專利名稱：獨石陶瓷電子元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件及其制造方法，特別涉及單片陶瓷電子元件及其制造方法。
本發(fā)明適合于各種電子元件，例如，單片電容器，單片壓電元件或多層陶瓷基片，及這些元件的制造方法。
已經(jīng)采用整體燒結(jié)金屬元件和陶瓷元件的方法來制造單片陶瓷電子元件，如有內(nèi)電極的單片電容器。首先，在陶瓷生片上印刷導(dǎo)電漿料圖形，構(gòu)成內(nèi)電極，之后，將多片有內(nèi)電極的陶瓷生片迭置，然后，在這樣迭置成的陶瓷生片垛的兩邊迭置適當(dāng)數(shù)量的無內(nèi)電極的陶瓷生片，構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)?；蛘撸樞蛴∷⑻沾蓾{料和導(dǎo)電漿料的預(yù)定圖形，構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)。
之后，在單片陶瓷結(jié)構(gòu)的厚度方向?qū)ζ浼訅海固沾蓪酉嗷ゾo密接觸。并燒結(jié)單片陶瓷結(jié)構(gòu)以獲得燒結(jié)過的結(jié)構(gòu)。在燒結(jié)過的結(jié)構(gòu)的外表面上構(gòu)成合適的外電極、制成單片陶瓷電子元件。
近年來，要求減小電子元件的尺寸，而且單片陶瓷電子元件同樣要減小其尺寸和厚度。要想減小單片陶瓷電子元件的尺寸和厚度，則要求減薄放在內(nèi)電極之間的陶瓷層的厚度。所以，在制造單片陶瓷結(jié)構(gòu)時要用較薄的生片。
然而，極薄的陶瓷生片很難加工。而且，單片陶瓷結(jié)構(gòu)中，在相互重迭的有內(nèi)電極的部分的厚度大于無內(nèi)電極的部分的厚度。因而在各部分之間必然會形成臺階部分。
特別是，由于在單片陶瓷結(jié)構(gòu)燒結(jié)之前在其厚度方向加壓時形成了臺階部分，壓力主要加到有相互重迭的內(nèi)電極的部分上。所以其它部分加的壓力不足。因而會出現(xiàn)稱為分層的層分離現(xiàn)象。而且，陶瓷生片中的溶劑會引起內(nèi)電極鼓脹。于是，不能使內(nèi)電極準(zhǔn)確地形成所需的形狀。
因此，很難使陶瓷生片的厚度減小到6μm以下。
在交替迭置陶瓷漿料和導(dǎo)電漿料而制造的單片陶瓷結(jié)構(gòu)中會出現(xiàn)這些問題。
為了克服這些問題，提出了一種方法，其中，用薄膜形成法制成的金屬膜部件用作內(nèi)電極，用以下的第1至第3種方法作該方法的實例。
第1種方法有在支承件的整個表面上用薄膜形成法，如濺射法形成金屬膜的步驟。然后，在金屬膜上形成光刻膠層，該光刻膠層有與電極形狀相應(yīng)的開孔，然后，用光刻法對金屬膜刻圖。因此構(gòu)成如圖1所示的金屬膜2。然后在金屬膜2上形成陶瓷生片3，重復(fù)形成金屬膜2和形成陶瓷生片3的工藝，制成單片結(jié)構(gòu)4。
JP-A-64-42809所公開的第2種方法中，在合成樹脂構(gòu)成的第1膜上形成陶瓷生片；在第2支承膜上用薄膜形成法形成金屬膜。之后，將由第2支承膜支承的金屬膜轉(zhuǎn)移到第1支承膜上的陶瓷生片上，制成其上有金屬膜的陶瓷生片。迭置多片這樣的陶瓷生片制成單片陶瓷結(jié)構(gòu)。
第3種方法有在支承膜的整個表面上用薄膜形成法形成金屬膜的步驟。之后，用光刻法對金屬膜刻圖。之后，在有金屬膜圖形的支承膜上形成陶瓷生片，獲得有金屬膜的陶瓷生片。之后，用加熱轉(zhuǎn)移法將由支承膜支承的生片迭置于迭置臺上，制成單片陶瓷結(jié)構(gòu)。
第1種至第3種方法中，每種方法均用薄膜形成法制成的金屬膜部件作內(nèi)電極，與用導(dǎo)電漿料制成內(nèi)電極的方法相比，可以使內(nèi)電極更薄。
然而，要想每一層的厚度更薄，則必然會遇到增加迭層數(shù)量的問題，因此，使內(nèi)電極的厚度相對于夾在內(nèi)電極之間的陶瓷層厚度變厚。結(jié)果，第1方法出現(xiàn)了在只有陶瓷生片迭置部分6與有相互重迭的內(nèi)電極8的部分7之間有厚度不同的問題，如圖2所示。因而在其厚度方向?qū)Φ鼘咏Y(jié)構(gòu)加壓時，壓力很容易只加到有相互重迭的內(nèi)電極8的部分上。因此，陶瓷層之間的粘接強度在沒有相互重迭的內(nèi)電極的區(qū)域內(nèi)會下降。結(jié)果，當(dāng)燒結(jié)疊層結(jié)構(gòu)時，很容易發(fā)生分層。
而且，第1種方法在支承件上形成了金屬膜之后還要進(jìn)行其它工藝步驟，如構(gòu)成光刻膠層圖形的步驟，腐蝕圖形的步驟和剝離光刻膠層的步驟。
第2種方法遇到了有內(nèi)電極相互覆蓋的部分的厚度比沒有內(nèi)電極的部分的厚度更厚的問題。因而，第2種方法也有分層問題。而且，當(dāng)陶瓷生片極薄時，會很難加工這種生片。而且，由于方法中有轉(zhuǎn)移工藝步驟，因而很難使金屬膜在生片上高度精確地定位。
而且，在轉(zhuǎn)移工藝中，無金屬膜的部分有使陶瓷生片與第2支承膜接觸的問題。在轉(zhuǎn)移工藝后第2支承膜應(yīng)從有金屬膜的陶瓷生片上剝離。因此，金屬膜和陶瓷生片均應(yīng)容易地從第2支承膜上剝離。然而，不容易滿足該要求。因此，在剝離第2支承膜時有可能破壞陶瓷生片部件。
由于第3種方法有用薄膜形成法形成金屬膜的步驟，然后用光刻法刻圖的工藝步驟，因而使制造工藝變得復(fù)雜。而且結(jié)構(gòu)中與支承膜接觸的金屬膜和陶瓷生片，在從支承膜上轉(zhuǎn)移時，要求金屬膜和陶瓷生片均能容易地從支承膜剝離。然而不能容易地滿足該要求。
