專利名稱:一種光刻裝置和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投影裝置，包括輻射系統(tǒng)，可提供投影光束；支承結(jié)構(gòu)，用來支承圖案形成機構(gòu)，該圖案形成機構(gòu)根據(jù)希望的圖案使投影光束形成所需要的圖案；基片臺，用來固定基片；和投影系統(tǒng)，用來將形成圖案的光束投影到基片的目標部分。
背景技術(shù)：
本文使用的術(shù)語“圖案形成機構(gòu)”應(yīng)廣義地理解為可用來使入射光束的斷面形成圖案的裝置，該圖案對應(yīng)于在基片目標部分產(chǎn)生的圖案；在本文中也可以使用“光閥”這一術(shù)語。一般來說，所述圖案將對應(yīng)于在目標部分中所制造器件，如集成電路或其它器件(參見下文)，的一個特定功能層。這種圖案形成機構(gòu)的示例包括掩模，掩模的概念在光刻法中為大家所熟知，掩模類型包括，如雙體、交變相移和衰減相移，以及各種混合式的掩模類型。將這樣的掩模放置在光束中會使照射到掩模上的光束根據(jù)掩模圖案產(chǎn)生選擇性透射(在透射式掩模的情況下)或選擇性反射(在反射式掩模的情況下)。對于掩模來說，支承結(jié)構(gòu)通常是掩模臺，可確保掩模固定在入射光束所要求的位置上，而且還可以按要求相對光束移動。
可編程反射鏡陣列，這種裝置的一個示例是帶有粘彈性控制層和反射面的可編址矩陣表面。這種裝置的基本原理是(舉例來說)反射面的編址區(qū)域反射入射光線成為衍射光，而未編址區(qū)域反射入射光線成為非衍射光。利用適當(dāng)?shù)臑V光器可以將非衍射光從反射光束中濾出去而只剩下衍射光；通過這種方式，根據(jù)可編址矩陣表面的編址圖案可以使光束形成圖案。可編程反射鏡陣列的另一可供選擇的實施例采用細小反射鏡矩陣，通過施加適當(dāng)?shù)木植侩妶龌蛲ㄟ^使用壓電致動裝置可以使每個反射鏡單獨繞軸線傾斜。同樣，反射鏡形成可編址矩陣，使編址反射鏡沿不同于未編址反射鏡的方向反射入射光束；通過這種方式，可以根據(jù)可編址矩陣反射鏡的編址圖案使反射光束形成圖案。可以用適當(dāng)?shù)碾娮友b置來進行所需要的矩陣編址。在上述兩種情況中，圖案形成裝置可以包括一個或多個可編程反射鏡陣列。從美國專利US 5,296,891和US 5,523,193以及PCT申請WO 98/38597和WO 98/33096中可以得到更多有關(guān)反射鏡陣列的信息。其中的信息本發(fā)明引用參考。如上所述，對于可編程反射鏡陣列，所述支承結(jié)構(gòu)可以用框架或平臺來實現(xiàn)，這種支承結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或活動的。
可編程液晶顯示(LCD)陣列，這種結(jié)構(gòu)的一個示例在美國專利US 5,229,872中給出，在此引用參考其內(nèi)容。同上，這種情況下的支承結(jié)構(gòu)可以用一個框架或平臺來實現(xiàn)，這種支承結(jié)構(gòu)根據(jù)需要，比如可以是固定的或活動的。
為了簡單起見，本文的其余部分可能在某處具體涉及到掩模和掩模臺的示例；但是，在這些示例中所討論的一般原理可用于前述圖案形成機構(gòu)的更廣泛范圍。
光刻投影裝置可以用來制造集成電路(ICs)。在這種情況下圖案形成機構(gòu)可產(chǎn)生對應(yīng)于單層集成電路的電路圖形，且該圖形可以在覆蓋光敏感材料層(抗蝕膜)的基片(硅晶片)的目標部分(可包含一個或多個片)上成像。一般地，單個晶片將包含相鄰目標部分組成的整個電路，這些目標部分依次由投影系統(tǒng)一次一個地照射。在現(xiàn)有的通過掩模臺上掩模來形成圖案的裝置中，可以分為兩種不同類型的設(shè)備。其中一種是光刻投影裝置，通過將整個掩模圖案一次曝光到目標部分的方式照射各目標部分，這種裝置通常稱作晶片步進投影曝光機。在另一種可供選擇的通常稱作步進掃描機的裝置中，每個目標部分是通過在投影光束下沿給定基準方向(掃描方向)逐步掃描掩模圖案來照射的，同時沿與此方向相同或相反的方向同步掃描基片臺；一般來說，由于投影系統(tǒng)會具有放大系數(shù)M(通常＜1)，所以掃描基片臺的速度V應(yīng)等于系數(shù)M乘以掃描掩模臺的速度。有關(guān)光刻裝置的更多信息可以從美國專利US 6,046,792中得到，本文引用參考其內(nèi)容。
