本發(fā)明涉及一種樹脂膜形成用片材，其可效率良好地形成對芯片的粘接強度高的樹脂膜，且可制造可靠性高的半導體裝置。
背景技術：
：以大徑的狀態(tài)制造的半導體晶圓在切斷分離(切割)成元件小片(半導體芯片)之后，有時移至下一工序的鍵合工序。此時，半導體晶圓是以預先粘著于粘接片的狀態(tài)加以切割、清洗、干燥、擴張及拾取的各工序之后，移送至下一工序的鍵合(bonding)工序。在這些工序之中，為簡化拾取工序及鍵合工序的工藝，提出了各種可同時兼具晶圓固定功能與管芯鍵合功能的切割·管芯鍵合用粘接片。例如，通過使用所述粘接片，可得到在背面粘貼粘接劑層的半導體芯片，可作為有機襯底-芯片間、引線框架-芯片間、芯片-芯片間等的直接管芯鍵合。在專利文獻1(日本特開2005-350520號公報)中，作為切割·管芯鍵合用粘接片，記載了具有依序層疊剝離基材、粘接層、粘著層及基材膜的結構的粘接片。此外，近年，有使用所謂被稱為面朝下(facedown)模式的安裝法進行半導體裝置的制造。在面朝下模式中，使用在電路面上具有凸塊(bump)等的電極的半導體芯片(以下，有時簡稱為“芯片”)，該電極與襯底鍵合。因此，與芯片的電路面相反側的面(芯片背面)有時會露出。該露出的芯片背面有時通過有機膜來保護。以往，具有由該有機膜構成的保護膜的芯片是將液狀的樹脂以旋轉涂布法涂布于晶圓背面、干燥、固化、與晶圓一起切斷保護膜而得到的。但是，由于如此形成的保護膜的厚度精度并不充分，有時會降低產品的產率。為了解決上述問題，在專利文獻2(日本特開2012-33557號公報)中，公開了一種半導體裝置制造用膜，其中，在切割帶上形成有粘接劑層的附有粘接劑層的切割帶以所述粘接劑層作為粘貼面，隔著規(guī)定的間隔層疊于隔離物(separator)?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2005-350520號公報專利文獻2：日本特開2012-33557號公報技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明要解決的技術問題用于得到專利文獻1或專利文獻2所記載的粘貼有粘接劑層或保護膜的芯片的樹脂膜形成用片材，在其制造后，到被使用之間，有時以卷成卷筒狀的狀態(tài)保存。剝離膜(剝離基材或隔離物)不具有充分的厚度時，將樹脂膜形成用片材卷成卷筒狀，則有時在粘接劑層或保護膜上產生卷痕，其原因被認為是樹脂膜形成用片材上的厚度不均勻部分的段差。在粘接劑層上產生卷痕，則粘接劑層的厚度精度降低，有時會成為將粘接劑層粘貼于晶圓時的空氣滲入、或經由粘接劑層將半導體芯片粘接于芯片安裝部(襯底或其他芯片)時的粘接性的降低、或產生孔隙的原因。結果，難以得到具有優(yōu)異可靠性的半導體裝置。此外，在保護膜上產生卷痕，則在上述以外，有時成為外觀不良的原因。本發(fā)明是鑒于如上所述的現(xiàn)有技術而完成的。即，本發(fā)明的課題在于提供可抑制卷成卷筒狀時在樹脂膜形成層產生卷痕的樹脂膜形成用片材。解決技術問題的技術手段本發(fā)明包含以下的要點。[1]一種樹脂膜形成用片材，其是將支撐片、樹脂膜形成層及剝離膜依次層疊而成，剝離膜的厚度為50μm以上。[2]根據(jù)[1]所述的樹脂膜形成用片材，其中，在剝離膜上，從樹脂膜形成層側的面沿著樹脂膜形成層的外周形成切入部，切入部的切入深度為剝離膜的厚度的1/2以上。[3]根據(jù)[2]所述的樹脂膜形成用片材，其中，支撐片的直徑比樹脂膜形成層的直徑大，在剝離膜上，從支撐片側的面沿著支撐片的外周形成切入部，沿著樹脂膜形成層的外周形成的切入部的切入深度為沿著支撐片的外周形成的切入部的切入深度以上。[4]根據(jù)[3]所述的樹脂膜形成用片材，其中，沿著支撐片的外周形成的切入部的切入深度為剝離膜的厚度的3/5以下。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的樹脂膜形成用片材，即使卷成卷筒狀，也可防止樹脂膜形成層產生卷痕。附圖說明圖1為表示本發(fā)明的樹脂膜形成用片材的平面圖。圖2為表示將圖1所示樹脂膜形成用片材沿著A-A線切斷時的示意性截面圖(第1實施方式的樹脂膜形成用片材)。圖3為表示第2實施方式的樹脂膜形成用片材。圖4為表示第3實施方式的樹脂膜形成用片材。圖5為表示第4實施方式的樹脂膜形成用片材。圖6a為進行將支撐片11及樹脂膜形成層12所構成的層疊體粘貼于半導體晶圓32的操作的一系列工序的圖。圖6b為進行將支撐片11及樹脂膜形成層12所構成的層疊體粘貼于半導體晶圓32的操作的一系列工序的圖。圖6c為進行將支撐片11及樹脂膜形成層12所構成的層疊體粘貼于半導體晶圓32的操作的一系列工序的圖。圖6d為進行將支撐片11及樹脂膜形成層12所構成的層疊體粘貼于半導體晶圓32的操作的一系列工序的圖。圖7為進行傳統(tǒng)的將支撐片及樹脂膜形成層所構成的層疊體粘貼于半導體晶圓32的操作的一系列工序的圖。具體實施方式以下，說明本發(fā)明的樹脂膜形成用片材的細節(jié)。圖1為表示本發(fā)明的樹脂膜形成用片材10的第1實施方式的平面圖，圖2為將圖1所示樹脂膜形成用片材10沿著A-A線切斷時的簡略截面圖。如圖1及圖2所示，本發(fā)明的樹脂膜形成用片材10具有依次層疊支撐片11、樹脂膜形成層12及剝離膜13的結構。此外，支撐片11與樹脂膜形成層12被切斷成所期望的平面形狀，部分地層疊于剝離膜13上。在此，所謂由支撐片11與樹脂膜形成層12所構成的層疊體的所期望的平面形狀，只要是層疊體部分地層疊于剝離膜13上的狀態(tài)的形狀即可，并無特別限制，以與半導體晶圓等工件的平面形狀一致的形狀為優(yōu)選，例如，圓形、近似圓形、四邊形、五邊形、六邊形、八邊形、晶圓形狀(圓的外周的一部分為直線的形狀)等的，較容易對半導體晶圓粘貼的形狀為優(yōu)選。在此之中，為減少粘貼于半導體晶圓的部分以外的多余的部分，以圓形或晶圓形狀為優(yōu)選。(剝離膜)剝離膜的厚度為50μm以上，以50～200μm為優(yōu)選。剝離膜不足50μm，則將樹脂膜形成用片材卷成卷筒狀時，會在樹脂膜形成層產生卷痕。樹脂膜形成層產生卷痕，則會降低樹脂膜形成層的厚度精度，有時成為對晶圓粘貼樹脂膜形成層時的空氣滲入、或在后述的半導體裝置的制造方法中降低將半導體芯片經由樹脂膜形成層粘接于芯片安裝部(襯底或其他的芯片)時的粘接性、及產生孔隙的原因。結果，難以得到具有優(yōu)異可靠性的半導體裝置。此外，將樹脂膜形成層用作保護芯片的背面的保護膜時，樹脂膜形成層的卷痕除上述之外，還是外觀不良的原因。在本發(fā)明的樹脂膜形成用片材中，通過使剝離膜的厚度在上述范圍，可消除上述問題。剝離膜在使用樹脂膜形成用片材時起到載體膜的作用，可使用例如，聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯醋酸乙烯酯共聚物膜、離聚物樹脂膜、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亞胺膜、氟樹脂膜等。此外，也可使用他們的交聯(lián)膜。再者，也可為他們的層疊膜。剝離膜的與樹脂膜形成層接觸的面的表面張力以40mN/m以下為優(yōu)選，以37mN/m以下更加優(yōu)選，以35mN/m以下特別優(yōu)選。下限值通常為25mN/m左右。這樣的表面張力較低的剝離膜，可適宜選擇材質而得到，此外也可在剝離膜的表面涂布剝離劑進行剝離處理而得到。作為用于剝離處理的剝離劑，可使用醇酸類、硅酮類、氟類、不飽和聚酯類、聚烯烴類、蠟類等，特別是醇酸類、硅酮類、氟類的剝離劑，具有耐熱性而優(yōu)選。