鉬片3上，F(xiàn)RD (或SBD)芯片22的陽極燒結(jié)在上鉬片2上。FRD (或SBD)芯片22則無需通過引線鍵合方式進(jìn)行柵極互連。
[0036]作為本發(fā)明一種更佳的具體實(shí)施例，在底座5邊緣的臺(tái)階表面或槽內(nèi)進(jìn)一步設(shè)置有密封膠涂層12，以防止注絕緣膠時(shí)，膠水滲透至下鉬片3與銅制的底座5之間的界面，從而影響電氣連接。壓接式半導(dǎo)體模塊還包括管殼23，在管殼23中有絕緣膠灌注層11，絕緣膠灌注層11的上表面低于上鉬片2的上表面。采用在壓接式半導(dǎo)體模塊內(nèi)灌絕緣膠，提高模塊的絕緣性能。
[0037]本發(fā)明上述具體實(shí)施例能夠解決現(xiàn)有壓接式半導(dǎo)體模塊及其制作方法過于復(fù)雜，壓接過程中芯片受到的應(yīng)力大，絕緣性能較差的問題。通過在半導(dǎo)體芯片I的兩面均燒結(jié)鉬片，一方面使半導(dǎo)體芯片I產(chǎn)生的熱量更好地散發(fā)出去，另一方面使半導(dǎo)體芯片I的承壓能力獲得增強(qiáng)，避免壓接過程中半導(dǎo)體芯片I的破損。采用引線鍵合方式將IGBT (或MOSFET)芯片26的柵極互連至PCB 7上，再通過PCB 7內(nèi)部的線路匯集至柵極引出端6，簡化了互連結(jié)構(gòu)，提高了互連可靠性，同時(shí)也提高了組裝效率。
[0038]實(shí)施例2:
如附圖7和附圖8所示，另一種壓接式半導(dǎo)體模塊的具體實(shí)施例，包括:半導(dǎo)體芯片1、上鉬片2、下鉬片3、管蓋4、底座5、柵極引出端6、PCB 7和引線8。上鉬片2設(shè)置在半導(dǎo)體芯片I的上表面，下鉬片3設(shè)置在半導(dǎo)體芯片I的下表面，下鉬片3采用兩個(gè)或三個(gè)以上子鉬片的組合結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體芯片I包括IGBT (或MOSFET)芯片26，IGBT (或MOSFET)芯片26的集電極(漏極)燒結(jié)在下鉬片3上，并作為壓接式半導(dǎo)體模塊的集電極(漏極)，上鉬片2燒結(jié)在IGBT (或MOSFET)芯片26的發(fā)射極(源極)上，并作為壓接式半導(dǎo)體模塊的發(fā)射極(源極)。兩面分別燒結(jié)有上鉬片2和下鉬片3的半導(dǎo)體芯片I通過PCB 7固定在底座5的凸臺(tái)15上，IGBT (或MOSFET)芯片26的柵極13通過引線鍵合方式互連至PCB 7上，并通過PCB 7的內(nèi)部線路匯集至柵極引出端6。燒結(jié)有半導(dǎo)體芯片I的下鉬片3固定在底座5上，管蓋4設(shè)置在上鉬片2的上部。作為本發(fā)明一種典型的具體實(shí)施例，PCB 7通過壓緊配合或絕緣螺絲10緊固的方式安裝在底座5上。
[0039]作為本發(fā)明一種較佳的具體實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片I還進(jìn)一步包括FRD (或SBD)芯片22，F(xiàn)RD (或SBD)芯片22與IGBT (或MOSFET)芯片26反向并聯(lián)。FRD (或SBD)芯片22的陰極燒結(jié)在下鉬片3上，F(xiàn)RD (或SBD)芯片22的陽極燒結(jié)在上鉬片2上。FRD (或SBD)芯片22則無需通過引線鍵合方式進(jìn)行柵極互連。
