11的旋轉(zhuǎn)速度成反比。
[0062]圖8是根據(jù)所述實(shí)施例的輻射檢測(cè)器中的靈敏度重影的測(cè)試結(jié)果。這個(gè)測(cè)試是通過改變CsI熒光層的沉積率對(duì)旋轉(zhuǎn)速度的比值(即，T/R的值)而得的輻射檢測(cè)器中靈敏度重影的測(cè)量結(jié)果，。
[0063]評(píng)估靈敏度重影如下。在輻射檢測(cè)器和X-射線發(fā)生器之間設(shè)置屏蔽X-射線的物體的狀態(tài)中輻射高劑量(2，400mA)的X-射線，并且在5分鐘之后，在移除該物體的狀態(tài)下，在普通圖像捕獲條件(16mA)下捕獲白圖像。然后，靈敏度重影評(píng)估為具有高劑量輻射歷史部分中的信號(hào)量相對(duì)于捕獲圖像之前無(wú)輻射歷史部分中的信號(hào)量的增量。即，當(dāng)通過GS (% )表示靈敏度重影時(shí)，通過SO表示在捕獲圖像之前無(wú)輻射歷史部分中的信號(hào)量，即無(wú)輻射部分中的靈敏度，并且通過SI來表示高劑量輻射歷史部分中的信號(hào)量，即高劑量輻射部分中的靈敏度，建立下述公式。
[0064]GS (%) = (Sl-SO)/SOxlOO
[0065]發(fā)生了 Csl/Tl的熒光現(xiàn)象以致把CsI晶體吸收的X-射線轉(zhuǎn)換成高速電子，當(dāng)高速電子自己減速時(shí)，高速電子接著激勵(lì)晶體中價(jià)帶(valence band)中的電子，受激勵(lì)的電子通過分散在晶體中的Tl離子組成的發(fā)光中心，從而立即發(fā)出光。在附近不存在Tl離子的情況下，激勵(lì)能量保留在熒光層中，不容易使能量釋放為光發(fā)射。然后，通過接收吸收了下一個(gè)幀中的X-射線而新產(chǎn)生的高速電子的激勵(lì)，發(fā)射作為重影的光。
[0066]如圖8所示，當(dāng)設(shè)置基板的旋轉(zhuǎn)速度為6rpm、沉積率為I微米/分、T/R為約170微米、設(shè)置層疊方向上的平均TlI度為0.5%時(shí)，得到足夠的靈敏度，然而，靈敏度重影(GS)從2.3到2.8%。當(dāng)發(fā)生如此程度的靈敏度重影時(shí)，以前輻射圖像重影復(fù)蓋了高劑量輻射之后的正常劑量圖像，因此，可能會(huì)阻礙圖像診斷。
[0067]另一方面，當(dāng)設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度為30rpm(此時(shí)，T/R約為35微米)，靈敏度重影從0.9到2.2%，以致觀察到有改善。此外，當(dāng)設(shè)置沉積率為0.14微米/分，設(shè)置基板旋轉(zhuǎn)速度為12rpm(此時(shí)，T/R約為12微米)，靈敏度重影為0%
[0068]發(fā)現(xiàn)通過降低熒光層2的沉積率對(duì)旋轉(zhuǎn)速度的比值，即，通過如此地降低T/R值，可以降低靈敏度重影。在使用CsI和TlI兩個(gè)坩禍執(zhí)行氣相沉積的系統(tǒng)的情況下，熒光層中Tl濃度的減少是不可避免的，即，形成了缺少Tl的區(qū)域。然而，使熒光層中缺少Tl的區(qū)域變窄，就增加了受激電子進(jìn)入Tl發(fā)光中心的概率，因此，可以降低靈敏度重影。
[0069]因此，在所述實(shí)施例中，根據(jù)圖8所示的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，設(shè)置熒光層2的沉積率對(duì)旋轉(zhuǎn)速度的比值(T/R)為40納米或更少，使靈敏度重影降低。S卩，通過輪流層疊高鉈濃度層61和低鉈濃度層62，并且在層疊方向上的鉈濃度段設(shè)置為40納米或更少，以致得到熒光層2的配置。
[0070]此外，將熒光層2的沉積率對(duì)旋轉(zhuǎn)速度的比值(T/R)優(yōu)選地設(shè)置為15納米或更少。在這情況下，熒光層2中層疊方向上鉈濃度段變成40納米或更少。
[0071]如此，根據(jù)實(shí)施例，可以降低把輻射轉(zhuǎn)換成可見光的閃爍體板中的靈敏度重影。
[0072]在已經(jīng)描述某個(gè)實(shí)施例的同時(shí)，僅示出該實(shí)施例作為例子，并不旨在限制本發(fā)明的范圍。當(dāng)然，可以以多種其它形式來實(shí)現(xiàn)這里描述的新型的實(shí)施例；此外，可以進(jìn)行這里描述的實(shí)施例的形式中的各種省略、替代和改變而不偏離本發(fā)明的精神。旨在使所附的權(quán)利要求書和其等效物覆蓋如此的形式或修改而落在本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)。
[0073]fe 號(hào)表
[0074]1:基板
[0075]2:焚光層
[0076]3:防潮膜
[0077]4:防潮帽
[0078]8:反射膜
[0079]11:基板
[0080]12:第一坩禍
[0081]13:第二坩禍
[0082]14:真空腔
[0083]15:快門
[0084]20:像素
[0085]21:光電轉(zhuǎn)換板
[0086]22:玻璃基板
[0087]23:光電轉(zhuǎn)換元件
[0088]30:電路板
[0089]31:支撐板
[0090]32:柔性基板
[0091]50:閃爍體板
[0092]51:輻射檢測(cè)器
[0093]52:輻射檢測(cè)裝置
[0094]61:高鉈濃度層
[0095]62:低鉈濃度層
[0096]72:薄膜晶體管
[0097]78:行選擇線
[0098]79:信號(hào)線
[0099]80:保護(hù)膜
[0100]91:旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)
[0101]92:軸
[0102]95: Cs I 晶體
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種閃爍體板包括: 透過可見光的基板；以及 設(shè)置在基板表面上的、把入射輻射轉(zhuǎn)換成可見光的、并且是從鉈激活的碘化銫形成的熒光層，其中 通過輪流層疊高鉈濃度層和濃度比高鉈濃度層低的低鉈濃度層來得到熒光層，并且所述熒光層在層疊方向上具有40納米或更少的鉈濃度段。2.如權(quán)利要求1所述的板，其特征在于，所述段為15納米或更少。3.一種用于制造閃爍體板的方法，所述方法包括: 設(shè)置透過可見光的基板，在真空腔中設(shè)置放置碘化銫的第一坩禍以及放置碘化鉈的第二坩禍，使得基板面對(duì)第一坩禍和第二坩禍，以及 通過在旋轉(zhuǎn)基板的同時(shí)對(duì)第一坩禍和第二坩禍加熱而在基板的表面上形成鉈激活的碘化銫的熒光層，以及其中 當(dāng)由R(rpm)來表示基板旋轉(zhuǎn)速度，由T(nm/min)來表示基板上閃爍體的沉積率時(shí)，T/R〈40納米。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一坩禍和第二坩禍被設(shè)置為使基板的旋轉(zhuǎn)軸夾在中間。5.—種福射檢測(cè)器包括: 光電轉(zhuǎn)換板，在光電轉(zhuǎn)換板上設(shè)有把可見光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的傳感器； 設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換板表面上的、把入射輻射轉(zhuǎn)換成可見光的、并且是由鉈激活的碘化銫形成的閃爍體層，以及其中 通過輪流層疊高鉈濃度層和濃度比高鉈濃度層低的低鉈濃度層來得到閃爍體層，并且所述閃爍體層在層疊方向上具有40納米或更少的鉈濃度段。6.一種用于制造輻射檢測(cè)器的方法，包括: 設(shè)置透過可見光的光電轉(zhuǎn)換板，在光電轉(zhuǎn)換板上設(shè)有把可見光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的傳感器；在真空腔中設(shè)置放置碘化銫的第一坩禍以及放置碘化鉈的第二坩禍，使得光電轉(zhuǎn)換板面對(duì)第一坩禍和第二坩禍，以及 通過在旋轉(zhuǎn)光電轉(zhuǎn)換板的同時(shí)對(duì)第一坩禍和第二坩禍加熱而在光電轉(zhuǎn)換板的表面上形成鉈激活的碘化銫的閃爍體層，以及其中 當(dāng)由R(rpm)來表示基板旋轉(zhuǎn)速度，由T(nm/min)來表示光電轉(zhuǎn)換板上閃爍體層的沉積率時(shí)，T/R<40納米。7.一種閃爍體板包括: 透過可見光的基板；以及 設(shè)置在基板表面上的、把入射輻射轉(zhuǎn)換成可見光的、并且是由鉈激活的碘化銫形成的閃爍體層，以及其中 通過輪流層疊高鉈濃度層和濃度比高鉈濃度層低的低鉈濃度層來得到閃爍體層。
【專利摘要】提供具有能透過可見光的基板1和熒光層2的閃爍體板50，熒光層2設(shè)置在基板1的表面上，并且是由能把入射輻射轉(zhuǎn)換成可見光的鉈激活的碘化銫制成的。用防潮膜3覆蓋熒光層2。熒光層2是由高鉈濃度層和濃度比高鉈濃度層低的低鉈濃度層組成的一個(gè)交替的疊層，其中在疊層方向上的一個(gè)鉈濃度循環(huán)的厚度是40納米或更少。
【IPC分類】G21K4/00, G01T1/20
【公開號(hào)】CN105051829
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480012067
【發(fā)明人】吉田篤也
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝, 東芝電子管器件株式會(huì)社
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2014年4月3日
【公告號(hào)】US20150362602, WO2014171343A1