使用光刻投影裝置進行制作的過程中，圖案(比如在掩模中)在一個基片上成像，該基片至少局部由光敏感材料層(抗蝕膜)覆蓋。在成像步驟之前，可以對基片進行各種處理，如涂底漆、涂抗蝕膜和軟烘焙。在曝光之后，可以對基片進行其它處理，如曝光后烘焙(PEB)、顯影、高溫烘焙以及對成像要素進行測量/檢查。這一系列步驟是形成單層器件，如集成電路，圖案的基礎(chǔ)。接下來可以對圖案層進行各種加工如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機械拋光等，所有這些工序都是為了完成單層器件。如果需要若干層，那么對于每個新層整個過程或其變化都必須重復(fù)進行。最終，在基片(晶片)上會形成一系列器件。接著利用切割或鋸切這樣的技術(shù)將這些器件相互分開，于是這些單獨的器件可以被安裝在載體上、連接到插腳上等等。有關(guān)這種工藝的詳細資料可以從“微芯片制造半導(dǎo)體加工實用指南”一書1997第三版中得到，作者為Peter van Zant，McGraw Hill出版公司，書號為ISBN 0-07-067250-4。在此引用參考其內(nèi)容。
為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下面可以稱作“透鏡”；但是，這一術(shù)語應(yīng)當(dāng)被廣義地理解為包含各種類型的投影系統(tǒng)，比如包括折射光學(xué)、反射光學(xué)、和反折射光學(xué)系統(tǒng)。發(fā)射系統(tǒng)也可以包括根據(jù)這些設(shè)計類型中任一種進行操作的部件，以引導(dǎo)、修正或控制投影光束，下面這些部件也可以共同或單獨地稱作“透鏡”。此外，光刻裝置可以是帶有兩個或更多個基片臺(和/或兩個或更多個掩模臺)。在這種“多級”設(shè)備中，增加的平臺可以并行使用，或者當(dāng)一個或多個其它的平臺進行曝光時，可以在一個或多個平臺上進行準備步驟。兩級光刻裝置在美國專利US 5,969,441和國際專利申請WO 98/40791中作了介紹，在此引用參考其內(nèi)容。
本發(fā)明主要涉及使用遠紫外光(EUV)范圍的電磁輻射的裝置。一般地，所使用的輻射具有大約50nm以下的波長，更好是在20nm以下，最好是在大約15nm以下。在光刻工業(yè)領(lǐng)域中最感興趣的遠紫外光區(qū)的波長是13.4nm，盡管在這個區(qū)域可以有其他有希望的波長，如11nm。
用于遠紫外輻射光裝置的光學(xué)元件，如多層薄膜反射鏡，對物理或化學(xué)損傷是非常敏感的，損傷可極大地減少其反射性和光學(xué)性能。暴露于EUV輻射光的多層反射鏡具有的特定問題是(i)頂層的氧化，(ii)在反射鏡表面出現(xiàn)碳生長和(iii)多層反射鏡出現(xiàn)混合。除多層反射鏡外的其他光學(xué)元件也出現(xiàn)類似問題，即使這些元件未永久暴露于EUV。這是因為碳生長可簡單地通過二次電子輻射產(chǎn)生，這可影響所有的光學(xué)元件。
為了解決上述問題，提出設(shè)置光學(xué)元件的保護封蓋層。提出的保護封蓋層的材料包括釕-鉬保護層，還有碳或碳化硼(B4C)層。然而，這些材料都不完全令人滿意。在實際工作條件下(即，在帶有氧化和碳化劑殘余壓力的基本真空下，結(jié)合有高能量低波長電磁輻射)進行大約50小時的輻射后，釕-鉬多層顯示出強烈的不可逆的性能下降的現(xiàn)象。EUV多層反射鏡的希望壽命是在30,000小時的量級，而釕-鉬層封蓋的多層反射鏡遠低于此值。碳和碳化硼封蓋層也出現(xiàn)性能下降，這是由于系統(tǒng)中的分子(如水和碳氫物)與二次電子的結(jié)合造成的。此外，這些層不能承受清潔步驟，而清潔是現(xiàn)有技術(shù)通常要進行的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種光學(xué)元件，其對物理和化學(xué)侵蝕有很高的抵抗能力，并可提高壽命。
