觸控顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種觸控顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 在液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖一，如圖1所 示，其中現(xiàn)有的顯示面板都包括上下兩個基板，即陣列基板11和彩膜基板12,另外，為 了防止外部電場對顯示的影響，通常會在彩膜基板12的外側(cè)鍛屏蔽膜，例如氧化銅錫 (Indium-Tin-Oxide，W下簡稱；IT0)膜13,其中IT0膜13的厚度約為 200A。
[0003] 另外，在顯示面板完成組裝后，可W通過導(dǎo)電銀漿14將上述的IT0膜13與陣列基 板上的接地塊15電連接，并且在顯示面板顯示時，將上述的IT0膜接地，使得IT0膜起到屏 蔽作用，能夠屏蔽掉外界對顯示的影響。
[0004] 隨著觸控技術(shù)的應(yīng)用，目前普遍的是將觸控元件集成到顯示面板內(nèi)部，即集成 到彩膜基板或陣列基板上，形成觸控顯示面板，現(xiàn)有技術(shù)中通常使用的IT0膜的方阻在 300Q/ □左右，其不僅能夠屏蔽掉外界對顯示的影響，同時也會屏蔽掉外界發(fā)出的觸控信 號，影響觸控顯示面板的觸控性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供一種觸控顯示面板，W解決屏蔽膜對觸控顯示面板的觸控性能影響。
[0006] 本發(fā)明提供一種觸控顯示面板，包括相對設(shè)置的對向基板和陣列基板，所述對向 基板包括第一襯底基板，W及設(shè)置在所述第一襯底基板上的高阻膜材料層，所述高阻膜材 料層的方阻大于或等于1〇7〇 / □且小于或等于i〇i2q/ 〇。
[0007] 本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板，其中的對向基板包括第一襯底基板，并在第 一襯底基板上設(shè)置有高阻材料層，其中高阻膜材料層的方阻大于或等于l〇7n/ □且小于或 等于1〇12Q/ □，通過使用上述類型的高阻膜材料層，當(dāng)有靜電產(chǎn)生時，對于高電壓（如KV 級W上）生成的電荷，可W通過高阻膜材料層作為電荷放電途徑，起到靜電釋放的作用；而 當(dāng)觸控探測時，高阻膜材料層不會將由于手指等觸控積累的電荷釋放掉，對手指等觸控生 成的電荷信號屏蔽較弱，不會對觸控顯示面板的觸控性能產(chǎn)生影響。
【附圖說明】
[0008] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā) 明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可W根 據(jù)該些附圖獲得其他的附圖。
[0009] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0010] 圖2a為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0011] 圖化為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0012] 圖3A為本發(fā)明實施例中提供的觸控顯示面板的俯視示意圖一；
[0013] 圖3B為本發(fā)明實施例中提供的觸控顯示面板的俯視示意圖二；
[0014] 圖3C為本發(fā)明實施例中提供的觸控顯示面板的俯視示意圖S;
[0015] 圖3D為本發(fā)明實施例中提供的觸控顯示面板的俯視示意圖四；
[0016] 圖4A為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖S;
[0017] 圖4B為本發(fā)明實施例中提供的觸控顯示面板的俯視示意圖五；
[001引圖4C為本發(fā)明實施例中提供的觸控顯示面板的俯視示意圖六；
[0019] 圖5為本發(fā)明實施例中陣列基板的俯視示意圖；
[0020] 圖6A為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的第一截面示意圖；
[0021] 圖6B為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的第二截面示意圖；
[0022] 圖6C為本發(fā)明實施例中陣列基板的第S截面示意圖；
[0023] 圖7為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0024] 圖8A為本發(fā)明實施例中黑矩陣的結(jié)構(gòu)示意圖；
[00巧]圖8B為本發(fā)明實施例中黑矩陣上像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0026] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，W下將參照本發(fā)明實施例的附圖， 通過實施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分 實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng) 造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0027] 參考圖2a所示，為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖一。其 中，該觸控顯示面板包括對設(shè)置的對向基板21和陣列基板22,其中對向基板21包括第一襯 底基板23,W及設(shè)置在第一襯底基板23上的高阻膜材料層24,高阻膜材料層24的方阻大 于或等于1〇7〇 / □且小于或等于i〇i2q/ 〇。
[0028] 本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板，其中的對向基板包括第一襯底基板，并在第 一襯底基板上設(shè)置有高阻材料層，其中高阻膜材料層的方阻大于或等于10 7n/ □且小于 或等于1〇12Q/ □，通過使用上述類型的高阻膜材料層，當(dāng)有靜電產(chǎn)生時，對于高電壓（如 KV級W上）生成的電荷，可W通過高阻膜材料層放電，起到靜電釋放的作用；而當(dāng)觸控探測 時，高阻膜材料層不會將由于手指等觸控積累的電荷釋放掉，對手指等觸控生成的電荷信 號屏蔽較弱，不會對觸控顯示面板的觸控性能產(chǎn)生影響。
[0029] 參考圖2b，為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖二，其中的陣 列基板包括第二襯底基板25,W及設(shè)置所述第二襯底基板25上的公共電極層26和接地塊 27,第一襯底基板21上的高阻膜材料層24與公共電極層26電連接或接地（即將高阻膜材 料層24與的接地塊27電連接）。通過上述的技術(shù)方案，均能夠?qū)崿F(xiàn)當(dāng)有靜電產(chǎn)生時，對于 高電壓（如KV級W上）生成的電荷，可W通過高阻膜材料層放電，起到靜電釋放的作用。
[0030] 進(jìn)一步的，本發(fā)明實施例中可W通過在第一襯底基板22和第二襯底基板25之間 設(shè)置有第一導(dǎo)電連接線28,高阻膜材料層24通過第一導(dǎo)電連接線28與公共電極層26電連 接或接地。
[0031] 針對上述實施例中設(shè)及的第一導(dǎo)電連接線28,其中可W通過兩種方式實現(xiàn)，針對 第一種實施方式，仍參考圖2a所示，本實施例提供的觸控顯示面板上，其中會在對向基板 21和陣列基板22之間設(shè)置有封框膠31，其中封框膠31中至少部分區(qū)域?qū)щ奧形成第一導(dǎo) 電連接線28,例如可W是在封框膠中滲雜導(dǎo)電金屬球，W在封框膠中形成導(dǎo)電區(qū)域。
[0032] 參見圖3A，為本發(fā)明實施例中提供的觸控顯示面板的俯視圖一，其中的封框膠 31可W為框形結(jié)構(gòu)，可W在該框形結(jié)構(gòu)的封框膠31的至少一個側(cè)邊和/或至少一個拐角區(qū) 域?qū)щ姟Ｆ渲袌D3A所示的為在框形結(jié)構(gòu)的封框膠28的=個側(cè)邊上滲雜導(dǎo)電金屬球281，如 導(dǎo)電銅球，W使封框膠導(dǎo)電，并形成第一導(dǎo)電連接線28。另外，如圖3B所示，可W在框形結(jié) 構(gòu)的封框膠31的兩個拐角區(qū)域滲雜導(dǎo)電金屬球281，如導(dǎo)電銅球，W使封框膠導(dǎo)電，并形成 第一導(dǎo)電連接線28。