立基板只要是晶體取向在某種程度上對齊法線或接近法線 的方向的結構即可，沒有必要一定嚴格定義為柱狀結構。認為成為柱狀結構的原因是因為， 如上所述，氮化鎵單晶粒子的生長受到了制造氮化鎵自立基板時使用的取向多晶燒結體的 晶體取向的影響。因此，認為也可以稱之為柱狀結構的氮化鎵單晶粒子的截面的平均粒徑 (以下稱為截面平均直徑)不僅取決于成膜條件，還取決于取向多晶燒結體的板表面的平均 粒徑。將氮化鎵自立基板用作發(fā)光元件的發(fā)光功能層中的一部分的情況下，因存在晶界而 導致截面方向的光的透過率差，光發(fā)生散射甚至反射。因此，在法線方向透出光的結構的發(fā) 光元件的情況下，還可以期待通過來自晶界的散射光提高亮度的效果。
[0145] 如上所述，使用本發(fā)明的氮化鎵自立基板制成縱型LED結構的情況下，優(yōu)選要形成 發(fā)光功能層的自立基板表面與要形成電極的自立基板背面不夾隔晶界地連通。即，在氮化 鎵自立基板的表面露出的氮化鎵系單晶粒子優(yōu)選不夾隔晶界地連通到氮化鎵自立基板的 背面。如果存在晶界，則因為在通電時產生電阻而成為發(fā)光效率降低的主要原因。
[0146] 但是，利用介由氣相、液相的外延生長，使氮化鎵結晶生長的情況下，雖然也取決 于成膜條件，但是不僅在法線方向生長，也在水平方向生長。此時，若作為生長起點的粒子、 在其上制作的晶種的品質不均，則各個氮化鎵結晶的生長速度各異，如例如圖5中概念性地 表示的那樣，有時以高速生長的粒子覆蓋生長速度慢的粒子的方式進行生長。在進行這樣 的生長行為的情況下，基板表面?zhèn)鹊牧Ｗ尤菀拙哂写笥诨灞趁鎮(zhèn)鹊牧Ｗ拥牧健＿@種情 況下，生長慢的結晶在中途停止生長，如果在某一截面觀察，則在法線方向也能夠觀測到晶 界。但是，在基板表面露出的粒子不夾隔晶界地與基板背面連通，對于電流流通不存在電阻 相。換言之，將氮化鎵結晶成膜后，在基板表面?zhèn)龋ㄖ圃鞎r與作為基底基板的取向多晶燒結 體相接的一側的相反側)露出的粒子中，不夾隔晶界地與背面連通的粒子處于支配地位，所 以從提高縱型結構的LED的發(fā)光效率的觀點考慮，優(yōu)選在基板表面?zhèn)戎谱靼l(fā)光功能層。另一 方面，因為在基板背面?zhèn)?制造時與作為基底基板的取向多晶燒結體相接的一側)還并存有 沒有與基板表面?zhèn)冗B通的粒子(例如參見圖5)，所以如果在基板背面?zhèn)戎谱靼l(fā)光功能層，則 發(fā)光效率有可能降低。另外，如上所述進行這樣的生長行為的情況下，隨著生長而粒徑增 大，所以氮化鎵自立基板的表面背面中，可以將氮化鎵結晶粒徑大者稱為基板表面?zhèn)?、將?化鎵結晶粒徑小者稱為基板背面?zhèn)?。即，在氮化鎵自立基板中，從提高縱型結構的LED的發(fā) 光效率的觀點考慮，優(yōu)選在氮化鎵結晶粒徑大的一側(基板表面?zhèn)龋┲谱靼l(fā)光功能層。應予 說明，基底基板使用以c面等取向的取向多晶氧化鋁燒結體的情況下，基板表面?zhèn)龋ㄖ圃鞎r 與作為基底基板的取向多晶氧化鋁燒結體相接的一側的相反側)為鎵面，基板背面?zhèn)?制造 時與作為基底基板的取向多晶氧化鋁燒結體相接的一側)為氮面。即，氮化鎵自立基板的鎵 面中，不夾隔晶界地與背面連通的粒子處于支配地位。因此，從提高縱型結構的LED的發(fā)光 效率的觀點考慮，優(yōu)選在鎵面?zhèn)?基板表面?zhèn)?制作發(fā)光功能層。