本發(fā)明的這一和其它目的通過在開頭部分提到的光刻裝置得以實現(xiàn)，其特征是，設(shè)置至少一個光學(xué)元件，其具有至少一個包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子的層。
使用Buckminster球殼狀碳分子(可稱為球殼狀分子)作為封蓋層可提供非常穩(wěn)定的具有惰性化學(xué)性能的保護涂層。典型的球殼狀碳分子C60具有非常高的結(jié)合能(大約為7.3eV)，這是金剛石的結(jié)合能的量級(金剛石為7.4eV)。C60和其他球殼狀碳分子因此具有非常高的抵抗氧化和輻射導(dǎo)致?lián)p傷的能力。對比之下，石墨/無定形碳的結(jié)合能在大約3到5eV，因此對化學(xué)侵蝕的抵抗能力很低。球殼狀碳分子封蓋層可在長時間輻射下保持其初始結(jié)構(gòu)，提供改進的光學(xué)過程。反射鏡較長的壽命也減少了裝置的中斷時間。
球殼狀碳分子封蓋層的另一優(yōu)點是可減少反射鏡頂部的碳生長。發(fā)現(xiàn)反射鏡出現(xiàn)碳生長的主要原因是由于反射鏡表面吸收的碳氫物的分解造成。分解主要由于輻射期間反射鏡表面釋放出二次電子。而球殼狀碳分子是非常高效的電子接受體。球殼狀碳分子封蓋層因此將減少反射鏡表面產(chǎn)生的二次電子，導(dǎo)致碳氫物分解的減少，從而減少碳生長。此外，球殼狀碳分子層的特征還有粘結(jié)性較低。
本發(fā)明涉及三個特定的實施例，第一個，球殼狀碳分子層形成光學(xué)元件的外封蓋層。由于球殼狀碳分子具有惰性化學(xué)性質(zhì)，使外封蓋層具有低粘結(jié)性的特點。這樣將減少碳污染，并因此降低進行清洗步驟的頻率。
第二個實施例涉及形成次封蓋層的球殼狀碳分子膜，外封蓋層如可由位于球殼狀碳分子層頂部的釕層組成。這樣設(shè)置的優(yōu)點是可減少多層與封蓋層的混合。球殼狀碳分子具有較低的密度，因此可使用較厚的封蓋層，且不會增加光吸收。這樣將導(dǎo)致外封蓋層和多層反射鏡之間的距離增加，造成改進的擴散勢壘區(qū)。
在下一個實施例中，包括球殼狀碳分子的中間層位于多層反射鏡的各層的界面。這將導(dǎo)致各層之間的應(yīng)力和混合減少。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出了光刻裝置的制作方法，包括步驟準備基片，所述基片至少局部由光敏感材料層覆蓋；利用輻射系統(tǒng)提供投影光束；使用圖案形成裝置使投影光束的斷面形成某種圖案；形成圖案的光束投影到光敏感材料層的目標部分，其特征在于，提供了至少一個光學(xué)元件，其具有至少一個包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子的層雖然在本文中對根據(jù)本發(fā)明的裝置用于制造集成電路進行了具體介紹，但是應(yīng)當(dāng)明確地認識到這種裝置可以具有許多其它用途。比如，可以用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)，對磁疇存儲器、液晶顯示屏、薄膜磁頭等的圖案進行導(dǎo)向和檢測。本領(lǐng)域的專業(yè)人員應(yīng)當(dāng)認識到，對于這些其它的用途，在本文中使用的術(shù)語“光網(wǎng)”、“晶片”或“片”可分別用更通用的術(shù)語“掩模”、“基片”和“目標部分”來代替。
在本文中，使用的術(shù)語“輻射光”和“光束”包括各種類型的電磁輻射，包括紫外光輻射(如波長為365、248、193、157或126納米)和遠紫外光輻射(如波長在5-20納米的范圍)，以及粒子束，如離子束或電子束。



現(xiàn)在將參考示意性附圖來介紹只作為示例的本發(fā)明實施例，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻投影裝置；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的封蓋的多層反射鏡的層結(jié)構(gòu)；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的封蓋的多層反射鏡的層結(jié)構(gòu)；和圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的封蓋的多層反射鏡的層結(jié)構(gòu)。
在這些附圖中，對應(yīng)的參考符號表示對應(yīng)的部件。
具體實施方式
實施例1圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明特定實施例的光刻投影裝置。裝置包括輻射系統(tǒng)Ex、IL，用來提供投影光束PB(如遠紫外輻射光)，在此具體實例中還包括輻射源LA；第一載物臺(掩模臺)MT，裝有固定掩模MA(如光網(wǎng))的掩模架，并連接到第一定位裝置PM上，可使掩模相對于部件PL精確定位；第二載物臺(基片臺)WT，裝有固定基片W(如涂有抗蝕膜的硅晶片)的基片座，并連接到第二定位裝置PM上，可使基片相對于部件PL精確定位；投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(如折射/反及折射光透鏡系統(tǒng)/鏡頭組)，用來將掩模MA的照射部分成像到基片W的目標部分C(包含一個或多個片)上。
如圖所示，該裝置反射型的(即帶有反射式掩模)。但一般地，也可以是透射型的(比如帶有透射式掩模)?；蛘撸撗b置可以采用另一種圖案形成機構(gòu)，如上面所提到的可編程反射鏡陣列型。
輻射源LA(如放電等離子源或激光等離子源)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或在穿過調(diào)制裝置如光束擴展器Ex后進入照明系統(tǒng)(照明器)IL中。照明器IL可以包括調(diào)整裝置AM，用來設(shè)置光束強度分布的外和/或內(nèi)徑向區(qū)域(通常分別稱作σ-外和σ-內(nèi))。另外，一般還包括其它各種部件，如積分器IN和聚光器CO。通過這種方式，使照射到掩模MA上的光束PB在其斷面上具有所要求的均勻度和強度分布。
應(yīng)當(dāng)指出，就圖1而言，輻射源LA可能位于光刻投影裝置的外殼內(nèi)(比如當(dāng)輻射源LA為汞燈時通常如此)，但也可以遠離光刻投影裝置，將產(chǎn)生的光束引導(dǎo)到裝置中(比如通過適當(dāng)?shù)囊龑?dǎo)反射鏡)；當(dāng)輻射源LA是準分子激光器時通常采用后一種方案。本發(fā)明及其權(quán)利要求
包括這兩種方案。
光束PB接著與固定在掩模臺MT上的掩模MA相交。在掩模MA選擇性地反射之后，光束PB穿過透鏡PL，透鏡PL將光束PB聚焦到基片W的目標部分C上。借助于第二定位裝置(和干涉測量裝置IF)可以精確地移動基片臺WT，比如可以將不同的目標部分C置于光束PB的路徑中。類似地，第一定位裝置可以使掩模MA相對光束PB的路徑精確定位，比如在從掩模庫中機器檢索掩模MA之后，或是在掃描過程中。一般地，載物臺MT、WT的移動可以通過長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)來實現(xiàn)，這在圖1中沒有明確示出。然而，對于晶片步進投影曝光機(不同于步進-掃描機)，掩模臺MT可以只與短行程致動器相連，或者可以是固定的。
所示裝置可以在兩種不同的模式中使用1.在步進模式中，掩模臺MT基本上保持不動，且整個掩模圖像是一次投影(單次“閃光”)到目標部分C。然后基片臺WT沿x和/或y方向移動，使得不同的目標部分C可以被光束PB照射；2.在掃描模式中，基本上采用相同的方案，除了給定的目標部分C不是在單次“閃光”中曝光，而代之以，掩模臺MT以速度v沿給定方向(所謂的“掃描方向”，如y方向)移動，因此使得投影光束PB在整個掩模圖像上掃描；同時，基片臺WT以速度V＝Mv沿相同或相反的方向移動，其中M是透鏡PL的放大倍數(shù)(一般，M＝1/4或1/5)。通過這種方式，可以使相對較大的目標部分C曝光而無須犧牲分辨率。