[0040]作為本發(fā)明一種更佳的具體實(shí)施例，在底座5的凸臺(tái)15邊緣的臺(tái)階表面進(jìn)一步設(shè)置有密封膠涂層12。壓接式半導(dǎo)體模塊還包括管殼23，在管殼23中有絕緣膠灌注層11，絕緣膠灌注層11的上表面低于上鉬片2的上表面。
[0041]實(shí)施例3: 如附圖9所示，一種壓接式半導(dǎo)體模塊的制作方法的具體實(shí)施例，包括以下步驟:
5100:在半導(dǎo)體芯片I的兩面均燒結(jié)有鉬片，即分別在半導(dǎo)體芯片I的上表面、下表面燒結(jié)上鉬片2和下鉬片3，下鉬片3采用大鉬圓片結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體芯片I包括IGBT(或MOSFET)芯片26，將IGBT (或MOSFET)芯片26的集電極(漏極)燒結(jié)在下鉬片3上，并作為壓接式半導(dǎo)體模塊的集電極(漏極)，將上鉬片2燒結(jié)在IGBT (或MOSFET)芯片26的發(fā)射極(源極)上，并作為壓接式半導(dǎo)體模塊的發(fā)射極(源極);
5101:將PCB 7安裝在燒結(jié)有半導(dǎo)體芯片I的下鉬片3上；作為本發(fā)明一種典型的具體實(shí)施例，PCB 7進(jìn)一步通過壓緊配合或絕緣螺絲10緊固的方式安裝在燒結(jié)有半導(dǎo)體芯片I的下鉬片3上；
5102:通過引線鍵合方式將IGBT (或MOSFET)芯片26的柵極互連至PCB 7上，并通過PCB 7的內(nèi)部線路匯集至柵極引出端6，以便于與外部控制電路的連接；
5103:在底座5邊緣的臺(tái)階表面或槽內(nèi)涂覆密封膠，將燒結(jié)有半導(dǎo)體芯片I的下鉬片3固定在底座5上，并固化密封膠，以防止灌注絕緣膠時(shí)，膠水滲透至下鉬片3與底座5之間的界面，從而影響電氣連接；
5104:安裝壓接式半導(dǎo)體模塊的管殼23(圖中省略了該部分)，并在管殼23中注入絕緣膠并固化，絕緣膠的液面低于上鉬片2的上表面，防止其影響管蓋4的電極與上鉬片2的接觸；
5105:在上鉬片2的上部安裝管蓋4。
[0042]作為本發(fā)明一種較佳的具體實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片I進(jìn)一步包括FRD (或SBD)芯片22，F(xiàn)RD (或SBD)芯片22與IGBT (或MOSFET)芯片26反向并聯(lián)。步驟S100進(jìn)一步包括:將FRD (或SBD)芯片22的陰極燒結(jié)在下鉬片3上，將FRD (或SBD)芯片22的陽極燒結(jié)在上鉬片2上。
[0043]實(shí)施例4:
如附圖10所示，另一種壓接式半導(dǎo)體模塊的制作方法的具體實(shí)施例，包括以下步驟:
5200:在半導(dǎo)體芯片I的兩面均燒結(jié)有鉬片，即分別在半導(dǎo)體芯片I的上表面、下表面燒結(jié)上鉬片2和下鉬片3，下鉬片3采用兩個(gè)或三個(gè)以上子鉬片的組合結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體芯片1、上鉬片2和下鉬片3組成子模組17，壓接式半導(dǎo)體模塊包括兩個(gè)或三個(gè)以上的子模組17 ;半導(dǎo)體芯片I包括IGBT (或MOSFET)芯片26，將IGBT (或MOSFET)芯片26的集電極(漏極)燒結(jié)在下鉬片3上，并作為壓接式半導(dǎo)體模塊的集電極(漏極);將上鉬片2燒結(jié)在IGBT (或MOSFET)芯片26的發(fā)射極(源極)上，并作為壓接式半導(dǎo)體模塊的發(fā)射極(源極)；
