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Ptc平面型加熱器以及對(duì)其電阻的調(diào)節(jié)方法

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專(zhuān)利名稱::Ptc平面型加熱器以及對(duì)其電阻的調(diào)節(jié)方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于航空、航天、汽車(chē)、航海業(yè)之類(lèi)的PTC平面型加熱器,其中它必須以有限的重量提供高的輸出以及涉及用于調(diào)節(jié)該加熱器電阻的方法。通常,通過(guò)將電極2形成在以圖24(a)所示的以矩形片的形狀燒結(jié)的PTC陶瓷元件1的兩側(cè)上以及向其施加電壓來(lái)制造PTC陶瓷制品。因?yàn)樗尼専崦娣e有限,PTC陶瓷元件1的輸出不很高。為了增加輸出,如圖24(b)所示,將一金屬釋熱片17粘接到其上。然而,根據(jù)這種方法,PTC陶瓷元件1的厚度必須等于或大于某一數(shù)值以及該釋熱片17必須相當(dāng)大。這就導(dǎo)致成本增加并在限制添加重量的應(yīng)用場(chǎng)合處成為問(wèn)題。此外,由于散熱系數(shù)的增加受限制,增加的輸出受非纏繞的條件限制。根據(jù)日本未經(jīng)審查的實(shí)用新型公開(kāi)文件昭和55-105904號(hào),如圖23所示,通過(guò)形成薄片形的PTC熱敏電阻1,在其一側(cè)形成一對(duì)電極22,以及使熱量釋放片17的表面的熱量通過(guò)絕緣基片3釋放,建議解決這一問(wèn)題。這已經(jīng)使單位面積的輸出成功地增加了。然而,對(duì)于在上述的日本未經(jīng)審查的實(shí)用新型公開(kāi)文件昭和55-105904號(hào)公開(kāi)的結(jié)構(gòu)中,該P(yáng)TC陶瓷元件在燒結(jié)的過(guò)程中對(duì)于氣體環(huán)境很敏感。其帶來(lái)的問(wèn)題是在成批生產(chǎn)的過(guò)程中PTC陶瓷元件的電阻明顯產(chǎn)生變化,導(dǎo)致可能使成本增加。此外,在薄片的一側(cè)上形成電極可能導(dǎo)致在印制和燒結(jié)過(guò)程之后產(chǎn)生翹曲。用于調(diào)節(jié)這種器件電阻的常規(guī)方法包括在日本的未經(jīng)審查的專(zhuān)利公開(kāi)文件昭和51-109461號(hào)中公開(kāi)的方法,其中在PTC熱敏電阻基片的后側(cè)上形成—予輔助電極。然而,根據(jù)這種方法,為了容納該輔助電極,必須明顯改變表面面積。這要用復(fù)雜的技術(shù),降低了這種方法的可行性。此外,關(guān)于在上述日本未經(jīng)審查的實(shí)用新型公開(kāi)文件昭和55-105904號(hào)中所公開(kāi)的器件,如圖22所示,當(dāng)在施加電壓之后流有沖擊電流Imax時(shí),由于自身加熱的作用電阻急劇增加,使在其中流過(guò)的電流衰減,當(dāng)達(dá)到熱平衡時(shí),該電流達(dá)到一很低的數(shù)值Io。然而,假如因加熱器件安裝的環(huán)境條件影響使PTC熱敏電阻劣化,在熱平衡狀態(tài)下本應(yīng)很低的電流再次增加如圖中曲線(OS)所示。這會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生電流,來(lái)自PTC電阻的很小的火花就能夠引起非常危險(xiǎn)的狀態(tài)。盡管可以串聯(lián)一電流熔絲來(lái)防止這種危險(xiǎn),但這會(huì)增加成本,而假如連續(xù)流過(guò)的電流其數(shù)值略低于熔斷電流時(shí),仍然留下故障的可能性。圖21(a)和圖21(b)表示另一種常規(guī)的器件,其中的在其一側(cè)上具有電極2的兩個(gè)PTC熱敏電阻1通過(guò)導(dǎo)電連接部分8連接在一起并用絕緣膜4覆涂。