[0147] 因此，在進行基板表面?zhèn)鹊牧Ｗ拥牧奖然灞趁鎮(zhèn)鹊牧Ｗ哟筮@樣的生長行為的 情況下，即在基板表面露出的氮化鎵系單晶粒子的截面平均直徑比在基板背面露出的氮化 鎵系單晶粒子的截面平均直徑大時，發(fā)光效率提高，故而優(yōu)選(也可以說優(yōu)選在基板表面露 出的氮化鎵系單晶粒子的個數(shù)比在基板背面露出的氮化鎵系單晶粒子的個數(shù)少）。具體而 言，在氮化鎵自立基板的表面露出的氮化鎵系單晶粒子在最外表面的截面平均直徑（以下 稱為基板表面的截面平均直徑Dt)與在氮化鎵自立基板的背面露出的氮化鎵系單晶粒子在 最外表面的截面平均直徑（以下稱為基板背面的截面平均直徑Db)之比Dt/Db優(yōu)選大于1.0， 更優(yōu)選為1.5以上，進一步優(yōu)選為2.0以上，特別優(yōu)選為3.0以上，最優(yōu)選為5.0以上。但是，如 果上述比Dt/Db過高，則有時發(fā)光效率反而降低，所以優(yōu)選為20以下，更優(yōu)選為10以下。發(fā)光 效率發(fā)生變化的原因尚未闡明，認為是因為如果上述比Dt/Db高，則通過大粒徑化減少了對 發(fā)光無益的晶界面積，或者通過大粒徑化減少了結晶缺陷。結晶缺陷減少的原因也尚未闡 明，認為可能是因為包含缺陷的粒子生長慢，缺陷少的粒子高速生長。另一方面，如果上述 比Dt/Db過高，則基板表面和基板背面間連通的粒子（即在基板表面?zhèn)嚷冻龅牧Ｗ?在基板背 面?zhèn)雀浇孛嬷睆阶冃?。認為這會導致無法獲得充分的電流通道，使得發(fā)光效率降低，但是 詳情尚未闡明。
[0148] 但是，因為構成氮化鎵自立基板的柱狀結構彼此的界面的結晶性降低，所以用作 發(fā)光元件的發(fā)光功能層的情況下，發(fā)光效率降低，發(fā)光波長變化，發(fā)光波長可能變寬。因此， 柱狀結構的截面平均直徑大比較理想。優(yōu)選半導體單晶粒子在氮化鎵自立基板最外表面的 截面平均直徑為0.3μηι以上，更優(yōu)選為3μηι以上，進一步優(yōu)選為20μηι以上，特別優(yōu)選為50μηι以 上，最優(yōu)選為70μπι以上。半導體單晶粒子在氮化鎵自立基板最外表面的截面平均直徑的上 限沒有特別限定，但ΙΟΟΟμπι以下比較實際，更實際的是500μπι以下，更為實際的是200μπι以 下。另外，為了制作具有這樣的截面平均直徑的半導體單晶粒子，使構成制作氮化鎵自立基 板時使用的取向多晶燒結體的粒子在板表面的燒結粒徑為〇. 3μπι~ΙΟΟΟμπι較為理想，更理 想的是3μπ?~1 ΟΟΟμL?，更為理想的是1 Ομπ?~200μπ?，特別理想的是14μπ?~200μπ??；蛘?，欲使半 導體單晶粒子在氮化鎵自立基板最外表面的截面平均直徑大于自立基板背面的截面平均 直徑的情況下，優(yōu)選使構成取向多晶燒結體的粒子在板表面的燒結粒徑為ΙΟμπι~100μπι，更 優(yōu)選為14μηι~70μηι。
[0149] 構成氮化鎵自立基板的氮化鎵系單晶粒子也可以不含有摻雜物。此處，"不含有摻 雜物"是指不含有為了賦予某種功能或特性而添加的元素，當然可以含有不可避免的雜質。 或者，構成氮化鎵自立基板的氮化鎵系單晶粒子可以摻雜η型摻雜物或ρ型摻雜物，這種情 況下，可以將氮化鎵自立基板用作Ρ型電極、η型電極、ρ型層、η型層等基材以外的部件或層。 作為Ρ型摻雜物的優(yōu)選例，可以舉出從由鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋅(Ζη)和鎘(Cd) 構成的組中選出的1種以上。作為η型摻雜物的優(yōu)選例，可以舉出從由硅（Si)、鍺(Ge)、錫 (Sn)和氧(0)構成的組中選出的1種以上。