5201:將PCB 7安裝在底座5上；作為本發(fā)明一種典型的具體實(shí)施例，PCB 7進(jìn)一步通過壓緊配合或絕緣螺絲10緊固的方式安裝在底座5上；
5202:在底座5的凸臺(tái)15邊緣的臺(tái)階上涂密封膠，將兩面分別燒結(jié)有上鉬片2和下鉬片3的半導(dǎo)體芯片I通過PCB 7固定在底座5的凸臺(tái)15上，并固化密封膠，從而使得包括半導(dǎo)體芯片1、上鉬片2和下鉬片3在內(nèi)的子模組17牢固地粘結(jié)在底座5的凸臺(tái)15上，可避免在灌注絕緣膠時(shí)，膠水滲透至下鉬片3與銅制底座5之間的接觸界面，進(jìn)而影響其接觸；
5203:通過引線鍵合方式將IGBT (或MOSFET)芯片26的柵極互連至PCB 7上，并通過PCB 7的內(nèi)部線路匯集至柵極引出端6，以便于與外部控制電路的連接；
5204:安裝壓接式半導(dǎo)體模塊的管殼23(圖中省略了該部分)，并在管殼23中注入絕緣膠并固化，絕緣膠的液面低于上鉬片2的上表面，防止其影響管蓋4的電極與上鉬片2的接觸；
S205:在上鉬片2的上部安裝管蓋4。
[0044]作為本發(fā)明一種較佳的具體實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片I進(jìn)一步包括FRD (或SBD)芯片22，F(xiàn)RD (或SBD)芯片22與IGBT (或MOSFET)芯片26反向并聯(lián)。步驟S200進(jìn)一步包括:將FRD (或SBD)芯片22的陰極燒結(jié)在下鉬片3上，將FRD (或SBD)芯片22的陽極燒結(jié)在上鉬片2上。
[0045]通過實(shí)施本發(fā)明具體實(shí)施例描述的壓接式半導(dǎo)體模塊及其制作方法，能夠達(dá)到以下技術(shù)效果:
(I)本發(fā)明具體實(shí)施例描述的壓接式半導(dǎo)體模塊及其制作方法拋棄了現(xiàn)有的壓接式半導(dǎo)體模塊采用直接壓接鉬片和半導(dǎo)體芯片的方式，而是采用在半導(dǎo)體芯片的兩面均燒結(jié)有鉬片，極大地簡化了組裝工藝，增強(qiáng)了半導(dǎo)體芯片的承壓能力，可以有效避免半導(dǎo)體芯片在壓接過程產(chǎn)生的破損，能夠極大地提高組裝效率，并可避免組裝過程產(chǎn)生的半導(dǎo)體芯片破損。
[0046](2)本發(fā)明具體實(shí)施例描述的壓接式半導(dǎo)體模塊及其制作方法拋棄了現(xiàn)有的壓接式半導(dǎo)體模塊采用彈簧針引出IGBT (或MOSFET)芯片柵極的方式，采用引線鍵合方式將IGBT (或MOSFET)芯片的柵極互連至PCB上，再通過PCB的內(nèi)部線路匯集至柵極引出端，以便于與外部控制電路的連接，這種方案簡化了結(jié)構(gòu)，提高了互連的可靠性，同時(shí)也提高了組裝效率。
[0047](3)本發(fā)明具體實(shí)施例描述的壓接式半導(dǎo)體模塊及其制作方法拋棄了現(xiàn)有的平板型器件采用充氮方式來實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)部絕緣性能的方式，采用在IGBT模塊內(nèi)部注絕緣膠的方案，該方案可以極大地提高IGBT模塊的絕緣性能，以滿足更高電壓等級平板型器件的需求。
[0048]本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。
[0049]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施