用到IC的區(qū)域時(shí)減少電壓噪聲的圖。
[0242]參照?qǐng)D25，IC 250可以包括多個(gè)單元Cl至C7。切割層CT可以設(shè)置在第一單元Cl與第二單元C2之間以使第一單元Cl與第二單元C2絕緣。切割層CT僅使第一單元Cl與第二單元C2之間絕緣。為了便于描述提供了舉例說明，但是切割層也可以設(shè)置在例如第一單元Cl和第三單元C3之間、第四單元C4和第五單元C5之間或者第六單元C6與第七單元C7之間。
[0243]根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)同一電壓施加到分別設(shè)置在第一單元Cl與第二單元C2之間的邊界的兩側(cè)的第一圖案和第二圖案時(shí)，在第一單元Cl與第二單元C2之間設(shè)置切割層CT不是必需的，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理，對(duì)應(yīng)于去耦電容器的晶體管可以通過使用第一圖案和第二圖案來產(chǎn)生。
[0244]特別地，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，可以通過使用連接到電源電壓端子VDD的第一圖案CAla和第二圖案CA2a以及位于第一圖案CAla和第二圖案CA2a之間的導(dǎo)線來產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于去耦電容器的晶體管，可以通過使用連接到接地電壓端子VSS的第一圖案CAlb和第二圖案CA2b以及位于第一圖案CAlb和第二圖案CA2b之間的導(dǎo)線來產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于去耦電容器的晶體管。結(jié)果，可以減少因改變電壓引起的電壓噪聲。特別地，對(duì)應(yīng)于去耦電容器的晶體管可以連接到電源電壓端子VDD和接地電壓端子VSS以減少動(dòng)態(tài)電壓的增大/減小。
[0245]圖26是用于描述根據(jù)示例性實(shí)施例的通過去耦電容器減少電壓噪聲的圖。
[0246]參照?qǐng)D26，IC 260可以包括:第一去耦電容器DCa，產(chǎn)生在第一單元CELLl與電源電壓端子PWR之間；第二去耦電容器DCb，產(chǎn)生在第一單元CELLl與接地電壓端子GND之間；第三去耦電容器DCc，產(chǎn)生在第二單元CELL2與電源電壓端子PWR之間；以及第四去耦電容器DCd，產(chǎn)生在第二單元CELL2與接地電壓端子GND之間。在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一至第四去耦電容器DCa、DCb、DCc和DCd可以由通過使用第一單元CELLl與第二單元CELL2之間的導(dǎo)線產(chǎn)生的去耦電容器而產(chǎn)生。
[0247]圖27是用于描述根據(jù)另一示例性實(shí)施例的通過去耦電容器減少電壓噪聲的圖。
[0248]參照?qǐng)D27，IC 270可以包括:第五去耦電容器DCe，產(chǎn)生在第一單元CELLl和電源電壓端子PWR之間的節(jié)點(diǎn)與第二單元CELL2和電源電壓端子PWR之間的節(jié)點(diǎn)之間；以及第六去耦電容器DCf，產(chǎn)生在第一單元CELLl和接地電壓端子GND之間的節(jié)點(diǎn)與第二單元CELL2和接地電壓端子GND之間的節(jié)點(diǎn)之間。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理，可以通過由使用第一單元CELLl與第二單元CELL2之間的導(dǎo)線產(chǎn)生的去耦電容器來產(chǎn)生第五去耦電容器DCe和第六去耦電容器 DCf。
[0249]圖28是用于描述根據(jù)示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)介質(zhì)500的框圖。
[0250]參照?qǐng)D28，存儲(chǔ)介質(zhì)500可以包括用于向計(jì)算機(jī)提供指令和/或數(shù)據(jù)的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)作為非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。例如，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可以包括:諸如光碟、磁帶或CD-ROM、DVD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-R或DVD-RW的磁性或光學(xué)介質(zhì);諸如RAM、ROM或閃速存儲(chǔ)器的易失性或非易失性存儲(chǔ)器;通過USB接口進(jìn)入的非易失性存儲(chǔ)器；以及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可以插入到計(jì)算機(jī)中，可以整合在計(jì)算機(jī)中，或可以通過諸如網(wǎng)絡(luò)和/或無線電線路的通信媒介結(jié)合到計(jì)算機(jī)。
[0251]如圖28中所示，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可以包括布置和布線程序510、庫(kù)520、分析程序530以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)540。為了通過使用根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)執(zhí)行設(shè)計(jì)IC的方法，布置和布線程序510可以包括多個(gè)指令。例如，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可以存儲(chǔ)包括用于設(shè)計(jì)IC的布局的任何指令的布置和布線程序510，其中，通過使用包括在先前附圖的至少一個(gè)附圖中示出的標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)來設(shè)計(jì)IC的布局。庫(kù)520可以包括關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)單元的信息，標(biāo)準(zhǔn)單元是包括在IC中的單元。
