專利名稱:跨導(dǎo)體電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及跨導(dǎo)體電路，特別但并不專門地涉及單端跨導(dǎo)體，平衡跨導(dǎo)體電路和適合在無線收發(fā)器中使用的濾波器。
背景技術(shù)：
已知在用于現(xiàn)代無線收發(fā)器的回轉(zhuǎn)子信道濾波器中的AB級(jí)跨導(dǎo)體，例如根據(jù)B1uetoothTM和ZigBeeTM標(biāo)準(zhǔn)工作的跨導(dǎo)體。圖1(a)中說明了能在這種濾波器中使用的常規(guī)單端跨導(dǎo)體1的示例。CMOS反相器2包括p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)3和n溝道MOSFET4。該p溝道和n溝道MOSFET3，4具有相等的跨導(dǎo)gm，并被設(shè)置為將它們的柵極端子g連接到輸入端5并且將它們的漏極端子d連接到輸出端6。該p溝道MOSFET3的源極端子被連接到第一電源導(dǎo)軌7并且n溝道MOSFET4的源極端子被連接到第二電源導(dǎo)軌18。
在使用中，輸入電壓Vin被施加在輸入端子5并且輸出電流Iout被提供在輸出端子6。單端跨導(dǎo)體1的整個(gè)跨導(dǎo)-G為-2gm。圖1(b)是圖1(a)的單端跨導(dǎo)體的示意性說明。
回轉(zhuǎn)子信道濾波器中的每個(gè)回轉(zhuǎn)器典型地包括平衡跨導(dǎo)器電路。圖2是能在回轉(zhuǎn)子信道濾波器中使用的已知平衡反饋跨導(dǎo)器電路10的示意性說明。第一和第二跨導(dǎo)體11，12每個(gè)都包括與圖1(a)中說明的跨導(dǎo)體相類似的單端跨導(dǎo)體電路。第一跨導(dǎo)體11被連接到在使用中接收正輸入電壓Vin(+)的正輸入端13。第二跨導(dǎo)體12被連接到在使用中接收負(fù)輸入電壓Vin(-)的負(fù)輸入端14。在使用中，負(fù)輸出電流Iout(-)被提供在連接到負(fù)輸出端15的第一跨導(dǎo)體11的輸出處。正輸出電流Iout(+)被提供在連接到正輸出端16的第二跨導(dǎo)體12的輸出處。輸入裝置17提供共模反饋并由四個(gè)跨導(dǎo)體18，19，20，21形成。四個(gè)跨導(dǎo)體的每一個(gè)都包括半寬度晶體管并由此具有原尺寸跨導(dǎo)體的一半偏流和一半跨導(dǎo)(-G/2)。這得到了穩(wěn)定的操作。
雖然共模反饋輸入裝置17比沒有共模反饋的設(shè)計(jì)能夠獲益增強(qiáng)的穩(wěn)定性、減少的功耗和增加的共模抑制，在使用中，平衡跨導(dǎo)體電路10中整個(gè)功耗的至少一半處于輸入裝置17中。另外，平衡跨導(dǎo)體噪聲、面積和輸入電容的至少一半是輸入裝置17的直接結(jié)果，這導(dǎo)致了另外的功耗損失。
圖3說明了在每個(gè)回轉(zhuǎn)器級(jí)中使用常規(guī)平衡跨導(dǎo)體電路的常規(guī)回轉(zhuǎn)子信道濾波器的一部分30。該回轉(zhuǎn)子信道濾波器具有包括已知平衡反饋跨導(dǎo)體電路的輸入級(jí)31，該已知平衡反饋跨導(dǎo)體電路具有與先前參照?qǐng)D2描述的輸入裝置17相類似的共模輸入裝置32。用于這種回轉(zhuǎn)子信道濾波器的通常結(jié)構(gòu)被稱為“有源梯”，其模擬雙端接LCR梯裝置的工作行為并典型地具有近似-6dB的增益。然而，由于信道濾波器通常被要求具有20dB到30dB的增益，因此它必須增加輸入和/或輸出增益級(jí)。在這個(gè)示例中，該輸入濾波器級(jí)31包括附加增益A來提供合適的前端放大。在輸入級(jí)31的平衡跨導(dǎo)體電路中的單端跨導(dǎo)體33，34因此具有-AG的跨導(dǎo)。輸入裝置3 2的半尺寸單端跨導(dǎo)體35，36，37，38具有-AG/2的跨導(dǎo)。
輸入級(jí)31也被要求提供來自無線收發(fā)器電路的混頻器(未示出)的信號(hào)的直流(dc)阻塞并由此該輸入級(jí)包括每個(gè)都具有電容C的兩個(gè)阻塞電容器39，40。