本發(fā)明的目的是提供一種制造單片陶瓷電子元件的方法用該方法可防止單片陶瓷結(jié)構(gòu)中形成有內(nèi)電極的部分與沒有形成內(nèi)電極的部分之間出現(xiàn)不同的厚度，因而能有效地防止分層，與有用薄膜形成法形成內(nèi)電極的步驟的單片陶瓷電子元件的常規(guī)制造方法相比，能簡單而穩(wěn)定地制造單片陶瓷電子元件。
為實現(xiàn)本發(fā)明目的，按本發(fā)明的一個方案，提供一種制造單片陶瓷電子元件的方法，包括下述工藝步驟在第1支承件上用薄膜形成法形成第1金屬膜；在第1金屬膜上形成其中有圖形孔的光刻膠層；在光刻膠層中形成的圖形孔內(nèi)形成比第1金屬膜厚的第2金屬膜；構(gòu)成包括光刻膠層和第1金屬膜和第2金屬膜的單片陶瓷結(jié)構(gòu)；燒結(jié)單片陶瓷結(jié)構(gòu)，使第1金屬膜變成絕緣材料，除去光刻膠層。
按本發(fā)明的另一方案，構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)的步驟有在第2支承件上形成陶瓷生片的步驟；從第1支承件剝離單片陶瓷結(jié)構(gòu)，同時從第2支承件剝離陶瓷生片，并在迭置臺上交替地迭置單片陶瓷結(jié)構(gòu)和陶瓷生片。
按本發(fā)明的又一方案，構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)的步驟有在第2支承件上構(gòu)成陶瓷生片的步驟；將第1支承件上的第1金屬膜層轉(zhuǎn)移到陶瓷生片上，構(gòu)成包括金屬膜的生片；順序轉(zhuǎn)移并迭置多片有金屬膜的生片，構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)。
采用轉(zhuǎn)移法制成有金屬膜的生片的步驟中，最好用輥壓進(jìn)行金屬膜的轉(zhuǎn)移，以使薄金屬膜能容易而光滑地轉(zhuǎn)移到陶瓷生片上。
本發(fā)明中，第1金屬膜比第2金屬膜薄。該厚度值的確定應(yīng)使得第1金屬膜在燒結(jié)中能形成絕緣結(jié)構(gòu)。由于金屬膜中的金屬成分?jǐn)U散進(jìn)周圍的陶瓷中，被擴散的金屬成氧化物離子形式，因而能實現(xiàn)將第1金屬膜構(gòu)成絕緣結(jié)構(gòu)的工藝。盡管由于因組成第1金屬膜的材料和包括燒結(jié)溫度在內(nèi)的燒結(jié)條件的不同而導(dǎo)致厚度不同，因而使變成絕緣結(jié)構(gòu)的第1金屬膜的厚度不能確切地確定，然而，其厚度最好在0.1μm以下。結(jié)果第1金屬膜能可靠地形成絕緣結(jié)構(gòu)。
光刻膠層主要由燒結(jié)時會消失的光刻膠樹脂構(gòu)成。由于光刻膠層在燒結(jié)工藝中會消失，所以本發(fā)明不需剝離光刻膠層的工藝。而且，燒結(jié)工藝中周圍的陶瓷移入光刻膠已消失的部分中，因而可防止產(chǎn)生氣泡。
光刻膠中最好添加無機組分。由無機材料如陶瓷或玻璃構(gòu)成的無機組分在燒結(jié)后不會消失。因此，無機組分有防止光刻膠消失部分的強度下降的作用。光刻膠層中含有無機組分的情況下，周圍的陶瓷平滑地移到光刻膠樹脂因燒結(jié)已消失的部分。因而燒結(jié)條件與其它陶瓷部分的燒結(jié)條件相同。因而，光刻膠層中包含有無機組分的結(jié)構(gòu)能獲得更均勻及致密的燒結(jié)結(jié)構(gòu)。
第1和第2金屬膜的材料沒有特別的限定。按本發(fā)明的又一方案，第1金屬膜含銅(Cu)、第2金屬膜含鎳(Ni)。含銅的第1金屬膜燒結(jié)后容易變成氧化物和絕緣結(jié)構(gòu)。通過用鎳形成第2金屬膜，可降低內(nèi)電極的造價。
按本發(fā)明的另一方案，提供一種制造單片陶瓷電子元件的方法，包括下述工藝步驟在第1支承件上用薄膜形成法形成第1金屬膜；在部分第1金屬膜上，用薄膜形成法，形成部分第2金屬膜，形成的第2金屬膜的厚度比第1金屬膜厚，因而形成多層金屬膜的步驟；構(gòu)成包含多層金屬膜的單片陶瓷結(jié)構(gòu)；通過燒結(jié)陶瓷，使構(gòu)成第1金屬膜一部分的金屬組分?jǐn)U散進(jìn)入陶瓷，從而使單片陶瓷結(jié)構(gòu)中不處于第2金屬膜下面的第1金屬膜部分變成絕緣結(jié)構(gòu)。
按本發(fā)明的又一方案，第1金屬膜的厚度為100nm以下，第2金屬膜的厚度為厚于300nm而薄于1000nm。這是因為必須使第1金屬膜構(gòu)成為，不是處于第2金屬膜下面的第1金屬膜部分在陶瓷燒結(jié)時轉(zhuǎn)變成絕緣結(jié)構(gòu)。也就是說，第1金屬膜的厚度做成100nm，使燒結(jié)中第1金屬膜包含的金屬組分容易擴散進(jìn)陶瓷，而在擴散時金屬組分是以氧化物離子形式擴散。第2金屬膜的厚度要做成300nm以上的原因是，當(dāng)?shù)?金屬膜部分變成絕緣結(jié)構(gòu)時，要防止第2金屬膜氧化。即，第2金屬膜的是用作內(nèi)電極的部分。注意，第2金屬膜的厚度上限無特別的限定。然而，用第2金屬膜作單片陶瓷電子元件的內(nèi)電極，并達(dá)到本發(fā)明的防止產(chǎn)生臺階部分的目的，通常規(guī)定第2金屬膜的厚度在1000nm以下。
