基板21、 第一金屬層22、絕緣層23、第二金屬層24、第一像素電極26及第 二像素電極27。由于，第一基板21、第一金屬層22、絕緣層23、第 二金屬層24、第一像素電極26及第二像素電極27與之前所述的實(shí) 施例的第一基板21、第一金屬層22、絕緣層23、第二金屬層24、第 一像素電極26及第二像素電極27具有相同結(jié)構(gòu)，在此給予相同標(biāo)號 且不再贅述。
承上所述，依本發(fā)明的液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)與像素結(jié)構(gòu)制 作方法，由于第二金屬層的第一電容電極對應(yīng)第一像素電極與第二像 素電極間的間隔設(shè)置，以使第二金屬層中的第一電容電極與第二像素 電極間具有重疊區(qū)域，在本實(shí)施例中，重疊區(qū)域的最窄距離可小于6 Mm,相較常用技術(shù)而言，本發(fā)明的液晶顯示面板、像素結(jié)構(gòu)及像素 結(jié)構(gòu)制作方法確實(shí)增加像素結(jié)構(gòu)的開口率。此外，在本實(shí)施例中，第 二金屬層的第二電容電極與公用線的重疊面積范圍較小，因而減少公 用線設(shè)置范圍，同樣更增加像素結(jié)構(gòu)的開口率，確實(shí)有助于液晶顯示 面板顯示畫面品質(zhì)的提升。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性的。任何未脫離本發(fā)明的精 神與范疇，而對其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于所附的權(quán)利要 求書中。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包含第一基板；第一金屬層，其設(shè)置于所述第一基板上；絕緣層，其設(shè)置于所述第一金屬層上；第二金屬層，其設(shè)置于所述絕緣層上，且所述第二金屬層具有第一電容電極；保護(hù)層，其設(shè)置于所述第二金屬層上，且所述保護(hù)層具有第一開口；第一像素電極，其設(shè)置于所述保護(hù)層上，并通過所述第一開口與所述第二金屬層電連接；以及第二像素電極，其設(shè)置于所述保護(hù)層上，所述第二像素電極與所述第一像素電極相鄰設(shè)置，且所述第二像素電極與所述第一像素電極之間具有間隔，所述第二金屬層對應(yīng)所述間隔設(shè)置，以使所述第一電容電極與所述第二像素電極具有重疊區(qū)域。
2、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述重疊區(qū)域的最窄距 離小于6um。
3、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一金屬層具有掃 描線，所述掃描線與所述第一電容電極實(shí)質(zhì)上平行且對應(yīng)設(shè)置。
4、 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第二金屬層具有數(shù) 據(jù)線，所述掃描線在所述數(shù)據(jù)線延伸方向上具有第一長度，所述第一 電容電極在所述數(shù)據(jù)線延伸方向上具有第二長度，所述第一長度小于 所述第二長度。
5、 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一開口位于所述 掃描線之上，所述第一像素電極通過所述第一開口與所述第一電容電 極電連接。
6、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一金屬層具有公 用線，所述第二金屬層具有第二電容電極，所述第二電容電極實(shí)質(zhì)上 平行并對應(yīng)所述公用線設(shè)置。
7、 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述保護(hù)層具有第二開 口，所述第二開口位于所述公用線上，所述第一像素電極通過所述第 二開口與所述第二電容電極電連接。
8、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包含第二基板，其設(shè)置于所述第一像素電極與所述第二像素電極之 上；以及黑色矩陣層，其設(shè)置于所述第二基板上，所述黑色矩陣層在對應(yīng) 所述第一像素電極與所述第二像素電極分別設(shè)有第一開口區(qū)域與第 二開口區(qū)域。
9、 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一開口區(qū)域與所 述第二開口區(qū)域具有開口連通區(qū)域，所述開口連通區(qū)域?qū)?yīng)所述第一 電容電極設(shè)置。
10、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包含薄膜晶體管，其設(shè)置于所述第一基板上，且與所述第一像素電極 電連接。
11、 一種像素結(jié)構(gòu)制作方法，包含 形成第一金屬層于第一基板上； 形成絕緣層于所述第一金屬層上；形成第二金屬層于所述絕緣層上，且所述第二金屬層具有第一電 容電極； 形成保護(hù)層于所述第二金屬層上且在所述保護(hù)層形成第一開口 ；以及形成第一像素電極與第二像素電極于所述保護(hù)層上，所述第一像 素電極通過所述第一開口與所述第二金屬層電連接，所述第二像素電 極與所述第一像素電極相鄰設(shè)置，且所述第二像素電極與所述第一像 素電極之間具有間隔，所述第二金屬層對應(yīng)所述間隔設(shè)置，所述第一 電容電極與所述第二像素電極具有重疊區(qū)域。
12、 如權(quán)利要求ll所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，其中所述重疊區(qū) 域的最窄距離小于6um。
13、 如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，其中所述第一金 屬層具有掃描線，所述掃描線與所述第一 電容電極實(shí)質(zhì)上平行且對應(yīng) 設(shè)置。
14、 如權(quán)利要求13所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，其中所述第二金 屬層具有數(shù)據(jù)線，所述掃描線在所述數(shù)據(jù)線延伸方向上具有第一長 度，所述第一電容電極在所述數(shù)據(jù)線延伸方向上具有第二長度，所述 第一長度小于所述第二長度。
15、 如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，其中所述第一開 口位于所述掃描線之上，所述第一像素電極通過所述第一開口與所述 第一電容電極電連接。
16、 如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，其中所述第一金 屬層具有公用線，所述第二金屬層具有第二電容電極，所述第二電容 電極實(shí)質(zhì)上平行并對應(yīng)所述公用線設(shè)置。
17、 如權(quán)利要求16所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，其中所述保護(hù)層 具有第二開口，所述第二開口位于所述公用線上，所述第一像素電極 通過所述第二開口與所述第二電容電極電連接。
18、 如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，還包含 設(shè)置第二基板于所述第一像素電極與所述第二像素電極之上；以及設(shè)置黑色矩陣層于所述第二基板上，且所述黑色矩陣層于對應(yīng)所 述第一像素電極與所述第二像素電極分別設(shè)有第一開口區(qū)域與第二 開口區(qū)域。
19、 如權(quán)利要求18所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，其中所述第一開 口區(qū)域與所述第二開口區(qū)域具有開口連通區(qū)域，所述開口連通區(qū)域?qū)?yīng)所述第一電容電極設(shè)置。
20、 如權(quán)利要求ll所述的像素結(jié)構(gòu)制作方法，還包含 形成薄膜晶體管于所述第一基板上且與所述第一像素電極電連接。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)包含第一基板、第一金屬層、絕緣層、第二金屬層、保護(hù)層、第一像素電極及第二像素電極。第一金屬層、絕緣層、第二金屬層及保護(hù)層依序設(shè)置于第一基板上，而第一像素電極與第二像素電極設(shè)置于保護(hù)層上，第二金屬層具有第一電容電極，保護(hù)層具有第一開口，第一像素電極通過第一開口與第二金屬層電連接，第一像素電極與第二像素電極相鄰設(shè)置，且第一像素電極與第二像素電極間具有間隔，第二金屬層對應(yīng)間隔設(shè)置，以使第一電容電極與第二像素電極具有一重疊區(qū)域。本發(fā)明還公開了一種液晶顯示面板與一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
文檔編號G02F1/1362GK101373303SQ200710141720
公開日2009年2月25日 申請日期2007年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月21日
發(fā)明者吳永良, 汪安昌 申請人:奇美電子股份有限公司