電路30具有在第一和第二跨導(dǎo)體33，34中的每一個(gè)的輸入和接地端子41之間的有效輸入電容C’，在圖3中由虛線的電容器42，43說明。每個(gè)輸入電容C’取決于輸入裝置3 2中單端跨導(dǎo)體35，36，37，38的跨導(dǎo)量值。如果經(jīng)過電容劃分(C/(C+C’))的衰減被最小化，這些較大的輸入電容C’需要使用具有大電容C的直流阻塞電容器39，40。由于它們的尺寸，直流阻塞電容器39，40每個(gè)都需要較大襯底面積，這在現(xiàn)代應(yīng)用中是不符合要求的。
因此，圖3的裝置是有噪聲的，與必需的功耗相比更耗能，并且占據(jù)了不可接受的襯底面積。
本發(fā)明設(shè)法克服這些缺陷。

發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明，從第一方面提供了包括具有輸入和輸出的反相器的單端跨導(dǎo)體和連接在該輸入和輸出之間的電阻元件。
具有以這種方式連接的電阻元件具有提供用于偏置該輸入端子的裝置的益處。在電路的工作中，該電阻元件能導(dǎo)致從跨導(dǎo)體的輸出到輸入的低通反饋路徑，這由電阻元件和跨導(dǎo)體輸入電容C’形成。輸入和輸出端的直流電壓由此基本相等。這在一定的應(yīng)用中具有益處，并且例如，能使單端跨導(dǎo)體形成平衡跨導(dǎo)體電路的部件，該電路能夠避免與常規(guī)共模反饋電路相關(guān)聯(lián)的損失。
反相器能包括NMOS晶體管和PMOS晶體管，每個(gè)都將它們的柵極連接到輸入并將它們的漏極連接到輸出。
電阻元件的電阻優(yōu)選基本上大于單端跨導(dǎo)體的跨導(dǎo)量值的倒數(shù)。這能夠確保由電阻元件產(chǎn)生的低通反饋路徑的截止頻率并且輸入電容C’較低。相應(yīng)地，能夠具有可忽略的交流(ac)信號(hào)反饋，并且通過跨導(dǎo)體的信號(hào)傳輸能夠基本上不被削弱。
優(yōu)選地，該電阻元件是晶體管。使用晶體管與使用電阻器相比具有需要更少襯底面積的優(yōu)點(diǎn)。晶體管的輸入端能被連接到第一和第二電源導(dǎo)軌之一。在這種情況時(shí)，晶體管的電阻能夠通過設(shè)定晶體管尺寸來預(yù)定，例如相應(yīng)地設(shè)定晶體管的源極、漏極和柵極區(qū)域的尺寸。
從根據(jù)本發(fā)明的一對(duì)單端跨導(dǎo)體可以形成平衡跨導(dǎo)體電路。
由于反饋導(dǎo)致不穩(wěn)定并且由此需要常規(guī)的共模反饋裝置，這個(gè)平衡跨導(dǎo)體可以不在回轉(zhuǎn)子信道濾波器的內(nèi)部反饋環(huán)中使用。然而，這個(gè)平衡跨導(dǎo)體能在不需要反饋環(huán)的應(yīng)用例如濾波器的輸入和輸出級(jí)中使用。常規(guī)輸入裝置在這種輸入和輸出級(jí)中的使用能夠?qū)е路浅２畹臑V波器特征，根據(jù)本發(fā)明的平衡跨導(dǎo)體能夠克服這一問題。該平衡跨導(dǎo)體具有優(yōu)點(diǎn)它提供它自己的裝置來偏置該輸入端而沒有共模反饋電路的損失。
根據(jù)本發(fā)明，從第二方面提供了包括設(shè)置在第一輸入端和第一輸出端之間的第一跨導(dǎo)體、設(shè)置在第二輸入端和第二輸出端之間的第二跨導(dǎo)體、連接在第一輸入端和第一輸出端之間的第一電阻元件、連接在第二輸入端和第二輸出端之間的第二電阻元件、連接在第一輸入端和第二輸出端之間的第三電阻元件，和連接在第二輸入端和第一輸出端之間的第四電阻元件的平衡跨導(dǎo)體電路。
這個(gè)跨導(dǎo)體電路具有優(yōu)點(diǎn)阻塞低頻差分輸入信號(hào)而同時(shí)對(duì)于共模信號(hào)具有較高截止頻率，由此導(dǎo)致該電路具有高的共模抑制比。這個(gè)電路在例如濾波器的輸入和輸出級(jí)的應(yīng)用中是有利的，在這里高水平的穩(wěn)定性不必要求到它們在例如濾波器的內(nèi)部反饋環(huán)的其他應(yīng)用中所要求的程度。
優(yōu)選地，第一，第二，第三和第四電阻元件至少之一是晶體管。對(duì)于一個(gè)或多個(gè)電阻元件使用晶體管的設(shè)置與使用電阻器的設(shè)置相比具有需要更少襯底面積的優(yōu)點(diǎn)。晶體管的輸入端可以被連接到第一和第二電源導(dǎo)軌之一。在這種情況下，通過設(shè)定晶體管的尺寸晶體管的電阻能夠被預(yù)定，例如通過相應(yīng)地設(shè)定晶體管的源極、漏極和柵極區(qū)域的尺寸。
能夠形成包括包含該平衡跨導(dǎo)體電路的輸入級(jí)的濾波器。
在這個(gè)濾波器中，低頻差分信號(hào)能被阻塞而不削弱濾波器響應(yīng)，因此避免了在輸入級(jí)中對(duì)大阻塞電容器的需要。這能夠減小所需電容器的尺寸并由此減小濾波器所需的襯底面積。因此，共模信號(hào)的截止頻率能比常規(guī)電路中更高，因此導(dǎo)致該電路具有高的共模抑制比。由于濾波器中輸入?yún)⒖荚肼暤淖畹突蜑V波器中元件的整個(gè)功耗的減少，也能夠獲得節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)。
能夠形成包括包含該平衡跨導(dǎo)體電路的輸出級(jí)的濾波器。
這個(gè)濾波器具有阻塞低頻共模信號(hào)的特別優(yōu)點(diǎn)，該低頻共模信號(hào)由于隨機(jī)的晶體管不匹配從回轉(zhuǎn)子濾波器中產(chǎn)生。
為了本發(fā)明能被更全面的了解，現(xiàn)在將僅僅以示例的方式，參照附圖來描述它的實(shí)施例，其中圖1(a)說明了常規(guī)單端跨導(dǎo)體電路；圖1(b)是單端跨導(dǎo)體的示意說明；圖2是常規(guī)平衡反饋跨導(dǎo)體電路的示意說明；圖3說明了常規(guī)回轉(zhuǎn)子信道濾波器的一部分；圖4(a)說明了根據(jù)本發(fā)明的單端跨導(dǎo)體電路；圖4(b)說明了由兩個(gè)圖4(a)的單端跨導(dǎo)體電路形成的根據(jù)本發(fā)明平衡跨導(dǎo)體電路；圖5是根據(jù)本發(fā)明的平衡反饋跨導(dǎo)體電路的一個(gè)示例的示意說明；圖6是根據(jù)本發(fā)明的平衡反饋跨導(dǎo)體電路的另一個(gè)示例的示意說明；圖7說明了根據(jù)本發(fā)明的回轉(zhuǎn)子信道濾波器的一部分。
具體實(shí)施方式圖4(a)說明了根據(jù)本發(fā)明的單端跨導(dǎo)體電路50。在這個(gè)示例中，CMOS反相器51包括p溝道MOSFET52和n溝道MOSFET53。該p溝道和n溝道MOSFET52，53具有相等的跨導(dǎo)gm并以將他們的柵極端子g連接到輸入端54并將他們的漏極端子d連接到輸出端55來設(shè)置。該p溝道MOSFET52的源極端子被連接到第一電源導(dǎo)軌56且該n溝道MOSFET53的源極端子被連接到第二電源導(dǎo)軌57。具有電阻R的電阻器58被設(shè)置在輸入和輸出端54，55之間。
在使用中，電壓源橫跨第一和第二電源導(dǎo)軌56，57連接，輸入電壓Vin被施加在輸入端54并且輸出電流Iout由此在輸出端55被提供。
圖4(a)的單端跨導(dǎo)體被認(rèn)為是具有由電阻器58和跨導(dǎo)體輸入電容C′組合形成的低通反饋通路的圖1(a)的單端跨導(dǎo)體，該電容由圖4(a)中的虛線電容器59所示。在輸入和輸出端54，55的直流電壓由此基本相等。
只要該低通濾波器的截止頻率為低，則具有可忽略的信號(hào)反饋并且通過跨導(dǎo)體的信號(hào)傳輸基本不被削弱。相應(yīng)地，電阻器58的電阻R優(yōu)選被設(shè)定為基本大于1/G，這里-G是單端跨導(dǎo)體電路50的整個(gè)跨導(dǎo)。
雖然在圖4(a)的示例中，電阻器58被用于提供直流反饋，這個(gè)元件可被例如晶體管的可替換電阻元件代替。使用晶體管的裝置具有優(yōu)點(diǎn)與所說明的使用電阻器的裝置相比具有減小的襯底面積。在一個(gè)示例中，晶體管的主電流通路連接在輸入和輸出端54，55之間并且該輸入端被連接到恒定電壓源。例如，在使用MOSFET的情況下，其源極被連接到輸入端54，其漏極被連接到輸出端55并且其柵極被連接到第一電源導(dǎo)軌56。MOSFET的主電流通路的電阻通過設(shè)置MOSFET的尺寸來相應(yīng)地預(yù)先確定，例如通過確定MOSFET的源極、漏極和柵極區(qū)域的寬度預(yù)先確定。可替換地，施加到MOSFET或所使用的其他晶體管的柵極的控制信號(hào)的幅值能被選擇性地設(shè)置來對(duì)該晶體管給出它的合適電阻R。
圖4(b)說明了由每個(gè)都類似于圖4(a)所說明的單端跨導(dǎo)體電路的兩個(gè)單端跨導(dǎo)體電路形成的根據(jù)本發(fā)明的平衡跨導(dǎo)體電路60。第一反相器61包括第一p溝道MOSFET62和第一n溝道MOSFET63。該第一p溝道和n溝道MOSFET62，63具有相等的跨導(dǎo)gm，且以將它們的柵極端子g連接到正輸入端64以及將它們的漏極端子d連接到負(fù)輸出端65來進(jìn)行設(shè)置。該p溝道MOSFET62的源極端子被連接到第一電源導(dǎo)軌66且該n溝道MOSFET63的源極端子被連接到第二電源導(dǎo)軌67。具有電阻R的第一電阻器68被設(shè)置在正輸入端和負(fù)輸出端64，65之間。
第二反相器69包括第二p溝道MOSFET70和第二n溝道MOSFET71。該第二p溝道和n溝道MOSFET70，71具有相等的跨導(dǎo)gm且以將它們的柵極端子g連接到負(fù)輸入端72以及將它們的漏極端子d連接到正輸出端73來進(jìn)行設(shè)置。該p溝道MOSFET70的源極端子被連接到第一電源導(dǎo)軌66且該n溝道MOSFET71的源極端子被連接到第二電源導(dǎo)軌67。具有電阻R的第二電阻器74被設(shè)置在負(fù)輸入端和正輸出端72，73之間。
在工作中，電壓源橫跨第一和第二電源導(dǎo)軌66，67來連接。正輸入端64接收正輸入電壓Vin(+)且負(fù)輸入端72接收負(fù)輸入電壓。正輸出端73提供正輸出電流Iout(+)且負(fù)輸出端65提供負(fù)輸出電流Iout(-)。
兩個(gè)單端跨導(dǎo)器電路的每一個(gè)由此被用于將正或負(fù)輸入電壓之任一分別轉(zhuǎn)換為負(fù)或正輸出電流。該第一和第二電阻器并不限于具有相等的電阻R，也可以具有不同的電阻。任一電阻器或兩個(gè)電阻器都可以可替換地使用例如MOSFET的晶體管以與上面參照?qǐng)D4(a)所描述的類似方式來替代。得到的平衡跨導(dǎo)體電路60以及單獨(dú)的單端跨導(dǎo)體50能應(yīng)用在例如回轉(zhuǎn)子信號(hào)濾波器的輸入和輸出級(jí)的電路中，例如這些都適合用于根據(jù)BluetoothTM和ZigBeeTM標(biāo)準(zhǔn)工作的無線收發(fā)器中。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的平衡跨導(dǎo)體電路80的一個(gè)示例的示意性說明。例如圖1(a)所示并具有-G跨導(dǎo)的第一常規(guī)單端跨導(dǎo)體81以將它的輸入連接到正輸入電壓端子82且將它的輸出連接到負(fù)輸出電流端子83來進(jìn)行設(shè)置。例如圖1(a)所示并具有-G跨導(dǎo)的第二常規(guī)單端跨導(dǎo)體84以將它的輸入連接到負(fù)輸入電壓端子85且將它的輸出連接到正輸出電流端子86來進(jìn)行設(shè)置。第一電阻元件87具有電阻R1并被連接在正輸入電壓端子82和負(fù)輸出電流端子83之間。第二電阻元件88具有電阻R1，其在這個(gè)示例中等于第一電阻元件87的電阻，并且被連接在負(fù)輸入電壓端子85和正輸出電流端子86之間。第三電阻元件89具有電阻R2并被連接在正輸入電壓端子82和正輸出電流端子86之間。第四電阻元件90具有電阻R2，其在這個(gè)示例中等于第三電阻元件89的電阻，并且被連接在負(fù)輸入電壓端子85和負(fù)輸出電流端子83之間。第一、第二、第三和第四電阻元件87，88，89，90在這個(gè)實(shí)施例中是電阻器。
這個(gè)電路80，例如在被包括在例如濾波器電路的電路中時(shí)，具有阻塞低頻差分輸入信號(hào)的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)對(duì)于共模信號(hào)具有較高截止頻率，由此得到具有高共模抑制比的電路。在一個(gè)示例中，通過出現(xiàn)的差分輸入電壓且R1＝R2，經(jīng)由電阻元件的前饋和反饋被取消。
圖6說明了根據(jù)本發(fā)明的平衡跨導(dǎo)體電路100的另一個(gè)示例，該電路與參照?qǐng)D5描述的電路相似地設(shè)置，但其中第一、第二、第三和第四電阻元件是n型MOSFET101，102，103，104。每個(gè)MOS FET以將它的主電流通路位于平衡跨導(dǎo)體電路100的輸出和輸入之間進(jìn)行設(shè)置，并在柵極端子被施加控制信號(hào)′c′，以使得它工作在三極管或線性區(qū)域。其柵極能被連接到電路100的電源導(dǎo)軌(未示出)。這使得MOSFET101，102，103，104能以類似可變電阻的方式工作，它們的電阻取決于MOSFET的尺寸，例如源極、漏極和/或柵極區(qū)域的尺寸。在這個(gè)電路100中使用MOSFET作為電阻元件導(dǎo)致與例如先前描述的使用電阻器的電路80相比具有減小的襯底面積的裝置。為了取消反饋和前饋信號(hào)，電阻R1和R2能被設(shè)置成相等，或者能可替換地單獨(dú)設(shè)置來獲得在電路100的工作特征上的更好控制，這將在下面描述。
圖7說明了包括先前參照?qǐng)D6描述的平衡跨導(dǎo)體電路100的根據(jù)本發(fā)明的濾波器輸入級(jí)110。在這個(gè)示例中，該濾波器是用于無線收發(fā)器中的回轉(zhuǎn)子信道濾波器。該輸入級(jí)包括分別連接到第一和第二單端跨導(dǎo)體113，114的輸入的正和負(fù)輸入端子111，112。該輸入級(jí)110具有用于連接到濾波器中下一級(jí)的第一和第二輸出端子115，116。
該輸入級(jí)110具有直流阻塞電容器117，118，其每個(gè)都具有電容C并分別串聯(lián)設(shè)置在輸入端111，112和第一、第二單端跨導(dǎo)體113，114之間。圖7中用虛線電容器119，120所示的有效輸入電容C′分別存在于第一和第二單端跨導(dǎo)體113，114的每一個(gè)的輸入和接地端子121之間。值為RL的阻性負(fù)載122，123分別位于每個(gè)輸出端115，116和接地端子121之間。
對(duì)于例如圖7所示的接收差模信號(hào)的濾波器輸入級(jí)，并且在其中第一和第二電阻元件的電阻R1不被設(shè)定等于第三和第四電阻元件的電阻R2的情況下，這產(chǎn)生了具有截止頻率ωco的第一階高通響應(yīng)，該頻率由下給出，，其中RF為有效饋通電阻，由下給出，，并且近似的高頻增益A，由下給出，。
對(duì)于共模輸入信號(hào)，有效饋通電阻變成，。
相應(yīng)地，能夠選擇R1和R2的值，以使得低通差分信號(hào)被阻塞由此避免需要大阻塞電容器117，118，而不削弱該信道濾波器響應(yīng)。同樣，對(duì)于共模信號(hào)的截止頻率能更大由此得出具有高共模抑制比的電路110。
在圖7中描述的示例是用于B1uetoothTM無線收發(fā)器的回轉(zhuǎn)子信道濾波器的輸入級(jí)。對(duì)于電路的部件值可以是，例如阻塞電容C設(shè)為10pF，阻性負(fù)載RL等于12.5kΩ并且跨導(dǎo)G等于320μS。設(shè)置R1為1MΩ且R2為1.1MΩ得到11MΩ的有效饋通電阻RF。用作第一和第二電阻元件101，102的n型MOSFET晶體管例如能夠具有0.28μm的寬度和42μm的長度。用作第三和第四電阻元件103，104的n型MOSFET晶體管例如能具有0.28μm的寬度和46μm的長度。使用上面的公式，截止頻率由此近似于7.2kHz且高頻增益A近似于4。對(duì)于共模信號(hào)，截止頻率更大，在約152kHz。
當(dāng)上面的部件值用在圖7電路的仿真中時(shí)，每個(gè)與需要約7200μm2的62pF電容器相比較，該直流阻塞電容器117，118需要約1160m2的襯底面積，前者為例如圖3所描述的常規(guī)現(xiàn)有技術(shù)的電路所需要的面積。輸入?yún)⒖荚肼暶芏纫脖痊F(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計(jì)減少了，與常規(guī)設(shè)計(jì)中的45nV/√Hz相比，在圖7的示例中為37nV/√Hz。實(shí)際功耗也減小11％，這與源于輸入?yún)⒖荚肼暅p少的節(jié)能相組合，導(dǎo)致整個(gè)濾波器節(jié)能約40％。
在可替換示例中，圖6的平衡跨導(dǎo)體電路100能被用在例如用于根據(jù)BluetoothTM和/或ZigBeeTM標(biāo)準(zhǔn)工作的無線收發(fā)器中的回轉(zhuǎn)子信道濾波器的濾波器的輸出級(jí)中。在這種情況下，電路具有阻塞低頻共模信號(hào)的優(yōu)點(diǎn)，該低頻共模信號(hào)由于晶體管的隨機(jī)不匹配從回轉(zhuǎn)子濾波器中產(chǎn)生。
通過閱讀本說明，其他變化和修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是明顯的。這些變化和修改包括等同物和在跨導(dǎo)體電路的設(shè)計(jì)、制造和使用中已知并對(duì)在這里描述的特征可替代使用或附加使用的其他特征。
雖然對(duì)于特征的特定組合權(quán)利要求
在本申請(qǐng)中已經(jīng)闡明，應(yīng)理解無論是否涉及與任何權(quán)利要求
中所要求相同的發(fā)明以及無論是否解決了如本發(fā)明所解決的任何或所有的相同技術(shù)問題，本發(fā)明所披露的范圍還包括在這里清楚地、或暗示地披露的任何新的特征或各特征的任何新的組合或它們的任何概括。在這里申請(qǐng)人提示，對(duì)于這些特征和/或在本申請(qǐng)或源于此的任何其他申請(qǐng)的審查期間的這些特征的組合，可以提出新的權(quán)利要求
。
權(quán)利要求
1.一種單端跨導(dǎo)體(50)，包括具有輸入(54)和輸出(55)的反相器(51)；和連接在輸入(54)和輸出(55)之間的電阻元件(58)。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的單端跨導(dǎo)體，其中該反相器包括NMOS晶體管(52)和PMOS晶體管(53)，每個(gè)晶體管都將它們的柵極連接到該輸入(54)且將它們的漏極連接到該輸出(55)。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1或2的單端跨導(dǎo)體，其中電阻元件(58)的電阻(R)顯著大于單端跨導(dǎo)體(50)的跨導(dǎo)量值的倒數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1，2或3的單端跨導(dǎo)體，其中電阻元件(58)是電阻器。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1，2或3的單端跨導(dǎo)體，其中電阻元件(58)是晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求
5的單端跨導(dǎo)體，其中該晶體管被設(shè)置為工作在它的三極管區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求
5或6的單端跨導(dǎo)體，其中晶體管的柵極端子被連接到第一和第二電源導(dǎo)軌(56，57)之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求
5，6或7的單端跨導(dǎo)體，其中晶體管是NMOS場效應(yīng)晶體管。
9.一種平衡跨導(dǎo)體電路(60)，包括一對(duì)根據(jù)權(quán)利要求
1-8中任一項(xiàng)的單端跨導(dǎo)體(50)。