[0252]分析程序530可以包括基于用于限定IC的數(shù)據(jù)執(zhí)行分析IC的方法的多條指令。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)540可以包括存儲(chǔ)空間，存儲(chǔ)空間用于使用包括在庫(kù)520中的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，從包括在庫(kù)520中的普通標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)提取具體信息，或管理當(dāng)通過分析程序530分析IC的特性時(shí)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。
[0253]圖29是用于描述包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的IC的存儲(chǔ)卡1000的框圖。
[0254]參照?qǐng)D29，存儲(chǔ)卡1000可以設(shè)置成使得控制器1100與存儲(chǔ)器1200交換電信號(hào)。例如，當(dāng)控制器1100發(fā)出指令時(shí)，存儲(chǔ)器1200可以傳輸數(shù)據(jù)。
[0255]控制器1100和存儲(chǔ)器1200可以包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的1C。特別地，可以根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理，使用例如參照?qǐng)D1至圖28詳細(xì)描述的示例性實(shí)施例來制造包括在控制器1100和存儲(chǔ)器1200中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置中的至少一個(gè)。即，在包括在控制器1100和存儲(chǔ)器1200中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置中的至少一個(gè)中，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理，可以通過使用鄰近的兩個(gè)單元之間的導(dǎo)線來產(chǎn)生去耦電容器。因此，因?yàn)槿ヱ铍娙萜鲉卧奶砑樱梢詼p少電源電壓噪聲同時(shí)不增大面積。
[°256] 存儲(chǔ)卡1000可以實(shí)現(xiàn)各種卡，例如，諸如記憶棒卡(memory stick card)、智能媒體(SM)卡、安全數(shù)字(SD)卡、迷你安全數(shù)字(迷你SD)卡和多媒體卡(MMC)的各種存儲(chǔ)卡。
[0257]圖30是用于描述包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的IC的計(jì)算系統(tǒng)2000的框圖。
[0258]參照?qǐng)D30，計(jì)算系統(tǒng)2000可以包括處理器2100、存儲(chǔ)器裝置2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400和輸入/輸出裝置2500。盡管圖30中未示出，但是計(jì)算系統(tǒng)2000還可以包括與顯卡、聲卡、存儲(chǔ)卡、USB裝置或其他電子裝置通信的端口。
[0259]如上所述，在計(jì)算系統(tǒng)2000中處理器2100、存儲(chǔ)器裝置2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400以及輸入/輸出裝置2500可以包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的1C。特別地，在包括在處理器2100、存儲(chǔ)器裝置2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400以及輸入/輸出裝置2500中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置中的至少一個(gè)中，可以通過使用鄰近的兩個(gè)單元之間的導(dǎo)線來產(chǎn)生去耦電容器。因此，因?yàn)槿ヱ铍娙萜鲉卧奶砑?，可以減少電源電壓噪聲同時(shí)不增大面積。
[0260]處理器2100可以執(zhí)行具體的計(jì)算或任務(wù)。根據(jù)示例性實(shí)施例，處理器2100可以是微處理器或中央處理單元(CPU)。處理器2100可以通過諸如地址總線、控制總線或數(shù)據(jù)總線的總線2600與存儲(chǔ)器裝置2200、存儲(chǔ)裝置2300和輸入/輸出裝置2500執(zhí)行通信。根據(jù)示例性實(shí)施例，處理器2100也可以連接到諸如外圍組件互連(PCI)總線的擴(kuò)展總線。
[0261]存儲(chǔ)器裝置2200可以存儲(chǔ)用于操作計(jì)算系統(tǒng)2000所必需的數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器裝置2200可以被實(shí)現(xiàn)為DRAM、移動(dòng)DRAM、SRAM、PRAM、FRAM、RRAM和/或MRAM。存儲(chǔ)裝置2300可以包括固態(tài)驅(qū)動(dòng)器、硬盤驅(qū)動(dòng)器或⑶-ROM等。
[0262]輸入/輸出裝置2500可以包括諸如鍵盤、小型鍵盤或鼠標(biāo)的輸入單元和諸如打印機(jī)或顯示器的輸出單元。電源2400可以提供操作計(jì)算系統(tǒng)2000所必需的操作電壓。
[0263]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的IC(諸如根據(jù)上述描述的示例性實(shí)施例的那些IC)可以實(shí)現(xiàn)為具有各種形狀的封裝。例如，可以通過使用諸如封裝上的封裝(Ρ0Ρ)、球柵陣列(BGA)、芯片級(jí)封裝(CSP)、塑料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、窩伏爾裸片封裝(die in waffle pack)、晶圓形式的裸片、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQFP)、薄四方扁平封裝(TQFP)、小外形集成電路(SOIC)、收縮型小外形封裝(SSOP)、薄小外形(TSOP)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶圓級(jí)制造封裝(WFP)和晶圓級(jí)處理堆疊封裝(WSP)來安裝IC的至少一個(gè)隔室(compartent)。
[0264]雖然已經(jīng)參照發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例具體示出并描述了發(fā)明構(gòu)思，但是將理解的是，在不脫離發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式或細(xì)節(jié)上的各種改變。因此，發(fā)明構(gòu)思的范圍通過權(quán)利要求和它們的等同的最廣泛可允許的解釋來確定，并且不應(yīng)該被上面的描述局限或限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種設(shè)計(jì)電子處理器中的集成電路的布局的方法，所述方法包括: 處理器準(zhǔn)備存儲(chǔ)第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元中的每個(gè)包括沿第一方向延伸的多條導(dǎo)線； 處理器將第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元放置成在平行于所述多條導(dǎo)線的第一邊界彼此鄰近；以及 當(dāng)同一電壓將被施加到在第一標(biāo)準(zhǔn)單元中鄰近第一邊界的第一圖案和在第二標(biāo)準(zhǔn)單元中鄰近第一邊界的第二圖案時(shí)，處理器通過使用所述多條導(dǎo)線中的至少一條第一導(dǎo)線產(chǎn)生去耦電容器，所述至少一條第一導(dǎo)線鄰近第一邊界。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一條第一導(dǎo)線設(shè)置在第一邊界上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括當(dāng)不同的電壓將被施加到第一圖案和第二圖案時(shí)，通過使用所述至少一條第一導(dǎo)線作為虛設(shè)線來使第一標(biāo)準(zhǔn)單元與第二標(biāo)準(zhǔn)單元絕緣。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個(gè)包括設(shè)置在第一邊界上的切割層，切割層被構(gòu)造為使第一標(biāo)準(zhǔn)單元與第二標(biāo)準(zhǔn)單元絕緣;去耦電容器的產(chǎn)生還包括當(dāng)所述同一電壓將被施加到第一圖案和第二圖案時(shí)，去除第一圖案與第二圖案之間的切割層以產(chǎn)生去耦電容器。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，第一標(biāo)準(zhǔn)單元還包括沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸的第一鰭;第二標(biāo)準(zhǔn)單元還包括沿第二方向延伸的第二鰭;切割層被設(shè)置為使包括在第一標(biāo)準(zhǔn)單元中的第一鰭與包括在第二標(biāo)準(zhǔn)單元中的第二鰭絕緣。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，第一圖案是設(shè)置在第一鰭中的一些上的第一接觸圖案;第二圖案是設(shè)置在第二鰭中的一些上的第二接觸圖案;第一鰭的第一接觸鰭、第二鰭的第二接觸鰭和所述至少一條第一導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于去耦電容器的晶體管，第一接觸鰭和第二接觸鰭分別連接到第一接觸圖案和第二接觸圖案。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，所述方法還包括當(dāng)不同的電壓將被施加到第一圖案和第二圖案時(shí)，在第一圖案與第二圖案之間維持切割層使得第一導(dǎo)線變?yōu)樘撛O(shè)線。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個(gè)還包括設(shè)置在與第一邊界相對(duì)的第二邊界上的附加的切割層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括當(dāng)不同的電壓將被施加到第一圖案和第二圖案時(shí)，在放置第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元之后在第一圖案與第二圖案之間產(chǎn)生切割層，切割層被構(gòu)造為使第一標(biāo)準(zhǔn)單元與第二標(biāo)準(zhǔn)單元絕緣。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一標(biāo)準(zhǔn)單元還包括沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸的第一鰭;第二標(biāo)準(zhǔn)單元還包括沿第二方向延伸的第二鰭;切割層設(shè)置為使包括在第一標(biāo)準(zhǔn)單元中的第一鰭與包括在第二標(biāo)準(zhǔn)單元中的第二鰭絕緣。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，第一圖案是設(shè)置在第一鰭中的一些上的第一接觸圖案;第二圖案是設(shè)置在第二鰭中的一些上的第二接觸圖案;第一鰭的第一接觸鰭、第二鰭的第二接觸鰭和所述至少一條第一導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于去耦電容器的晶體管，第一接觸鰭和第二接觸鰭分別連接到第一接觸圖案和第二接觸圖案。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括在放置第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元之后，關(guān)于第一圖案和第二圖案中的至少一個(gè)產(chǎn)生設(shè)置在與第一邊界相對(duì)的第二邊界上的附加的切割層。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，施加到第一圖案和第二圖案的所述同一電壓是電源電壓或接地電壓。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多條導(dǎo)線對(duì)應(yīng)于多個(gè)柵電極。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括設(shè)計(jì)集成電路使得第一導(dǎo)線浮置。16.—種集成電路，所述集成電路包括: 第一標(biāo)準(zhǔn)單元，包括鄰近第一邊界的第一圖案；以及 第二標(biāo)準(zhǔn)單元，包括鄰近第一邊界的第二圖案并且鄰近第一標(biāo)準(zhǔn)單元， 其中，當(dāng)同一電壓將被施加到第一圖案和第二圖案時(shí)，去耦電容器包括第一圖案和第二圖案以及在第一圖案與第二圖案之間的至少一條第一導(dǎo)線，所述至少一條第一導(dǎo)線被設(shè)置成平行于第一邊界并且沿第一方向延伸。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路，其中，當(dāng)不同的電壓將被施加到第一圖案和第二圖案時(shí)，切割層設(shè)置在第一標(biāo)準(zhǔn)單元與第二標(biāo)準(zhǔn)單元之間，切割層被構(gòu)造為使第一標(biāo)準(zhǔn)單元與第二標(biāo)準(zhǔn)單元絕緣。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路，其中，第一標(biāo)準(zhǔn)單元還包括沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸的第一鰭;第二標(biāo)準(zhǔn)單元還包括沿第二方向延伸的第二鰭;切割層設(shè)置為使包括在第一標(biāo)準(zhǔn)單元中的第一鰭與包括在第二標(biāo)準(zhǔn)單元中的第二鰭絕緣。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路，其中，第一圖案是設(shè)置在第一鰭中的一些上的第一接觸圖案;第二圖案是設(shè)置在第二鰭中的一些上的第二接觸圖案;第一鰭的第一接觸鰭、第二鰭的第二接觸鰭和所述至少一條第一導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于去耦電容器的晶體管，第一接觸鰭和第二接觸鰭分別連接到第一接觸圖案和第二接觸圖案。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路，其中，第一標(biāo)準(zhǔn)單元與第二標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個(gè)還包括設(shè)置在與第一邊界相對(duì)的第二邊界上的附加的切割層。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路，其中，將被施加到第一圖案和第二圖案的所述同一電壓是電源電壓或接地電壓。22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路，其中，所述至少一條第一導(dǎo)線對(duì)應(yīng)于柵電極。23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的集成電路，其中，所述至少一條第一導(dǎo)線浮置。24.—種使用包括沿第一方向的第一邊界彼此鄰近的第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元的集成電路制造的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括: 基底，包括沿基本垂直于第一方向的第二方向連續(xù)設(shè)置的有源區(qū)； 多個(gè)鰭，在基底上； 柵電極，設(shè)置成在所述多個(gè)鰭上沿第一方向延伸；以及 第一接觸件和第二接觸件，設(shè)置在所述多個(gè)鰭中的一些上，第一接觸件在第一單元中鄰近第一邊界，第二接觸件在第二單元中鄰近第一邊界， 其中，當(dāng)同一電壓將被施加到第一接觸件和第二接觸件時(shí)，去耦電容器包括第一接觸件和第二接觸件以及在第一接觸件與第二接觸件之間的柵電極中的至少一個(gè)第一柵電極。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中，當(dāng)不同的電壓將被施加到第一接觸件和第二接觸件時(shí)，所述至少一個(gè)第一柵電極操作為虛設(shè)柵極，并且第一標(biāo)準(zhǔn)單元與第二標(biāo)準(zhǔn)單元絕緣。
【專利摘要】提供了一種集成電路和設(shè)計(jì)集成電路的布局的方法。所述方法包括：準(zhǔn)備存儲(chǔ)第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元中的每個(gè)包括沿第一方向延伸的多條導(dǎo)線，將第一標(biāo)準(zhǔn)單元和第二標(biāo)準(zhǔn)單元放置成沿平行于所述多條導(dǎo)線的第一邊界彼此鄰近，當(dāng)同一電壓被施加到在第一標(biāo)準(zhǔn)單元中鄰近第一邊界的第一圖案和在第二標(biāo)準(zhǔn)單元中鄰近第一邊界的第二圖案時(shí)，通過使用所述多條導(dǎo)線中的至少一條第一導(dǎo)線產(chǎn)生去耦電容器，所述至少一條第一導(dǎo)線鄰近第一邊界。
【IPC分類】G06F17/50
【公開號(hào)】CN105608243
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510689951
【發(fā)明人】金珍泰, 金昌汎
【申請(qǐng)人】三星電子株式會(huì)社
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年10月22日
【公告號(hào)】US20160117431