按本發(fā)明的一個方案，在使第1金屬膜氧化而第2金屬膜不氧化的氧分壓條件下燒結(jié)單片陶瓷結(jié)構(gòu)，使部分第1金屬膜形成絕緣結(jié)構(gòu)的步驟。也就是說，將氧分壓控制到這樣的水平，燒結(jié)陶瓷時，第1金屬膜被氧化，不處于第2金屬膜下面的第1金屬膜部分構(gòu)成絕緣結(jié)構(gòu)，并防止第2金屬膜氧化。可按所用的不同材料、第1和第2金屬膜的厚度、燒結(jié)工藝的溫度和時間，來適當(dāng)確定氧分壓值。
用適當(dāng)?shù)墓饪谭ㄟM(jìn)行多層金屬膜的形成步驟。例如，多層金屬膜的形成步驟有以下工藝步驟在第1金屬膜上形成其中有圖形孔的光刻膠層的步驟；在光刻膠層的圖形孔中用薄膜形成法，形成其厚度比第1金屬膜的厚度厚的第2金屬膜的步驟；和剝離光刻膠層的步驟。
而且也可以用常規(guī)的轉(zhuǎn)移法實現(xiàn)包括多層金屬膜的單片陶瓷結(jié)構(gòu)的形成步驟。按本發(fā)明的另一方案，單片陶瓷結(jié)構(gòu)的形成步驟有下述步驟在多層金屬膜上形成陶瓷生片來形成包括金屬膜的陶瓷生片的步驟；迭置多片這樣的生片的步驟。按本發(fā)明的另一方案，用有在第2支承件上形成陶瓷生片步驟的轉(zhuǎn)移法，實現(xiàn)單片陶瓷結(jié)構(gòu)的形成步驟；將第一支承件支承的多層金屬膜轉(zhuǎn)移到陶瓷生片上，構(gòu)成包含金屬膜的生片，順序轉(zhuǎn)移多片有金屬膜的生片，構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)。用轉(zhuǎn)移法時，最好用輥壓法，將多層金屬膜轉(zhuǎn)移到陶瓷生片上。
本發(fā)明中，形成第1金屬膜，然后形成光刻膠層。然后在光刻膠層的圖形孔內(nèi)形成第2金屬膜，由此構(gòu)成包括金屬層和光刻膠層的迭層件。因而不需要有諸如腐蝕和剝離光刻膠層的準(zhǔn)備工作。也就是說，可省去第1金屬膜的腐蝕步驟和剝離光刻膠層的步驟。因而，可明顯縮短用薄膜形成法形成薄膜所需的工藝時間。而且，由于清洗腐蝕液的工藝而造成的缺陷率會減小。由于不要求光刻膠層有抗腐蝕性，因而可從各種材料中選用構(gòu)成光刻膠層的樹脂。因此可降低材料費。
而且，在燒結(jié)包括有金屬層和光刻膠層的迭層件的單片陶瓷結(jié)構(gòu)的步驟中，在燒結(jié)陶瓷的同時剝離了光刻膠層并使第1金屬膜變成絕緣結(jié)構(gòu)。因而，為了容易而穩(wěn)定地獲得用迭置而成的第2金屬膜作內(nèi)電極的單片電子元件的燒結(jié)結(jié)構(gòu)，不需要附加工藝。
在整個表面上形成第1金屬膜，可減少有相互重迭的內(nèi)電極的部位與無相互重迭的內(nèi)電極的部位之間的臺階部分。因而能滿意地防止出現(xiàn)分層。
構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)的步驟由以下步驟組成在第2支承件上形成陶瓷生片的步驟；在迭置臺上交替迭置有支承在第1支承件上的金屬層和光刻膠層和由第2支承件支承的陶瓷生片迭層件，從各支承件剝離基件。也就是說，從第1支承件剝離第1金屬膜，從第2支承件剝離生片。因而，能容易地控制剝離部件所需的力。
用轉(zhuǎn)移法進(jìn)行構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)的步驟時，即，在第2支承件上預(yù)先構(gòu)成陶瓷生片，然后將有金屬層和光刻膠層的迭層件轉(zhuǎn)移到陶瓷生片上，構(gòu)成有金屬膜的整體的生片時，在實施迭置工藝時，只將陶瓷生片從支承件剝離。因而能容易而可靠地控制從支承件的剝離。因而用轉(zhuǎn)移法可用更薄的陶瓷生片和電極材料制造單片陶瓷電子元件。而且能防止因有迭置缺陷和/或加壓缺陷而造成的分層。
結(jié)果，按本發(fā)明，若打算使要制造的單片陶瓷電子元件的厚度減小，并且打算增加單片陶瓷電子元件的內(nèi)電極層的迭置數(shù)量，則可減少因分層而造成的缺陷部分。而且可用簡單工藝穩(wěn)定地制成單片陶瓷電子元件。
按本發(fā)明的制造單片陶瓷電子元件的方法制成的單片陶瓷電子元件具有這樣的結(jié)構(gòu)，在整個表面上形成第1金屬膜，可減少有相互重迭的內(nèi)電極的區(qū)域(在該區(qū)域內(nèi)有相互重迭的第2金屬膜)與無內(nèi)電極重迭的區(qū)域之間的臺階部分。因而能有效防止所獲得的燒結(jié)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生分層。
而且，燒結(jié)陶瓷的工藝中，第1金屬膜構(gòu)成絕緣結(jié)構(gòu)。因而，為減少臺階部分而形成的第1金屬膜不用作導(dǎo)體。因而，即使構(gòu)成了第1金屬膜，也能防止短路等缺陷。而且，可省去了后續(xù)工藝步驟中用腐蝕之類的方法來部分剝離第1金屬膜。因而不需要構(gòu)成多層金屬膜的附加工藝。
第1金屬膜以氧化物離子形式擴散進(jìn)陶瓷中?？刂频?金屬膜的組分就能控制陶瓷的組分。因而，可提供具有所需性能的單片陶瓷電子元件。
多層金屬膜由支承件支承。這種狀態(tài)下，只有第1金屬膜與支承件接觸?？梢园粗С屑牡?金屬膜實現(xiàn)滿意地剝離便利的方式來確定多層金屬膜從支承件剝離的便利。因而容易確定支承件的剝離方式。因而，作為例子，多層金屬膜轉(zhuǎn)移到在第2支承件上形成的陶瓷生片，多層金屬膜容易從支承件剝離。由于第2支承件只與陶瓷生片接觸，要求第2支承件容易而光滑地從陶瓷生片剝離。因而，要求第2支承件具有簡單剝離特性。
本發(fā)明可適用于各種制造包含內(nèi)電極的單片電子元件如單片電容器、多層陶瓷迭片壓電元件和多層陶瓷襯底的方法中的任何一種。