這種器件在施加52OV電流時(shí)會(huì)擊穿。當(dāng)發(fā)生擊穿時(shí),形成火花并使封裝該器件的樹(shù)脂之類(lèi)燒掉。本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種PTC平面型加熱器,其具有的結(jié)構(gòu)使其電阻變化較小以就它是片狀的,翹曲的可能性較小,以及一種用于調(diào)節(jié)加熱器電阻的方法。本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種PTC平面型加熱器,其中將過(guò)電流熔斷部分裝設(shè)在各PTC熱敏電阻之間,以防止例如不可控的運(yùn)行和火花之類(lèi)故障發(fā)生。為了實(shí)現(xiàn)第一個(gè)目的,根據(jù)本發(fā)明提供一種PTC平面型加熱器,其中將在其表面上形成一對(duì)電極的一個(gè)或多個(gè)片狀PTC陶瓷元件粘接到一絕緣體上。假如設(shè)有多個(gè)PTC陶瓷元件,具有相同極性的各電極以并聯(lián)的方式電連接。此外,將一絕緣彈性層形成在該已形成電極的表面上,以防止翹曲、電線漏和短路。片狀PTC陶瓷元件的厚度等于或大于0.5mm,以防止在印制和燒結(jié)之后產(chǎn)生翹曲。根據(jù)用于調(diào)節(jié)本發(fā)明的電阻的方法,通過(guò)切斷電極圖形的導(dǎo)電通道或在先前已經(jīng)切斷的導(dǎo)電通道上的預(yù)定位置進(jìn)行連接、焊接之類(lèi)來(lái)調(diào)節(jié)上述PTC陶瓷元件電極間的電阻。根據(jù)本發(fā)明,通過(guò)采這樣一種結(jié)構(gòu)提供一種平面型加熱器,其中將其表面上設(shè)有一對(duì)電極的一個(gè)或多個(gè)片狀加熱元件粘接到片狀絕緣體上。通過(guò)將具有相同極性的各電極并聯(lián)連接作為多個(gè)加熱器元件可以得到具有很大釋熱面積的加熱器。本發(fā)明使得具有很大釋熱面積的各加熱器能夠大量地制造。此外,盡管通常PTC陶瓷元件其電阻會(huì)有顯著變化,但本發(fā)明通過(guò)使具有不同數(shù)值的電阻相綜合,使得能夠以高成品率制造具有均勻特性的加熱器。通過(guò)使片狀PTC陶瓷元件的厚度等于或大于0.5mm,可以有效地防止在印制和繞結(jié)之后產(chǎn)生翹曲。此外,通過(guò)切斷電極圖形的導(dǎo)電通道或者在先前已經(jīng)切斷的導(dǎo)電通道的預(yù)定位置進(jìn)行連接、焊接之類(lèi)來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)電阻,使加熱器可以具有均勻的沖擊電流。通過(guò)對(duì)于環(huán)繞可能產(chǎn)生火花的位置的區(qū)域使用不可燃及耐弧材料,即使這些功能失靈和故障發(fā)生,也可以避免火災(zāi)之類(lèi)危險(xiǎn)發(fā)生。為了實(shí)現(xiàn)第二個(gè)目的,根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面,將一過(guò)電流熔斷部分設(shè)在PTC熱敏電阻元件之間,以便防止例如不可控的運(yùn)行以及火花的故障發(fā)生,以及形成一種配置,即使這一功能不能實(shí)現(xiàn),也能防止火花和火焰從器件中飛出。根據(jù)本發(fā)明,在PTC熱敏電阻元件的兩側(cè)上,特別是在可能產(chǎn)生電弧和火花的區(qū)域中,裝設(shè)一絕緣基片。此外,在PTC熱敏電阻元件之間的過(guò)電流熔斷部分具有的優(yōu)點(diǎn)是防止例如為不可控運(yùn)行和火花之類(lèi)的故障,以及即使這一功能不能實(shí)現(xiàn)時(shí),火花和火焰也將不會(huì)從器件中飛出。另外,在過(guò)流熔斷部分周?chē)O(shè)有空閑空間,以防止由于過(guò)電流熔斷部分延遲動(dòng)作時(shí)出現(xiàn)溫度升高。