多晶硅錠表面預(yù)處理裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種多晶硅錠表面預(yù)處理裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的環(huán)境粉塵污染嚴(yán)重，表面清理質(zhì)量和效率均低下的問題。包括在預(yù)處理池支架（4）上依次設(shè)置有腐蝕池（5）、超聲波浸泡池（7）和漂洗噴淋池（8），在腐蝕池（5）的長方體形腐蝕池體（9）的底面中央設(shè)置有排液管路（14），在排液管路（14）上設(shè)置有排液控制閥（15），在長方體形腐蝕池體（9）的左右兩側(cè)面底部均設(shè)置有池底凹槽（10），在池底凹槽（10）中設(shè)置有電加熱器（11），在長方體形腐蝕池體（9）的內(nèi)側(cè)壁上分別設(shè)置有酸液輸入管（12）、堿液輸入管（13）、純凈水輸入管（17）和壓縮空氣輸入管（18）。提高了硅錠的開方質(zhì)量和邊料的回用率。
【專利說明】多晶硅錠表面預(yù)處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硅錠表面清理裝置，特別涉及一種多晶硅鑄錠的受污染表面的自動預(yù)清理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在多晶娃鑄淀工藝過程中，多晶娃鑄淀表面會粘有氣化娃等雜質(zhì)，由于鑄淀生廣中的分凝與擴(kuò)散作用，部分雜質(zhì)甚至?xí)B透到多晶硅鑄錠表面的表層，影響到了后續(xù)硅錠的開方，同時還使開方后的邊角料的回用率降低。因此，在開方前要對硅料表面進(jìn)行清理，將其表面及表層所含雜質(zhì)去除?，F(xiàn)有技術(shù)是利用噴砂或人工打磨的方法進(jìn)行預(yù)處理，存在工作強度大，環(huán)境粉塵污染嚴(yán)重，清理質(zhì)量和效率均低下的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種多晶硅錠表面預(yù)處理裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的環(huán)境粉塵污染嚴(yán)重，表面清理質(zhì)量和效率均低下的技術(shù)問題。
[0004]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案解決以上技術(shù)問題的:
[0005]一種多晶硅錠表面預(yù)處理裝置，包括龍門吊導(dǎo)軌，在龍門吊導(dǎo)軌上設(shè)置有龍門吊，在龍門吊上設(shè)置有硅錠吊具，在龍門吊導(dǎo)軌的一側(cè)設(shè)置有預(yù)處理池支架，在預(yù)處理池支架上依次設(shè)置有腐蝕池、超聲波浸泡池和漂洗噴淋池，在腐蝕池的長方體形腐蝕池體的底面中央設(shè)置有排液管路，在排液管路上設(shè)置有排液控制閥，在長方體形腐蝕池體的左右兩內(nèi)側(cè)面底部均設(shè)置有池底凹槽，在池底凹槽中設(shè)置有電加熱器，在長方體形腐蝕池體內(nèi)分別連通有酸液輸入管、堿液輸入管、凈水輸入管和壓縮空氣輸入管，在長方體形腐蝕池體的底面上設(shè)置有硅錠支撐臺。
[0006]在腐蝕池的池口一側(cè)設(shè)置有抽風(fēng)筒。
[0007]一種多晶硅錠表面預(yù)處理方法，包括以下步驟:
[0008]第一步、先啟動設(shè)置在腐蝕池的池口一側(cè)的抽風(fēng)系統(tǒng)，使抽風(fēng)筒處于負(fù)壓狀態(tài)；用裝載在龍門吊上的硅錠吊具將準(zhǔn)備預(yù)處理的多晶硅錠吊入到長方體形腐蝕池體的底面上設(shè)置的硅錠支撐臺上；