通過下文結(jié)合附圖對最佳實施例的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它目的，特征和優(yōu)點將會是顯而易見的。
圖1是制造單片電容器的常規(guī)方法的剖面圖；圖2是展示常規(guī)單片電容器中單片陶瓷結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖3A和3B分別是按本發(fā)明第1實施例的在第1支承件上形成的第1金屬膜的狀態(tài)和所形成的光刻膠層和第2金屬層的狀態(tài)的剖面圖；圖4是展示在第2支承件上形成陶瓷生片的狀態(tài)的剖面圖；圖5是展示燒結(jié)前的單片結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖6是展示燒結(jié)單片芯片所獲得的燒結(jié)結(jié)構(gòu)的水平剖面圖；圖7是第1實施例中獲得的單片電容器的剖面示意圖；圖8是按第4實施例的在第1支承件上形成第1金屬膜的狀態(tài)剖面圖；圖9是展示在第1金屬膜上形成有圖形孔的光刻膠層的狀態(tài)的剖面圖；圖10是展示在光刻膠層的圖形孔中形成第2金屬膜的狀態(tài)的剖面圖；圖11是展示用輥壓法形成有金屬膜的整體生片的工藝的部分剖面圖；圖12是迭層結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖13A和13B分別是展示形成第1金屬膜的狀態(tài)和在光刻膠的圖形孔中形成第2金屬膜的狀態(tài)的剖面圖；圖14是展示在支承件上形成多層金屬膜的狀態(tài)的剖面圖；圖15是通過在多層金屬膜上模壓陶瓷生片而構(gòu)成有金屬膜的整體生片的狀態(tài)的剖面圖；圖16是單片陶瓷結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖17是燒結(jié)結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖18是單片電容器的剖面圖；圖19是按第8實施例的在第2支承件上形成陶瓷生片的狀態(tài)的剖面圖；圖20是展示形成多層金屬膜的狀態(tài)的剖面圖；圖21是用按實施例8的方法將多層金屬膜轉(zhuǎn)移到陶瓷生片上的工藝的剖面圖；圖22是第8實施例中獲得的有金屬膜的整體生片的剖面圖。
將結(jié)合


本發(fā)明的最佳實施例。
實施例1如圖3A所示，用作第1支承件的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜11涂敷有硅樹脂(未畫出)。然后在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜11上形成第1層金屬膜12。在膜11的整個表面上，用蒸發(fā)法形成厚度為0.1μm的由Ag(銀)層構(gòu)成的第1層金屬膜12。
之后，在第1金屬膜層12上加光刻膠形成厚0.8μm的光刻膠層13。光刻膠的主要組分是含10vol％的BaTiO3粉的醌和二疊氮基福爾馬林樹脂。
然后，進(jìn)行曝光和顯影工藝，獲得如圖3B所示的其中形成有圖形孔13a的光刻膠層13。
之后，在光刻膠層13中形成的圖形孔13a的區(qū)域中的第1金屬膜12上形成第2金屬膜14。用電鍍法施加Pd形成厚0.8μm的第2金屬膜14。第2金屬膜14構(gòu)成后面所述的內(nèi)電極。
另一方面，預(yù)備圖4中所示的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜15作為第2支承件。然后，在聚對苯二甲酸乙二醇酯膜15上將主要組分為BaTiO3的陶瓷漿構(gòu)成厚6μm的薄片，獲得陶瓷生片16。
然后，交替迭置有圖3B所示金屬層和光刻膠層的迭層件17和陶瓷生片16，獲得單片結(jié)構(gòu)。在陶瓷生片16上，把由作為第1支承件的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜11支承的有金屬層和光刻膠層的迭層件17迭置在陶瓷生片16上，使單片結(jié)構(gòu)17的上面，即覆蓋有第2金屬層14的上面，與陶瓷生片16接觸；然后在約80℃對單片結(jié)構(gòu)加壓；然后剝離作為第1支承件的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜11。然后進(jìn)行同樣的熱壓，由此順序迭置陶瓷生片16和有金屬層和光刻膠層的迭層件17。因此，能獲得圖5所示的迭層件18。
按迭層件18的厚度方向切割，以獲得用于單片電容器的預(yù)定的單片芯片。然后在空氣中在1300℃燒結(jié)獲得的單片芯片。結(jié)果能獲得圖6所示的燒結(jié)件19。燒結(jié)體19中有每個由第2金屬膜14構(gòu)成的相互重迭的內(nèi)電極20。注意，燒結(jié)工藝中，第1金屬膜12被加熱，因而，它變成絕緣結(jié)構(gòu)。光刻膠層中的光刻膠樹脂在燒結(jié)工藝中消失。另一方面，光刻膠層中包含的陶瓷粉和從光刻膠層周圍區(qū)移動的陶瓷構(gòu)成類似于其余燒結(jié)部分的致密燒結(jié)結(jié)構(gòu)。結(jié)果，如圖6所示，內(nèi)電極20被致密陶瓷包圍。
在上述的獲得的燒結(jié)結(jié)構(gòu)的外表面上施加圖7所示的外電極21a和21b。因此，獲得單片電容器22。注意，圖6所示的剖面圖是沿圖7中的燒結(jié)結(jié)構(gòu)的X-X線剖開的。