這即有利于在出現(xiàn)過(guò)電流后該部分熔斷動(dòng)作時(shí)不產(chǎn)生時(shí)滯,又有利于熔斷位置和熔斷電流不發(fā)生變化,從而能夠穩(wěn)定地動(dòng)作。圖1是表示本發(fā)明的PTC平面型加熱器的一個(gè)實(shí)施例的透視圖。圖2是圖1中的部分?jǐn)嗝鎴D。圖3是表示本發(fā)明的PTC陶瓷元件的電極圖形的透視圖。圖4是表示電極圖形的另一實(shí)例的透視圖。圖5是本發(fā)明的PTC陶瓷元件的斷面圖。圖6是用于解釋PTC陶瓷元件翹曲的斷面圖。圖7是表示調(diào)節(jié)電阻的方法的一個(gè)實(shí)例的透視圖。圖8是本發(fā)明的PTC陶瓷元件另一實(shí)施例的透視圖。圖9是表示對(duì)圖8中所示實(shí)施例中的切口部分進(jìn)行連接的實(shí)例的透視圖。圖10是本發(fā)明的PTC陶瓷元件的另一實(shí)施例的透視圖。圖11是圖10中的實(shí)施例的背部透視圖。圖12是表示用于調(diào)節(jié)在本發(fā)明的實(shí)施例中采用的電阻的方法的另一實(shí)例的透視圖。圖13是一曲線圖,表示在兩側(cè)形成電極得到的電阻以及在一側(cè)上形成一對(duì)電極得到的電阻之間的相互關(guān)系。圖14(a)是本發(fā)明的PTC平面型元件的正視圖。圖14(b)是本發(fā)明的PTC平面型元件的斷面圖。圖15是本發(fā)明的用絕緣膜涂覆的PTC平面型元件的斷面圖。圖16是包含兩個(gè)本發(fā)明的元件的PTC平面型元件的正視圖。圖17是本發(fā)明的具有螺旋形電極的PTC平面型元件的正視圖。圖18(a)和18(b)是本發(fā)明的包含一個(gè)PTC平面型元件的加熱器的斷面圖。圖19是本發(fā)明的具有過(guò)電流熔斷部分的PTC平面型元件的斷面圖。圖20(a)、20(b)和20(c)是本發(fā)明的在過(guò)電流熔斷部分具有空閑空間的PTC平面型元件的斷面圖。圖21(a)是常規(guī)的PTC加熱器單元的正視圖。圖21(b)是常規(guī)的PTC加熱器單元的斷面圖。圖22表示通過(guò)PTC加熱器單元的電流的轉(zhuǎn)變特性。圖23是常規(guī)的PTC加熱器單元的的透視圖。圖24(a)是常規(guī)的PTC加熱器單元的一個(gè)元件的透視圖。圖24(b)是加熱器單元的斷面圖。通過(guò)參照如在各附圖中表示的各優(yōu)選實(shí)施例下面將詳細(xì)地介紹本發(fā)明。下面介紹本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖1是表示該實(shí)施例的透視圖,圖2是表示該實(shí)施例一部分的斷面圖。兩個(gè)PTC陶瓷元件1居里點(diǎn)為220℃,每一個(gè)尺寸均為400mm×40mm×1mm,是對(duì)利用擠壓成型或模壓成型之類(lèi)得到的未經(jīng)處理的成形元件進(jìn)行燒結(jié)得到的。如圖3所示,將一對(duì)電極2形成在PTC陶瓷元件1的表面上。如圖3所示,一電極2可以呈梳狀排列。該圖形也可以如圖4所示呈螺旋狀排列。將該片狀PCT陶瓷元件1粘接到尺寸為50mm×100mm×0.6mm的氧化鋁基片3上?;?可以由例如MgO、AIN和SiC具有高導(dǎo)熱率的其它陶瓷材料構(gòu)成。此外,通過(guò)將引線6電連接到電阻上,在基片的后側(cè)上形成一絕緣的電阻,當(dāng)將100V的交流電壓加到形成的加熱器時(shí),得到40W的穩(wěn)定輸出。加熱器的重量為31克。利用導(dǎo)電粘接劑或通過(guò)焊接可以將引線6順利和可靠地進(jìn)行連接。同時(shí),將絕緣的彈性層4粘接到已經(jīng)形成電極的表面上,以防止由于加熱和冷卻相關(guān)帶來(lái)的損害。由于電極2沿著片狀PTC陶瓷元件1的一側(cè)形成,由于在燒結(jié)過(guò)程中的電極2的收縮的結(jié)果產(chǎn)生如圖6所示的翹曲。通過(guò)使厚度等于或大于0.5mm可以避免在電極形成過(guò)程中的這種變形。