[0009]第二步、關(guān)閉排液控制閥，打開堿液輸入管，將預(yù)先配置好的濃度為80-85克/每升，溫度為50攝氏度的堿液打入腐蝕池內(nèi)，打入的堿液要淹沒硅錠，然后，同時打開壓縮空氣輸入管和電加熱器，對打入到腐蝕池內(nèi)的堿液進(jìn)行加熱和鼓泡，控制堿液溫度在60-65攝氏度，鼓泡浸泡時間5小時后,打開排液控制閥將腐蝕池內(nèi)的堿液排盡；
[0010]第三步、打開凈水輸入管，對多晶硅錠進(jìn)行噴淋，噴淋I分鐘；
[0011]第四步、關(guān)閉排液控制閥，打開酸液輸入管，將預(yù)先配置好的濃度為25%，溫度為室溫的酸液打入腐蝕池內(nèi)，打入的酸液要淹沒硅錠，然后，同時打開壓縮空氣輸入管和電加熱器，對打入到腐蝕池內(nèi)的酸液進(jìn)行加熱和鼓泡，控制酸液溫度在40-50攝氏度，鼓泡浸泡時間2-4分鐘后，打開排液控制閥將腐蝕池內(nèi)的酸液排盡；[0012]第五步、打開凈水輸入管，對多晶硅錠進(jìn)行噴淋，噴淋I分鐘，用裝載在龍門吊上的硅錠吊具將準(zhǔn)備預(yù)處理的多晶硅錠吊入到超聲波浸泡池中；
[0013]第六步、將超聲波浸泡池中放滿干凈水，并啟動超聲波發(fā)生器，浸泡2分鐘后，關(guān)閉超聲波發(fā)生器，然后將超聲波浸泡池中的水排盡；
[0014]第七步、重復(fù)第六步的過程3-5次；
[0015]第八步、用裝載在龍門吊上的硅錠吊具將準(zhǔn)備預(yù)處理的多晶硅錠吊入到漂洗噴淋池中，用自來水對多晶硅錠進(jìn)行噴淋。
[0016]本發(fā)明實現(xiàn)了對污染硅錠表面的自動處理，克服了處理中粉塵污染環(huán)境的缺陷，提高了硅錠的開方質(zhì)量和邊料的回用率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明的腐蝕池5的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明的腐蝕池5的俯視方向上的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0021]一種多晶硅錠表面預(yù)處理裝置，包括龍門吊導(dǎo)軌1，在龍門吊導(dǎo)軌I上設(shè)置有龍門吊2，在龍門吊2上設(shè)置有硅錠吊具3，在龍門吊導(dǎo)軌I的一側(cè)設(shè)置有預(yù)處理池支架4，在預(yù)處理池支架4上依次設(shè)置有腐蝕池5、超聲波浸泡池7和漂洗噴淋池8，在腐蝕池5的長方體形腐蝕池體9的底面中央設(shè)置有排液管路14，在排液管路14上設(shè)置有排液控制閥15，在長方體形腐蝕池體9的左右兩內(nèi)側(cè)面底部均設(shè)置有池底凹槽10，在池底凹槽10中設(shè)置有電加熱器11，在長方體形腐蝕池體9內(nèi)分別連通有酸液輸入管12、堿液輸入管13、凈水輸入管17和壓縮空氣輸入管18，在長方體形腐蝕池體9的底面上設(shè)置有硅錠支撐臺16。
[0022]在腐蝕池5的池口一側(cè)設(shè)置有抽風(fēng)筒6。
[0023]一種多晶硅錠表面預(yù)處理方法，包括以下步驟:
[0024]第一步、先啟動設(shè)置在腐蝕池5的池口一側(cè)的抽風(fēng)系統(tǒng)，使抽風(fēng)筒6處于負(fù)壓狀態(tài)；用裝載在龍門吊2上的硅錠吊具3將準(zhǔn)備預(yù)處理的多晶硅錠吊入到長方體形腐蝕池體9的底面上設(shè)置的硅錠支撐臺16上；
[0025]第二步、關(guān)閉排液控制閥15，打開堿液輸入管13，將預(yù)先配置好的濃度為80-85克/每升，溫度為50攝氏度的堿液打入腐蝕池5內(nèi)，打入的堿液要淹沒硅錠，然后，同時打開壓縮空氣輸入管18和電加熱器11，對打入到腐蝕池5內(nèi)的堿液進(jìn)行加熱和鼓泡，控制堿液溫度在60-65攝氏度，鼓泡浸泡時間5小時后，打開排液控制閥15將腐蝕池5內(nèi)的堿液排盡；
