6902,其中該顯示器包括被布置 在IT01上的觸摸感測(cè)部件，例如驅(qū)動(dòng)電極6904和傳感電極6905的各行之間接地保護(hù)跡線(xiàn) 6903。
[0307] 2. 3. 1. 8 概念P1 和P2
[030引概念P1和P2與概念M3相似，它們可W在相同平面提供觸摸驅(qū)動(dòng)和觸摸傳感電 極。但是如圖71所示，概念P1和P2還可W提供附加益處，那就是可單獨(dú)尋址的觸摸像素。 每一個(gè)觸摸像素都可W包括驅(qū)動(dòng)電極7102、傳感電極7103W及相應(yīng)驅(qū)動(dòng)線(xiàn)7104和傳感線(xiàn) 7105,該些線(xiàn)路可W單獨(dú)布線(xiàn)并連接到顯示邊界上的總線(xiàn)。該些線(xiàn)路可W用導(dǎo)電黑掩模形 成，由此允許顯示器中業(yè)已存在的黑掩模區(qū)域?yàn)橛|摸感測(cè)提供附加服務(wù)。作為替換，該些線(xiàn) 路也可W是布置在黑底之后的金屬線(xiàn)，其中所述黑底可W是聚合物黑底。
[0309] 圖72示出了概念P1的疊層圖。概念P1可W在各種方面不同于標(biāo)準(zhǔn)的LCD處理。 例如，一部分標(biāo)準(zhǔn)聚合物黑底可W被改為具有低電阻金屬襯背的黑銘。然后，該些導(dǎo)電線(xiàn)可 W用于對(duì)往來(lái)于觸摸像素的信號(hào)進(jìn)行布線(xiàn)。在附加的掩模步驟中，在黑掩模后面可W添加 圖案化的ITO層7202。通過(guò)添加STN類(lèi)型的導(dǎo)電點(diǎn)7203,可W將用于每一個(gè)觸摸像素的驅(qū) 動(dòng)信號(hào)和傳感信號(hào)布線(xiàn)到LTPSTFT板（例如每個(gè)觸摸像素使用2個(gè)點(diǎn)）。此外還可W加厚 濾色層和邊界平面化層7204,W便減小觸摸驅(qū)動(dòng)與V〇*之間的電容。
[0310] 圖73示出了概念P2的疊層圖。除了并入如上參考概念P1描述的四種變化之外， 概念P2還可W包括圖案化的ITO層7301，其中所述層可W用于創(chuàng)建分段的V〇M。通過(guò)對(duì)VcDM 分段，可W隔離觸摸驅(qū)動(dòng)和顯示操作，由此潛在改善信噪比。圖74示出了一個(gè)突顯用于概 念P2的VeJ言號(hào)禪合的電路圖。通過(guò)保持用于回流的獨(dú)立總線(xiàn)（化〇1化usl和化〇1化us2)， 可W減小禪合電荷。此外，通過(guò)為一半觸摸像素使用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)，可W減小化〇1化usl中的回 流。
[0311]圖71和75例示了往來(lái)于感測(cè)和驅(qū)動(dòng)像素的觸摸傳感和觸摸驅(qū)動(dòng)線(xiàn)的示例性布 線(xiàn)。在該里可W將一組驅(qū)動(dòng)線(xiàn)和感測(cè)線(xiàn)從顯示器各端的總線(xiàn)線(xiàn)路750U7502水平布線(xiàn)到 每一個(gè)單獨(dú)的觸摸像素7101。該些線(xiàn)路可W隱藏在黑掩模層后面，或者也可W并入導(dǎo)電黑 掩模層。此外，該種布線(xiàn)還可W位于單個(gè)層上。用于單獨(dú)的觸摸像素的信號(hào)可W使用LTPS TFT并且通過(guò)總線(xiàn)線(xiàn)路而被尋址和復(fù)用。