為了使用上述剝離劑在成為剝離膜的基體的膜等的表面作剝離處理，可將剝離劑直接以無溶劑的方式、或以溶劑稀釋或乳膠化后，通過凹版涂布機、邁耶棒式涂布機、氣刀涂布機、輥輪涂布機等涂布，將涂布有剝離劑的剝離片供于常溫下或加熱下，或者，以電子束固化形成剝離劑層即可。此外，也可通過濕式層壓或干式層壓、熱熔融層壓、熔融擠出層壓、共擠出加工等進行膜的層疊調整剝離膜的表面張力。即，也可制造一種層疊體作為剝離膜，在該層疊體中，使至少一個面的表面張力在作為上述剝離膜的與樹脂膜形成層接觸的面的表面張力而優(yōu)選的范圍內的膜以該面為與樹脂膜形成層接觸的面的方式與其他的膜層疊。(樹脂膜形成層)對樹脂膜形成層至少要求的功能為(1)片材形狀保持性、(2)初始粘接性及(3)固化性。對樹脂膜形成層，可通過添加粘合劑(binder)成分賦予(1)片材形狀保持性及(3)固化性，作為粘合劑成分，可使用含有聚合物成分(A)及固化性成分(B)的第1粘合劑成分或含有兼具(A)成分及(B)成分的性質的固化性聚合物成分(AB)的第2粘合劑成分。再者，直到使樹脂膜形成層固化為止的期間，作為起到暫時粘接于工件的作用的(2)初始粘接性可為壓敏粘接性，也可為通過熱軟化粘接的性質。(2)初始粘接性通?？赏ㄟ^粘合劑成分的各特性、或后述的無機填充劑(C)的混合量的調整等來控制。(第1粘合劑成分)第1粘合劑成分通過含有聚合物成分(A)和固化性成分(B)，賦予樹脂膜形成層以片材形狀保持性及固化性。再者，第1粘合劑成分為方便與第2粘合劑成分區(qū)分，不含有固化性聚合物成分(AB)。(A)聚合物成分聚合物成分(A)以賦予樹脂膜形成層片材形狀保持性為主要目的而添加于樹脂膜形成層。為實現(xiàn)上述目的，聚合物成分(A)的重均分子量(Mw)通常為20,000以上，以20,000～3,000,000為優(yōu)選。重均分子量(Mw)的值是以凝膠滲透色譜法(GPC)(聚苯乙烯標準)測定時的值。通過該方法的測定是使用例如在TOSO公司制的高速GPC裝置“HLC-8120GPC”上依次連接高速管柱“TSKgurdcolumnHXL-H”、“TSKGelGMHXL”、“TSKGelG2000HXL”(以上，均為TOSO公司制)的設備，在管柱溫度︰40℃、送液速度︰1.0mL/分鐘的條件下，以差示折射計作為檢測器進行的。再者，為方便與后述的固化性聚合物(AB)相區(qū)別，聚合物成分(A)不具有后述的固化功能官能團。作為聚合物成分(A)，可使用丙烯酸類聚合物、聚酯、苯氧基樹脂(為方便與后述的固化性聚合物(AB)相區(qū)別，限于不具有環(huán)氧基的)、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚硅氧烷、橡膠類聚合物等。此外，也可為他們的2種以上結合而成的聚合物，例如，作為具有羥基的丙烯酸類聚合物的丙烯酸多元醇，與在分子末端具有異氰酸酯基的氨基甲酸酯預聚物反應而得到的丙烯酸氨基甲酸酯樹脂等。再者，也可將這2種以上組合使用，包括使用2種以上結合而成的聚合物。(A1)丙烯酸類聚合物作為聚合物成分(A)，優(yōu)選使用丙烯酸類聚合物(A1)。丙烯酸類聚合物(A1)的玻璃化轉變溫度(Tg)，以-60～50℃為優(yōu)選，以-50～40℃更加優(yōu)選，進一步以-40～30℃的范圍為優(yōu)選。丙烯酸類聚合物(A1)的玻璃化轉變溫度過高，則樹脂膜形成層的粘接性降低，而有發(fā)生無法轉印于工件，或者在轉印后樹脂膜形成層或由樹脂膜形成層固化而得到的樹脂膜從工件剝離等異常。此外，丙烯酸類聚合物(A1)的玻璃化轉變溫度過低，則有樹脂膜形成層與支撐片的剝離力變大而有時發(fā)生樹脂膜形成層的轉印不良。丙烯酸類聚合物(A1)的重均分子量，以100,000～1,500,000為優(yōu)選。丙烯酸類聚合物(A1)的重均分子量過高，則樹脂膜形成層的粘接性降低，而有發(fā)生無法轉印于工件，或者于轉印后樹脂膜形成層或由樹脂膜形成層固化而得到的樹脂膜從工件剝離等異常。此外，丙烯酸類聚合物(A1)的重均分子量過低，則樹脂膜形成層與支撐片的密合性變高而有時發(fā)生樹脂膜形成層的轉印不良。丙烯酸類聚合物(A1)至少在構成其的單體中包含(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸酯，可列舉烷基的碳數(shù)為1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具體可列舉，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等；具有環(huán)狀骨架的(甲基)丙烯酸酯，具體可列舉，(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯、(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊基酯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊烯氧乙酯、酰亞胺(甲基)丙烯酸酯等。此外，作為后述的具有羥基的單體、具有羧基的單體、具有氨基的單體的例示之中，可列舉作為(甲基)丙烯酸酯的單體。再者，在本說明書中，(甲基)丙烯酸是以包含丙烯酸及甲基丙烯酸二者的意義使用。作為構成丙烯酸類聚合物(A1)的單體，可使用具有羥基的單體。通過使用這樣的單體，可向丙烯酸類聚合物(A1)中導入羥基，樹脂膜形成層另外含有能量線固化性成分(B2)時，可提升其與丙烯酸類聚合物(A1)的相溶性。作為具有羥基的單體，可列舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等具有羥基的(甲基)丙烯酸酯；N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺等。作為構成丙烯酸類聚合物(A1)的單體，也可使用具有羧基的單體。通過使用這樣的單體，可向丙烯酸類聚合物(A1)中導入羧基，樹脂膜形成層另外含有能量線固化性成分(B2)時，可提升其與丙烯酸類聚合物(A1)的相溶性。作為具有羧基的單體，可列舉2-(甲基)丙烯酰氧乙基鄰苯二甲酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧丙基鄰苯二甲酸酯等具有羧基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、依康酸等。使用環(huán)氧類熱固化性成分作為后述的固化性成分(B)時，由于羧基會與環(huán)氧類熱固化性成分中的環(huán)氧基反應，故優(yōu)選具有羧基的單體的使用量少。作為構成丙烯酸類聚合物(A1)的單體，也可使用具有氨基的單體。作為這樣的單體，可列舉單乙基氨基(甲基)丙烯酸酯等具有氨基的(甲基)丙烯酸酯等。作為構成丙烯酸類聚合物(A1)的單體，也可使用其他的醋酸乙烯酯、苯乙烯、乙烯、α-烯烴等。丙烯酸類聚合物(A1)也可交聯(lián)。交聯(lián)通過如下方式進行：交聯(lián)前的丙烯酸類聚合物(A1)具有羥基等交聯(lián)性官能團，通過向用于形成樹脂膜形成層的組合物中添加交聯(lián)劑，交聯(lián)性官能團與交聯(lián)劑所具有的官能團反應進行交聯(lián)。通過使丙烯酸類聚合物(A1)交聯(lián)，可調節(jié)樹脂膜形成層的凝聚力。作為交聯(lián)劑，可列舉有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物等。作為有機多元異氰酸酯化合物，可列舉芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環(huán)族多元異氰酸酯化合物及這些有機多元異氰酸酯化合物的三聚物、及使這些有機多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應所得的末端異氰酸酯氨基甲酸酯預聚物等。作為有機多元異氰酸酯化合物，具體可列舉，2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、賴氨酸異氰酸酯、及他們的多元醇加成物。作為有機多元亞胺化合物，具體可列舉，N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶甲酰胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲酰胺)三亞乙基三聚氰胺等。相對于交聯(lián)前的丙烯酸類聚合物(A1)100質量份，交聯(lián)劑通常為0.01～20質量份，以0.1～10質量份為優(yōu)選，以0.5～5質量份的比例使用更加優(yōu)選。在本發(fā)明中，關于構成樹脂膜形成層的成分的含量的實施方式，將聚合物成分(A)的含量定為標準時，聚合物成分(A)為交聯(lián)的丙烯酸類聚合物時，作為其標準的含量為交聯(lián)前的丙烯酸類聚合物的含量。(A2)非丙烯酸類樹脂此外，作為聚合物成分(A)，可使用選自由聚酯、苯氧基樹脂(為方便區(qū)別后述的固化性聚合物(AB)，限于不具有環(huán)氧基的)、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚硅氧烷、橡膠類聚合物或由他們的2種以上結合而成的聚合物的非丙烯酸類樹脂(A2)中的單獨1種或2種以上的組合。作為這樣的樹脂，以重均分子量為20,000～100,000為優(yōu)選，以20,000～80,000為更加優(yōu)選。非丙烯酸類樹脂(A2)的玻璃化轉變溫度，以-30～150℃為優(yōu)選，以-20～120℃的范圍更加優(yōu)選。將非丙烯酸類樹脂(A2)與上述丙烯酸類聚合物(A1)同時使用時，使用樹脂膜形成用片材向工件轉印樹脂膜形成層時，可容易地進行支撐片與樹脂膜形成層的層間剝離，進一步可使樹脂膜形成層追隨轉印面而可抑制產生孔隙。將非丙烯酸類樹脂(A2)與上述丙烯酸類聚合物(A1)同時使用時，非丙烯酸類樹脂(A2)的含量，在非丙烯酸類樹脂(A2)與丙烯酸類聚合物(A1)的質量比(A2︰A1)，通常為1:99～60:40，以1:99～30:70的范圍為優(yōu)選。通過使非丙烯酸類樹脂(A2)的含量在此范圍，則可得上述效果(B)固化性成分固化性成分(B)，是以賦予樹脂膜形成層固化性為主要目的而添加于樹脂膜形成層。固化性成分(B)，可使用熱固化性成分(B1)或能量線固化性成分(B2)。此外，也可組合他們來使用。熱固化性成分(B1)，至少包含具有可通過加熱反應的官能團的化合物。此外，能量線固化性成分(B2)包含具有可通過能量線的照射而反應的官能團的化合物(B21)，受到紫外線、電子束等的能量線的照射會聚合固化。通過這些固化性成分所具有的官能團相互反應，形成三維網狀結構而實現(xiàn)固化。固化性成分(B)，由于是與聚合物成分(A)組合使用，故由抑制用于形成樹脂膜形成層的涂布用組合物的粘度來提升處理性等的觀點來看，通常，其重均分子量(Mw)為10,000以下，以100～10,000為優(yōu)選。(B1)熱固化性成分作為熱固化性成分，例如，以環(huán)氧類熱固化性成分為優(yōu)選。環(huán)氧類熱固化性成分包含具有環(huán)氧基的化合物(B11)，優(yōu)選具有環(huán)氧基的化合物(B11)與熱固化劑(B12)的組合。(B11)具有環(huán)氧基的化合物作為具有環(huán)氧基的化合物(B11)(以下，有時稱為“環(huán)氧化合物(B11)”)，可使用現(xiàn)有公知的。具體可列舉，多官能型環(huán)氧樹脂、雙酚A二縮水甘油醚或其氫化物、鄰甲酚酚醛(novolac)環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、亞苯基骨架型環(huán)氧樹脂等在分子中具有2官能以上的環(huán)氧化合物。他們可以1種單獨或組合2種以上使用。使用環(huán)氧化合物(B11)時，在樹脂膜形成層，相對于聚合物成分(A)100質量份，包含環(huán)氧化合物(B11)1～1500質量份為優(yōu)選，包含3～1200質量份更加優(yōu)選。環(huán)氧化合物(B11)少，則有降低樹脂膜形成層在固化后的粘接性的傾向。此外，環(huán)氧化合物(B11)多，則樹脂膜形成層與支撐片的剝離力變大，而有發(fā)生樹脂膜形成層的轉印不良的情況。(B12)熱固化劑熱固化劑(B12)作用為對于環(huán)氧化合物(B11)的固化劑。作為優(yōu)選的熱固化劑，可列舉在1分子中具有2個以上可與環(huán)氧基反應的官能團的化合物。作為該官能團，可列舉酚性羥基、醇性羥基、氨基、羧基及酸酐等。他們之中，優(yōu)選可列舉酚性羥基、氨基、酸酐等，更加優(yōu)選可列舉酚性羥基、氨基。作為酚類固化劑的具體例，可列舉多官能型酚樹脂、雙酚、酚醛(novolac)型酚樹脂、二環(huán)戊二烯型酚樹脂、新酚(xylok)型酚樹脂、芳烷基酚樹脂。作為胺類固化劑的具體例，可列舉DICY(雙氰胺)。他們可以1種單獨或混合2種以上使用。相對于環(huán)氧化合物(B11)100質量份，熱固化劑(B12)的含量以0.1～500質量份為優(yōu)選，以1～200質量份更加優(yōu)選。熱固化劑的含量少，則有使固化后的粘接性降低的傾向。(B13)固化促進劑也可將固化促進劑(B13)用于調整樹脂膜形成層的熱固化速度。固化促進劑(B13)特別優(yōu)選在將環(huán)氧類熱固化性成分用作熱固化性成分(B1)時使用。作為優(yōu)選的固化促進劑，可列舉三亞乙基二胺、芐基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等的有機膦類；四苯基鏻四苯基硼酸酯、三苯基膦四苯基硼酸酯等四苯基硼酸酯等。他們可以1種單獨或混合2種以上使用。固化促進劑(B13)相對于環(huán)氧化合物(B11)及熱固化劑(B12)的總量100質量份，優(yōu)選以0.01～10質量份、進一步優(yōu)選以0.1～1質量份的量含有。通過將固化促進劑(B13)以上述范圍的量含有，即使暴露于高溫度高濕度下也具有優(yōu)異的粘接性，即使暴露于嚴酷的回火(reflow)條件時也可實現(xiàn)高可靠性。通過添加固化促進劑(B13)，可提升樹脂膜形成層在固化后的粘接性。固化促進劑(B13)的含量越多這樣的作用越強。(B2)能量線固化性成分通過使樹脂膜形成層含有能量線固化性成分，無須進行需要大量能量及長時間的熱固化工序即可進行樹脂膜形成層的固化。因此，有望降低制造成本。能量線固化性成分可單獨使用具有通過能量線的照射而反應的官能團的化合物(B21)，但優(yōu)選使用具有通過能量線的照射而反應的官能團的化合物(B21)與光聚合引發(fā)劑(B22)的組合。(B21)具有通過能量線的照射而反應的官能團的化合物作為具有通過能量線的照射而反應的官能團的化合物(B21)(以下，有時稱為“能量線反應性化合物(B21)”)，具體可列舉，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯類化合物，此外，可列舉寡聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯類寡聚物、環(huán)氧基丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及依康酸寡聚物等具有丙烯酸酯類化合物等的聚合結構的丙烯酸酯化合物，而分子量相對較低者。這樣的化合物，在分子內至少具有1個聚合性雙鍵。使用能量線反應性化合物(B21)時，在樹脂膜形成層中，相對于聚合物成分(A)100質量份，包含1～1500質量份能量線反應性化合物(B21)為優(yōu)選，包含3～1200質量份更加優(yōu)選。(B22)光聚合引發(fā)劑通過對能量線反應性化合物(B21)組合光聚合引發(fā)劑(B22)，可縮短聚合固化時間，并且減少光線照射量。作為這樣的光聚合引發(fā)劑(B22)，具體可列舉，二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香安息香酸、安息香安息香酸甲酯、安息香二甲縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、α-羥基環(huán)己基苯酮、芐基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、雙乙酰、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲?；交趸⒓唉?氯蒽醌等。光聚合引發(fā)劑(B22)可以1種單獨或組合2種以上使用。光聚合引發(fā)劑(B22)的混合比例相對于能量線反應性化合物(B21)100質量份，包含0.1～10質量份為優(yōu)選，包含1～5質量份更加優(yōu)選。光聚合引發(fā)劑(B22)的混合比例不足0.1質量份，則有光聚合不足而無法得到滿意的固化性的情況，超過10質量份，則生成無助于光聚合的殘留物，有時成為異常的原因。(第2粘合劑成分)第2粘合劑成分通過含有固化性聚合物成分(AB)，賦予樹脂膜形成層片材形狀保持性及固化性。(AB)固化性聚合物成分固化性聚合物成分為具有固化功能官能團的聚合物。固化功能官能團為可互相反應構成三維網狀結構的官能團，可列舉通過加熱反應的官能團，或通過能量線反應的官能團。固化功能官能團，可加成于成為固化性聚合物(AB)的骨架的連續(xù)結構單元中，也可加成于末端。固化功能官能團，加成于作為固化性聚合物成分(AB)的骨架的連續(xù)結構單元中時，固化功能官能團可加成于側鏈，也可直接加成于主鏈。由實現(xiàn)賦予樹脂膜形成層片材形狀保持性的目的的角度考慮，固化性聚合物成分(AB)的重均分子量(Mw)通常為20,000以上。作為通過加熱反應的官能團，可列舉環(huán)氧基。作為具有環(huán)氧基的固化性聚合物成分(AB)，可列舉高分子量的含有環(huán)氧基的化合物，或具有環(huán)氧基的苯氧基樹脂。高分子量的含有環(huán)氧基的化合物，例如，日本特開2001-261789中公開的。此外，也可為與上述丙烯酸類聚合物(A1)同樣的聚合物，作為單體，可為使用具有環(huán)氧基的單體聚合而成之物(含有環(huán)氧基的丙烯酸類聚合物)。作為具有環(huán)氧基的單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等的具有縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯。使用含有環(huán)氧基的丙烯酸類聚合物時，其優(yōu)選的實施方式對于環(huán)氧基以外與丙烯酸類聚合物(A1)相同。使用具有環(huán)氧基的固化性聚合物成分(AB)時，也可與使用環(huán)氧類熱固化性成分作為固化性成分(B)的情況同樣地，同時使用熱固化劑(B12)、固化促進劑(B13)。作為通過能量線反應的官能團，可列舉(甲基)丙烯酰基。具有通過能量線反應的官能團的固化性聚合物成分(AB)為具有聚醚丙烯酸酯等的聚合結構的丙烯酸酯類化合物等，可使用高分子量的。此外，也可使用例如對于具有在側鏈具有羥基等的官能團X的原料聚合物，使具有可與官能團X反應的官能團Y(例如，官能團X為羥基時，以異氰酸酯基等)及通過能量線照射反應的官能團的低分子化合物與其反應而制備的聚合物。在此情況下，原料聚合物符合上述丙烯酸類聚合物(A1)時，該原料聚合物的優(yōu)選的實施方式與丙烯酸類聚合物(A1)相同。使用具有通過能量線反應的官能團的固化性聚合物成分(AB)時，也可與使用能量線固化性成分(B2)的情況同樣地，同時使用光聚合引發(fā)劑(B22)。第2粘合劑成分，也可與固化性聚合物成分(AB)一并，含有上述聚合物成分(A)或固化性成分(B)。樹脂膜形成層中，除粘合劑成分之外，也可含有以下的成分。(C)無機填充劑樹脂膜形成層，也可含有無機填充劑(C)。通過將無機填充劑(C)混合于樹脂膜形成層，可調整樹脂膜形成層在固化后的熱膨脹系數(shù)，通過使固化后的樹脂膜形成層的熱膨脹系數(shù)對工件最適化，可提升半導體裝置的可靠性。此外，也可降低固化后的樹脂膜形成層的吸濕率。此外，使本發(fā)明的樹脂膜形成層固化而得到的樹脂膜起到工件或工件單片化后的芯片的保護膜的作用時，通過對保護膜施以激光打標，在激光削去的部分露出無機填充劑(C)，由于反射光被擴散而呈現(xiàn)接近白色的顏色。因此，樹脂膜形成層含有后述的著色劑(D)時，可得到激光打標部分與其他的部分的對比差，有使刻字變得明顯的效果。作為優(yōu)選的無機填充劑，可列舉二氧化硅、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化硅、氮化硼等的粉末，將他們球形化的珠、單晶纖維及玻璃纖維等。他們之中，以二氧化硅填充劑及氧化鋁填充劑為優(yōu)選。上述無機填充劑(C)可以單獨或混合2種以上使用。為更確實得到上述效果，作為無機填充劑(C)的含量的范圍，相對于構成樹脂膜形成層的全固體成分100質量份，以1～80質量份為優(yōu)選，以20～75質量份更加優(yōu)選，以40～70質量份特別優(yōu)選。(D)著色劑在樹脂膜形成層中，可混合著色劑(D)。通過混合著色劑，將半導體裝置組裝到機器中時，可防止半導體裝置因周圍的裝置所產生的紅外線等而出錯。此外，通過激光打標等的手段，對保護膜上進行刻印時，有使文字、記號等的標記變得較容易辨認的效果。即，在形成有樹脂膜的半導體裝置或半導體芯片中，在樹脂膜的表面上通常以激光打標法(通過激光削去保護膜表面進行刻字的方法)刻印商品號等，而通過樹脂膜含有著色劑(D)，可充分得到樹脂膜被激光削去的部分與沒有削去的部分的對比差，提升辨識性。作為著色劑，可使用有機或無機的顏料及染料。他們之中，由電磁波或紅外線遮蔽性的方面考慮，以黑色顏料為優(yōu)選。作為黑色顏料，可使用碳黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性炭等，但并不局限于此。從提高半導體裝置的可靠性的角度考慮，以碳黑特別優(yōu)選。著色劑(D)，可以1種單獨使用，也可組合2種以上使用。相對于構成樹脂膜形成層的全固體成分100質量份，著色劑(D)的混合量以0.1～35質量份為優(yōu)選，以0.5～25質量份更加優(yōu)選，以1～15質量份特別優(yōu)選。(E)偶聯(lián)劑可將具有與無機物反應的官能團及與有機官能團反應的官能團的偶聯(lián)劑(E)，用于提升樹脂膜形成層對工件的粘接性、密合性及/或樹脂膜的凝聚性。此外，通過使用偶聯(lián)劑(E)，可不損及使樹脂膜形成層固化而得到的樹脂膜的耐熱性，而提升其耐水性。這樣的偶聯(lián)劑，可列舉鈦酸酯類偶聯(lián)劑、鋁酸酯類偶聯(lián)劑、硅烷偶聯(lián)劑等。他們之中，以硅烷偶聯(lián)劑為優(yōu)選。硅烷偶聯(lián)劑，優(yōu)選使用其與有機官能團反應的官能團為可與聚合物成分(A)、固化性成分(B)或固化性聚合物成分(AB)等所具有的官能團反應的基團的硅烷偶聯(lián)劑。這樣的硅烷偶聯(lián)劑，可列舉γ-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、γ-巰基丙基三甲氧基硅烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基硅烷、雙(3-三乙氧基硅基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。這些可以1種單獨或混合2種以上使用。相對于聚合物成分(A)、固化性成分(B)及固化性聚合物成分(AB)的總量100質量份，硅烷偶聯(lián)劑通常為0.1～20質量份，以0.2～10質量份為優(yōu)選，以0.3～5質量份的比例包含更加優(yōu)選。硅烷偶聯(lián)劑的含量，不足0.1質量份，則有無法得到上述效果的可能性，超過20質量份，則有成為釋氣(outgassing)的原因的可能性。(F)通用添加劑在樹脂膜形成層中，除上述之外，也可根據(jù)需要混合各種添加劑。各種添加劑，可列舉流平劑、塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕獲劑、吸氣(gettering)劑、鏈轉移劑、剝離劑等。樹脂膜形成層，使用例如將上述各成分以適宜比例混合而得到的組合物(樹脂膜形成用組合物)而得到。樹脂膜形成用組合物，可預先以溶劑稀釋，此外，也可在混合時加入溶劑。此外，也可在使用樹脂膜形成用組合物時，以溶劑稀釋。作為該溶劑，可列舉醋酸乙酯、醋酸甲酯、二乙醚、二甲醚、丙酮、甲乙酮、乙腈、己烷、環(huán)己烷、甲苯、庚烷等。樹脂膜形成層，具有初始粘接性與固化性，在未固化狀態(tài)下，可在常溫或加熱下對工件按押而容易地粘接。此外，按押時也可將樹脂膜形成層加熱。然后，經由熱固化最終可賦予耐沖擊性高的樹脂膜，粘接強度也優(yōu)異，在嚴酷的高溫度高濕度條件下，也可保持充分的可靠性。再者，樹脂膜形成層，可以為單層結構，也可為多層結構。樹脂膜形成層的厚度，以1～100μm為優(yōu)選，以2～90μm更加優(yōu)選，以3～80μm特別優(yōu)選。通過使樹脂膜形成層的厚度在上述范圍，可使樹脂膜形成層起到可靠性很高的保護膜或粘接劑的作用。(支撐片)如上所述的樹脂膜形成層可剝離地層疊在支撐片上。作為支撐片，可使用與在上述剝離膜中列舉的膜相同的膜。再者，如圖3所示，也可使用粘著片作為支撐片。圖3為第2實施方式的樹脂膜形成用片材10的簡略截面圖。在樹脂膜形成用片材上對工件施以切割等的所需加工時，如圖3所示，可將在基材11a上形成粘著劑層11b的粘著片用作支撐片11。在此實施方式中，樹脂膜形成層12層疊于設在支撐片11上的粘著劑層11b上。粘著片的基材11a，可列舉例示作為剝離片材的上述膜。粘著劑層11b，可使用具有可剝離樹脂膜形成層的程度的粘著力的弱粘著性的粘著劑層，也可使用通過能量線照射使粘著力降低的能量線固化性的粘著劑層。粘著劑層11b，可通過傳統(tǒng)公知的各種粘著劑(例如，橡膠類、丙烯酸類、硅酮類、氨基甲酸酯類、乙烯基醚類等的通用粘著劑、在表面具有凹凸的粘著劑、能量線固化型粘著劑、含有熱膨脹成分的粘著劑等)形成。樹脂膜形成用片材的結構為該結構，則樹脂膜形成用片材起到在切割工序中用于支撐工件的切割片的作用時，可得到保持支撐片與樹脂膜形成層間的密合性，在切割工序中抑制附有樹脂膜形成層的芯片由支撐片剝落的效果。樹脂膜形成用片材起到在切割工序中用于支撐工件的切割片的作用時，在切割工序中無須對附有樹脂膜形成層的工件另外貼合切割片，可簡化半導體裝置的制造工序。樹脂膜形成用片材在去除剝離膜之后，將樹脂膜形成層貼附于各種工件，根據(jù)情況，之后對工件施以切割等的所需加工。然后，使樹脂膜形成層固定殘存于工件上，將支撐片剝離。即，用于包括將樹脂膜形成層由支撐片轉印于工件的工序的工藝。在本發(fā)明中，可適用的工件，其素材并無限定，可列舉例如，半導體晶圓、玻璃襯底、陶瓷襯底、FPC等的有機材料襯底、或精密零件等的金屬材料等的各種物品。如上所述的樹脂膜形成層，可起到將工件單片化而成的芯片固定于襯底或其他的芯片上的膜狀粘接劑的作用。這樣的膜狀粘接劑，近年多用于芯片的管芯鍵合工序。膜狀粘接劑，優(yōu)選是將含有環(huán)氧類熱固化性成分的樹脂膜形成用組合物進行制膜而成，可剝離地形成在支撐片上，可得本發(fā)明的樹脂膜形成用片材。此外，本發(fā)明的樹脂膜形成用片材，也可為同時兼具切割時的工件固定功能及管芯鍵合時的管芯粘接功能的切割·管芯鍵合兼用片材。此時，通過使膜狀粘接劑具有粘著性的性狀、或通過加熱軟化而可粘貼于工件上的性狀，可在切割工序中保持工件或將該工件單片化而成的芯片。然后，在管芯鍵合時，起到用于固定芯片的粘接劑的作用。以下，將如此地成為樹脂膜形成用片材的構成要素的膜狀粘接劑也稱為粘接劑層。在切割時，粘接劑層與工件一起被切斷，形成與切斷的芯片同形狀的粘接劑層。切割結束之后，進行芯片的拾取，則粘接劑層與芯片一起由支撐片剝離。將伴隨粘接劑層的芯片載置于襯底等的安裝部或其他的芯片等上，進行加熱等，將芯片與芯片安裝部經由粘接劑層粘接。如此的切割·管芯鍵合兼用片材為在支撐片上形成兼具工件固定功能與管芯粘接功能的粘接劑層。此外，本發(fā)明的樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層，也可起到工件或將工件單片化而成的芯片的保護膜的作用。此時，例如，將工件粘貼于樹脂膜形成層，使樹脂膜形成層固化成樹脂膜，之后，將工件與樹脂膜切割，得到具有起到保護膜的作用的樹脂膜的芯片。用于形成這樣的保護膜的片材為在支撐片上具有成為保護膜的粘接性樹脂膜形成層。作為保護膜的樹脂膜形成層，例如，包含粘合劑成分(上述第1粘合劑成分及/或第2粘合劑成分)，此外，也可根據(jù)需要包含無機填充劑(C)、著色劑(D)等。此外，如圖2及圖3所示，在上述樹脂膜形成用片材10中，在剝離膜13上，從樹脂膜形成層側的面沿著樹脂膜形成層12的外周形成切入部D1，切入部D1的切入深度d1以剝離膜的厚度的1/2以上為優(yōu)選。將樹脂膜形成用片材卷成卷筒狀時，為防止樹脂膜形成層產生卷痕，使剝離膜的厚度為50μm以上，則剝離膜的強度變強而有難以彎曲的傾向。此外，一般樹脂膜形成層的強度有較剝離膜弱的傾向。因此，將這樣的樹脂膜形成用片材粘貼于工件的工序中，將圖6所示的剝離板64抵接于樹脂膜形成用片材的剝離膜13，若未將剝離膜13向剝離板64側以銳角彎曲，則難以在樹脂膜形成層與剝離膜的界面作出剝離起點，而有無法送出樹脂膜形成層的情況。但是，50μm以上的剝離膜，則其因為其厚度，難以向剝離板64側以銳角彎曲，如圖7所示難以送出樹脂膜形成層。在本發(fā)明中，在剝離膜13形成切入部D1，通過使切入部D1的切入深度d1為剝離膜厚度的1/2以上，可消除上述問題。即，如圖6(b)所示，即使是50μm以上的剝離膜，也可以切入部D1作為起點將剝離膜以銳角彎曲，容易在樹脂膜形成層與剝離膜的界面作出剝離起點。此外，在剝離膜13形成規(guī)定深度的切入部D1時，可將樹脂膜形成層與支撐片一起確實地切斷成規(guī)定形狀。此外，通過在剝離膜13形成規(guī)定深度的切入部D1，即使剝離膜的厚度為50μm以上，也變得容易將樹脂膜形成用片材卷成卷筒狀，保存時的收納性優(yōu)異。再者，如圖6所示，在將樹脂膜形成用片材粘貼于工件的工序中，剝離膜上會受到長邊方向(流動方向)的應力。沒有在剝離膜形成切入部D1，則該應力在樹脂膜形成層傳播，有使樹脂膜形成層向流動方向延伸的情況。樹脂膜形成層的變形(延伸)，會降低其厚度精度。結果，有時成為降低使用該樹脂膜形成層所得的半導體裝置的可靠性的原因。通過在剝離膜形成規(guī)定深度的切入部，可緩和樹脂膜形成層所受的應力，可抑制樹脂膜形成層的變形。再者，本發(fā)明的樹脂膜形成用片材，也可成為如下第3或第4實施方式。以下，使用附圖說明關于樹脂膜形成用片材的各個實施方式。第3實施方式及第4實施方式為如圖4及圖5所示，支撐片11的直徑比樹脂膜形成層12的直徑大，在剝離膜13上，在切入部D1之外，從支撐片側的面沿著支撐片11的外周形成切入部D2，切入部D1的切入深度d1為切入部D2的切入深度d2以上。在第3實施方式及第4實施方式中，切入深度d1與d2可相同，切入深度d2比切入深度d1大也無妨，但出于由于支撐片的強度比樹脂膜形成層強，故而容易在支撐片與剝離膜的界面作出剝離起點的觀點；抑制將支撐片完全切斷、部分切斷剝離膜的沖模刀的磨耗的觀點；沖模后容易進行不要部分的去除工序(去削工序)的觀點；以及，由于因切入深度d2過大，則因沖模刀的壓力，將支撐片切入規(guī)定量時，在支撐片與樹脂膜形成層的層疊部分比切入支撐片的部分厚，使樹脂膜形成層受到壓力，而樹脂膜形成層有發(fā)生變形的可能性，從抑制該可能性的觀點，切入部D2的切入深度d2比切入部D1的切入深度d1小為優(yōu)選，進一步以剝離膜的厚度的3/5以下為優(yōu)選，以1/2以下更加優(yōu)選，以1/4以下特別優(yōu)選。再者，也可在支撐片11與樹脂膜形成層12的層疊體的外周部的剝離膜13與樹脂膜形成層12之間或剝離膜13與支撐片11之間，設夾具粘接層。夾具粘接層，可采用由粘著劑層單體所形成的粘著部件、由基材與粘著劑層構成的粘著部件，或具有芯材的雙面粘著部件。夾具粘接層，例如為環(huán)狀(環(huán)形狀)，具有空洞部(內部開口)，具有可固定于環(huán)形框等的夾具的大小。具體而言，環(huán)形框的內徑，比夾具粘接層的外徑小。再者，環(huán)形框的內徑比夾具粘接層的內徑稍大。再者，環(huán)形框通常為金屬或塑料的成形體。以粘著劑層單體所形成的粘著部件作為夾具粘接層時，作為形成粘著劑層的粘著劑，并無特別限制，例如，由丙烯酸粘著劑、橡膠類粘著劑或者有機硅粘著劑形成為優(yōu)選。他們之中，考慮由環(huán)形框的再剝離性，則以丙烯酸粘著劑為優(yōu)選。再者，上述粘著劑，可以單獨使用，也可混合二種以上使用。構成夾具粘接層的粘著劑層的厚度，以2～20μm為優(yōu)選，以3～15μm更加優(yōu)選，以4～10μm進一步優(yōu)選。粘著劑層的厚度不足2μm時，有無法顯現(xiàn)充分的粘接性的情況。粘著劑層的厚度超過20μm時，由環(huán)形框剝離時，有粘著劑的殘留物殘留于環(huán)形框，而污染環(huán)形框的情況。由基材與粘著劑層構成的粘著部件作為夾具粘接層時，將環(huán)形框貼合于構成粘著部件的粘著劑層。形成粘著劑層的粘著劑，與形成由上述粘著劑層單體所形成的粘著部件的粘著劑層的粘著劑相同。再者，粘著劑層的厚度也相同。構成夾具粘接層的基材，并無特別限制，例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、離聚物樹脂膜等的聚烯烴膜、聚氯乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜等。他們之中，考慮擴展性，則以聚乙烯膜及聚氯乙烯膜為優(yōu)選，以聚氯乙烯膜更加優(yōu)選。構成夾具粘接層的基材的厚度，以15～200μm為優(yōu)選，以30～150μm更加優(yōu)選，進一步以40～100μm為優(yōu)選。此外，以具有芯材的雙面粘著部件作為夾具粘接層時，雙面粘著部件為由芯材、形成于其一個面上的層疊用粘著劑層、及形成于另一個面上的固定用粘著劑層所組成。層疊用粘著劑層為在將樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層粘貼于晶圓的工序中，在第1實施方式及第2實施方式的樹脂膜形成用片材的情況下貼附于樹脂膜形成層，在第3實施方式及第4實施方式的樹脂膜形成用片材的情況下貼附于支撐片側的粘著劑層。此外，固定用粘著劑層為在上述粘貼工序粘貼于環(huán)形框之側的粘著劑層。兩面粘著部件的芯材，可列舉與上述粘著部件的基材相同的芯材。在他們之中，考慮擴展性，則以聚烯烴膜及可塑化的聚氯乙烯膜為優(yōu)選。芯材的厚度通常為15～200μm，以30～150μm為優(yōu)選，以40～100μm更加優(yōu)選。兩面粘著部件的層疊用粘著劑層及固定用粘著劑層，可為相同的粘著劑所形成的層，也可為不同的粘著劑所形成的層。適宜選擇使固定用粘著劑層與環(huán)形框的粘接力比樹脂膜形成層或支撐片與層疊用粘著劑層的粘接力小。這樣的粘著劑，可列舉例如丙烯酸粘著劑、橡膠類粘著劑、有機硅粘著劑。他們之中，考慮由環(huán)形框的再剝離性，以丙烯酸粘著劑為優(yōu)選。形成固定用粘著劑層的粘著劑，可以單獨使用，也可混合二種以上使用。關于層疊用粘著劑層也相同。層疊用粘著劑層及固定用粘著劑層的厚度，與上述粘著部件的粘著劑層的厚度相同。通過設置夾具粘接層，使支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體容易與環(huán)形框等的夾具粘接。樹脂膜形成用片材的形狀為支撐片及樹脂膜形成層所組成的層疊體層疊在長條的剝離膜上的帶狀的形狀，可將其卷收。特別是，將符合所期望的形狀裁剪的支撐片及樹脂膜形成層所組成的層疊體，可剝離地隔著規(guī)定間隔層疊于長條的剝離膜上的形態(tài)為優(yōu)選。再者，也可將樹脂膜形成用片材的形狀作成葉片的形狀。使符合所期望的形狀裁剪的支撐片及樹脂膜形成層所組成的層疊體為可剝離地隔著規(guī)定間隔層疊于長條的剝離膜上的形態(tài)的情況下，會在層疊支撐片及樹脂膜形成層的部分，與沒有層疊支撐片及樹脂膜形成層的部分，使樹脂膜形成用片材的厚度不均勻。將這樣的厚度不均勻的樹脂膜形成用片材卷成卷筒狀，則厚度不均勻而卷壓變得不均勻，而有引起卷筒的崩卷的情況。因此，在這樣的形態(tài)的樹脂膜形成用片材中，使厚度均勻為優(yōu)選。因此，在符合所期望的形狀裁剪的支撐片及樹脂膜形成層外側，如圖1所示，隔著些許間隔，沿著在長條的剝離膜13的短邊方向的兩邊緣部15，粘貼與支撐片及樹脂膜形成層所組成的層疊體相同程度的厚度的周邊帶14為優(yōu)選。在此，由支撐片及樹脂膜形成層所組成的層疊體與周邊帶14的間隔，以1～20mm左右為優(yōu)選，以2～10mm左右特別優(yōu)選。通過周邊帶14，消除厚度不均勻，容易避免上述的異常。(樹脂膜形成用片材的制造)接著，關于將符合所期望的形狀裁剪的支撐片及樹脂膜形成層所組成的層疊體可剝離地隔著規(guī)定間隔層疊于長條的剝離膜上的形態(tài)的樹脂膜形成用片材的制造方法，如圖4所示，以第3實施方式為例說明，但本發(fā)明的樹脂膜形成用片材，并不限于通過這樣的制造方法所得。首先，將剝離膜上的樹脂膜形成層半切成希望的形狀。具體為在2片長條剝離膜(以下，稱為第1長條剝離膜、第2長條剝離膜。第2長條剝離膜為圖4中的剝離膜13)之間準備具有樹脂膜形成層的層疊體?？蓪㈩A先制膜成膜狀的樹脂膜形成層，以2片長條剝離膜包夾，此外，也可將用于形成樹脂膜形成層的樹脂膜形成用組合物，在一片長條剝離膜上涂布、干燥，在涂膜上粘貼另一片長條剝離膜，形成層疊體。接著，將第1長條剝離膜與樹脂膜形成層以所期望的形狀完全切入到達第2長條剝離膜13，對第1長條剝離膜與樹脂膜形成層進行沖模(半切)。沖模通過模切等的通用裝置、方法進行。此時，切入深度為完全切入第1長條剝離膜與樹脂膜形成層，形成切入深度d1的切入部D1，故是以第1長尺剝離膜的厚度與樹脂膜形成層的厚度及切入深度d1的總的深度切入。因此，在第2長條剝離膜的表面，形成切入深度d1的切入部D1。對于第2長條剝離膜的切入深度d1，以第2長條剝離膜的厚度的1/2以上為優(yōu)選，以3/5以上更加優(yōu)選。具體為第2長條剝離膜的厚度為50μm時，切入深度d1以25μm以上為優(yōu)選，以30μm以上更加優(yōu)選。第2長條剝離膜的厚度為100μm時，切入深度d1以50μm以上為優(yōu)選，60μm以上更加優(yōu)選。切入深度d1的上限，優(yōu)選在第2剝離膜的厚度4/5以下，使切入刀不會完全穿過第2剝離膜的部分。接著，在第1剝離膜的長邊方向粘貼剝離用粘著帶，使沖模后的第1剝離膜結合。然后，通過去除剝離用粘著帶，使所期望形狀的樹脂膜形成層12殘存于第2長條剝離膜13上，將殘余的樹脂膜形成層與第1長條剝離膜一起去除。所期望的形狀的樹脂膜形成層以外的殘余部分為連續(xù)的。因此，以第2長條剝離膜與樹脂膜形成層的界面作為剝離起點，則殘余部的樹脂膜形成層與第1長條剝離膜一起去除，所期望形狀的樹脂膜形成層12殘存于第2長條剝離膜13上。結果，可得到在第2長條剝離膜13上排列所期望形狀的樹脂膜形成層12的層疊體。接著，粘貼支撐片11，使第2長條剝離膜13及樹脂膜形成層12接于具有第2長條剝離膜13的樹脂膜形成層12的面。然后，將支撐片近似圓形地沖模成環(huán)形框的內徑以上、外徑以下的大小。此時，使樹脂膜形成層12的中心點與沖模后的近似圓形的支撐片11的中心點一致地進行沖模。此外，切入深度由于是完全切入支撐片，形成切入深度d2的切入部D2，故以支撐片的厚度與切入深度d2的總深度切入。因此，在第2長條剝離膜的表面，形成切入深度d2的切入部D2。對第2長條剝離膜的切入深度d2，可與切入部D1的切入深度d1相同，也可比切入深度d1大，但對第2長條剝離膜的切入深度d2比切入部D1的切入深度d1小為優(yōu)選。對第2長條剝離膜的切入深度d2，比切入部D1的切入深度d1小，且以第2長條剝離膜的厚度的3/5以下為優(yōu)選，以第2長條剝離膜的厚度的1/2以下為更加優(yōu)選，以1/4以下為進一步優(yōu)選。具體為第2長條剝離膜的厚度為50μm時，切入深度d2以30μm以下為優(yōu)選，以25μm以下為更加優(yōu)選，以12μm以下為進一步優(yōu)選。第2長條剝離膜的厚度為100μm時，則切入深度d2以60μm以下為優(yōu)選，以50μm以下為更加優(yōu)選，以25μm以下為進一步優(yōu)選。接著，使近似圓形的支撐片11殘存于第2長條剝離膜13上，去除殘余的支撐片。結果，可得到在第2長條剝離膜13上具有所期望的形狀的樹脂膜形成層，進一步具有近似圓形的支撐片11的，第3實施方式的樹脂膜形成用片材。再者，在上述中，在進行支撐片的沖模時，優(yōu)選以下述方式進行沖模，將支撐片以近似圓形地切入的同時，在該近似圓形的支撐片11的外側距離支撐片空出些微的間隔，在第2長條剝離膜的短邊方向沿著兩邊緣部15使作為周邊帶14的支撐片殘存。之后，通過使近似圓形的支撐片11及周邊帶14殘存于第2長條剝離膜13上，去除殘余的支撐片，得到如下形態(tài)的樹脂膜形成用片材10，即，近似圓形的支撐片11及所期望形狀的樹脂膜形成層12所組成的層疊體與周邊帶14連續(xù)地粘貼于長條的剝離膜5上的形態(tài)。(半導體裝置的制造方法)其次，關于本發(fā)明的樹脂膜形成用片材的利用方法，以圖1所示的第1實施方式的樹脂膜形成用片材適用于半導體裝置的制造方法的情況為例進行說明。使用本發(fā)明的樹脂膜形成用片材的半導體裝置的第1制造方法，優(yōu)選包括如下工序：將該片材的樹脂膜形成層粘貼于工件，將該工件切割成芯片，使該該樹脂膜形成層固定殘存于該芯片的任意一面，由支撐片剝離，將該芯片經由該樹脂膜形成層載置于管芯墊部上或其他芯片上。以下，說明使用硅晶圓作為工件的例子。對于晶圓表面的電路形成，可通過包含蝕刻法、舉離(lift-off)法等傳統(tǒng)以來通用的方法的各種方法進行。接著，對晶圓的電路面的相反面(背面)進行研磨。研磨法并無特別限定，可通過使用研磨機等的公知設備進行研磨。背面研磨時，為保護表面的電路，在電路面粘貼被稱為表面保護片的粘著片。背面研磨為將晶圓的電路面?zhèn)?即表面保護片側)，通過卡盤(chucktable)等固定，將沒有形成電路的背面?zhèn)纫匝心C研磨。晶圓的研磨后的厚度，并無特別限定，通常為50～500μm左右。之后，根據(jù)需要，去除背面研磨時所產生的破碎層。去除破碎層，可通過化學蝕刻或等離子蝕刻等進行。接著電路形成及背面研磨，在晶圓的背面粘貼樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層。粘貼方法，并無特別限定，例如，在圖6所示的工序中，將樹脂膜形成層粘貼于半導體晶圓。圖6(a)～(d)為進行將支撐片11與樹脂膜形成層12的層疊體粘貼于半導體晶圓32上的操作的一系列工序圖。如圖6(a)所示，樹脂膜形成用片材10中，剝離膜13起到載體膜的作用，以二個輥62及66、及剝離板64支撐，同時，以其一端連接圓柱狀的卷芯44的狀態(tài)卷繞形成第1卷筒42，以另一端連接圓柱狀的卷芯54的狀卷繞形成第2卷筒52。然后，在第2卷筒52的卷芯54上，連接有使該卷芯54旋轉的卷芯驅動用電機(無圖標)，剝離支撐片11與樹脂膜形成層12的層疊體后的剝離膜13以規(guī)定的速度卷繞。首先，使卷芯驅動用電機旋轉，則第2卷筒52的卷芯54旋轉，將卷繞于第1卷筒42的卷芯44的樹脂膜形成用片材10拉出到第1卷筒42的外部。然后，拉出的樹脂膜形成用片材10被導向配置于移動式載臺上的圓板狀半導體晶圓32及包圍其而配置的環(huán)形框34上。接著，從剝離膜13剝離由支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體。此時，如圖6(b)所示，由樹脂膜形成用片材10的剝離膜13側抵接剝離板64，剝離膜13向剝離板64側以切入部D1為起點以銳角彎曲，在剝離膜13與支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體之間作出剝離起點。再者，為有效地作出剝離起點，也可對剝離膜13與支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體的邊界面吹氣。如此地在由剝離膜13與支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體之間作出剝離起點之后，如圖6(c)所示，進行支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體的粘貼，使樹脂膜形成層12與環(huán)形框34及半導體晶圓32密合。此時，通過輥68將支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體與半導體晶圓32壓接。然后，如圖6(d)所示，完成支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體向半導體晶圓32上的粘貼，得到附有層疊體的半導體晶圓?？赏ㄟ^以上程序，以自動化的工序連續(xù)進行支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體對半導體晶圓32的粘貼。進行這樣的支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體對半導體晶圓32的粘貼操作的裝置，可列舉例如，琳得科(株)制的RAD-2500(商品名)等。然后，通過這樣的工序，將支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體粘貼于半導體晶圓32時，通過使用在剝離膜13上形成切入部D1的樹脂膜形成用片材10，樹脂膜形成層12的外周到達剝離板的尖端部分時，即使在較厚的剝離膜中，也可以切入部D1作為起點將剝離膜13以銳角彎曲，容易在剝離膜13與支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體之間作出剝離起點。結果，可充分抑制支撐片11及樹脂膜形成層12所組成的層疊體發(fā)生由剝離膜13剝離的不良狀況。樹脂膜形成層在室溫沒有粘性時，也可適當加溫(雖無限定，但以40～80℃為優(yōu)選)。接著，在樹脂膜形成層中混合能量線固化性成分(B2)作為固化性成分(B)時，由支撐片側對樹脂膜形成層照射能量線，可預先將樹脂層形成層預備性地固化，提升樹脂膜形成層的凝聚力，降低樹脂膜形成層與支撐片之間的粘接力。之后，使用切割鋸(dicingsaw)等的切斷設備，切斷上述的半導體晶圓得到半導體芯片。此時，切斷深度為半導體晶圓的厚度與樹脂膜形成層的厚度的總量及加上切割鋸的磨損份的深度。再者，能量線照射，以半導體晶圓的粘貼之后、半導體芯片的剝離(拾取)前的任意階段進行均可，例如可在切割之后進行，或也可在下述擴展工序之后進行，優(yōu)選在粘貼半導體晶圓之后的切割前進行。再者，也可將能量線照射分成多次進行。接著，根據(jù)需要，進行樹脂膜形成用片材的擴展，則半導體芯片間隔擴張，可更加容易進行半導體芯片的拾取。此時，在樹脂膜形成層與支撐片之間發(fā)生偏移，樹脂膜形成層與支撐片之間的粘接力降低，半導體芯片的拾取性升高。如此地進行半導體芯片的拾取，則可使切斷的樹脂膜形成層固定殘存于半導體芯片背面由支撐片剝離。接著，經由樹脂膜形成層，將半導體芯片載置于引線框架的管芯墊上或其他的半導體芯片(下層芯片)表面(以下，將安裝芯片的管芯墊或下層芯片表面記載為“芯片安裝部”)。載置時的壓力，通常為1kPa～200MPa。此外，芯片安裝部，可于載置半導體芯片之前加熱或于載置之后加熱。加熱溫度，通常為80～200℃，以100～180℃為優(yōu)選，加熱時間通常為0.1秒～5分鐘，以0.5秒～3分鐘為優(yōu)選。將半導體芯片載置于芯片安裝部之后，可根據(jù)需要進一步進行加熱。此時的加熱條件為上述加熱溫度的范圍，加熱時間通常為1～180分鐘，以10～120分種為優(yōu)選。此外，也可于載置后不進行加熱處理而作成暫時粘接狀態(tài)，利用在封裝制造中通常進行的樹脂封裝的加熱使樹脂膜形成層固化。通過經由這樣的工序，使樹脂膜形成層固化，可得到半導體芯片與芯片安裝部強固地粘接的半導體裝置。由于樹脂膜形成層在管芯鍵合條件下是流動化的，故可充分埋入芯片安裝部的凹凸，可防止空隙的發(fā)生而提高半導體裝置的可靠性。此外，優(yōu)選本發(fā)明的半導體裝置的第二制造方法為，將樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層粘貼于在表面上形成有電路的半導體晶圓的背面，之后，得到在背面具有樹脂膜的半導體芯片。該樹脂膜為半導體芯片的保護膜。此外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法的特征在于，優(yōu)選進一步包含以下工序(1)～(3)，將工序(1)～(3)以任意順序進行。工序(1)：將樹脂膜形成層或樹脂膜與支撐片剝離；工序(2)：使樹脂膜形成層固化得到樹脂膜；工序(3)：將半導體晶圓與樹脂膜形成層或樹脂膜切割。首先，在半導體晶圓的背面，粘貼樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層。該工序，與在上述第1半導體裝置的制造方法中的粘貼工序相同。之后，以任意順序進行工序(1)～(3)。例如，將工序(1)～(3)以工序(1)、(2)、(3)的順序；工序(2)、(1)、(3)順序；工序(2)、(3)、(1)；工序(3)、(2)、(1)或工序(3)、(1)、(2)的順序的任意一個順序進行。關于該工藝的細節(jié)，如日本特開2002-280329號公報所述。作為一例，對以工序(1)、(2)、(3)的順序進行的情況進行說明。首先，在表面上形成有電路的半導體晶圓的背面，粘貼樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層。接著，從樹脂膜形成層剝離支撐片，得到半導體晶圓與樹脂膜形成層的層疊體。接著，將樹脂膜形成層固化，在晶圓的整個面上形成樹脂膜。在樹脂膜形成層中使用熱固化性成分(B1)作為固化性成分(B)時，通過熱固化使樹脂膜形成層固化?；旌夏芰烤€固化性成分(B2)作為固化性成分(B)時，可通過能量線照射進行樹脂膜形成層的固化，同時使用熱固化性成分(B1)與能量線固化性成分(B2)時，可同時進行加熱及能量線照射的固化，也可逐次進行。照射的能量線，可列舉紫外線(UV)或電子束(EB)等，使用紫外線為優(yōu)選。結果，在晶圓的背面形成由固化樹脂形成的樹脂膜，與晶圓單獨的情況相比可提升強度，故可減少變薄的晶圓在處理時的破損。再者，與在晶圓或芯片的背面，將樹脂膜用的涂布液直接涂布·覆膜化的涂層法相比，樹脂膜的厚度均勻性優(yōu)異。之后，按照形成于晶圓表面的各個電路切割半導體晶圓與樹脂膜的層疊體。切割為將晶圓與樹脂膜一起進行切斷。晶圓的切割，可通過使用切割片的常法進行。結果，可得到在背面具有樹脂膜的半導體芯片。接著，也可在樹脂膜上進行激光刻字。激光刻字可通過激光打標法進行，通過激光的照射削去保護膜的表面，在保護膜上標記商品號等。再者，激光刻字也可于樹脂膜形成層的固化前進行。最后，將切割的芯片以夾頭等通用設備拾取，得到在背面具有樹脂膜的半導體芯片。然后，通過將半導體芯片以面朝下模式安裝于規(guī)定的基臺上，能夠制造半導體裝置。此外，通過將在背面上具有樹脂膜的半導體芯片，粘接于管芯墊部或其他的半導體芯片等的其他的部件上(芯片安裝部上)，也能夠制造半導體裝置。根據(jù)這樣的本發(fā)明，可將厚度均勻性高的樹脂膜，簡便地形成于芯片背面，而在切割工序或封裝之后不容易產生裂紋。再者，在半導體晶圓的背面，粘貼樹脂膜形成用片材的樹脂膜形成層之后，在工序(1)之前進行工序(3)時，樹脂膜形成用片材可起到切割片的作用。即，可用作在切割工序的過程中用于支撐半導體晶圓的片材。此種情況，在樹脂膜形成用片材的內周部經由樹脂膜形成層粘貼半導體晶圓，通過使樹脂膜形成用片材的外周部與環(huán)形框等其他夾具接合，將粘貼于半導體晶圓的樹脂膜形成用片材固定于裝置，而進行切割。再者，以工序(3)、(1)、(2)的順序進行時，也可將在背面具有樹脂膜形成層的半導體芯片以面朝下模式在規(guī)定的基臺上安裝之后，利用在封裝制造中通常進行的樹脂封裝的加熱使樹脂膜形成層固化。附圖標記說明10：樹脂膜形成用片材11：支撐片12：樹脂膜形成層13：剝離膜D1：切入部D2：切入部當前第1頁1 2 3