[0026]第三步、打開凈水輸入管17，對多晶硅錠進(jìn)行噴淋，噴淋I分鐘；
[0027]第四步、關(guān)閉排液控制閥15，打開酸液輸入管12，將預(yù)先配置好的濃度為25%，溫度為室溫的酸液打入腐蝕池5內(nèi)，打入的酸液要淹沒硅錠，然后，同時打開壓縮空氣輸入管18和電加熱器11，對打入到腐蝕池5內(nèi)的酸液進(jìn)行加熱和鼓泡，控制酸液溫度在40-50攝氏度，鼓泡浸泡時間2-4分鐘后，打開排液控制閥15將腐蝕池5內(nèi)的酸液排盡；[0028]第五步、打開凈水輸入管17，對多晶硅錠進(jìn)行噴淋，噴淋I分鐘，用裝載在龍門吊2上的硅錠吊具3將準(zhǔn)備預(yù)處理的多晶硅錠吊入到超聲波浸泡池7中；
[0029]第六步、將超聲波浸泡池7中放滿干凈水，并啟動超聲波發(fā)生器，浸泡2分鐘后，關(guān)閉超聲波發(fā)生器，然后將超聲波浸泡池7中的水排盡；
[0030]第七步、重復(fù)第六步的過程3-5次；
[0031]第八步、用裝載在龍門吊2上的硅錠吊具3將準(zhǔn)備預(yù)處理的多晶硅錠吊入到漂洗噴淋池8中，用自來水對多晶硅錠進(jìn)行噴淋。
[0032]本發(fā)明的龍門吊2可以在龍門吊導(dǎo)軌I上左右往復(fù)運動，硅錠吊具3上下運動，以完成硅錠的轉(zhuǎn)運任務(wù)。本發(fā)明的腐蝕池5上單獨分開地設(shè)置有酸液、堿液、凈水噴淋管路，而且酸、堿管路閥門是處于互鎖狀態(tài)，禁止出現(xiàn)酸堿閥門同時開啟的狀態(tài)。腐蝕池5內(nèi)安裝有電加熱器11和鼓泡裝置，增強液體清洗的反應(yīng)力度和均勻度。超聲波浸泡池7中裝有超聲波發(fā)生器和鼓泡裝置，裝有進(jìn)水閥門和水位計，用浸泡方法稀釋殘存的酸堿液，浸泡使用自來水，每錠需更換若干次。漂洗噴淋池8使用自來水進(jìn)行噴淋，其排液閥處于常開狀態(tài)，另漂洗噴淋槽有切水裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅錠表面預(yù)處理裝置，包括龍門吊導(dǎo)軌(1)，在龍門吊導(dǎo)軌(I)上設(shè)置有龍門吊(2)，在龍門吊(2)上設(shè)置有硅錠吊具(3)，在龍門吊導(dǎo)軌(I)的一側(cè)設(shè)置有預(yù)處理池支架(4)，在預(yù)處理池支架(4)上依次設(shè)置有腐蝕池(5)、超聲波浸泡池(7)和漂洗噴淋池(8)，其特征在于，在腐蝕池(5)的長方體形腐蝕池體(9)的底面中央設(shè)置有排液管路(14)，在排液管路(14)上設(shè)置有排液控制閥(15)，在長方體形腐蝕池體(9)的左右兩內(nèi)側(cè)面底部均設(shè)置有池底凹槽(10)，在池底凹槽(10)中設(shè)置有電加熱器(11)，在長方體形腐蝕池體(9)內(nèi)分別連通有酸液輸入管(12)、堿液輸入管(13)、凈水輸入管(17)和壓縮空氣輸入管(18)，在長方體形腐蝕池體(9 )的底面上設(shè)置有硅錠支撐臺(16 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅錠表面預(yù)處理裝置，其特征在于，在腐蝕池(5)的池口 一側(cè)設(shè)置有抽風(fēng)筒(6 )。
【文檔編號】C30B33/10GK203782276SQ201420130759
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年3月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月23日
【發(fā)明者】張軍彥, 周社柱, 杜海文, 韓婷婷 申請人:山西中電科新能源技術(shù)有限公司