[0312] 如果能夠驅(qū)動(dòng)單獨(dú)的像素而不是整個(gè)行，則可W減小寄生電容。此外，可單獨(dú)尋址 的觸摸像素還允許W"隨機(jī)訪問(wèn)"模式而不僅僅是用逐行模式來(lái)掃描觸摸陣列。該樣做可 W提高將觸摸感測(cè)與顯示更新進(jìn)行交錯(cuò)的處理的靈活性。例如，圖76描述了一種可能的掃 描圖案。由于該系統(tǒng)可W掃描任何期望圖案中的觸摸像素，因此該掃描圖案可W被設(shè)計(jì)成 確保從不在同一時(shí)間驅(qū)動(dòng)相鄰的行和相鄰像素，由此避免可能導(dǎo)致信號(hào)損失或信噪比降低 的邊緣場(chǎng)（化inge field)交互。在圖76中，方塊7601和7602各自包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極和 一個(gè)傳感電極。方塊7601對(duì)應(yīng)的是同相驅(qū)動(dòng)，而方塊7602對(duì)應(yīng)的則是180度異相驅(qū)動(dòng)信 號(hào)。在該圖中，兩個(gè)行（總共24個(gè)像素）可W被覆蓋在五個(gè)序列中，并且每一次都掃描四 個(gè)像素。
[0引引2. 3. 1.9概念D
[0314] 另一個(gè)實(shí)施例，即概念D可W通過(guò)為每一個(gè)觸摸像素使用兩個(gè)分段ITO層W及附 加晶體管來(lái)支持多點(diǎn)觸摸感測(cè)處理。圖77示出了概念D的電路圖。在顯示更新過(guò)程中，該 電路可W像在標(biāo)準(zhǔn)LCD顯示器中那樣起作用。柵極驅(qū)動(dòng)7700可W驅(qū)動(dòng)兩個(gè)晶體管怕17702 和Q2 7704)，由此允許來(lái)自Vmi總線(xiàn)7706和數(shù)據(jù)線(xiàn)7708的信號(hào)將電荷傳送至一組用于控 審iJLC(Cst7710、片。1 7712 W及C^27714)的電容器。在關(guān)斷晶體管Q2 7704時(shí)，7706 將會(huì)斷開(kāi)與CsT7710的連接，由此允許將V〇?線(xiàn)7706用于觸摸感測(cè)。特別地，線(xiàn)路7706可 W用于將電荷經(jīng)由Ciw 7716和Cdut 7718,經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)7708(用作觸摸傳感線(xiàn)）發(fā)送到電荷 放大器7720內(nèi)。接近顯示器的導(dǎo)電物體（例如用戶(hù)的手指、指示筆等等）可-種能被 電荷放大器7720測(cè)量的方式來(lái)擾動(dòng)系統(tǒng)電容。
[0315] 圖78和79示出了基于概念D的顯示器中的子像素疊層圖。在圖78中，ITOl層 可W分段成兩個(gè)板，即A7722和C7726。IT02層可W分段成孤島（例如B7724)，該些孤 島可W位于子像素上，并且充當(dāng)IT01層中的各板的反電極。在顯示更新過(guò)程中，孤島7724 與各板（A7722、C7726)之間的電壓差可W用于控制液晶7804。在觸摸感測(cè)過(guò)程中，其中 可^對(duì)遍及子像素（例如圖77中的化(：1、化〔2、(：111、(：〇11*和〔3*)的電容的擾動(dòng)進(jìn)行測(cè)量， W便確定導(dǎo)電物體的接近度。
[0316] 圖80示出了概念D的組合的接線(xiàn)疊層圖。圖81示出了概念D的一個(gè)實(shí)施例的物 理實(shí)現(xiàn)方式。
[0317] 2. 3. 2完全集成且基于IPS的LCD
[031引在圖82中示意性地例示了平面轉(zhuǎn)換（IPS),它可W用于創(chuàng)建具有更寬視角的LCD顯示器。雖然某些LCD(例如扭曲向列型LCD)使用的是垂直設(shè)置的電極對(duì)（相關(guān)實(shí)例如 圖20所示），但在IPSLCD中，用于控制液晶8203定向的兩個(gè)電極820U8202可W在相同 層中（例如在單個(gè)平面中）彼此平行。通過(guò)W該種方式確定電極方向，可W生成一個(gè)穿過(guò) 液晶的水平電場(chǎng)8200,其中該電場(chǎng)可W使所述液晶平行于面板前部，由此增大視角。IPS顯 示器中的液晶分子并未錯(cuò)定到上方或下方的層（相關(guān)實(shí)例如圖82所示），而是改為可W自 由旋轉(zhuǎn)，W便將其自身對(duì)準(zhǔn)電場(chǎng)8200,同時(shí)保持彼此平行W及與顯示電極平面平行。圖83 示出了位于可W使用平面轉(zhuǎn)換的顯示器中的交叉指型電極對(duì)（interdigitatedpairof electrodes)8301、8302所具有的更為實(shí)際的設(shè)置。
