，利用所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力參數(shù)繪制所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力曲線，并通過(guò)顯示裝置顯示可以更加直觀的獲取參加解像力檢測(cè)的攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力變化，直觀的了解該攝像模組的解像力性會(huì)K。
[0086]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本申請(qǐng)的一個(gè)具體實(shí)施例提供了一種攝像模組解像力測(cè)試的條件，包括:
[0087]將所述攝像模組鏡頭與所述增距鏡A200之間的距離調(diào)節(jié)為2cm;
[0088]將所述增距鏡A200與所述靶紙A300之間的距離調(diào)節(jié)為30cm;
[0089]利用所述溫濕度控制箱AlOO在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將其內(nèi)部的溫度由-40°C-95°C循環(huán)漸變，將其內(nèi)部的濕度控制為O %。
[0090]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請(qǐng)的另一個(gè)具體實(shí)施例中，所述攝像模組解像力測(cè)試的條件，包括:
[0091 ]將所述攝像模組鏡頭與所述增距鏡A200之間的距離調(diào)節(jié)為2cm;
[0092]將所述增距鏡A200與所述靶紙A300之間的距離調(diào)節(jié)為30cm;
[0093]利用所述溫濕度控制箱AlOO在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將其內(nèi)部的溫度由-40 °C _105 V循環(huán)漸變，將其內(nèi)部的濕度控制為80 %。
[0094]本申請(qǐng)對(duì)所述攝像模組解像力測(cè)試的具體條件并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0095]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)時(shí)間的取值范圍為150h_350h，包括端點(diǎn)值。
[0096]需要說(shuō)明的是，在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)時(shí)間的取值為200h;在本申請(qǐng)的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)時(shí)間的取值為280h。本申請(qǐng)對(duì)所述預(yù)設(shè)時(shí)間的具體取值和取值范圍并不做限定，具體視所述攝像模組解像力的檢測(cè)需求而定。
[0097]還需要說(shuō)明的是，以預(yù)設(shè)時(shí)間為280h為例，本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例提供了一種利用所述溫濕度控制箱AlOO在280h的時(shí)間內(nèi)將其內(nèi)部的溫度由-40 0C -85 V循環(huán)漸變的過(guò)程:首先將所述溫濕度控制箱AlOO內(nèi)部的溫度控制為-40°C并開(kāi)始計(jì)時(shí)，然后每過(guò)Ih將所述溫濕度控制箱AlOO內(nèi)部的溫度提升5°C，當(dāng)所述溫濕度控制箱AlOO內(nèi)部的溫度為85攝氏度時(shí)，每過(guò)Ih將所述溫濕度控制箱AlOO內(nèi)部的溫度降低5°C，當(dāng)所述溫濕度控制箱AlOO內(nèi)部的溫度為-40°C時(shí)，每過(guò)Ih將所述溫濕度控制箱AlOO內(nèi)部的溫度提升5°C，以此類(lèi)推直至計(jì)時(shí)時(shí)間等于280h為止。本申請(qǐng)僅提供了一種可能的利用所述溫濕度控制箱AlOO在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將其內(nèi)部的溫度由-40°C-85°C循環(huán)漸變的過(guò)程，本申請(qǐng)對(duì)此并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0098]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請(qǐng)的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述解像力參數(shù)為調(diào)制傳輸函數(shù)值。
[0099]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，通過(guò)所述調(diào)制傳輸函數(shù)的值來(lái)表示所述攝像模組的解像力更加的準(zhǔn)確，避免現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)測(cè)試員讀取靶紙A300圖像中能夠分辨的線對(duì)數(shù)目而引入的主觀因素，使得所述攝像模組解像力檢測(cè)方法更加客觀準(zhǔn)確。
[0100]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請(qǐng)的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述處理芯片為電荷耦合元件處理芯片或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體處理芯片。本申請(qǐng)對(duì)所述處理芯片所采取的具體器件類(lèi)型并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0101]綜上所述，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種攝像模組解像力檢測(cè)方法及檢測(cè)系統(tǒng);其中，利用所述攝像模組解像力檢測(cè)方法對(duì)攝像模組進(jìn)行解像力測(cè)試時(shí)，首先將攝像模組設(shè)置于溫濕度控制箱AlOO中；然后通過(guò)設(shè)置增距鏡A200，并調(diào)節(jié)增距鏡A200、攝像模組及溫濕度控制箱AlOO之間的距離，滿足測(cè)試要求;最后控制所述攝像模組開(kāi)始工作，利用所述溫濕度控制箱AlOO控制其內(nèi)部的環(huán)境參數(shù)并通過(guò)所述攝像模組的處理芯片獲取在不同環(huán)境參數(shù)下所述攝像模組拍攝的靶紙A300圖像，并對(duì)所述靶紙A300圖像進(jìn)行分析獲取所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力參數(shù)。通過(guò)上述測(cè)試流程可以發(fā)現(xiàn)，利用所述攝像模組解像力測(cè)試方法對(duì)攝像模組進(jìn)行測(cè)試可以獲得所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力參數(shù)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)攝像模組解像力進(jìn)行測(cè)試的檢測(cè)結(jié)果較為單一，不能較為全面的檢測(cè)所述攝像模組的解像力性能的問(wèn)題。