按圖7所示的X-X方向切開觀察獲得的單片電容器22的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，與常規(guī)的單片電容器相比，有相互重迭的內(nèi)電極的部位與無相互重迭的內(nèi)電極部位之間的臺階部分減小。
測試單片電容器的電特性。結(jié)果，獲得了設(shè)計特性。燒結(jié)結(jié)構(gòu)中沒有觀察到分層。
也測試用常規(guī)方法制造的單片電容器的特性。結(jié)果，在外電極的引出部分附近，即在其上構(gòu)成外電極的燒結(jié)結(jié)構(gòu)的端表面附近，發(fā)現(xiàn)有分層。這種電容器中的約25％出現(xiàn)分層。
切割燒結(jié)結(jié)構(gòu)，觀察按該實施例的單片電容器的構(gòu)成光刻膠層的區(qū)域。發(fā)現(xiàn)光刻膠組分已消失而BaTiO3組分留下了。而且，這部分是與其它陶瓷部分類似的燒結(jié)態(tài)。因而可以認(rèn)為周圍的陶瓷移到了這部分。因而構(gòu)成了致密的燒結(jié)結(jié)構(gòu)。
而且，燒結(jié)工藝后第1金屬膜12已消失。因而，即使如上述的構(gòu)成了第1金屬膜，在所獲得的獨石電容器中也不出現(xiàn)例如短路的缺陷。
第2實施例用類似于第1實施例的方法制造多層陶瓷基片，只是用銅(Cu)膜代替銀(Ag)膜用作第1金屬膜，用Ni膜代替Pd膜用作第2金屬膜，光刻膠樹脂含10vol％的Al2O3粉，和5vol％的玻璃粉，并在還原氣氛中在1200℃燒結(jié)。
所獲得的多層陶瓷基片中，防止了有相互重迭的內(nèi)電極的部位與無相互重迭的內(nèi)電極的部位之間形成臺階部分。
測試所獲得的多層陶瓷基片的特性。結(jié)果，獲得了設(shè)計的特性。獲得的多層陶瓷基片被按其厚度方向切割。結(jié)果，沒發(fā)現(xiàn)因分層而產(chǎn)生的缺陷。
形成光刻膠層的區(qū)域內(nèi)是基本上與其它陶瓷部分相同的燒結(jié)狀態(tài)。也就是說，可以認(rèn)為加熱時光刻膠組分已揮發(fā)，所含的玻璃組分已溶化，留下了氧化鋁組分，周圍的陶瓷已移動，從而實現(xiàn)了燒結(jié)狀態(tài)。
構(gòu)成第1金屬膜的銅組分基本上消失，因此沒發(fā)生絕緣缺陷和產(chǎn)生氣泡的缺陷。
第3實施例用類似于實施例1的方法制造單片電容器，只是所用的光刻膠中沒添加諸如陶瓷粉和玻璃粉的無機粉。
不能充分地減小有相互重迭的內(nèi)電極的部位與無相互重迭的內(nèi)電極的部位之間的臺階部分。然而，與用常規(guī)方法獲得的單片電容器相比，在迭置工藝后的加壓工藝中均勻地加壓可滿意地防止產(chǎn)生分層。
盡管在第1至第3實施例的結(jié)構(gòu)中是用不同金屬形成第1金屬膜和第2金屬膜，但也可用相同的金屬構(gòu)成第1金屬膜和第2金屬膜。
第4實施例如圖8所示，制備涂敷有硅脫模劑(未畫出)的PET膜31作第1支承件。在硅脫模劑層上形成第1金屬膜32。在整個表面上用蒸發(fā)法構(gòu)成厚0.1μm的銅膜作第1金屬膜32。
然后，在第1金屬膜32上施加厚度為0.8μm的光刻膠層，光刻膠層的構(gòu)成是，在光刻膠樹脂中含50vol％的BaTiO3粉。之后進(jìn)行曝光和顯影工藝，在光刻膠層中構(gòu)成圖形孔。結(jié)果構(gòu)成如圖9所示的其中有圖形33a的光刻膠層33。
然后，在每個圖形孔33a中形成第2金屬膜34，見圖10。第2金屬膜是用電鍍0.8μm的鎳(Ni)膜而獲得的。
另一方面，制備厚度為50μm的PET膜作第2支承件，隨后在PET膜上以片的形式形成主要組分為BaTiO3粉的陶瓷漿料。由此生產(chǎn)出陶瓷生片。
之后，如圖11所示，在陶瓷生片上采用輥式壓制35，因而使由第2支承件支承的金屬層和光刻膠層的迭層件轉(zhuǎn)移到支承在PET膜39上的陶瓷生片37上，然后剝?nèi)ET膜。結(jié)果制成具有金屬膜的生片38。然后制備PET膜42作為第三支承件，并將有金屬膜的生片38迭放在第3支承件42上，并同時精確控制它們的相對位置。每迭放一片有金屬膜的生片就熱壓。熱壓之后剝?nèi)ビ米鞯?支承件的PET膜31，由此獲得單片結(jié)構(gòu)。獲得的獨石結(jié)構(gòu)示于圖12中。
之后，把由上述方法獲得的迭層件41按其厚度方向切割成若干單片，每個單片構(gòu)成單片結(jié)構(gòu)，每個單片結(jié)構(gòu)單片用作分離的單片電容器。然后燒結(jié)單片芯片，獲得燒結(jié)結(jié)構(gòu)，之后與第1實施例類似，形成外電極。結(jié)果，制成單片電容器。
第5實施例制成類似于第4實施例的單片電容器，只是用的光刻膠中不含無機粉。
評價第4和第5實施例按第4實施例的制造工藝中，在進(jìn)行燒結(jié)工藝前，切開單片結(jié)構(gòu)芯片，觀察其內(nèi)部?？吹?，基本上防止了在有用于構(gòu)成相互覆蓋的內(nèi)電極的第2金屬膜的部位與其它部位之間產(chǎn)生臺階部分。
按平行于其上形成有外電極的端表面方向切割所獲得的單片電容器的燒結(jié)結(jié)構(gòu)。觀察其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。發(fā)現(xiàn)，基本上防止了有相互重迭的內(nèi)電極的部位與無相互重迭的內(nèi)電極的部位之間的臺階部分的產(chǎn)生。也就是說，結(jié)構(gòu)中光刻膠層內(nèi)包含陶瓷粉易于防止在燒結(jié)工藝進(jìn)行時產(chǎn)生臺階部分。
