300還可以包括依序布置在第一發(fā)光層310上的第 一陰影層340和第二陰影層350 ;布置在空穴傳輸層250與第二發(fā)光層320之間的第三陰 影層360 ;布置在第二發(fā)光層320上的第四陰影層370 ;依序布置在空穴傳輸層250與第三 發(fā)光層330之間的第五陰影層380和第六陰影層390。
[0051] 例如，為了描述方便，可將空穴傳輸區(qū)200分成三個部分?？昭▊鬏攨^(qū)200可以包 括第一發(fā)光層310所位于的第一部分、第二發(fā)光層320所位于的第二部分和第三發(fā)光層330 所位于的第三部分。第一發(fā)光層310,第一陰影層340和第二陰影層350可依序布置在空穴 傳輸區(qū)200的第一部分上。第一陰影層340和第二陰影層350的總厚度可以為約10A或以 下。第三陰影層360、第二發(fā)光層320和第四陰影層370可依序布置在空穴傳輸區(qū)200的第 二部分上。第五陰影層380、第六陰影層390和第三發(fā)光層330可依序布置在空穴傳輸區(qū) 200的第三部分上。第五陰影層和第六陰影層的總厚度可以為約！OA或以下。在兩個陰影 層依序堆疊（例如，第一陰影層和第二陰影層或第五陰影層和第六陰影層）的情況下，當兩 個陰影層的總厚度可以為約10 A或以上時，可降低電流效率并且可增加驅動電壓。因此， 依次堆疊的兩個陰影層的總厚度可以為約10 A或以下。
[0052] 第一陰影層340和第六陰影層390中的每一層可以由大致上與第二發(fā)光層320相 同的材料形成，并且可以具有的厚度相當于第二發(fā)光層320厚度的約1 %。例如，第一陰影 層340和第六陰影層390中的每一層可具有約3. 5至約CS A的厚度。
[0053] 第二陰影層350和第四陰影層370中的每一層可以由大致上與第三發(fā)光層330相 同的材料形成，并且可以具有的厚度相當于第三發(fā)光層330厚度的約1 %。例如，第二陰影 層350和第四陰影層370中的每一層可以具有約1. 5至約2,5 A的厚度。
[0054] 第三陰影層360和第五陰影層380中的每一層可以由大致上與第一發(fā)光層310相 同的材料形成，并且可以具有的厚度相當于第一發(fā)光層310厚度的約1 %。例如，第三陰影 層360和第五陰影層380中的每一層可以具有約1. 5至約2.5 A的厚度。
[0055] 可借助于第一陰影層至第六陰影層（340、350、360、370、380和390)增加發(fā)光裝置 的使用壽命。關于這方面的描述通過下列實驗實施例給出。
[0056] 電子傳輸區(qū)400可布置在發(fā)光結構300上。電子傳輸區(qū)400可以包括，例如空穴 阻擋層、電子傳輸層（ETL)和電子注入層中的至少一個。
[0057] 例如，電子傳輸區(qū)400可以具有多層結構（其中電子傳輸層/電子注入層或空穴 阻擋層/電子傳輸層/電子注入層從發(fā)光結構300依序堆疊），或可以具有單層結構（其中 所述多層中的兩個或更多個層被混合）。
[0058] 電子傳輸區(qū)400可通過使用各種方法來形成，諸如真空沉積法、旋轉涂布法、澆鑄 法、LB法、噴墨印刷法、激光印刷法或LITI法。
[0059] 當電子傳輸區(qū)400包括電子傳輸層時，電子傳輸層可以包括，例如，8-羥基 喹啉鋰（LiQ)、三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)、1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并[d]咪 唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（BCP)、4, 7-二苯 基-1，10-菲咯啉（Bphen)、3-(4-聯(lián)苯基）-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2, 4-三唑（TAZ)、 4-(萘-1-基）-3, 5-二苯基-4H-1，2, 4-三唑（NTAZ)、2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔 丁基苯 基）-1，3, 4-噁二唑（tBu-PBD)、雙（2-甲基-8-羥基喹啉-NI, 08)-(1, 1' -聯(lián)苯基-4-羥 基）鋁（BAlq)、雙（苯并喹啉-10-羥基）合鈹（Bebq2)、9, 10-二（萘-2-基）蒽（ADN)、 或其混合物。電子傳輸層的厚度可以為約100至約1000 A,例如，約150至約500 A。將電 子傳輸層的厚度保持在上述范圍內(nèi)可有助于提供令人滿意的電子傳輸特征而驅動電壓未 顯著增加。
[0060] 當電子傳輸區(qū)400包括電子注入層時，電子注入層可以包括例如，8-羥基喹啉鋰 (LiQ)、Li 20、BaO、NaCl、CsF、或鑭族金屬（Yb)、或鹵化物金屬（例如，RbCl或RbI)。電子 注入層也可以由電子傳輸材料和絕緣有機金屬鹽的混合材料形成。有機金屬鹽可以為具有 約4eV或以上的能量帶隙的材料。例如，有機金屬鹽可以包括乙酸金屬鹽、苯甲酸金屬鹽、 乙酰乙酸金屬鹽、金屬乙酰丙酮化物、或硬脂酸金屬鹽。電子注入層的厚度可以為約1至約 100 A,例如，約3至約90 A.將電子注入層的厚度保持在上述范圍內(nèi)可有助于提供令人滿 意的電子注入特征而驅動電壓未顯著增加。
[0061] 電子傳輸區(qū)400可以包括如上所述的空穴阻擋層。空穴阻擋層可以包括例如， 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（BCP)和4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉（Bphen)中 的至少一個。電子阻擋層的厚度可以為約20至約1,000 A，例如，約30至約300 A。將電子 阻擋層的厚度保持在上述范圍內(nèi)可有助于提供令人滿意的空穴阻擋特征而驅動電壓未顯 著增加。
[0062] 第二電極500可以為共用電極或陰極。第二電極500可以為透射電極、半透反射電 極或反射電極。當?shù)诙姌O500為透射電極時，第二電極500可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/ Al、Al、Mg、Ag或其化合物或混合物（例如，Ag和Mg的混合物）形成。第二電極500可以 包括輔助電極。輔助電極可以包括通過沉積以上述材料面向發(fā)光層的方式形成的膜，和在 所述膜上的透明金屬氧化物例如氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（IZO)、氧化鋅（ZnO)或氧化銦 錫鋅（ITZO)。當?shù)诙姌O500為半透反射電極或反射電極時，第二電極500可以由Ag、Mg、 Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、或其化合物或混合物（例如，Ag 和 Mg的混合物）形成。在實施方式中，第二電極500可以具有包括由上述材料形成的反射膜 或半透反射膜和由例如ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透明導電膜的多層結構。
[0063] 當發(fā)光裝置為頂部發(fā)射型裝置時，第一電極100可以為反射電極，并且第二電極 可以為透射電極或半透反射電極。當發(fā)光裝置為底部發(fā)射型裝置時，第一電極100可以為 透射電極或半透反射電極，并且第二電極500可以為反射電極。
[0064] 為了突顯一個或多個實施方式的特性而提供了下列實驗實施例和對比例，但應理 解的是，實驗實施例和對比例既不應解釋為限制實施方式的范圍，對比例也不應解釋為在 實施方式的范圍之外。此外，應理解的是，實施方式并不限于實驗實施例和對比例中描述的 特定細節(jié)。
[0065] 對比例
[0066] 15 Ω/cm2 (500 A) ITO玻璃基板用作第一電極。ITO玻璃基板被切成約50mm X 50_ X 0.5mm的大小，分別使用異丙醇和純水以超聲方式清洗約10分鐘，用紫外線福射約 10分鐘，暴露于臭氧中，然后清洗。
[0067] 在將基板布置于真空沉積設備中后，在其上形成有第一電極的玻璃基板上，通過 真空沉積使2TNATA沉積至約600 A的厚度，形成空穴注入層210。約590 A的包括NPB的 空穴傳輸材料層（第一空穴傳輸材料層）和約10 A的包含LiQ的電子傳輸材料層通過真空 沉積在空穴注入層210上形成，然后空穴傳輸材料層以通過真空沉積使約100 A的NPB (在 第一發(fā)光層下方的第二空穴傳輸材料層）、約700 A的NPB (在第二發(fā)光層下方的第二空穴 傳輸材料層）和約A的NPB (在第三發(fā)光層下方的第二空穴傳輸材料層）沉積的方式 形成，然后完整地形成空穴傳輸區(qū)。
[0068] 約200 A的第一發(fā)光層通過使螺-DPVBi和（4, 6-F2ppy) 2Irpic真空沉積于空穴 傳輸區(qū)的第一區(qū)上而形成；約200 A的第二發(fā)光層通過使三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)和面 式-三（2-苯基R比啶）銥（Ir (ppy) 3)真空沉積于空穴傳輸區(qū)的第二區(qū)上而形成；約施 的第三發(fā)光層通過使三（二苯甲?；淄?