于去耦電容器。
[0196]另外，連接到導線CLll的一側中的第一接觸圖案CAlb的鰭FN可以實現(xiàn)晶體管的源極或漏極。連接到導線CL22的一側中的第二接觸圖案CA2b的鰭FN可以實現(xiàn)晶體管的源極或漏極。在示例性實施例中，同一接地電壓可以施加到第一接觸圖案CAlb和第二接觸圖案CA2b。結果，分別連接到第一接觸圖案CAlb和第二接觸圖案CA2b與導線CLl I和CL22的鰭FN可以實現(xiàn)兩個彼此串聯(lián)連接的晶體管，并且所述兩個晶體管可以對應于去耦電容器。
[0197]根據示例性實施例，在放置第一標準單元SCl’至第三標準單元SC3 ’的工藝后，可以將施加到在第二邊界BD2的兩側沿第二方向彼此鄰近設置的圖案的電壓彼此進行比較。特別地，施加到第一接觸圖案CAlc的電壓V5可以與施加到第三接觸圖案CA3a的電壓V6進行比較。另外，施加到第一接觸圖案CAld的電壓V7可以與施加到第三接觸圖案CA3b的電壓V8進行比較。
[0198]作為比較的結果，當電壓V5和V7分別與電壓V6和V8基本相同時，可以去除分別設置在第一導線CL13和CL31上的切割層CT12和CT31。電壓V5和V7分別施加到第一接觸圖案CAlc和CAld，電壓V6和V8分別施加到第三接觸圖案CA3a和CA3b。在這樣的示例性實施例中，切割層CT12和CT31可以用作雙擴散中斷件。
[0199 ]圖17是根據示例性實施例的圖16的去耦電容器DC3的電路圖。
[0200]參照圖17，去耦電容器DC3可以包括第一晶體管TR21至第四晶體管TR24。第一晶體管TR21和第二晶體管TR22可以連接到電源電壓端子VDD。第三晶體管TR23和第四晶體管TR24可以連接到接地電壓端子VSS。
[0201]同一電源電壓端子VDD可以連接到第一晶體管TR21的第一源極S21和第二晶體管TR22的第二漏極D22。例如，第一源極21可以是在圖16的IC 165中連接到第二接觸圖案CA2a的第一鰭FNl和第二鰭FN2。例如，第二漏區(qū)D22可以是在圖16的IC 165中連接到第一接觸圖案CAla的第一鰭FNl和第二鰭FN2。
[0202]第一晶體管T21的第一漏極D21可以連接到第二晶體管TR22的第二源極S22。例如，第一漏極D21和第二源極S22可以是在圖16的IC 165中在導線CLl I和導線CL22之間的第一鰭FNl和第二鰭FN2。
[0203]接地電壓端子VSS可以連接到第三晶體管TR23的第三源極S23和第四晶體管TR24的第四漏極D24。例如，第三源極S23可以是在圖16的IC 165中連接到第二接觸圖案CA2b的第一鰭FNl和第二鰭FN2。例如，第四漏極D24可以是在圖16的IC 165中連接到第一接觸件Calb的第一鰭FNl和第二鰭FN2。第三晶體管T23的第三漏極D23可以連接到第四晶體管TR24的第四源極S24。例如，第三漏極D23和第四源極S24可以是在圖16的IC 165中導線CLll與導線CL22之間的第一鰭FNl和第二鰭FN2。
[0204]第一晶體管TR21的第一柵電極G21可以連接到第三晶體管TR23的第三柵電極G23。第一柵電極G21和第三柵電極G23可以是包括在圖16的IC 165中的導線CL22。在示例性實施例中，柵極電壓可以施加到導線CL22。第二晶體管TR22的第二柵電極G22可以連接到第四晶體管TR24的第四柵電極G24。第二柵電極G22和第四柵電極G24可以是包括在圖16的IC 165中的導線CL11。在示例性實施例中，柵極電壓可以施加到導線CL22。
[0205]圖18是根據另一示例性實施例的圖16的去耦電容器DC4的電路圖。
[0206]參照圖18，去耦電容器DC4可以包括第一晶體管TR21’至第四晶體管TR24’。第一晶體管TR21，和第二晶體管TR22 ’可以連接到電源電壓端子VDD。第三晶體管TR23，和第四晶體管TR24’可以連接到接地電壓端子VSS。