形成光刻膠層的部位中，構(gòu)成光刻膠的樹脂消失了而留下了所含的陶瓷粉。而且，此部位的燒結(jié)態(tài)與其它陶瓷部位基本上是同樣的。因而，可以認(rèn)為，進(jìn)行燒結(jié)工藝時，陶瓷粉保留下來，周圍的陶瓷被移動，從而實現(xiàn)了與周圍部分相同的燒結(jié)狀態(tài)。
而且，由于施加光刻膠層的第1金屬膜的厚度是0.1μm以下，因此由燒結(jié)工藝而使第1金屬膜形成絕緣結(jié)構(gòu)。因而可以理解為能穩(wěn)定地提供單片電容器，這種電容器不容易出現(xiàn)諸如短路、絕緣缺陷、產(chǎn)生氣泡和分層等缺陷。
在第5實施例中，獲得燒結(jié)結(jié)構(gòu)前，按其厚度方向切割單片芯片，觀察第2金屬膜構(gòu)成相互重迭的內(nèi)電極的部位與其它部位之間的臺階部分。發(fā)現(xiàn)，與第4實施例中獲得的單片芯片相比，盡管臺階部分沒有明顯減小，但與用常規(guī)方法獲得的獨石電容器中的單片芯片相比，臺階部分能明顯減小。
用與第4實施例用的評估方法類似的方法分析所獲得的燒結(jié)結(jié)構(gòu)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)第1金屬膜由于燒結(jié)而構(gòu)成了絕緣結(jié)構(gòu)。而且，獲得的單片電容器沒有諸如短路，絕緣缺陷、氣泡產(chǎn)生和分層等缺陷。
按第4和第5實施例的制造方法中，只有陶瓷生片與支承膜接觸。因而，僅要求支承膜的脫模劑層能使陶瓷生片容易剝離即可。因此可用市售的適當(dāng)?shù)拿撃?，因而容易設(shè)計脫模劑層。
在用了合適的脫模劑的情況下，測試迭置各層時剝離支承膜所需的力，測試結(jié)果列于表1中。
表1

從表1能看出，按第4和第5實施例，從陶瓷生片上剝離支承膜所需的力是常規(guī)結(jié)構(gòu)所需力的1/3。因而，充分防止了轉(zhuǎn)移缺陷，因此能充分防止產(chǎn)生分層。
盡管以下的實施例是一些例子，本發(fā)明的每個實施例適于制造單片電容器結(jié)構(gòu)，它是用母多層金屬膜和母陶瓷生片的未燒結(jié)的結(jié)構(gòu)。
第6實施例如圖13A所示，制備聚對苯二甲酸乙二醇酯膜111(PET)作為第1支承件。PET膜111的頂表面涂敷硅樹脂(未畫出)。在PET膜111上形成第1金屬膜112。在PET膜111的整個表面上用蒸發(fā)法形成厚度為70nm的Ag膜，獲得第1金屬膜112，然后在第1金屬膜112的頂表面上加厚度為1μm的光刻膠層。然后，進(jìn)行曝光和顯影工藝。結(jié)果，構(gòu)成圖13B所示的光刻膠層113。之后，在光刻膠層113的每個圖形孔113a中，用薄膜形成法，形成第2金屬膜114。該實施例中，用電鍍Pd形成厚0.5μm的第2金屬膜114。
然后，用光刻膠剝離液等剝離光刻膠層113。因此獲得圖14所示的多層金屬膜115，多層金屬膜115包括在一部分第1金屬膜112上形成的第2金屬膜114。因此，多層金屬膜115僅在其第一金屬膜112的下表面與PET膜111接觸。結(jié)果，要求PRT膜111便于與第一金屬膜112剝離，因而容易設(shè)計成從PET膜111的頂表面方便地剝離。
第2金屬膜114對應(yīng)于最后要用作內(nèi)電極的部位，而第1金屬膜112由于后述的工藝而變成絕緣結(jié)構(gòu)。
然后在PET膜111上的多層金屬膜115上形成陶瓷生片。該實施例中，用顯微照相制板(microgravure)法將陶瓷漿料形成厚8μm的片，而構(gòu)成陶瓷生片116，見圖15。
如圖15所示，由于原地形成了陶瓷生片116，因而制成有金屬膜的整體生片，同時支承在PET膜111上。
然后，順序迭置有金屬膜的整體生片117，獲得圖16所示的迭層結(jié)構(gòu)118。盡管圖16展示了在迭層結(jié)構(gòu)118下面只有幾層，但仍可按向上的方向再迭置多層有金屬膜的整體生片117。數(shù)字119表示迭層工藝中用的支承膜。
迭層結(jié)構(gòu)母體118按其厚度方向被切割，構(gòu)成用于各單片電容器的分立的單片陶瓷結(jié)構(gòu)。因此，獲得了用于各單片電容器的分立的單片陶瓷結(jié)構(gòu)。
在大氣中在1200℃對單片陶瓷結(jié)構(gòu)加熱4小時，燒結(jié)單片陶瓷結(jié)構(gòu)。燒結(jié)工藝中，除燒結(jié)未燒結(jié)過的陶瓷之外，第1金屬膜112變成了絕緣結(jié)構(gòu)。也就是說，構(gòu)成第1金屬膜112的金屬組分變成了擴散進(jìn)周圍陶瓷中的氧化物離子，因而構(gòu)成了絕緣物質(zhì)。因而，只有由第2金屬膜114構(gòu)成的內(nèi)電極留在燒結(jié)過的結(jié)構(gòu)120中，其剖面形狀示于圖17中。盡管圖17只展示了兩層第2金屬膜114，但有多層用作相互重迭的內(nèi)電極的第2金屬膜與陶瓷層交替迭置。
在燒結(jié)結(jié)構(gòu)120的兩個端表面上構(gòu)成一對外電極，獲得圖18所示的單片電容器121。單片電容器121中，燒結(jié)結(jié)構(gòu)中的由第2金屬膜114構(gòu)成的相互重迭的多個內(nèi)電極與單片陶瓷結(jié)構(gòu)交替地迭置。注意數(shù)字122a和122b分別表示外電極?？捎煤线m的方法如涂敷、燒結(jié)或鍍敷導(dǎo)電漿料等方法構(gòu)成外電極122a和122b。