在圖2到4中顯示了球殼狀碳分子封蓋層的特定應(yīng)用。在各圖中，光學(xué)元件是由硅2和鉬3交替層組成的多層反射鏡。圖2中顯示了本發(fā)明的第一實施例，其中外封蓋層4包括球殼狀碳分子。如圖中所示，一般含有球殼狀碳分子層直接設(shè)置在多層反射鏡上，因此，只有單個封蓋層。但是，在另一可選擇的實施例中，可在多層反射鏡和含球殼狀碳分子層之間設(shè)置額外的封蓋層。例如，可使用釕、銥或石墨碳層，和/或另外的含球殼狀碳分子層。
圖3顯示了本發(fā)明的另一可選擇的實施例，其中次封蓋層包括一個或多個球殼狀碳分子。如圖3所示，設(shè)置了兩個封蓋層，外封蓋層a和次封蓋層b，次封蓋層b包括球殼狀碳分子。外封蓋層，例如，可由釕形成，但同樣可使用其他的封蓋材料，如銥或石墨碳。
一般地，如圖3所示，設(shè)置兩個封蓋層。然而，還可以包括一個或多個另外的封蓋層，即可設(shè)置在次封蓋層b和多層反射鏡之間，也可設(shè)置在外封蓋層a和次封蓋層b之間。這些額外的封蓋層可以由任何適當(dāng)?shù)牟牧蟻硇纬?，包括釕、石墨碳或其他球殼狀碳分子層。一般地，球殼狀碳分子層設(shè)置在靠近外封蓋層。
圖2和3顯示了由鉬和硅形成的多層反射鏡，其中封蓋層設(shè)置在硅層上。但是一層或多層的封蓋層同樣也可設(shè)置在鉬層上。還可以選擇將本發(fā)明的封蓋層用于除鉬/硅反射鏡以外的多層結(jié)構(gòu)。除多層反射鏡之外的光學(xué)元件也可以使用。例如，本發(fā)明的封蓋層可用于掠入射鏡、集光器、標線片和所有的傳感器。
圖4顯示了本發(fā)明的另一可選擇的實施例，其只用于多層反射鏡。在這個實施例中，含球殼狀碳分子的多層設(shè)置在多層反射鏡的各層之間的一個或多個界面上。如果需要，硅2和鉬3層可用其他的適當(dāng)材料來代替。在這個實施例中，封蓋層一般設(shè)置為如圖2和3所示的封蓋層。
本發(fā)明可使用很寬范圍的不同球殼狀碳分子。例如，C60，C70，C74，C80，C82和其他大球殼狀碳分子，包括C260，C960。術(shù)語Buckminster球殼狀碳分子包括只由碳組成的結(jié)構(gòu)，如上面所列出的，以及(i)一個或多個碳原子被雜原子如N代替的結(jié)構(gòu)(如C59N)；(ii)滿充的球殼狀碳分子，其中原子或分子位于球殼狀碳分子環(huán)內(nèi)，的結(jié)構(gòu)(如La-C60和Li-C60)和(iii)多殼結(jié)構(gòu)的球殼狀碳分子。優(yōu)選的球殼狀碳分子結(jié)構(gòu)只含有碳，如C60，C70，C74，C80，C82，最好是C60。
球殼狀碳分子層可通過標準技術(shù)設(shè)置在光學(xué)元件的表面。一般地，球殼狀碳分子從含有所需球殼狀碳分子的材料通過蒸發(fā)(加熱或使用電子放射)得到。然后，一個或多個分子層在光學(xué)元件上生長。這通常導(dǎo)致面心立方結(jié)構(gòu)的分子層，其中分子較弱地互相結(jié)合到一起。更致密充滿的緊密結(jié)合的層可通過聚合球殼狀碳分子形成以共價鍵連接的分子鏈或網(wǎng)格。這可通過光致激發(fā)，增加壓力或堿金屬摻雜來實現(xiàn)。
一般地，包括球殼狀碳分子的封蓋層含有1到5層的分子。最好是設(shè)置2到3層分子。含球殼狀碳分子封蓋層的厚度一般少于3nm，厚度也可大約為7到8nm。其他封蓋層，如圖3所示的外封蓋層a的厚度最好是在1到3nm的量級。
盡管上面已經(jīng)介紹了本發(fā)明的特定實施例，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可通過不同于上面介紹的方式實施。所作介紹不應(yīng)限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影裝置，包括輻射系統(tǒng)，可提供投影光束；支承結(jié)構(gòu)，可支承形成圖案機構(gòu)，所述形成圖案機構(gòu)可根據(jù)希望圖案使所述投影光束形成圖案；基片臺，可固定保持基片；投影系統(tǒng)，可將形成圖案的光束投影到所述基片的目標部分；其特征在于，至少一個光學(xué)元件包括至少一層，每層含有一個或多個Buckminster球殼狀碳分子。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述光學(xué)元件的表面具有一個或多個封蓋層，所述至少一個封蓋層包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子。
3.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述一個或多個封蓋層的外層包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子。
4.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述光學(xué)元件的表面具有單個封蓋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述光學(xué)元件具有至少兩個封蓋層，包括外封蓋層和在所述外封蓋層和所述光學(xué)元件之間的次封蓋層，所述次封蓋層包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子。
6.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述次封蓋層靠近所述外封蓋層。
7.根據(jù)前面權(quán)利要求
中任一項所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述光學(xué)元件是多層反射鏡。
8.根據(jù)權(quán)利要求
7所述的光刻投影裝置，其特征在于，包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子的層位于多層反射鏡中任兩層之間的一個或多個界面。
9.根據(jù)前面權(quán)利要求
中任一項所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子的封蓋層的厚度從1到3nm，或從7到8nm。
10.根據(jù)前面權(quán)利要求
中任一項所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子的封蓋層具有1到5層，最好具有2到3層，的Buckminster球殼狀碳分子。
11.根據(jù)前面權(quán)利要求
中任一項所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述一個或多個Buckminster球殼狀碳分子包括C60。
12.一種光刻投影裝置的制作方法，包括步驟提供基片，所述基片至少部分被光敏感材料層覆蓋；利用輻射系統(tǒng)提供投影光束；使用形成圖案機構(gòu)使所述投影光束的截面帶有圖案；將帶有圖案的投影光束投影到光敏感材料層的目標部分；其特征在于，提供至少一個具有至少一層的光學(xué)元件，所述層包括一個或多個Buckminster球殼狀碳分子。
專利摘要
提出了一種如EUV光刻裝置的多層反射鏡這樣的光學(xué)元件，光學(xué)元件具有至少一層，每層含有一個或多個Buckminster球殼狀碳分子。一般地，球殼狀碳分子形成封蓋層，可設(shè)置為光學(xué)元件的外封蓋層或形成靠近由不同材料形成的外封蓋層的次封蓋層。含球殼狀碳分子的層還可以選擇或額外地設(shè)置成多層反射鏡的兩層之間的中間層。
文檔編號G21K1/06GKCN1499297SQ200310103693
公開日2004年5月26日 申請日期2003年10月30日
發(fā)明者R·庫爾特, R 庫爾特 申請人:Asml荷蘭有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan