化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。
[0025]步驟1)中，對(duì)基板1的清洗具體方法如下:將基板1放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板1的外表面5-10分鐘。
[0026]通過上述方法制得的燈罩上的各膜層在零下20°C時(shí)的附著力為6_9hrs，在80°C時(shí)的附著力為6-9hrs，具有很強(qiáng)的附著能力，同時(shí)各膜層的致密性好、純凈度高。而且，該燈罩能有效地過濾33%以上有害藍(lán)光，而且整體清晰度，對(duì)于視覺的清晰度和真實(shí)性有著很好的貢獻(xiàn)，通過對(duì)有害藍(lán)光的過濾能有效的緩解視覺疲勞，ΙΤ0層的設(shè)置有效的切斷對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線，起到了防輻射的效果，同時(shí)，最外層為使用高硬度材料成型的高硬度層使得該燈罩具有較高的耐磨性。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩，包括基板，其特征在于:所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層和第五膜層，所述第一膜層為五氧化三鈦層，第一膜層的厚度為10-100nm;所述第二膜層為二氧化硅層，第二膜層的厚度為50-100nm ;所述第三膜層為金屬層，第三膜層的厚度為5_20nm ;所述第四膜層為IT0層，第四膜層的厚度為10-100nm ;所述第五膜層為高硬度層，第五膜層的厚度為10_50nm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩，其特征在于:所述金屬層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅或鎳，并使用電子槍蒸鍍成型。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩，其特征在于:所述金屬層的膜材為金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，并使用電子槍蒸鍍成型。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩，其特征在于:所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并使用電子槍蒸鍍成型。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩，其特征在于:所述基板為樹脂或玻璃成型。6.一種根據(jù)權(quán)利要求5所述過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩的制造方法，其特征在于:所述燈罩的基板為樹脂成型時(shí)，所述制造方法具體包括以下步驟: 1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗； 2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜； A、鍍第一膜層: 將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0X 10 3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為10-100nm，其中第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層； B、鍍第二膜層: 保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0X 10 3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm，其中第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層； C、鍍第三膜層: 保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0X 10 3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1A/S，第三膜層最終形成后的厚度為5-20nm，其中第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層； D、鍍第四膜層: 保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0X 10 3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為1A/S，第四膜層最終形成后的厚度為10-100nm，其中第四膜層的膜材為IT0材料，形成IT0層； E、鍍第五膜層: 保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0X 10 3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材，第五膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟D中第四膜層的表面，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為7A/S，第五膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第五膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩的制造方法，其特征在于:所述步驟1)中，對(duì)基板清洗的具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面3分鐘。8.一種根據(jù)權(quán)利要求5所述過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩的制造方法，其特征在于:所述燈罩的基板為玻璃成型時(shí)，所述制造方法具體包括以下步驟: 1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗； 2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜； A、鍍第一膜層: 將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0X 10 3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于基板的外表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為2.5A/S，第一膜層最終形成后的厚度為10-100nm，其中第一膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層； B、鍍第二膜層: 保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0X 10 3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為7A/S，第二膜層最終形成后的厚度為50-100nm，其中第二膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層； C、鍍第三膜層: 保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0X 10 3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為1A/S，第三膜層最終形成后的厚度為5-20nm，其中第三膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鈾合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層； D、鍍第四膜層: 保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0X 10 3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時(shí)控制第四膜層蒸鍍的速率為1A/S，第四膜層最終形成后的厚度為10-100nm，其中第四膜層的膜材為IT0材料，形成IT0層； E、鍍第五膜層: 保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0X 10 3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材，第五膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟D中第四膜層的表面，同時(shí)控制第五膜層蒸鍍的速率為7A/S，第五膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第五膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩的制造方法，其特征在于:所述步驟1)中，對(duì)基板清洗的具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面5_10分鐘。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種過濾藍(lán)光防輻射的耐磨燈罩及其制造方法，燈罩包括基板，所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層和第五膜層，所述第一膜層為五氧化三鈦層，所述第二膜層為二氧化硅層，所述第三膜層為金屬層，所述第四膜層為ITO層，所述第五膜層為高硬度層。其制造方法包括以下步驟：1）對(duì)基板進(jìn)行清洗；2）對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜。本發(fā)明的燈罩能有效地過濾33％以上有害藍(lán)光，而且整體清晰度高，并有效的切斷對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線，起到了防輻射的效果，最外層為使用高硬度材料成型的高硬度層使得該燈罩具有較高的耐磨性。
【IPC分類】B32B37/24, F21V3/04, B32B9/04, B32B15/04, B32B33/00, B32B9/00, B32B38/00, B32B27/06, B32B17/06, B32B38/16
【公開號(hào)】CN105398154
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201511032029
【發(fā)明人】吳曉彤, 方俊勇
【申請(qǐng)人】奧特路（漳州）光學(xué)科技有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日