圍。
[0047]在形成溝槽18之后，可以將碾磨工藝應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片10’的第二主面14’，由此薄化晶片10’。工藝的這種順序在本領(lǐng)域中被所知為“碾磨之前切分”(DBG)。在碾磨期間，可以將半導(dǎo)體晶片10’附連到臨時載體，像例如粘合箔或真空卡盤，使得第二電介質(zhì)層20C的上部表面22’與臨時載體接觸。接地第二主面14的水平可以位于溝槽18的深度內(nèi)。換言之，通過碾磨，半導(dǎo)體晶片10’可以單分成多個半導(dǎo)體芯片10A，10B，如在圖2E中所示。
[0048]根據(jù)另一實施例，半導(dǎo)體芯片10A，10B的單分不涉及碾磨工藝。例如，代替溝槽18，可以形成對應(yīng)的開口 18以完全切穿晶片10’。
[0049]在單分之后，所單分的半導(dǎo)體芯片10可以以間隔開的關(guān)系布置在另外的臨時載體40上，如在圖2F中所示。此外，將半導(dǎo)體芯片10布置在臨時載體40上可以以如圖2F中所示的倒置方式執(zhí)行。根據(jù)實施例，將所單分的半導(dǎo)體芯片布置在臨時載體40上包括拾取與放置工藝。單獨半導(dǎo)體芯片10之間的間距Ws可以寬于溝槽18的寬度w t。間距ws可以具有任何適當(dāng)?shù)膶挾炔⑶铱梢岳缥挥?50 μ m-400 μ m范圍內(nèi)，或者甚至在該范圍上方或下方。臨時載體40可以包括由剛性材料(例如金屬、金屬合金、硅、玻璃或塑料)制成的板。臨時載體40還可以包括粘合箔、膠、用于創(chuàng)建真空的裝置、夾緊機構(gòu)、或者用于將所單分的半導(dǎo)體芯片10粘合到臨時載體40的表面的任何其它適當(dāng)粘合裝置。
[0050]隨后，將包封材料(或包封劑)應(yīng)用到附連于臨時載體40的半導(dǎo)體芯片10。包封材料可以覆蓋半導(dǎo)體芯片10的側(cè)面16和再分布結(jié)構(gòu)20的側(cè)面26。包封材料可以完全填充單獨半導(dǎo)體芯片10與單獨再分布結(jié)構(gòu)20之間的空間。附加地，包封材料可以例如覆蓋半導(dǎo)體芯片10的第二主面14。
[0051]例如，包封材料可以是硬質(zhì)塑料或熱固性模具材料。包封材料可以基于環(huán)氧材料并且可以包含填充材料，該填充材料由以下組成:小顆粒的玻璃(S12)或其它電氣絕緣礦物質(zhì)填充物材料像Al2O3或有機填充物材料。包封材料可以基于聚合物材料。在固化之后，包封材料向半導(dǎo)體芯片10的陣列提供穩(wěn)定性?？梢圆捎酶鞣N技術(shù)來利用包封材料覆蓋半導(dǎo)體芯片10。包封材料(模具材料)可以例如通過壓縮模塑、噴射模塑、?；Ｋ?、粉末模塑或液體模塑來應(yīng)用。
[0052]作為示例，在壓縮模塑工藝中，將液體包封材料分散到臨時載體40形成其底部的敞開下部模具半部中。然后，在分散液體包封材料之后，向下移動上部模具半部并且擴散開液體包封材料直到形成上部模塑半部和下部模具半部的底部的臨時載體40之間的腔體完全填充。該工藝可以伴隨有熱量和壓力的應(yīng)用。在固化之后，包封材料是剛性的并且形成所模塑的主體或包封主體30’。所模塑的主體的橫向尺寸和嵌入的半導(dǎo)體芯片10的數(shù)目越大，工藝就將典型地越成本高效。包封工藝的結(jié)果在圖2G中示出。
[0053]根據(jù)一個實施例，使用聚合物材料來包封半導(dǎo)體芯片10并且形成包封主體30’。聚合物材料可以具有電氣絕緣箔或片的形狀，其被層壓在半導(dǎo)體芯片10以及臨時載體40的頂部上?？梢栽谶m用于將聚合物箔或片附連到底層結(jié)構(gòu)的時間內(nèi)應(yīng)用熱量和壓力。半導(dǎo)體芯片10之間的間隙也填充有聚合物材料。聚合物材料可以例如是預(yù)浸料坯(預(yù)浸漬纖維的簡稱)，該預(yù)浸料坯是例如玻璃或碳纖維之類的纖維墊(fiber mat)與例如硬質(zhì)塑料材料之類的樹脂的組合。預(yù)浸料坯材料通常用于制造PCB (印刷電路板)。預(yù)浸料坯材料是雙階段材料，其在應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片10之上時為柔性的并且在熱處置期間硬化。為了層壓預(yù)浸料坯，可以使用與PCB制造中相同或類似的工藝步驟。
[0054]在包封步驟之后，包括半導(dǎo)體芯片10的包封主體30’可以從臨時載體40移除。
[0055]隨后，如圖2H中所示，可以形成外封裝終端接觸件50。外封裝終端接觸件可以包括焊料球。焊料球可以使用所謂的“球放置”技術(shù)來應(yīng)用，其中包括焊料材料的預(yù)成形球被應(yīng)用到再分布層20B的接觸焊盤?？商鎿Q地，焊料球50可以例如使用利用焊料膏的絲網(wǎng)印刷再接著熱處置工藝來應(yīng)用。
[0056]焊料材料可以包括Sn、SnPb、SnAg、SnAgCu、SnAgCuN1、SnAu、SnCu 和 SnBi。焊料球50可以用于將半導(dǎo)體封裝200A，200B電氣耦合到其它組件，例如PCB。焊料球50的上部表面例如可以突出大約200 μ m或者更多超出第二電介質(zhì)層20C的上部表面22’。
[0057]根據(jù)制備半導(dǎo)體封裝的方法的實施例，包封主體30’可以經(jīng)受碾磨工藝。也就是說，包封主體30’的下部表面34’可以被碾磨以便形成減少的預(yù)限定厚度的包封主體30’。碾磨工藝可以在應(yīng)用例如焊料球50之類的外封裝終端接觸件之前或之后執(zhí)行。也就是說，碾磨可以在圖2G或圖2H的中間產(chǎn)物上執(zhí)行。
[0058]在應(yīng)用外封裝終端接觸件50之后，包括半導(dǎo)體芯片10的包封主體30’可以單分成多個半導(dǎo)體封裝200A，200B，如圖21中所示?？梢允褂萌缫陨详P(guān)于將半導(dǎo)體晶片10’單分成半導(dǎo)體芯片10所公開的相同單分技術(shù)。對于單分工藝，包封主體30’可以放置在支撐物上使得包封主體30’的下部表面34’面向支撐物。包封主體30’還可以粘合到支撐物，例如借助于粘合箔、膠、真空或夾緊構(gòu)件。
[0059]如圖2A-2I中所示，半導(dǎo)體晶片10’可以包括多個不同的集成電路，其被配置成集成到像半導(dǎo)體封裝200A，200B的不同的半導(dǎo)體封裝中。然而，半導(dǎo)體晶片10’還可以包括多個相同的集成電路。
[0060]如圖2A-2I中所示的制備半導(dǎo)體封裝的方法可以基本上組合晶片級封裝(WLP)制備技術(shù)與擴展的晶片級球柵格陣列(eWLB)制備技術(shù)。在制備半導(dǎo)體封裝的方法中，使用WLP技術(shù)直到應(yīng)用再分布結(jié)構(gòu)并且包括應(yīng)用再分布結(jié)構(gòu)，而eWLB技術(shù)可以隨后用于焊料球應(yīng)用。最終產(chǎn)物(半導(dǎo)體封裝200A，200B)可以例如是扇入eWLB型封裝。
[0061 ] 圖3示出半導(dǎo)體封裝300，其可以通過關(guān)于圖2A-21所示出的方法制備并且其可以與半導(dǎo)體封裝100、200A、200B相同或相似。然而，半導(dǎo)體封裝300示出再分布結(jié)構(gòu)20的上部主面22與包封體30的上部表面之間的高度差z。高度差z可以源于以下事實:當(dāng)將再分布結(jié)構(gòu)20粘合到臨時載體40 (圖2F)時，再分布結(jié)構(gòu)20可以稍微推進到載體40表面上的粘性材料(像粘合箔或膠)中。在該情況下，粘性材料可以覆蓋再分布結(jié)構(gòu)側(cè)面26的端部直到如從上部主面22所測量的高度z。在隨后的包封工藝期間，包封材料因此不能包封由粘性材料覆蓋的側(cè)面26的部分。
[0062]另一方面，還可能的是在包封工藝期間，包封材料可以“流放”到臨時載體40與上部主面22之間的界面中。例如，如果臨時載體40與再分布結(jié)構(gòu)20的上部主面22之間的粘合力相對小，則“流放”能夠發(fā)生。在該情況下，包封體30可以至少部分地包封上部主面22上的再分布結(jié)構(gòu)20。
[0063]根據(jù)用于制備半導(dǎo)體封裝的方法的實施例，可以向上部主面22應(yīng)用碾磨工藝以便移除高度差z。碾磨可以在單分包封主體30’之前執(zhí)行。
[0064]半導(dǎo)體芯片10的側(cè)面16與再分布結(jié)構(gòu)20的側(cè)面26可以移位，如在半導(dǎo)體封裝200A.200B中所示，其中從第一主面22上方觀看，再分布結(jié)構(gòu)20的輪廓完全被半導(dǎo)體芯片10的輪廓包圍。然而，還可能的是側(cè)面16和26齊平，也就是說，側(cè)面16和26位于共同平面中，如在圖3中所示。
[0065]關(guān)于圖4A-4E，示出了用于制備半導(dǎo)體封裝400的方法的另外實施例。半導(dǎo)體封裝400可以與半導(dǎo)體封裝100、200A、200B和300B相同，除了半導(dǎo)體封裝400的再分布結(jié)構(gòu)20不包括第二電介質(zhì)層20C之外。如關(guān)于圖2A-2I所公開的類似方法步驟可以被使用在圖4A-4E中所示的方法的實施例中。
[0066]圖4A示出包括布置在半導(dǎo)體晶片10’上方的第一電介質(zhì)層20A和接觸元件11的半導(dǎo)體晶片10’。根據(jù)實施例，電介質(zhì)層20A可以包括硬鈍化層。根據(jù)實施例，電介質(zhì)層20A可以單獨地為硬鈍化層。
[0067]在圖4B中，示出了布置在電介質(zhì)層20A和半導(dǎo)體晶片10’之上的多個再分布層20B。電介質(zhì)層20A和再分布層20B —起形成在半導(dǎo)體晶片10’之上并排布置的多個再分布結(jié)構(gòu)20。根據(jù)實施