對(duì)圖5所示的結(jié)構(gòu)即按照每個(gè)間隔為3mm以及寬度Y為2mm形成電極,研究厚度t和翹曲之間的相互關(guān)系。因此由下面1中明顯看出,厚度等于或大于0.5mm時(shí)基本上沒(méi)有產(chǎn)生翹曲。</tables>此外,除了會(huì)有相關(guān)的電泄漏和短路可能發(fā)生之外,形成電極的表面還會(huì)受到污染和損傷。通過(guò)粘接如上所述的絕緣彈性層4提供的降低熱應(yīng)力作用可以避免這種傷害和污染。由例如為硅樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂的材料來(lái)構(gòu)成絕緣性層4,它們具有優(yōu)異的耐熱和絕緣特性。當(dāng)與一其中沒(méi)有粘接絕緣彈性層4的器件相比是比時(shí),硅樹(shù)脂的采用加倍提高了耐壓值。下面介紹本發(fā)明的第二實(shí)施例。按圖4所示構(gòu)成的電阻其測(cè)量值為1KΩ。由于希望的電阻為在1.5到2.5KΩ的范圍內(nèi),如圖7所示,在距中心20mm遠(yuǎn)的位置5處將該圖形切斷。這就使電阻為1.6KΩ,處在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。當(dāng)將交流100V電壓加到具有這種配置的一個(gè)加熱器上時(shí),沖擊電流為0.23A,也在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。溫度分布范圍在±2℃內(nèi),不會(huì)引起明顯的問(wèn)題。下面介紹本發(fā)明的第三實(shí)施例。通過(guò)將作為粘接劑的PVB(聚乙烯醇縮丁醛)和酒精添加到預(yù)制備的粉末中得到漿料,該粉末的成分為Bao.8Pbo.2TiO3+0.001Y2O3+0.005SiO2+0.005MnO2。對(duì)所形成的漿料利用刮漿刀操作,以形成厚度為0.66mm的未經(jīng)處理的片。將該片在大氣環(huán)境中在1350℃下持續(xù)1小時(shí)進(jìn)行燒結(jié),在以圖4所示的形狀進(jìn)行印制和干燥電極之后,在650℃下持續(xù)20分鐘進(jìn)行烘焙。對(duì)因此得到的元件的100片的電阻進(jìn)行測(cè)量。每片的電阻300到1500Ω的范圍內(nèi)。下面介紹本發(fā)明的第四實(shí)施例。如圖8的所示,使在需要的地方具有切口部分8的圖形形成在一利用與在第三實(shí)施例中的操作相類(lèi)似的操作得到的繞結(jié)元件上,測(cè)量該元件上的電阻。對(duì)于每片而言電阻在1000到3000Ω的范圍內(nèi)。然后,如圖9所示,通過(guò)導(dǎo)電粘接劑或焊接形成的連接部分9,將在一到三個(gè)位置的切口部分8電連接,這取決于所需電阻的大小。因此每片電阻落在1000到1300Ω的范圍內(nèi)。下面介紹本發(fā)明的第五實(shí)施例。通過(guò)將作為粘接劑的PVA(聚乙烯醇縮乙醛)添加到預(yù)制備的粉末中得到漿料,該粉末具有的成分為Bao.8Pbo.2TiO3+0.001Y2O3+0.005SiO2+0.005MnO2。然后,利用噴射干燥器使該漿料粉化為粉末。將形成的粉末模壓成如圖10所示的矩形,并在大氣環(huán)境中在1350℃下持續(xù)1小時(shí)進(jìn)行繞結(jié)成燒結(jié)元件。在印制如圖10和11所示的電極2和2’和進(jìn)行干燥之后,在650℃下持續(xù)20分鐘進(jìn)行烘焙。對(duì)因此得到的元件的100片的電阻進(jìn)行測(cè)量。每片電阻在500到1500Ω的范圍內(nèi)。然后,取決于電阻對(duì)圖12(a)所示的切口部分8或圖12(b)上所示的凹槽部分10進(jìn)行選擇和處理。因此,使每片的電阻處在1200到1500Ω的范圍內(nèi)。盡管所示的實(shí)例其中如圖12(a)所示的切口部分8或圖12(b)所示的凹槽部分10是在電極形成之后形成的以覆蓋元件的整個(gè)表面,可以采用另外替換方法,其中先前切斷如圖12(a)所示的電極以及增加如圖12(b)所示的一些連接部分9(未表示)??