[0319] 由于IPS顯示器缺少可用于觸摸驅(qū)動(dòng)或觸摸傳感的Vmi層，因此，本發(fā)明的某些實(shí) 施例可W允許將用于顯示器更新的相同電極還用于觸摸感測(cè)，W便提供觸摸感測(cè)能力。該 些電極可W由附加電路來(lái)補(bǔ)充（complimented)。在上述某些實(shí)施例中，觸摸像素有可能與 大量顯示器像素重疊。與之相反，由于下述IPS實(shí)施例可W將相同電極用于顯示器控制和 觸摸感測(cè)，因此可W在附加成本極低或沒(méi)有附加成本的情況下獲取更高的觸摸分辨率。作 為替換，在該里可W聚集多個(gè)觸摸像素，W便產(chǎn)生分辨率較低的組合的觸摸信號(hào)。
[0320] 2. 3. 2. 1 概念E
[0321] 在圖84中例示了一個(gè)IPS實(shí)施例，即概念E。如上所述，在基于IPS的觸摸感測(cè)顯 示器中，電極可W處于相同平面內(nèi)，并且可W具有交叉指型結(jié)構(gòu)（如圖84所示）。雖然電 極A8400和電極B8402可W用于在顯不更新過(guò)程中確定濃晶層方向，但是該些電極還可 用于（與附加部件組合）實(shí)現(xiàn)觸摸感測(cè)。例如，基于像素正在經(jīng)歷顯示更新還是觸摸感測(cè)， 概念E可W使用附加開(kāi)關(guān)8404來(lái)改變用于一組信號(hào)線(xiàn)的驅(qū)動(dòng)。此外，概念E還可W包括電 容（CIN_A8406、C0UT_A8408、CIN_B8410 和C0UT_B8412)W及兩個(gè)晶體管（晶體管Q1 8414和晶體管Q2 8416)，W便控制該些電極何時(shí)將用于顯示更新何時(shí)將用于觸摸感測(cè)。
[0322] 在觸摸感測(cè)過(guò)程中，晶體管Q1 8414和Q2 8418是關(guān)斷的，由此斷開(kāi)電極與顯示信 號(hào)的連接，并且允許將電極用來(lái)測(cè)量電容。然后，VmM金屬線(xiàn)8416可W連至觸摸激勵(lì)信號(hào) 8418。該激勵(lì)信號(hào)可W經(jīng)由CIN_A8406和CIN_B8410發(fā)送到可與電荷放大器8422相連 的C0UT_A8408和C0UT_B8412。CIN與C0UT之間的電容CsK(未示出）可用于檢測(cè)觸摸。 在沒(méi)有傳感像素被觸摸時(shí)，遞送到電荷放大器8422的電荷主要取決于兩對(duì)CIN和C0UT電 容器之間的電容。當(dāng)某個(gè)物體（例如手指）接近電極時(shí)，CsK電容有可能受到擾動(dòng)（例如降 低），并且該擾動(dòng)可W被電荷放大器8422作為所傳送電荷量的變化來(lái)進(jìn)行測(cè)量。可W通過(guò) 選擇CIN和COUT的值來(lái)適合電荷放大器8422的期望輸入范圍，由此優(yōu)化觸摸信號(hào)強(qiáng)度。
[0323] 通過(guò)在觸摸感測(cè)過(guò)程中使用高頻信號(hào)，可W將電極用于執(zhí)行觸摸感測(cè)，而不會(huì)對(duì) 顯示器狀態(tài)產(chǎn)生負(fù)面影響。由于LC分子很大并且是非極性的，因此，通過(guò)使用不改變或者 不在LC兩端的RMS電壓上施加DC分量的高頻場(chǎng)，可W在不改變顯示器狀態(tài)的情況下檢測(cè) 觸摸。
[0324] 圖85示出了概念E的疊層圖。如所述，所有觸摸部件都可W在TFT板8501上形 成。
[0325] 2. 3. 2. 2概念Q
[0326] 對(duì)基于IPS的觸摸感測(cè)顯示器來(lái)說(shuō)，其另一個(gè)實(shí)施例是概念Q，該實(shí)施例同樣允許 將LCD的TFT玻璃部件（例如金屬布線(xiàn)線(xiàn)路、電極等）用于顯示和觸摸感測(cè)功能兩者。該 個(gè)實(shí)施例的一個(gè)潛在優(yōu)點(diǎn)是不需要改變顯示器工廠設(shè)備。對(duì)常規(guī)LCD制造來(lái)說(shuō)，唯一添加 的內(nèi)容包括添加觸摸感測(cè)電子設(shè)備。
[0327] 概念Q包括圖105和106所示的兩類(lèi)像素。在圖105中例示了像素類(lèi)型A。每一 個(gè)像素10501都包括=個(gè)端子，即選擇端子10502、數(shù)據(jù)端子10503和公共端子10504。每 一個(gè)A類(lèi)像素都有沿著列10505連接的公共端子，W便形成觸摸感測(cè)列。在圖106中描述 了像素類(lèi)型B。每一個(gè)像素10601也包括S個(gè)端子，即選擇端子10602、數(shù)據(jù)端子10603W 及公共端子10604。每一個(gè)B類(lèi)像素也有沿著行10605連接的公共端子，W便形成觸摸感測(cè) 行。該些像素可W像圖17顯示的那樣設(shè)置，W帶有多個(gè)觸摸傳感行10702和多個(gè)觸摸傳感 列10703。觸摸感測(cè)巧片10701可W包括驅(qū)動(dòng)激勵(lì)和感測(cè)電路，并且可W與該些行和列相 連。
[0328] 觸摸感測(cè)巧片可W如下工作。在第一時(shí)段中，在LCD更新時(shí)，所有的行和列都可W 保持接地。在某些實(shí)施例中，該個(gè)第一時(shí)段可W是一個(gè)約12ms的周期。在下一個(gè)時(shí)段中， 在每一個(gè)B類(lèi)像素處也就是觸摸行處的電容被感測(cè)的同時(shí)，可W使用激勵(lì)波形來(lái)驅(qū)動(dòng)A類(lèi) 像素，即觸摸列。在下一個(gè)時(shí)段中，在每一個(gè)A類(lèi)像素處也就是觸摸列處的電容被感測(cè)的同 時(shí)，可W使用激勵(lì)波形來(lái)驅(qū)動(dòng)B類(lèi)像素，即觸摸列。然后，該處理可W重復(fù)執(zhí)行。該兩個(gè)觸 摸感測(cè)周期約為2ms。激勵(lì)波形可W采用各種形式。在某些實(shí)施例中，它可W是峰-峰值約 為5V且DC偏移量為零的正弦波。此外，其他時(shí)段和波形也是可W使用的。
[0329] 2. 3. 2. 3概念G
[0330] 在基于IPS的觸摸感測(cè)顯示器中可能出現(xiàn)的一個(gè)問(wèn)題是如果在觸摸與LC之間缺 少屏蔽，則意味著手指（或其他觸摸物體）有可能影響顯示輸出。例如，觸摸屏幕的手指可 能影響用于控制LC的場(chǎng)，從而引起顯示失真。針對(duì)該個(gè)問(wèn)題的一個(gè)解決方案可W是在用戶(hù) 與顯示器子像素之間放置防護(hù)罩（例如透明的IT0層）。但是，該防護(hù)罩有可能阻攔用于觸 摸感測(cè)的電場(chǎng)，由此就會(huì)妨礙觸摸感測(cè)。
[0331] 該問(wèn)題可W由一個(gè)實(shí)施例，即概念G來(lái)克服，其中該實(shí)施例如圖86中的疊層圖所 示是通過(guò)翻轉(zhuǎn)顯示器的各層來(lái)克服該個(gè)問(wèn)題的。該樣做可W將LC 8600放置在TFT板8602 與用戶(hù)相對(duì)的一側(cè)上。由此，用于控制LC 8600的場(chǎng)線(xiàn)通?？蒞被定向W遠(yuǎn)離LCD的觸摸 偵U。該就可W在被布置在觸摸物體與LC 8600之間的金屬區(qū)域，例如數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)W及電 極來(lái)為L(zhǎng)C提供部分或完整屏蔽。
[0扣引2. 3. 2. 4概念F
[0333] 另一個(gè)實(shí)施例，即概念F可W減小顯示擾動(dòng)，同時(shí)保持LCD數(shù)據(jù)總線(xiàn)不變（相對(duì)于 非觸摸IPS顯示器），并且不需要附加ITO層也不會(huì)使層對(duì)準(zhǔn)更為困難。與使用共享數(shù)據(jù)線(xiàn) (如在概念E和G中那樣）不同，概念F可W通過(guò)在金屬層（Ml)中添加一組可W充當(dāng)輸出 傳感線(xiàn)8700且已布線(xiàn)的金屬線(xiàn)來(lái)減小潛在的顯示擾動(dòng)。如圖87中W及如圖88中關(guān)于概 念F的子像素疊層圖中所示，該些輸出傳感線(xiàn)8700可W在顯示電路下方垂直延伸經(jīng)過(guò)顯示 器的整個(gè)區(qū)域。通過(guò)使用分開(kāi)的金屬層W供輸出感測(cè)，概念F可W允許移除為概念E所示 的一個(gè)晶體管（圖84)。此外還應(yīng)注意到，概念F將會(huì)翻轉(zhuǎn)顯示層，W便進(jìn)一步減小上文中 結(jié)合概念G描述的潛在顯示擾動(dòng)。
[0334]3.啟用巧術(shù)
[0335] 對(duì)上述實(shí)施例中的許多來(lái)說(shuō)，各種特性都是可W應(yīng)用的。在下文中將對(duì)其實(shí)例進(jìn) 行描述。
[0336] 3. 1DITO
[0337] 在很多實(shí)施例中，ITO可W沉積在基底兩側(cè)并被圖案化。在2007年1月3日提交 的名為"Double-sidedTouchSensitivePanelWith口0MetalElectrodes"的美國(guó)專(zhuān) 利申請(qǐng)11/650,049中描述了各種用于該目的的各種技術(shù)和處理，其中該申請(qǐng)?jiān)谠摾锶?引入作為參考。
[033引 3. 2用金屬來(lái)替換圖案化的口0
[0339] 各種實(shí)施例均可省去用于形成觸摸傳感電極的圖案化IT0層，并且使用沉積在其 中某個(gè)層、例如頂部玻璃上的極細(xì)金屬線(xiàn)來(lái)替換該層。該樣做具有很多優(yōu)點(diǎn)，其中包括省去 了IT0處理步驟。此外，傳感線(xiàn)電極可W做得很細(xì)（例如約10微米量級(jí)），由此不會(huì)干擾對(duì) 顯示器的視覺(jué)。該種線(xiàn)路厚度的減小還可W減小寄生電容，如上所述，該樣做可W增強(qiáng)觸摸 屏操作的各個(gè)方面。最后，由于來(lái)自顯示器的光沒(méi)有穿過(guò)基本上用IT0覆蓋的層，因此，顏 色和透射率將可W得到改善。
[0340] 3. 3使用塑料作為觸摸傳感基底
[0341] 上述各個(gè)實(shí)施例是在玻璃基底的上下文中描述的。但在某些實(shí)施例中，通過(guò)用塑 料替換該其中的一個(gè)或多個(gè)基底，可W節(jié)約成本并減小厚度。圖89和90例示了圖89所示 的基于玻璃的系統(tǒng)與圖90所示的基于塑料的系統(tǒng)之間的某些差別。雖然是在一個(gè)特定實(shí) 施例的上下文中描述的，但是替換塑料基底的原理可W應(yīng)用于任何概念。