檢驗這樣獲得的單片電容器中有相互重迭的內(nèi)電極的部位與無相互重迭的內(nèi)電極的部位之間的臺階部分的產(chǎn)生情況。由第1金屬膜的厚度乘迭置的第1金屬膜的層數(shù)而計算出的結(jié)果，能定量地減小臺階部分。
制備20支單片電容器，每支單片電容器切割成其剖面露到外邊，如圖18所示，觀察是否發(fā)生分層。沒有發(fā)現(xiàn)分層。同樣，按垂直于圖18所示剖面的方向切割20支單片電容器中的每一支，觀察露在外邊的剖面，與上述情況相同，沒發(fā)現(xiàn)分層。
為了進(jìn)行比較，對用現(xiàn)有技術(shù)中的第1種方法制成的單片電容器觀察是否發(fā)生分層。剖面方向與圖18的剖面方向相同時觀察，發(fā)現(xiàn)20支單片電容器中有5支出現(xiàn)分層。
由于本實施例第1金屬膜的熔化點約為960℃，它與燒結(jié)溫度1200℃相比是夠低的，因此，第1金屬膜變成了絕緣結(jié)構(gòu)。因而本實施例的單片電容器無短路發(fā)生。
第7實施例制成的單片電容器與第6實施例類似，只是用Cu制成第1金屬膜，第2金屬膜用Ni制成。陶瓷漿料由BaTiO3類陶瓷構(gòu)成，不含銅。按這樣的方式進(jìn)行燒結(jié)工藝，在最初的燒結(jié)周期中，規(guī)定氧分壓為鍍鎳膜不氧化而蒸發(fā)的銅膜被氧化的水平，該最初燒結(jié)周期是保持在最高燒結(jié)溫度的燒結(jié)周期的一半。具體地說，氧分壓規(guī)定為10-4Pa(帕)。在氧分壓為10-4帕的條件下進(jìn)行最初燒結(jié)周期后，在還原氣氛中燒結(jié)。其它條件與第6實施例用的條件相同，由此制成單片電容器。
分析第7實施例中獲得的每個單片電容器的燒結(jié)結(jié)構(gòu)。結(jié)果，證實了Cu均勻地分散在陶瓷中。也就是說，證實了構(gòu)成第1金屬膜的Cu分散在陶瓷中。
測試所獲得的單片電容器的電特性。能獲得類似于將銅粉加到BaTi03中所獲得的效果。
對每個單片電容器的剖面進(jìn)行類似于第6實施例的觀察，沒發(fā)現(xiàn)分層發(fā)生。
盡管按第7實施例，對初始燒結(jié)周期中的氧分壓進(jìn)行控制，以便使構(gòu)成第1金屬膜的Cu擴散，但也可把氧化擴散劑加到第1金屬膜，或可添加擴散增強劑，使構(gòu)成第1金屬膜的金屬組分?jǐn)U散進(jìn)陶瓷中。
第8實施例如圖19所示，制備PET膜131用作第2支承件。用硅樹脂涂敷(未畫出)PET膜131的頂表面。
用刮片法將陶瓷漿料加到PET膜131上，然后干燥，制成厚度為8μm的陶瓷生片132。
另一方面，制備圖20所示的PET膜132用作第1支承件，用硅樹脂(未畫出)涂敷PET膜132的頂表面。
與第6實施例相同，在PET膜132上形成第1金屬膜134和第2金屬金屬膜135。本實施例中，用Ag制成第1金屬膜134，用Pd制成第2金屬膜135。用此制成多層金屬膜136。
然后，如圖21所示，用壓延輥137，將多層金屬膜136轉(zhuǎn)移到陶瓷生片132上。然后剝離PET膜133，獲得如圖22所示的有金屬膜的整體生片138。
迭置這樣獲得的每片均有金屬膜的整體生片138，獲得迭層結(jié)構(gòu)。也就是說，剝離PET131，把多層金屬膜136轉(zhuǎn)移到陶瓷生片上，并迭置每片均有金屬膜的整體生片138，能獲得類似于第6實施例的單片陶瓷結(jié)構(gòu)。
與第6實施例類似，用這樣獲得的單片陶瓷結(jié)構(gòu)制造單片陶瓷電容器。
考查按第8實施例獲得的單片電容器是否出現(xiàn)分層。沒有發(fā)現(xiàn)分層。
由于用常規(guī)轉(zhuǎn)移法制造單片電容器時陶瓷與金屬膜均與支承膜接觸。要求支承膜必須能容易地從陶瓷和金屬膜剝離。然而，由于第8實施例的結(jié)構(gòu)中只有第1金屬膜134與PET膜133接觸，因此只要求PET膜能從第1金屬膜134容易剝離。
第6至第8實施例中，第1金屬膜112和134在燒結(jié)工藝中部分地被擴散，因而它們變成絕緣結(jié)構(gòu)。因此可以認(rèn)為需要復(fù)雜的工藝，用腐蝕之類的方法就能剝離不在第2金屬膜下面的那部分第1金屬膜。
盡管第6至第8實施例均用Ag或Cu制成第1金屬膜，用Pd或Ni制成第2金屬膜，但也可用其它金屬，只要能達(dá)到本發(fā)明的效果即可。
盡管用某些特定的優(yōu)選實施例來說明本發(fā)明。但應(yīng)該理解為在不脫離后附的權(quán)利要求書要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍和精神的條件下，這些優(yōu)選形式在其構(gòu)成的細(xì)節(jié)上，另部件的組合排列上均能變化。
權(quán)利要求
1.一種制造單片陶瓷電子元件的方法，包括下述工藝步驟在第1支承件(11)上用薄膜形成法形成第1金屬膜(12)；在所述第1金屬膜(12)上形成其中有圖形孔(13a)的光刻膠層13；在至少一個所述圖形孔(13a)中形成第2金屬膜(14)；形成包括多層所述光刻膠層(13)和所述第1和第2金屬膜(12、14)的單片陶瓷結(jié)構(gòu)(18)；和燒結(jié)所述獨石陶瓷結(jié)構(gòu)(18)，使所述第1金屬膜(12)變成絕緣材料，并除去所述光刻膠層(13)。
2.按權(quán)利要求1的制造單片陶瓷電子元件的方法，其特征是，在所述圖形孔(13a)中形成的第2金屬膜(14)的厚度大于所述第1金屬膜(12)的厚度。