梢岳眉す饣蜾S進(jìn)行切斷,考慮成本、可操作性及其它因素選擇適當(dāng)?shù)姆椒?。另一方面,可以利用不同于?dǎo)電粘接劑的適當(dāng)方法處理連接部分,這種方法由焊接、釬接、火焰噴射、熔焊和濺射中選擇,考慮所采用的方法要適用于引線連接、成本及元件的居里點(diǎn)。下面介紹本發(fā)明的第六實(shí)施例。圖13表示對(duì)于PTC陶瓷元件的電極之間的各種不同的距離之間的相互關(guān)系研究的結(jié)果,該P(yáng)TC陶瓷元件是以與在第五實(shí)施例中相似的方式得到的(見(jiàn)圖10)。圖13以對(duì)數(shù)刻度表示當(dāng)沿水平軸方向在兩側(cè)的整個(gè)表面上形成電極(如圖24(a)所示的構(gòu)形)時(shí)得到的電阻以及當(dāng)沿豎直軸方向在一側(cè)上形成一對(duì)電極(如圖10中表示的構(gòu)形)時(shí)得到的電阻。由圖13明顯看出,電阻不與距離的整數(shù)倍成比例,該關(guān)系可以用呈拋物線形狀的某些曲線來(lái)描述。因此,很明顯可以通過(guò)調(diào)節(jié)電極間的距離來(lái)調(diào)節(jié)電阻。下面介紹本發(fā)明的第七個(gè)實(shí)施例。在圖14(a)和14(b)中所示PTC平面型元件是本發(fā)明的又一實(shí)施例,其中將其上形成電極2的PTC陶瓷元件1直接粘接到絕緣基片3上,并且其中將用作保護(hù)極的絕緣基片5粘接覆蓋在電極2上。如圖15所示,可以利用夾在其中的由硅樹(shù)脂等制的絕緣膜4來(lái)粘接絕緣基片5。對(duì)于絕緣基片3,考慮耐熱特性、強(qiáng)度和重量主要由氧化鎂組成的所需氧化鎂基片是優(yōu)選的。然而本發(fā)明并不限于此,該其片可以由例如云母、氧化鎂、氮化鋁,環(huán)氧樹(shù)脂和硅中的任一種材料構(gòu)成,只要其絕緣、耐熱和呈片形即可。另一方面,可能承受電弧、火花之類(lèi)的絕緣基片5在考慮耐弧特性時(shí),最好由云母材料構(gòu)成。然而,本發(fā)明并不限于此,該基片可以由如上所述的例如氧化鎂、氮化鋁、環(huán)氧樹(shù)脂和硅之類(lèi)的材料構(gòu)成,只要它們是絕緣的、耐熱的和呈片狀即可。當(dāng)將高壓加到這些元件時(shí),具有如圖14(a)和14(b)中所示結(jié)構(gòu)的元件在350V下?lián)舸?,而具有圖15中所示結(jié)構(gòu)的元件在500V下?lián)舸?。這種差別來(lái)源于電極間的絕緣的不同。然而,在任一實(shí)例中,即使前后絕緣基片有裂紋也不會(huì)產(chǎn)生火花之類(lèi)。當(dāng)使用多個(gè)常規(guī)的PTC元件時(shí),如參照?qǐng)D23和24所介紹的,在PTC元件之間的導(dǎo)電通道的構(gòu)成是使用引線連接部分13。根據(jù)本發(fā)明,這些部分用如圖16中所示的過(guò)電流熔斷部分6a和6b替代。確切地說(shuō),考慮金屬線的電阻率,使用直徑為0.1~1.0mm,最好為0.3~0.5mm以及長(zhǎng)度為1-40mm,最好為3-10mm的不銹鋼絲。采用這種形狀,當(dāng)PTC元件產(chǎn)生過(guò)電流時(shí),電壓集中在其電阻高于電極電阻的過(guò)電流熔斷部分6a和6b處。當(dāng)進(jìn)一步流過(guò)過(guò)電流時(shí),該過(guò)電流熔斷部分6a和6b被熔斷,以保護(hù)陶瓷元件1。通過(guò)安裝具有一對(duì)形成在其表面上的如圖17所示的渦旋形電極2的兩個(gè)PTC陶瓷元件,如圖16所示可以沿同樣的方向?qū)⒁€7引出。通過(guò)將粘接到金屬蓋16上的PTC片狀元件11安裝到一外框殼體12中得到如圖18(a)和18(b)所示的加熱器單元,在外殼12中其間填充絕熱材料14。在這個(gè)實(shí)例中,PTC片型元件具有兩個(gè)PTC陶瓷元件,從陶瓷元件可以沿相同的方向引出二引線7。