[0342] 圖89例示了基于玻璃的系統(tǒng)的疊層。例示的尺寸是使用當(dāng)前技術(shù)的實(shí)例，但是本 領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，其他厚度同樣是可W使用的，隨著制造技術(shù)的進(jìn)步則尤其如此。從 頂部開(kāi)始，具有約0. 8mm的示例性厚度的覆蓋物8901可W位于折射率匹配層8902 (例如厚 約0.18mm)的上方。位于折射率匹配層下方的可W是頂部偏振器8903。頂部偏振器8903 可W具有約0. 2mm的厚度。下一層可W是在每側(cè)面都具有圖案化的IT0的玻璃層8904 (例 如厚約0. 5mm)。傳感電極可W在頂面圖案化，其中舉例來(lái)說(shuō)，該電極同樣可W粘合到FPC 8905。LCD的驅(qū)動(dòng)電極和VeJl可W在玻璃層8905的底面上被圖案化。在其下方可W是另 一個(gè)玻璃層8906,其中該玻璃層具有約0. 3mm的示例性厚度，其上可W形成該顯示器的TFT 層。該個(gè)玻璃層頂面同樣可W粘合到與顯示器及觸摸感測(cè)電路8908兩者相連的FPC8907。 在其下方可W是底部偏振器，后者下方可W是顯示背光8910。
[034引從頂部到底部的總厚度約為2. 0mm。各種ASIC和分立電路元件既可W位于玻璃 上，也可W經(jīng)由FPC連接。圖案化的ITO可W位于另一個(gè)塑料層上，例如頂部覆蓋物的底側(cè) Afr Afr 寸寸0
[0344] 圖90例示了一種相似的設(shè)置，在該設(shè)置中，通過(guò)將觸摸傳感層9002移動(dòng)到塑料 偏振器9003,就能減小中間玻璃層9001的厚度。在塑料偏振器9003上圖案化觸摸傳感層 9002的處理可W通過(guò)各種已知方法來(lái)完成。厚度的減小可W歸因于不必在兩側(cè)對(duì)玻璃進(jìn)行 圖案化。由于存在處理問(wèn)題，因此在LCD工藝中使用的玻璃可W例如W約0. 5mm的厚度來(lái)處 理，于是在處理之后磨薄至約0. 3mm。通過(guò)讓電路部件處于兩個(gè)側(cè)面上，可W避免磨損玻璃。 但在圖90的實(shí)施例中，由于中間玻璃9001具有只在其一側(cè)圖案化的電極，因此它是可W磨 薄的，由此，其厚度總計(jì)可W減小約0. 2mm。該一設(shè)置可W包括與偏振器相連的附加FPC連 接9004,后者可W使用低溫粘合處理來(lái)粘合。使用塑料基底的附加優(yōu)點(diǎn)還在于可W使用具 有不同介電常數(shù)的材料，該樣做可W提供靈活性，并且可W增強(qiáng)電容性感測(cè)電路的操作。
[0345] 在圖91中例示了塑料基底實(shí)施例的一個(gè)變體。電極9101(例如驅(qū)動(dòng)線(xiàn)或傳感線(xiàn)） 可W在多個(gè)塑料基底9102、9103上被圖案化，然后，該些基底可W粘著在一起。由于塑料基 底可W更?。ɡ?，約為玻璃基底厚度的一半），因此，該技術(shù)甚至可W提供更薄的觸摸屏。
[0346] 在圖92所示的另一個(gè)變體中，聚醋（polyester)基底9201可W具有在任一側(cè)圖 案化的電極9202。該實(shí)施例可W包括用于在兩側(cè)之間連接并且穿過(guò)基底9202的檢查孔 (accesshole)。聚醋基底9201可W布置在諸如手持式計(jì)算機(jī)之類(lèi)的設(shè)備的覆蓋物9204 中。在圖93中例示了另一個(gè)變體，其中該圖例示了具有在頂面被圖案化的IT0電極9302 的聚醋層9301，并且該聚醋層帶有穿過(guò)基底9301到達(dá)第二玻璃基底9304的檢查孔9303W 及在頂面上被圖案化的IT0電極9305。
[0347] 圖94例示了例如手持式計(jì)算機(jī)9401的設(shè)備的顛倒視圖。通過(guò)將其顛倒，意味著 該設(shè)備的用戶(hù)表面即為底面（未示出）。IT0觸摸感測(cè)電極9402可W在用戶(hù)表面的背面圖 案化，其中在設(shè)備裝配過(guò)程中，在其上放置了具有放置在接觸面上的IT0的疊層9403。在圖 95中例示了該概念的另一個(gè)變體，其中該變體示出了根據(jù)該里論述的各個(gè)實(shí)施例之一而在 模制的塑料覆蓋物70的內(nèi)部W及各層9503疊層頂部圖案化的IT0電極9501。在圖95的 圖示中，設(shè)備的用戶(hù)面可W是頂面9504。
