本實用新型涉及一種濾除裝置，尤其涉及一種散裂中子源快中子濾除裝置。

背景技術：

散裂中子源是通過加速器驅動高能質子轟擊重金屬靶體，從而得到高中子通量的中子束流。先進的中子源是中子科學研究的基礎，能夠為物質微觀結構和運動狀態(tài)的研究提供必要的工具。質子加速轟擊鎢靶產生出脈沖中子束流，同時也產生了快中子束。快中子束在每個中子束流脈沖周期的零時刻發(fā)出，隨中子束流傳輸，如果全部到達樣品，會對測試結果造成很大的背底，在不同研究和實驗需要的中子束流波段不盡相同，因此，在快中子束流傳輸過程中，需要設計一種裝置對快中子進行濾除，而又能放行需要的脈沖中子流束，目前尚無真正意義上能夠用于散裂中子源的中子束流濾除裝置。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型正是針對現(xiàn)有技術存在的不足，提供了一種散裂中子源快中子濾除裝置。

為解決上述問題，本實用新型所采取的技術方案如下：

一種散裂中子源快中子濾除裝置，包括殼體、離子源、轉盤和電機，所述殼體為矩形密閉殼體，離子源安裝在殼體內一側上部，離子源對應側殼體壁上設有中子束窗，轉盤豎直位于殼體內中部，轉盤的軸心位于離子源水平軸線下部，且離子源對應轉盤盤面位置，電機水平安裝在殼體內部另一側，電機與轉盤中心軸連接，轉盤盤面的上下兩側對稱布置有扇形槽口，扇形槽口的豎直位置對應離子源水平位置，轉盤盤面上涂有阻擋吸附層。

進一步的，所述殼體的上部設有抽真空管。

進一步的，所述殼體的內腔壁上設有碳化硼吸附層。

進一步的，所述殼體兩側壁底部對稱布置有對射式光電傳感器，光電傳感器的水平軸線位于轉盤豎直方向盤面的扇形槽口位置。

本實用新型與現(xiàn)有技術相比較，本實用新型的實施效果如下：

本實用新型所述的一種散裂中子源快中子濾除裝置，電機驅動轉盤轉動，通過電機的角速度調節(jié)，精確控制轉盤的轉動，從而保證當快中子束通過時，快中子束剛好對著轉盤，被轉盤阻擋或吸收，而其他的中子束流能通過轉盤的扇形槽口，滿足實驗或者研究的需求，實現(xiàn)快中子的濾除。

附圖說明

圖1為本實用新型所述的一種散裂中子源快中子濾除裝置的結構示意圖；

圖2為圖1中的轉盤結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合具體的實施例來說明本實用新型的內容。

如圖1和圖2所示，所述的一種散裂中子源快中子濾除裝置，包括殼體1、離子源2、轉盤3和電機4，所述殼體1為矩形密閉殼體1，離子源2安裝在殼體1內一側上部，離子源2對應側殼體1壁上設有中子束窗5，轉盤3豎直位于殼體1內中部，轉盤3的軸心位于離子源2水平軸線下部，且離子源2對應轉盤3盤面位置，電機4水平安裝在殼體1內部另一側，電機4與轉盤3中心軸連接，轉盤3盤面的上下兩側對稱布置有扇形槽口6，扇形槽口6的豎直位置對應離子源2水平位置，轉盤3盤面上涂有阻擋吸附層7。

所述的一種散裂中子源快中子濾除裝置，電機4驅動轉盤3轉動，通過電機4的角速度調節(jié)，精確控制轉盤3的轉動，從而保證當快中子束通過時，快中子束剛好對著轉盤3，被轉盤3阻擋或吸收，而其他的中子束流能通過轉盤3的扇形槽口6，滿足實驗或者研究的需求，實現(xiàn)快中子的濾除。

所述殼體1的上部設有抽真空管8，可將殼體1內部抽成真空環(huán)境，減少中子束通過時在空氣中的散射。

所述殼體1的內腔壁上設有碳化硼吸附層9，阻擋并吸收散射的中子束流，同時隔離外部中子，避免干擾。

所述殼體1兩側壁底部對稱布置有對射式光電傳感器10，光電傳感器10的水平軸線位于轉盤3豎直方向盤面的扇形槽口6位置，通過對射式光電傳感器10檢測轉盤3的轉動情況，精確控制轉盤3的轉速以及離子源2的脈沖頻率，保證對快中子的濾除效果。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。