二引線7可以易于粘接到引線連接部分13,該引線連接部分13連接到主殼體電源連接部分9。因此,具有的優(yōu)點(diǎn)在于,加熱器單元可以做得緊湊,降低了失效和故障的可能性。圖19表示過(guò)電流熔斷部分6的可能的橫斷面結(jié)構(gòu),其中的過(guò)電流熔斷部分6用絕緣膜4涂覆。這種結(jié)構(gòu)增加了向絕緣涂覆層式表面上絕緣板的傳熱量。因此,過(guò)電流熔斷部分的溫度升高被相應(yīng)地延遲了,這接著又引起對(duì)過(guò)電流的熔斷動(dòng)作的時(shí)滯。此外,會(huì)產(chǎn)生熔斷位置和熔斷電流的變化。這將使得控制操作不穩(wěn)定并要求較高的熔斷電流。為了避免這種情況,可以采用如圖20(a)、20(b)、20(c)所示的結(jié)構(gòu),其中圍繞過(guò)電流熔斷部分6提供一個(gè)空間16。在圖20(a)中,在過(guò)電流熔斷部分6上沒(méi)有設(shè)置表面絕緣膜,在熔斷部分6的底部和絕緣膜4之間留一空間16。在圖20(b)中,設(shè)有絕緣膜4,以便環(huán)繞過(guò)電流熔斷部分6留一空間16。在圖20(c)中,利用帶一夾在其中的金屬覆蓋片15的絕緣基片5覆蓋該過(guò)電流熔斷部分6,以便提供空間16。空間16消除了在過(guò)電流熔斷部分的溫度上升的延遲,因而也就消除了對(duì)于過(guò)電流的熔斷動(dòng)作的時(shí)帶。此外,它消除了熔斷位置和熔斷電流的變化,使得能夠穩(wěn)定地運(yùn)行。本發(fā)明的PTC平面型加熱器能夠在與航空、航天、汽車(chē)、航海業(yè)以及其它方面相關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)合中使用,其中加熱器必須以有限的重量提供高輸出。權(quán)利要求1.一種用于調(diào)節(jié)PTC平面型加熱器的電阻的方法,其特征在于,通過(guò)調(diào)節(jié)PTC平面型加熱器的其中每一個(gè)片狀PTC陶瓷元件的電極之間的電阻來(lái)調(diào)節(jié)PTC陶瓷元件之間的電阻,實(shí)行這種調(diào)節(jié)是通過(guò)切斷電極圖形中的導(dǎo)電通道。2.一種調(diào)節(jié)PTC平面型加熱器的電阻的方法,其特征在于,形成兩個(gè)或多個(gè)先前在多個(gè)位置被切斷的電極,以及在此之后該切口部分被電連接。3.一種調(diào)節(jié)PTC平面型加熱器的電阻的方法,其特征在于,兩個(gè)或多個(gè)電極形成在一側(cè),以及通過(guò)改變一對(duì)電極之間的距離進(jìn)行該調(diào)節(jié)。4.一種調(diào)節(jié)PTC平面型加熱器的電阻的方法,其特征在于,一個(gè)或多個(gè)公用電極形成在一元件的后側(cè),該元件具有在其一側(cè)上形成的兩個(gè)或多個(gè)電極;形成一切口部分和凹槽;以及將先前已經(jīng)形成的切口部分和凹槽部分電連接。全文摘要一種用于調(diào)節(jié)PTC平面型加熱器的電阻的方法,其中通過(guò)調(diào)節(jié)該P(yáng)TC平面型加熱器的每個(gè)PTC陶瓷元件(1)的電極(2)之間的電阻來(lái)調(diào)節(jié)PTC陶瓷元件之間的電阻,調(diào)節(jié)的進(jìn)行是通過(guò)切斷各電極圖形中的導(dǎo)電通道或者通過(guò)利用焊接技術(shù)將先前已斷開(kāi)的導(dǎo)電通道上的預(yù)定位置(8)進(jìn)行連接來(lái)實(shí)現(xiàn)的。文檔編號(hào)H05B3/14GK1173799SQ9710455公開(kāi)日1998年2月18日申請(qǐng)日期1997年3月25日優(yōu)先權(quán)日1994年1月31日發(fā)明者貝本隆,中野修,西藤雅則,稻永浩一申請(qǐng)人:日本鎢合金株式會(huì)社
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