[0207]同一電源電壓端子VDD可以連接到第一晶體管TR21’的第一源極S21和第二晶體管TR22’的第二漏極D22。例如，第一源極S21可以是在圖16的IC 165中連接到第二接觸圖案CA2a的第一鰭FNl和第二鰭FN2。例如，第二漏極D22可以是在圖16的IC 165中連接到第一接觸圖案CAla的第一鰭FNl和第二鰭FN2。
[0208]第一晶體管T21’的第一漏極D21可以連接到第二晶體管TR22’的第二源極S22。例如，第一漏極D21和第二源極S22可以是在圖16的IC 165中在導線CLll與導線CL22之間的第一鰭FNl和第二鰭FN2。
[0209]接地電壓端子VSS可以連接到第三晶體管TR23’的第三源極S23和第四晶體管TR24’的第四漏極D24。例如，第三源極S23可以是在圖16的IC 165中連接到第二接觸圖案CA2b的第一鰭FNl和第二鰭FN2。例如，第四漏極D24可以是在圖16的IC 165中連接到第一接觸圖案CAlb的第一鰭FNl和第二鰭FN2。
[0210]第三晶體管T23’的第三漏極D23可以連接到第四晶體管TR24’的第四源極S24。例如，第三漏極D23和第四源極S24可以是在圖16的IC 165中在導線CLll與導線CL22之間的第一鰭FNl和第二鰭FN2。
[0211 ]第一晶體管TR21，的第一柵電極G21 ’可以連接到第三晶體管TR23，的第三柵電極G23’。第一柵電極G21’和第三柵電極G23’可以是包括在圖16的IC 165中的導線CL22。第二晶體管TR22’的第二柵電極G22’可以連接到第四晶體管TR24’的第四柵電極G24’。第二柵電極G22’和第四柵電極G24’可以是包括在圖16的IC 165中的導線CLll。在本示例性實施例中，柵極電壓可以施加到導線CL11。在示例性實施例中，導線CLll和CL22可以浮置。
[0212]圖19是根據示例性實施例的沿圖16的布局的線XIX-XIX’截取的剖視圖。
[0213]參照圖19，根據IC 165的布局的半導體裝置可以如圖19中所示地被制造。具體地，第一鰭FNl可以設置在有源區(qū)AR上。因為在IC 165中在第一標準單元SCl和第二標準單元SC2之間去除切割層CTl和CT2，所以第一鰭FNl可以設置在第一標準單元SCl和第二標準單元SC2中以彼此連接。因為在IC 165中在第一標準單元SCl和第三標準單元SC3之間維持切割層CT12和CT31，所以可以在第一標準單元SCl和第三標準單元SC3之間切掉第一鰭FNl。
[0214]絕緣層GI可以設置在第一鰭FNl上。導線CL可以設置在絕緣層GI上。在示例性實施例中，絕緣層GI可以是柵極絕緣層，導線CL可以是柵電極。另外，第二接觸圖案CA2a、第一接觸圖案CAla和第三接觸圖案CA3a可以設置在第一鰭FNl上。在示例性實施例中，同一電源電壓可以施加到第一接觸圖案CAla和第二接觸圖案CA2a，連接到第一接觸圖案CAla和第二接觸圖案CA2a的第一鰭FNl與第一接觸圖案CAla和第二接觸圖案CA2a之間的第一導線CLl可以實現(xiàn)對應于去耦電容器DC的晶體管。因為第一鰭FN可以在第一標準單元SCl與第三標準單元SC3之間分開，所以第一標準單元SCl可以與第三標準單元SC3電絕緣。
[0215]圖20是根據另一示例性實施例的設計IC的方法的流程圖。
[0216]圖20的方法是圖1的方法的具體示例性實施例并且是圖4的方法的變型。參照圖1和圖4提供的詳細描述也可以應用到圖20的示例性實施例，并且這里將不再重復其多余的描述。在操作S300中，可以準備存儲關于標準單元的信息的標準單元庫。在示例性實施例，在標準單元庫中存儲關于切割層的信息不是必需的。在操作S320中，第一標準單元和第二標準單元可以彼此鄰近放置。
[0217]在操作S340中，可以將第一電壓與第二電壓進行比較。第一電壓和第二電壓分別施加到分別設置在第一標準單元與第二標準單元之間的第一邊界的兩側的第一和第二圖案。在操作S350中，確定第一電壓是否與第二電壓基本相同。作為確定的結果，當第一電壓與第二電壓基本相同時，可以執(zhí)行操作S360。另一方面，當第一電壓與第二電壓不基本相同時，可以執(zhí)行操作S380。
[0218]在操作S360，通過使用第一圖案與第二圖案之間的導線產生去耦電容器。特別地，第一圖案與第二圖案之間的導線可以是實導線或可操作的導線，實導線可以實現(xiàn)晶體管。在示例性實施例中，當第一圖案和第二圖案連接到電源電壓端子或接地電壓端子時，晶體管可以作為去耦電容器來操作。
[0219]在操作S380中，可以在第一圖案與第二圖案之間產生切割層。結果，可以在第一圖案與第二圖案之間產生擴散中斷部，并且第一標準單元可以與第二標準單元電絕緣。
[0220]圖21是根據示例性實施例的應用圖20的方法的布局。
[0221]參照圖21，IC 210可以具有圖20的操作S320之后的布局并且可以包括彼此鄰近放置的第一標準單元SCl至第三標準單元SC3。第一標準單元SCl和第二標準單元SC2可以沿第一邊界BDl彼此鄰近。第一標準單元SCl和第三標準單元SC3可以沿第二邊界BD2彼此鄰近。
[0222]第一標準單元SCl至第三標準單元SC3中的每個可以包括沿第二方向(例如，X方向)連續(xù)設置的有源區(qū)AR。在示例性實施例中，包括在第一標準單元SCl至第三標準單元SC3中的有源區(qū)AR可以彼此連接。特別地，沿第二方向彼此鄰近設置的有源區(qū)AR可以彼此連接。
[0223]第一標準單元SCl至第三標準單元SC3可以另外包括在有源區(qū)AR上的鰭FN。鰭FN可以沿第二方向延伸并且可以在基本垂直于第二方向的第一方向(例如，Y方向)上彼此平行設置。在有源區(qū)AR上的鰭FN可以被稱為有源鰭。盡管未示出，但是鰭FN可以設置在有源區(qū)AR之間。有源區(qū)AR之間的鰭FN可以被稱為虛設鰭。
[0224]第一標準單元SCl至第三標準單元SC3中的每個可以包括沿第一方向延伸的多條導線CL。在示例性實施例中，多條導線CL可以設置在多個鰭FN上。特別地，多條導線CL可以被設置成穿過多個鰭FN。
[0225]在示例性實施例中，第一標準單元SCl可以包括鄰近第一邊界BDl設置的第一接觸圖案CAla和CAlb以及鄰近第二邊界BD2設置的第一接觸圖案CAlc和CAld。第二標準單元SC2可以包括鄰近第一邊界BDl設置的第二接觸圖案CA2a和CA2b。第三標準單元SC3可以包括鄰近第二邊界BD2設置的第三接觸圖案CA3a和CA3b。
[0226]根據示例性實施例，在設置第一標準單元SCl至第三標準單元SC3的工藝之后，可以將施加到在第一邊界BDl的兩側沿第二方向彼此鄰近設置的圖案的電壓彼此進行比較。特別地，可以將施加到第一接觸圖案CAla的電壓Vl與施加到第二接觸圖案CA2a的電壓V2進行比較。另外，可以將施加到第一接觸圖案CAlb的電壓V3與施加到第二接觸圖案CA2b的電壓V4進行比較。
[0227]作為比較的結果，當電壓Vl和V3與電壓V2和V4分別基本相同時，可以通過使用第一導線CLl來產生去耦電容器。電壓Vl和V3分別施加到第一接觸圖案CAla和CAlb，電壓V2和V4分別施加到第二接觸圖案CA2a和CA2b。在示例性實施例中，第一導線CLl可以用作實導線或可操作的導線以實現(xiàn)晶體管。特別地，第一導線CLl可以實現(xiàn)晶體管的柵電極。
[0228]分別連接到在第一導線CLl的兩側的第一接觸圖案CAla和第二接觸圖案CA2a的鰭FN可以實現(xiàn)晶體管的源極和漏極。在示例性實施例中，同一電源電壓可以施加到第一接觸圖案CAla和第二接觸圖案CA2a。因此，晶體管可以包括分別連接到第一接觸圖案CAla和第二接觸圖案CA2a的鰭FN以及第一導線CLl并且可以對應于去耦電容器。
[0229]另外，分別連接到在第一導線CLl的兩側的第一接觸圖案CAlb和第二接觸圖案CA2b的鰭FN可以實現(xiàn)晶體管的源極和漏極。在示例性實施例中，同一接地電壓可以施加到第一接觸圖案CAlb和第二接觸圖案CA2b。因此，晶體管可以包括分別連接到第一接觸圖案CAlb和第二接觸圖案CA2b的鰭FN以及第一導線CLl并且可以對應于去耦電容器。
[0230]根據示例性實施例，在設置第一標準單元SCl至第三標準單元SC3的工藝之后，可以將施加到在第二邊界BD2的兩側沿第二方向彼此鄰近設置的圖案的電壓彼此進行比較。特別地，可以將施加到第一接觸圖案CAlc的電壓V5與施加到第三接觸圖案CA3a的電壓V6進行比較。另外，可以將施加到第一接觸圖案CAld的電壓V7與施加到第三接觸圖案CA3b的電壓V8進行比較。
[0231]作為比較的結果，當電壓V5和V7分別不同于電壓V6和V8時，可以在第二導線CL2上產生切割層。電壓V5和V7分別施加到第一接觸圖案CAlc和CAld，電壓V6和V8分別施加到第三接觸圖案CA3a和CA3b。在示例性實施例中，切割層CT可以用作單一擴散中斷件。
[0232]圖22是描述根據示例性實施例的應用設計IC的方法減小IC的面積的布局。
[0233]參照圖22，IC 220可以包括彼此鄰近放置的第二單元CELL2、去耦電容器單元CELL-D和第一單元CELLl。第一單元CELLl和第二單元CELL2可以分別以基本上類似于圖13的第一單元CELLl和第二單元CELL2來實現(xiàn)，這里將不再重復其詳細的描述。
[0234]如上所述，為了根據電源電壓的改變來減少電壓噪聲，IC220可以在第一單元CELLl和第二單元CELL2之間設置去耦電容器單元CELL-DC。因此，會增大IC 220的總面積。
[0235]根據示例性實施例，在IC 225中，可以在第一單元CELLl和第二單元CELL2之間產生去耦電容器DC。結果，IC 225的總面積可以不增大，但是可以減少根據電源電壓的改變的電壓噪聲。參照圖14提供的詳細描述也可以應用到在第一單元CELLl和第二單元CELL2之間產生的去耦電容器DC，因此這里將不再重復其多余的描述。
[0236]圖23是根據示例性實施例的不包括去耦電容器的IC230的圖。
[0237]參照圖23，IC 230可以包括彼此鄰近放置的第一單元CELLl和第二單元CELL2。關于IC 230的輸入信號IN可以被輸入第一單元CELLl中。在IC 230中產生的輸出信號OUT可以從第二單元CELL2輸出。在示例性實施例中，第一單元CELLl和第二單元CELL2中的每個可以連接到電源電壓端子PWR和接地電壓端子GND。
[0238]圖24是根據示例性實施例的包括去耦電容器的IC240的圖。
[0239]參照圖24，IC 240添加根據示例性實施例產生的去耦電容器DC到圖23的IC 230。特別地，IC 240可以包括第一單元CELLl和第二單元CELL2以及在第一單元CELLl和第二單元CELL2之間的去耦電容器DC。
[0240]根據示例性實施例，如圖14的ICIC2中所描述的，在第一單元CELLl和第二單元CELL2之間可以產生去耦電容器DC。以這種方式，在根據發(fā)明構思的原理的示例性實施例中，當與諸如圖23的IC 230的實施例進行比較時，諸如IC 240的IC可以包括去耦電容器DC同時總面積未增大。
[0241]圖25是用于描述根據示例性實施例的當設計IC的布局的方法應