[0150] 為了控制帶隙，可以將構成氮化鎵自立基板的氮化鎵系單晶粒子混晶化。優(yōu)選的 是，氮化鎵單晶粒子可以包含與從由A1N和InN構成的組中選出的1種以上結晶混晶化的氮 化鎵，P型氮化鎵和/或η型氮化鎵單晶粒子可以在該混晶化的氮化鎵中摻雜ρ型摻雜物或η 型摻雜物。例如，可以通過在作為氮化鎵和Α1Ν的混晶的AlxGanN中摻雜Mg而用作ρ型基板， 通過在Al xGanN中摻雜Si而用作η型基板。將自立基板用作發(fā)光元件的發(fā)光功能層的情況 下，通過將氮化鎵與Α1Ν混晶化，能夠使帶隙變寬，發(fā)光波長移向高能量側。另外，也可以將 氮化鎵與InN制成混晶，由此能夠使帶隙變窄，發(fā)光波長移向低能量側。
[0151] 氮化鎵自立基板的尺寸優(yōu)選為直徑50.8mm(2英寸）以上，更優(yōu)選為直徑100mm(4英 寸）以上，進一步優(yōu)選為直徑200mm(8英寸）以上。因為氮化鎵自立基板越大，能夠制作的元 件個數(shù)越多，所以從制造成本的觀點考慮是優(yōu)選的，從用作面發(fā)光元件的觀點考慮，因為元 件面積的自由度增加，用途擴展至面發(fā)光照明等，所以也是優(yōu)選的，對其面積、尺寸不應規(guī) 定上限。應予說明，氮化鎵自立基板在俯視觀察時優(yōu)選為圓形或者實質上為圓形，但是并不 限定于此。在不是圓形或者不是實質上為圓形的情況下，作為面積，優(yōu)選為2026mm 2以上，更 優(yōu)選為7850mm2以上，進一步優(yōu)選為31400mm2以上。但是，對于不需要大面積的用途，也可以 為比上述范圍小的面積，例如可以是直徑50.8mm(2英寸）以下，按面積換算為2026mm2以下。 氮化鎵自立基板的厚度必須能夠賦予基板自立性，優(yōu)選為20μηι以上，更優(yōu)選為100μπι以上， 進一步優(yōu)選為300μπι以上。氮化鎵自立基板的厚度不應限定上限，從制造成本的觀點考慮， 3000μπι以下比較實際。
[0152] 規(guī)定為氮化鎵自立基板的厚度Τ與在氮化鎵自立基板的表面露出的氮化鎵系單晶 粒子在最外表面的截面平均直徑Dt之比的縱橫尺寸比T/Dt優(yōu)選為0.7以上，更優(yōu)選為1.0以 上，進一步優(yōu)選為3.0以上。在制成LED的情況下，從提高發(fā)光效率的觀點考慮優(yōu)選該縱橫尺 寸比。作為發(fā)光效率提高的原因，認為是對于縱橫尺寸比高的粒子，氮化鎵中的缺陷密度 低，光的導出效率提高等，但是其詳情尚未闡明。
[0153] 如上所述，從提高發(fā)光效率的觀點考慮，優(yōu)選：（1)在自立基板表面?zhèn)?制造時與作 為基底基板的取向多晶燒結體相接一側的相反側)制作發(fā)光功能層，（2)使基板表面的截面 平均直徑D T與自立基板背面的截面平均直徑Db之比Dt/Db為適當?shù)闹?，?)構成自立基板的 粒子在基板最外表面的截面平均直徑大，（4)構成自立基板的粒子的縱橫尺寸比T/Dt大。從 上述(3)和(4)的觀點考慮，優(yōu)選截面平均直徑大且縱橫尺寸比大，換言之，優(yōu)選基板表面?zhèn)?的截面平均直徑大且厚的氮化鎵結晶。另外，從自立化的觀點考慮，優(yōu)選氮化鎵自立基板的 厚度為20μηι以上，更優(yōu)選為100μπι以上，進一步優(yōu)選為300μηι以上。但是，如上所述，如果氮化 鎵結晶的厚度增加，則從成本的觀點考慮并不優(yōu)選，在能夠自立的前提下優(yōu)選較薄。即，作 為氮化鎵自立基板的厚度，3000μηι以下比較實際，優(yōu)選為600μηι以下，更優(yōu)選為300μηι以下。 因此，從同時實現(xiàn)使其自立化且提高發(fā)光效率的觀點和成本的觀點考慮，厚度優(yōu)選為50~ 500μηι的程度，更優(yōu)選為50~300μηι的程度。
[0154] 制造方法
[0155] 本發(fā)明的氮化鎵自立基板可以如下制造：（1)準備取向多晶燒結體，（2)在取向多 晶燒結體上，形成包含氮化鎵的晶種層，形成的晶種層的晶體取向與取向多晶燒結體的晶 體取向基本一致，（3)在晶種層上形成厚度20μπι以上的、由氮化鎵系結晶構成的層，形成的 由氮化鎵系結晶構成的層的晶體取向與晶種層的晶體取向基本一致，（4)除去取向多晶燒 結體，得到氮化鎵自立基板。
[0156] (1)取向多晶燒結體
[0157] 作為用于制作氮化鎵自立基板的基底基板，準備取向多晶燒結體。取向多晶燒結 體的組成沒有特別限定，優(yōu)選從取向多晶氧化鋁燒結體、取向多晶氧化鋅燒結體、取向多晶 氮化鋁燒結體中選出的1種。取向多晶燒結體可以使用能夠商業(yè)購買的板狀粉末經成型和 燒成而有效率地制造，所以不僅能夠低成本地制造，而且容易成型，故而也適合大面積化。 根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人的理解，將取向多晶燒結體用作基底基板，使多個半導體單晶粒子在 其上生長，由此能夠制造適合低成本地制造大面積發(fā)光元件的氮化鎵自立基板。結果，氮化 鎵自立基板也極適合低成本地制造大面積的發(fā)光元件。
[0158] 取向多晶燒結體由包含大量單晶粒子而構成的燒結體形成，大量的單晶粒子在一 定方向以某種程度取向或高度取向。通過使用像這樣地取向的多晶燒結體，能夠制作晶體 取向基本對齊大致法線方向的氮化鎵自立基板，通過外延生長或類似的結晶生長在氮化鎵 自立基板上形成氮化鎵系材料的情況下，實現(xiàn)晶體取向基本對齊大致法線方向的狀態(tài)。因 此，如果將這樣的取向性高的氮化鎵自立基板用作發(fā)光元件用基板，則能夠同樣地將發(fā)光 功能層形成為晶體取向基本對齊大致法線方向的狀態(tài)，并能夠實現(xiàn)與使用單晶基板時相同 的高發(fā)光效率?；蛘?，在將該取向性高的氮化鎵自立基板用作發(fā)光元件的發(fā)光功能層的情 況下，也能夠實現(xiàn)與使用單晶基板時相同的高發(fā)光效率。為了制作這樣的取向性高的氮化 鎵自立基板，均必須將取向多晶燒結體用作基底基板。取向多晶燒結體優(yōu)選具有透光性，但 并不限定于此。具有透光性的情況下，在除去取向多晶板之際，可以使用激光剝離等方法。 作為得到取向多晶燒結體的制造方法，除了使用大氣爐、氮氣氣氛爐、氫氣氣氛爐等的常用 常壓燒結法，還可以使用熱等靜壓法(HIP )、熱壓法(HP )、放電等離子燒結(SPS)等加壓燒結 法、以及上述方法的組合。
[0159] 取向多晶燒結體的尺寸優(yōu)選為直徑50.8mm(2英寸）以上，更優(yōu)選為直徑100mm(4英 寸）以上，進一步優(yōu)選為直徑200mm(8英寸）以上。取向多晶燒結體越大，能夠制作的氮化鎵 自立基板的面積越增加，能夠由此制作的發(fā)光元件的個數(shù)越增加，所以從制造成本的觀點 考慮是優(yōu)選的。另外，從用作面發(fā)光元件的觀點考慮，元件面積的自由度增加，用途擴展至 面發(fā)光照明等，從這一點考慮也是優(yōu)選的，對其面積或尺寸不應限定上限。應予說明，氮化 鎵自立基板在俯視觀察時優(yōu)選為圓形或者實質上為圓形，但是并不限定于此。在不是圓形 或者不是實質上為圓形的情況下，作為面積，優(yōu)選為2026mm 2以上，更優(yōu)選為7850mm2以上，進 一步優(yōu)選為31400mm2以上。但是，對于不需要大面積的用途，也可以為比上述范圍小的面 積，例如可以是直徑50.8mm(2英寸）以下，按面積換算為2026mm 2以下。取向多晶燒結體的厚 度只要能夠自立即可，沒有特別限定，如果過厚，從制造成本的觀點考慮是不優(yōu)選的。因此， 優(yōu)選為20μηι以上，更優(yōu)選為100μπι以上，進一步優(yōu)選為100~ΙΟΟΟμηι。另一方面，將氮化鎵成 膜時，在因氧化鋁和氮化鎵的熱膨脹差而產生的應力作用下，基板整體發(fā)生翹曲，有時會影 響后續(xù)工序。應力根據(jù)氮化鎵的成膜方法、成膜條件、取向多晶燒結體的材質、膜厚、基板徑 等而變化，作為抑制應力導致的翹曲的方法之一，可以使用厚的取向多晶燒結體作為基底 基板。例如作為基底的取向多晶燒結體使用取向多晶氧化鋁燒結體，制作直徑50.8mm(2英 寸）、厚度300μηι的氮化鎵自立基板時，可以使取向多晶氧化鋁燒結體的厚度為900μηι以上， 也可以為1300μπι以上或者2000μπι以上。只要像這樣地從制造成本的觀點和抑制翹曲的觀點 等出發(fā)，適當選定取向多晶燒結體的厚度即可。
[0160] 構成取向多晶燒結體的粒子在板表面的平均粒徑優(yōu)選為0.3~ΙΟΟΟμπι，更優(yōu)選為3 ~ΙΟΟΟμηι，進一步優(yōu)選為ΙΟμπι~200μηι，特別優(yōu)選為14μηι~200μηι?；蛘撸缟纤觯紤]使半 導體單晶粒子在氮化鎵自立基板最外表面的截面平均直徑大于自立基板的背面的截面平 均直徑的情況下，優(yōu)選使構成取向多晶燒結體的粒子在板表面的燒結粒徑為ΙΟμπι~100μπι， 更優(yōu)選為14μπι~70μπι。取向多晶燒結體整體的平均粒徑與板表面的平均粒徑相關，如果在 上述范圍內，則燒結體的機械強度優(yōu)異，容易操作。另外，在使用取向多晶燒結體制作的氮 化鎵自立基板的上部和/或內部形成發(fā)光功能層而制作發(fā)光元件的情況下，發(fā)光功能層的 發(fā)光效率也優(yōu)異。應予說明，本發(fā)明的燒結體粒子在板表面的平均粒徑是通過以下方法測 定的。即，對板狀燒結體的板表面進行研磨，通過掃描電子顯微鏡拍攝圖像。如下確定視野 范圍，即，在得到的圖像的對角線畫直線時，任一直線均穿過10個~30個粒子，以能夠畫出 上述直線的范圍為視野范圍。在得到的圖像的對角線畫2條直線，對于直線穿過的全部粒 子，求出各粒子內側的線段長度的平均值，該平均值乘以1.5得到的值為板表面的平均粒 徑。應予說明，在板表面的掃描顯微鏡像中無法明確判別出燒結體粒子的界面的情況下，可 以在通過熱蝕刻(例如1550Γ下45分鐘）、化學蝕刻，實施使界面變得顯著的處理后，進行上 述評價。
[0161] 作為特別優(yōu)選的取向多晶燒結體，可以舉出取向多晶氧化鋁燒結體。氧化鋁是三 氧化二鋁(Al2〇3)，典型的是具有與單晶藍寶石相同的剛玉型結構的α-氧化鋁，取向多晶氧 化鋁燒結體是無數(shù)氧化鋁結晶粒子以取向后的狀態(tài)經燒結而彼此結合得到的固體。氧化鋁 結晶粒子是含有氧化鋁而構成的粒子，可以包含摻雜物和不可避免的雜質作為其他元素， 也可以是包含氧化鋁和不可避免的雜質的粒子。取向多晶氧化鋁燒結體可以作為晶界相含 有作為燒結助劑的添加物。另外，取向多晶氧化鋁燒結體除了氧化鋁結晶粒子以外，還可以 含有其他相或上述其他元素，優(yōu)選包含氧化鋁結晶粒子和不可避免的雜質。另外，取向多晶 氧化鋁燒結體的取向面沒有特別限定，可以為c面、a面、r面或m面等。
[0162] 取向多晶氧化鋁燒結體的晶體取向沒有特別限定，可以為c面、a面、r面或m面等， 從晶格常數(shù)與氮化鎵自立基板匹配的觀點來看優(yōu)選以c面取向。對于取向度，例如在板表面 的取向度優(yōu)選為50%以上，更優(yōu)選為65 %以上，進一步優(yōu)選為75%以上，特別優(yōu)選為85%， 更特別優(yōu)選為90%以上，最優(yōu)選為95%以上。該取向度是如下得到的：使用XRD裝置(例如株 式會社理學制、RINT - TTR III)，測定對板狀氧化鋁的板表面照射X射線時的XRD圖譜，由下 式算出取向度。