[0102]本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。
[0103]對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種攝像模組解像力檢測(cè)方法，所述攝像模組包括處理芯片，其特征在于，所述攝像模組解像力檢測(cè)方法包括: 將攝像模組設(shè)置于溫濕度控制箱中，所述攝像模組的鏡頭朝向所述溫濕度控制箱的透視窗； 將增距鏡設(shè)置于溫濕度控制箱一側(cè)，與所述攝像模組的鏡頭對(duì)準(zhǔn)； 將靶紙?jiān)O(shè)置于所述增距鏡背離所述攝像模組一側(cè)，并調(diào)節(jié)所述攝像模組鏡頭與所述增距鏡之間以及所述增距鏡與所述靶紙之間的距離，以滿足所述攝像模組的檢測(cè)條件； 控制所述攝像模組開(kāi)始工作，并利用所述溫濕度控制箱控制其內(nèi)部的環(huán)境參數(shù)，所述環(huán)境參數(shù)包括溫度參數(shù)和濕度參數(shù)； 通過(guò)所述處理芯片獲取在不同環(huán)境參數(shù)下所述攝像模組拍攝的靶紙圖像，并對(duì)所述靶紙圖像進(jìn)行分析獲取所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力參數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像模組解像力檢測(cè)方法，其特征在于，調(diào)節(jié)所述攝像模組鏡頭與所述增距鏡之間以及所述增距鏡與所述靶紙之間的距離，以滿足所述攝像模組的檢測(cè)條件包括: 將所述攝像模組鏡頭與所述增距鏡之間的距離調(diào)節(jié)為2cm; 將所述增距鏡與所述靶紙之間的距離調(diào)節(jié)為30cm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像模組解像力檢測(cè)方法，其特征在于，利用所述溫濕度控制箱控制其內(nèi)部的環(huán)境參數(shù)包括: 利用所述溫濕度控制箱在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將其內(nèi)部的溫度由-40°C-95°C循環(huán)漸變，將其內(nèi)部的濕度控制為O %。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像模組解像力檢測(cè)方法，其特征在于，利用所述溫濕度控制箱控制其內(nèi)部的環(huán)境參數(shù)包括: 利用所述溫濕度控制箱在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將其內(nèi)部的溫度由-40°C-105°C循環(huán)漸變，將其內(nèi)部的濕度控制為O %。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的攝像模組解像力檢測(cè)方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間的取值范圍為150h-350h，包括端點(diǎn)值。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像模組解像力檢測(cè)方法，其特征在于，所述處理芯片獲取在不同環(huán)境參數(shù)下所述攝像模組拍攝的靶紙圖像，并對(duì)所述靶紙圖像進(jìn)行分析獲取所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力參數(shù)之后還包括: 利用所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力參數(shù)繪制所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力曲線，并通過(guò)顯示裝置顯示。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像模組解像力檢測(cè)方法，其特征在于，所述解像力參數(shù)為調(diào)制傳輸函數(shù)值。8.一種攝像模組解像力檢測(cè)系統(tǒng)，所述攝像模組包括處理芯片，其特征在于，所述攝像模組解像力檢測(cè)系統(tǒng)包括: 溫濕度控制箱，所述溫濕度控制箱的一側(cè)包括透視窗，用于調(diào)節(jié)其內(nèi)部的環(huán)境參數(shù)，所述環(huán)境參數(shù)包括溫度參數(shù)和濕度參數(shù)； 設(shè)置于所述溫濕度控制箱一側(cè)的增距鏡，所述增距鏡與所述透視窗對(duì)準(zhǔn)； 設(shè)置于所述增距鏡背離所述溫濕度控制箱一側(cè)的靶紙。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝像模組解像力檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述攝像模組解像力檢測(cè)系統(tǒng)還包括: 顯示裝置。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的攝像模組解像力檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述處理芯片為電荷耦合元件處理芯片或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體處理芯片。
【專(zhuān)利摘要】本申請(qǐng)公開(kāi)了一種攝像模組解像力檢測(cè)方法及檢測(cè)系統(tǒng)，其中，利用所述攝像模組解像力檢測(cè)方法對(duì)攝像模組進(jìn)行解像力測(cè)試時(shí)，首先將攝像模組設(shè)置于溫濕度控制箱中；然后通過(guò)設(shè)置增距鏡，并調(diào)節(jié)增距鏡、攝像模組及溫濕度控制箱之間的距離，滿足測(cè)試要求；最后控制所述攝像模組開(kāi)始工作，利用所述溫濕度控制箱控制其內(nèi)部的環(huán)境參數(shù)并通過(guò)所述攝像模組的處理芯片獲取在不同環(huán)境參數(shù)下所述攝像模組拍攝的靶紙圖像，并對(duì)所述靶紙圖像進(jìn)行分析獲取所述攝像模組在不同環(huán)境參數(shù)下的解像力參數(shù)。所述攝像模組解像力檢測(cè)方法解決了現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)攝像模組解像力進(jìn)行測(cè)試的檢測(cè)結(jié)果較為單一，不能較為全面的檢測(cè)所述攝像模組的解像力性能的問(wèn)題。
【IPC分類(lèi)】H04N17/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105657416
【申請(qǐng)?zhí)枴?br>【發(fā)明人】蘭勝軍, 蔣冰林, 王鵬
【申請(qǐng)人】信利光電股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月8日
【申請(qǐng)日】2016年3月8日