[0348] 圖96、97和98例示了聚醋基底制造過(guò)程中的步驟序列，其中在該基底上布置有適 于該里描述的觸摸感測(cè)的IT0電極圖案。圖96例示了圖案化的聚醋薄片9601，其中該聚醋 薄片被圖案化成了口0 9602的隔離方形網(wǎng)格。IT0的電阻率可W是約200歐或更小。單獨(dú) 的電極可W是約ImmX1mm大小，其間隙可W是30微米。在所示實(shí)施例中，薄片9601可W 是約50mmX80mm大小，該是一個(gè)適合手持式計(jì)算機(jī)、多媒體播放器、移動(dòng)電話(huà)或類(lèi)似設(shè)備 的大小，但對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，各種其他的大小和/或應(yīng)用也是可W想到的。如截面圖 所示，薄片的厚度可W小到25微米，但是25~200微米的尺寸也是可W使用的。很明顯， 該樣做可W在設(shè)備厚度方面提供顯著優(yōu)點(diǎn)。
[0349] 在圖97中，F(xiàn)PC9701可W粘合到圖案化基底9702。例如，在圖98中，覆蓋物9801 可W是厚約為0. 8mm的PMMA層，并且可W使用可選透明粘合劑粘著至PET基底9802。
[0350] 3. 4電平移動(dòng)器/解碼器與LCD控制器的集成
[0351] 在某些實(shí)施例中，在LCD外圍區(qū)域（參見(jiàn)圖6)可W放置附加電路（有源、無(wú)源或 者同時(shí)是有源和無(wú)源），W便支持將Vs?信號(hào)遞送到觸摸驅(qū)動(dòng)分段。外圍區(qū)域電路及其設(shè)計(jì) 規(guī)則方面的細(xì)節(jié)可W取決于特定制造工藝細(xì)節(jié)W及所用TFT技術(shù)（即PMOS、NMOS或CMO巧。W下四個(gè)小節(jié)論述的是在考慮了不同驅(qū)動(dòng)電路集成設(shè)置的情況下實(shí)現(xiàn)外圍觸摸驅(qū)動(dòng)電路 的方法。
[0巧2] 3. 4. 1分立的電平移動(dòng)器/解碼器巧片
[0巧3] 在一種方法中，分立的電平移動(dòng)器/解碼器COG可W附著于底部玻璃（參見(jiàn)圖 22)。在該設(shè)置中，在外圍區(qū)域中有可能需要金屬跡線(xiàn)。跡線(xiàn)數(shù)量取決于觸摸驅(qū)動(dòng)分段數(shù) 量，其中對(duì)小型顯示器來(lái)說(shuō)，該數(shù)量可W小于20。該方法的設(shè)計(jì)目標(biāo)可W包括減小電容性禪 合，而后者可W受觸摸驅(qū)動(dòng)跡線(xiàn)之間的間距W及觸摸驅(qū)動(dòng)跡線(xiàn)與外圍區(qū)域中的其他LCD電 路之間的空間的影響。此外，較低的跡線(xiàn)阻抗還有助于減小相鄰觸摸驅(qū)動(dòng)跡線(xiàn)之間的電容 性禪合。
[0巧4] 例如，最長(zhǎng)跡線(xiàn)、電平移動(dòng)器/解碼器輸出電阻、導(dǎo)電點(diǎn)W及IT0驅(qū)動(dòng)分段的組合 電阻可W被限制在約450歐姆。觸摸驅(qū)動(dòng)口0的電阻可W是約330歐姆（假設(shè)IT0薄片電 阻是30歐姆/方塊和11方塊），該樣會(huì)為其他元件留有120歐姆。下表示出了一種為觸摸 驅(qū)動(dòng)電路中的每一元件分配該電阻的處理。
[0 巧 5]
[035d車(chē)交寬跡線(xiàn)和/或較低的薄片電阻可W用于獲取期望的跡線(xiàn)電阻。例如，對(duì)…0歐 的跡線(xiàn)電阻來(lái)說(shuō)，如果薄片電阻是200歐姆/方塊，那么期望的跡線(xiàn)寬度