3.按權(quán)利要求1的制造單片陶瓷電子元件的方法，還包括以下步驟在第2支承件(15)上形成陶瓷生片(16)，和從所述第1支承件(11)上剝離有所述第1和第2金屬膜(12、14)和所述光刻膠層(13)的迭層結(jié)構(gòu)(17)；從所述第2支承件(15)上剝離所述陶瓷生片(16)；和交替迭置所述迭層結(jié)構(gòu)(17)和所述陶瓷生片(16)。
4.按權(quán)利要求1的制造單片陶瓷電子元件的方法，還包括以下步驟在第2支承件(39)上形成陶瓷生片(37)；將包括所述第1金屬膜(32)、第2金屬膜(34)和所述光刻膠層(33)的迭層結(jié)構(gòu)(17)轉(zhuǎn)移到所述陶瓷生片(37)上，構(gòu)成有金屬膜的陶瓷生片(38)；迭置多層有金屬膜的所述生片(38)，構(gòu)成獨石陶瓷結(jié)構(gòu)(18)。
5.按權(quán)利要求3的制造獨石陶瓷電子元件的方法，其特征是，用輥壓法將迭層結(jié)構(gòu)(17)轉(zhuǎn)移到所述陶瓷生片(16)上。
6.按權(quán)利要求1的制造獨石陶瓷電子元件的方法，其特征是，所述第1金屬膜(12)的厚度為0.1μm以下。
7.按權(quán)利要求1的制造獨石陶瓷電子元件的方法，其特征是，所述光刻膠包含光刻膠樹脂和無機組分。
8.按權(quán)利要求1的制造獨石陶瓷電子元件的方法，其特征是，用陶瓷作為無機組分。
9.按權(quán)利要求7的制造獨石陶瓷電子元件的方法，其特征是，用玻璃作為無機組分。
10.按權(quán)利要求1的制造獨石陶瓷電子元件的方法，其特征是，所述第1金屬膜(12)包含Cu，第2金屬膜(14)包含Ni。
11.一種制造獨石陶瓷電子元件的方法，包括以下工藝步驟在第1支承件(111)上用薄膜形成法形成第1金屬膜(112)；在部分第1金屬膜(112)上用薄膜形成法形成第2金屬膜(114)，從而形成多層金屬膜(115)；形成與所述多層金屬膜(115)結(jié)合的獨石陶瓷結(jié)構(gòu)(118)；和通過在燒結(jié)所述陶瓷時，使構(gòu)成第1金屬膜的金屬組分?jǐn)U散進(jìn)陶瓷中的方式，使所述獨石陶瓷結(jié)構(gòu)中的第1金屬膜(112)的不被所述第2金屬膜(114)覆蓋的部分變成絕緣結(jié)構(gòu)。
12.按權(quán)利要求11的制造單片陶瓷電子元件的方法，其特征是，所述第2金屬膜(114)的厚度比第1金屬膜(112)的厚度要厚。
13.按權(quán)利要求11的制造單片陶瓷電子元件的方法，其特征是，所述第1金屬膜(112)的厚度在100nm以下，第2金屬膜(114)的厚度大于等于300nm并小于等于1000nm。
14.按權(quán)利要求11的制造單片陶瓷電子元件的方法，其特征是，在氧分壓為使所述第1金屬膜(112)氧化、但使所述第2金屬膜(114)不氧化的水平下燒結(jié)所述單片陶瓷結(jié)構(gòu)(118)，完成使所述第1金屬膜(112)的一部分變成絕緣結(jié)構(gòu)并燒結(jié)所述陶瓷的步驟。
15.按權(quán)利要求1的制造單片陶瓷電子元件的方法，其特征是，所述構(gòu)成所述多層金屬膜(115)的步驟包括以下工藝步驟在所述第1金屬膜(112)上形成其中有圖形孔(113a)的光刻膠層(113)的步驟；在所述光刻膠層(113)的每個圖形孔(113a)中用薄膜形成法形成比所述第1金屬膜(112)厚的第2金屬膜(114)的步驟；和剝離所述光刻膠層(113)的步驟。
16.按權(quán)利要求11的制造單片陶瓷電子元件的方法，其特征是，所述形成所述單片陶瓷結(jié)構(gòu)(118)的步驟包括以下步驟通過在所述多層金屬膜(115)上形成陶瓷生片，構(gòu)成與金屬膜成為一個整體的陶瓷生片的步驟和迭置所述與金屬膜成為整體的陶瓷生片的步驟。
17.按權(quán)利要求11的制造單片陶瓷電子元件的方法，其特征是，所述構(gòu)成所述單片陶瓷結(jié)構(gòu)(118)的步驟有以下步驟在第2支承件(131)上形成陶瓷生片(132)；將由所述第1支承件(133)支承的多層金屬膜轉(zhuǎn)移到所述陶瓷生片(132)，從而構(gòu)成與金屬膜為一整體的生片；順序迭置多片所述有金屬膜的整體陶瓷生片，構(gòu)成單片陶瓷結(jié)構(gòu)(118)。
18.按權(quán)利要求17的制造單片陶瓷電子元件的方法，其特征是，用輥壓法將所述多層金屬膜(136)轉(zhuǎn)移到所述陶瓷生片(132)。
19.一種用權(quán)利要求1所述方法制成的單片陶瓷電子元件。
20.一種用權(quán)利要求11所述的方法制成的單片陶瓷電子元件。
全文摘要
一種制造特性穩(wěn)定的單片陶瓷電子元件的方法，包括在PET膜上形成第1金屬膜；在部分第1金屬膜上形成第2金屬膜，構(gòu)成多層金屬膜；形成包括多層金屬膜的單片陶瓷結(jié)構(gòu)；使單片陶瓷結(jié)構(gòu)中的第1金屬膜的部分變成絕緣結(jié)構(gòu)，并燒結(jié)陶瓷。還公開了用該方法制造的單片陶瓷電子元件。結(jié)果，防止了有相互重迭的內(nèi)電極的部位與無相互重迭的內(nèi)電極的部位之間的臺階部分的發(fā)生，有效地避免了分層的發(fā)生。
文檔編號H05K1/03GK1149750SQ9610736
公開日1997年5月14日 申請日期1996年3月16日 優(yōu)先權(quán)日1995年3月16日
發(fā)明者川上博之, 河野芳明, 久保寺紀(jì)之 申請人:株式會社村田制作所