[0163]
[0164]
[0165]
[0166] (I〇(hkl)，Is(hkl)分別表示ICDD No.461212以及試樣的（hkl)面的衍射強度的積 分值（2Θ = 20 ~70°))
[0167] 應予說明，氮化鎵自立基板的構成粒子的結晶性有提高的趨勢，能夠將位錯等缺 陷的密度抑制在較低水平。因此，認為在發(fā)光器件等某些用途方面，相比氮化鎵單晶基板， 更優(yōu)選使用氮化鎵自立基板。例如通過外延生長，在氮化鎵自立基板上制作功能層的情況 下，功能層與作為基底的氮化鎵自立基板基本一致地生長，成為柱狀結構的集合體。因為外 延生長時會繼承基底的結晶品質，所以構成功能層的柱狀結構的各疇單位能夠得到高結晶 品質。構成氮化鎵自立基板的結晶粒子的缺陷密度低的理由尚未闡明，推測是因為在氮化 鎵自立基板的制作初期出現(xiàn)的晶格缺陷中，偏向水平方向發(fā)展者隨著生長而被晶界吸收， 并消失。
[0168] 從降低氮化鎵自立基板中所包含的位錯等缺陷的密度的觀點來看，更優(yōu)選在制作 氮化鎵自立基板時，將構成作為基底基板的取向多晶燒結體的最外表面的粒子中的一部分 或全部配置成自一定方位(例如c面、a面等基準方位)隨機傾斜若干角度。傾斜的粒子可以 是其中的大致全部或一定量以大體一定的角度傾斜，或者以在一定范圍內（優(yōu)選為〇.〇1~ 20°)具有分布的各種角度及/或向各種方向傾斜。另外，傾斜的粒子與沒有傾斜的粒子可以 以所希望的比率混存。或者，也可以相對于基準面傾斜地研磨取向多晶氧化鋁燒結體的板 表面，使粒子的露出面向一定方向傾斜，還可以通過加工成波浪形狀等，使最外表面的粒子 的自基準方位略有傾斜的面露出。上述任一情況下，均優(yōu)選將構成以C面、a面等基準方位取 向的取向多晶氧化鋁燒結體的最外表面的氧化鋁單晶粒子中的一部分或全部傾斜配置成 它們的基準方位自基板法線方向在〇. 5~20°的范圍內發(fā)生偏離。
[0169]取向多晶氧化鋁燒結體可以通過將板狀氧化鋁粉末用作原料，進行成型和燒結來 制造。板狀氧化鋁粉末在市面上有售，可通過商業(yè)途徑購買。板狀氧化鋁粉末的種類和形狀 只要能夠得到致密的取向多晶氧化鋁燒結體即可，沒有特別限定，可以使平均粒徑為0.4~ 15μηι、厚度為0.05~Ιμπι，也可以將在該范圍內的平均粒徑不同的2種以上原料混合。優(yōu)選通 過使用剪切力的手法使板狀氧化鋁粉末取向，制成取向成型體。作為使用剪切力的手法的 優(yōu)選例，可以舉出帶成型、擠壓成型、刮刀法以及這些方法的任意組合。使用剪切力的取向 手法優(yōu)選如下進行:在以上列舉的任一手法中，在板狀氧化鋁粉末中適當加入粘合劑、增塑 劑、分散劑、分散介質等添加物，進行漿料化，使該漿料通過狹縫狀的狹窄的噴出口，從而在 基板上噴出并成型為片材狀。噴出口的狹縫寬度優(yōu)選為1 〇~400μηι。應予說明，分散介質的 量優(yōu)選為使?jié){料粘度為5000~lOOOOOcP、更優(yōu)選為20000~60000cP的量。成型為片材狀的 取向成型體的厚度優(yōu)選為5~500μπι，更優(yōu)選為10~200μπι。優(yōu)選將該成型為片材狀的取向成 型體多張層疊，制成具有所希望的厚度的層疊前體，對該層疊前體實施加壓成型。該加壓成 型優(yōu)選如下進行:將層疊前體用真空包裝等包裝，在50~95°C的溫水中以10~2000kgf/cm 2 的壓力實施靜水壓加壓。另外，也可以通過輥加壓法(例如加熱輥加壓、壓延輥等)對成型為 片材狀的取向成型體或者層疊前體實施處理。另外，在利用擠壓成型的情況下，