10.一種平衡跨導(dǎo)體電路(80，100)，包括設(shè)置在第一輸入端(82，111)和第一輸出端(83，115)之間的第一跨導(dǎo)體(81，113)；設(shè)置在第二輸入端(85，112)和第二輸出端(86，116)之間的第二跨導(dǎo)體(84，114)；連接在第一輸入端(82，111)和第一輸出端(83，115)之間的第一電阻元件(87，101)；連接在第二輸入端(85，112)和第二輸出端(86，116)之間的第二電阻元件(88，102)；連接在第一輸入端(82，111)和第二輸出端(86，116)之間的第三電阻元件(89，103)；連接在第二輸入端(85，112)和第一輸出端(83，115)之間的第四電阻元件(90，104)。
11.根據(jù)權(quán)利要求
10的平衡跨導(dǎo)體電路，其中第一、第二、第三和第四電阻元件的至少之一是晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11的平衡跨導(dǎo)體電路，其中該晶體管被設(shè)置為工作在它的三極管區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求
11或12的平衡跨導(dǎo)體電路，其中第一、第二、第三和第四晶體管的至少之一的柵極端子被連接到第一和第二電源導(dǎo)軌之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求
11，12或13的平衡跨導(dǎo)體電路，其中第一、第二、第三和第四晶體管的至少之一是NMOS場效應(yīng)晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求
10-14中任一項(xiàng)的平衡跨導(dǎo)體電路，其中第一電阻元件(87，101)的電阻為與第二電阻元件(88，102)的電阻相等的第一值(R1)并且其中第三電阻元件(89，103)的電阻為與第四電阻元件(90，104)的電阻相等的第二值(R2)。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15的平衡跨導(dǎo)體電路，其中該第一和第二值(R1，R2)不相同。
17.根據(jù)權(quán)利要求
10-16中任一項(xiàng)的平衡跨導(dǎo)體電路，其中第一和第二輸入端(82，111，85，112)被設(shè)置來分別接收正的和負(fù)的電壓輸入信號(hào)；并且第一和第二輸出端(83，115，86，116)被設(shè)置來分別提供正的和負(fù)的電流輸出信號(hào)。
18.一種包括包含有根據(jù)權(quán)利要求
9-17中任一項(xiàng)的平衡跨導(dǎo)體電路(80，100)的輸入級(jí)(110)的濾波器。
19.根據(jù)權(quán)利要求
18的濾波器，還包括串聯(lián)在第一輸入端(111)和第一跨導(dǎo)體(113)的輸入之間的第一電容器(117)，和串聯(lián)在第二輸入端(112)和第二跨導(dǎo)體(114)的輸入之間的第二電容器(118)。
20.一種包括包含有根據(jù)權(quán)利要求
9-17中任一項(xiàng)的平衡跨導(dǎo)體電路(80，100)的輸出級(jí)的濾波器。
21.根據(jù)權(quán)利要求
18，19或20的濾波器，其中該濾波器是用于無線收發(fā)器中的回轉(zhuǎn)子信道濾波器。
22.根據(jù)權(quán)利要求
21的濾波器，其中該無線收發(fā)器根據(jù)BluetoothTM或ZigBeeTM標(biāo)準(zhǔn)工作。
專利摘要
本發(fā)明涉及跨導(dǎo)體電路，特別但并不專門涉及單端跨導(dǎo)體電路(50)、平衡跨導(dǎo)體電路和適合在無線收發(fā)器中使用的濾波器。該單端跨導(dǎo)體(50)包括具有輸入(54)和輸出(55)的反相器(51)。電阻元件(58)被連接在輸入(54)和輸出(55)之間。
文檔編號(hào)H03F3/30GK1993884SQ20058002592
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2005年7月28日
發(fā)明者J·B·休斯 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan