一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，主要由驅(qū)動(dòng)芯片M，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的驅(qū)動(dòng)電路，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的開(kāi)關(guān)功率放大電路，以及與該開(kāi)關(guān)功率放大電路相連接的自舉電路組成，其特征在于，還設(shè)有與驅(qū)動(dòng)芯片M、開(kāi)關(guān)功率放大電路和自舉電路相連接的光束激發(fā)式邏輯放大電路；所述光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P4，與非門(mén)IC1，與非門(mén)IC2，與非門(mén)IC3，負(fù)極與功率放大器P4的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D3后接地的極性電容C12等組成。本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，其制作和使用非常方便。同時(shí)，本發(fā)明的啟動(dòng)時(shí)間僅為傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)時(shí)間的1/4，其啟動(dòng)時(shí)間極短。
【專利說(shuō)明】一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED驅(qū)動(dòng)電路，具體是指一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于LED燈具有能耗低、使用壽命長(zhǎng)以及安全環(huán)保等特點(diǎn)，其已經(jīng)成為了人們生活照明的主流產(chǎn)品之一。由于LED燈不同于傳統(tǒng)的白熾燈，因此其需要由專用的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。然而，當(dāng)前人們廣泛使用的柵極驅(qū)動(dòng)電路由于其設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的不合理性，導(dǎo)致了目前柵極驅(qū)動(dòng)電路存在能耗較高、電流噪音較大以及啟動(dòng)時(shí)間較長(zhǎng)等缺陷。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服目前柵極驅(qū)動(dòng)電路存在的能耗較高、電流噪音較大以及啟動(dòng)時(shí)間較長(zhǎng)的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，能有效降低能耗和電流噪音，明顯縮短啟動(dòng)時(shí)間的一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),主要由驅(qū)動(dòng)芯片M，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的驅(qū)動(dòng)電路，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的開(kāi)關(guān)功率放大電路，以及與該開(kāi)關(guān)功率放大電路相連接的自舉電路組成，同時(shí)，本系統(tǒng)還設(shè)有與驅(qū)動(dòng)芯片M、開(kāi)關(guān)功率放大電路和自舉電路相連接的光束激發(fā)式邏輯放大電路；所述光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P4，與非門(mén)ICl，與非門(mén)IC2，與非門(mén)IC3，負(fù)極與功率放大器P4的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D3后接地的極性電容C12，一端與極性電容C12的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D4后接地的電阻R14，正極與電阻R14和二極管D4的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極接地的極性電容C14，一端與與非門(mén)ICl的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器P4的正極輸入端相連接的電阻R15，串接在功率放大器P4的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R16，一端與與非門(mén)ICl的輸出端相連接、另一端與與非門(mén)IC3的負(fù)極輸入端相連接的電阻R17，正極與與非門(mén)IC2的輸出端相連接、負(fù)極與與非門(mén)IC3的負(fù)極輸入端相連接的電容C13，以及一端與極性電容C14的正極相連接、另一端與與非門(mén)IC2的負(fù)極輸入端相連接的電阻R18組成；所述與非門(mén)ICl的正極輸入端與功率放大器P4的負(fù)極輸入端相連接，其輸出端與與非門(mén)IC2的正極輸入端相連接；與非門(mén)IC3的正極輸入端與功率放大器P4的輸出端相連接，其輸出端則與驅(qū)動(dòng)芯片M的TD管腳相連接；所述功率放大器P4的正極輸入端則與開(kāi)關(guān)功率放大電路相連接，極性電容C12的正極則與自舉電路相連接。
[0005]進(jìn)一步地,所述開(kāi)關(guān)功率放大電路由功率放大器Pl，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器Pl的輸出端與負(fù)極輸入端之間的電阻R6和電容C3，串接在功率放大器P2的輸出端與正極輸入端之間的電阻R7和電容C4，基極與功率放大器Pl的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R3后與功率放大器P3的正極輸入端相連接的三極管Q1，基極與三極管Ql的發(fā)射極相連接、集電極經(jīng)電阻R8后與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接的三極管Q2，基極經(jīng)電阻R9后與功率放大器P2的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R12后與三極管Q2的基極相連接的三極管Q3，正極與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接、而負(fù)極與三極管Q2的發(fā)射極相連接并接地的電容C5，與電阻R9相并聯(lián)的電容C6，一端與三極管Q3的基極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R10，一端與三極管Q3的發(fā)射極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻Rl I，與電阻Rl I相并聯(lián)的電容C7，N極與三極管Ql的集電極相連接、P極外接-4V電壓的二極管D1，以及正極與驅(qū)動(dòng)芯片M的INP管腳相連接、負(fù)極與三極管Q2的發(fā)射極相連接后再接地的極性電容C8組成，所述功率放大器P3的輸出端則與驅(qū)動(dòng)芯片M的VCC管腳相連接。
[0006]所述的自舉電路則由場(chǎng)效應(yīng)管M0S，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端與極性電容C12的正極相連接的電阻R5，負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極經(jīng)電阻Rl后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接的極性電容Cl，與極性電容Cl相并聯(lián)的電阻R2，正極與極性電容Cl的正極相連接、負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C2，以及一端與極性電容C2的正極相連接、另一端接地的電阻R4組成；所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極與功率放大器Pl的正極輸入端相連接，且該漏極還同時(shí)外接+12V電壓，場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極則分別與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端和功率放大器P2的正極輸入端相連接，而功率放大器P2的負(fù)極輸入端則與功率功率放大器P4的正極輸入端相連接。
[0007]所述驅(qū)動(dòng)電路由變壓器T，串接于驅(qū)動(dòng)芯片M的VCC管腳與BOOST管腳之間的二極管D2，串接于驅(qū)動(dòng)芯片M的BOOST管腳與TG管腳之間的電容C9，串接于驅(qū)動(dòng)芯片M的TG管腳與TS管腳之間的電阻R13，以及基極與驅(qū)動(dòng)芯片M的TG管腳相連接、集電極順次經(jīng)電容ClO和電容Cll后接地、而發(fā)射極也接地的晶體管Q4組成；所述變壓器T的原邊線圈的同名端與電容ClO和電容Cll的連接點(diǎn)相連接，其非同名端則與晶體管Q4的發(fā)射極相連接；同時(shí)，晶體管Q4的發(fā)射極還與驅(qū)動(dòng)芯片M的TS管腳相連接，所述變壓器T的副邊線圈上設(shè)有抽頭Yl和抽頭Y2。
[0008]為確保本發(fā)明的使用效果，所述驅(qū)動(dòng)芯片M優(yōu)先采用LTC4440A集成芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0009]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
(I)本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，其制作和使用非常方便。
[0010](2)本發(fā)明的啟動(dòng)時(shí)間僅為傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)時(shí)間的1/4，其啟動(dòng)時(shí)間極短。
[0011](3)本發(fā)明采用自舉電路和開(kāi)關(guān)功率放大電路來(lái)為驅(qū)動(dòng)芯片提供控制信號(hào)，因此具有很高的輸入阻抗，能確保整個(gè)電路的性能穩(wěn)定。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例
[0014]如圖1所示，本發(fā)明主要由驅(qū)動(dòng)芯片M，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的驅(qū)動(dòng)電路，與驅(qū)動(dòng)芯片M相連接的開(kāi)關(guān)功率放大電路，與開(kāi)關(guān)功率放大電路相連接的自舉電路，以及分別與驅(qū)動(dòng)芯片M、開(kāi)關(guān)功率放大電路和自舉電路相連接的光束激發(fā)式邏輯放大電路組成。為確保本發(fā)明的使用效果，該驅(qū)動(dòng)芯片M優(yōu)先采用凌力爾特公司生產(chǎn)的高頻率N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片，即LTC4440A集成芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。該驅(qū)動(dòng)芯片M的特點(diǎn)是能以高達(dá)80V的輸入電壓工作，且能在高達(dá)10V瞬態(tài)時(shí)可連續(xù)工作。
[0015]所述光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P4，與非門(mén)IC1，與非門(mén)IC2，與非門(mén)IC3，負(fù)極與功率放大器P4的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D3后接地的極性電容C12，一端與極性電容C12的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D4后接地的電阻R14，正極與電阻R14和二極管D4的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極接地的極性電容C14，一端與與非門(mén)ICl的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器P4的正極輸入端相連接的電阻R15，串接在功率放大器P4的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R16, —端與與非門(mén)ICl的輸出端相連接、另一端與與非門(mén)IC3的負(fù)極輸入端相連接的電阻R17，正極與與非門(mén)IC2的輸出端相連接、負(fù)極與與非門(mén)IC3的負(fù)極輸入端相連接的電容C13，以及一端與極性電容C14的正極相連接、另一端與與非門(mén)IC2的負(fù)極輸入端相連接的電阻R18組成。
[0016]所述與非門(mén)ICl的正極輸入端與功率放大器P4的負(fù)極輸入端相連接，其輸出端與與非門(mén)IC2的正極輸入端相連接；與非門(mén)IC3的正極輸入端與功率放大器P4的輸出端相連接，其輸出端則與驅(qū)動(dòng)芯片M的TD管腳相連接；所述功率放大器P4的正極輸入端則與開(kāi)關(guān)功率放大電路相連接，極性電容C12的正極則與自舉電路相連接。
[0017]所述的開(kāi)關(guān)功率放大電路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，功率放大器P3，三極管Ql，三極管Q2，三極管Q3，極性電容C8，串接在功率放大器Pl的輸出端與負(fù)極輸入端之間的一級(jí)RC濾波電路，串接在功率放大器P2的輸出端與正極輸入端之間的二級(jí)RC濾波電路，以及電阻R3、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電容C5、電容C6、電容C7及二極管Dl組成。
[0018]其中，所述的一級(jí)RC濾波電路由電阻R6和電容C3并聯(lián)而成，即電阻R6和電容C3均串接在功率放大器Pl的負(fù)極輸入端與輸出端之間；所述的二級(jí)RC濾波電路則由電阻R7和電容C4并聯(lián)而成，即電阻R7和電容C4均串接在功率放大器P2的正極輸入端與輸出端之間。同時(shí)，該功率放大器Pl的負(fù)極輸入端還與功率放大器P2的正極輸入端相連接。
[0019]三極管Ql的基極與功率放大器Pl的輸出端相連接，其集電極經(jīng)電阻R3后與功率放大器P3的正極輸入端相連接，其發(fā)射極則與三極管Q2的基極相連接；三極管Q2的集電極經(jīng)電阻R8后與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接，同時(shí)，該三極管Q2的集電極還外接+1V電壓。
[0020]三極管Q3的基極經(jīng)電阻R9后與功率放大器P2的輸出端相連接，其集電極則經(jīng)電阻R12后與三極管Q2的基極相連接。電容C6則與電阻R9相并聯(lián)，為確保效果，該電容C6優(yōu)先采用電解電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。連接時(shí)，電容C6的負(fù)極與三極管Q3的基極相連接，其正極則與功率放大器P2的輸出端相連接。電容C5的正極與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接，其負(fù)極則與三極管Q2的發(fā)射極相連接。同時(shí)，該電容C5的負(fù)極和三極管Q2的發(fā)射極均接地。
[0021]極性電容C8的正極與驅(qū)動(dòng)芯片M的INP管腳相連接，且負(fù)極分別與電容C5的負(fù)極和三極管Q2的發(fā)射極相連接。
[0022]電阻RlO的一端與三極管Q3的基極相連接，其另一端外接-4V的電壓；而電阻Rll的一端與三極管Q3的發(fā)射極相連接，其另一端則同樣外接-4V的電壓。電容C7則與電阻Rll相并聯(lián)。同樣，所述電容C5和電容C7也均采用電解電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0023]所述二極管Dl的N極與三極管Ql的集電極相連接，其P極在外接_4V的電壓。
[0024]為確保功率放大器Pl和功率放大器P2的正常運(yùn)行，該電容C3和電容C4均優(yōu)先采用貼片電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0025]所述自舉電路由場(chǎng)效應(yīng)管M0S、極性電容Cl、極性電容C2、電阻Rl、電阻R2、電阻R4和電阻R5組成。連接時(shí)，電阻R5的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接，其另一端與極性電容C12的正極相連接；極性電容Cl的負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接，其正極經(jīng)電阻Rl后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接，而電阻R2則與極性電容Cl相并聯(lián)。
[0026]所述極性電容C2的正極與極性電容Cl的正極相連接，其負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接。而電阻R4的一端與極性電容C2的正極相連接，其另一端接地。
[0027]所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極需要與功率放大器Pl的正極輸入端相連接，而其源極則需要分別與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端和功率放大器P2的正極輸入端相連接。同時(shí)，功率放大器P2的負(fù)極輸入端需要與功率放大器P4的正極輸入端相連接。
[0028]為確保場(chǎng)效應(yīng)管MOS和開(kāi)關(guān)功率放大電路的正常工作，因此該場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極需要外接+12V的電壓。
[0029]所述的驅(qū)動(dòng)電路則由變壓器T、二極管D2、電容C9、電阻R13、電容C10、電容Cll及晶體管Q4組成。連接時(shí)，二極管D2的P極與驅(qū)動(dòng)芯片M的VCC管腳相連接，其N(xiāo)極則與驅(qū)動(dòng)芯片M的BOOST管腳相連接。電容C9的正極與驅(qū)動(dòng)芯片M的BOOST管腳相連接，其負(fù)極則與驅(qū)動(dòng)芯片M的TG管腳相連接。
[0030]電阻R13為分壓電阻，其串接于驅(qū)動(dòng)芯片M的TG管腳與TS管腳之間。而晶體管Q4的基極則與驅(qū)動(dòng)芯片M的TG管腳相連接，其集電極順次經(jīng)電容ClO和電容Cll后接地，其發(fā)射極接地。同時(shí)，該晶體管Q4的集電極還需要外接+6V的直流電壓，以確保晶體管Q4擁有足夠的偏置電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)其自身導(dǎo)通。
[0031]為確保使用效果，所述電容C9、電容ClO和電容Cl I均采用貼片電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述變壓器T用于將外部的+6V直流電壓進(jìn)行變壓處理后輸出給外部的場(chǎng)效應(yīng)管。
[0032]該變壓器T的原邊線圈的同名端與電容ClO和電容Cll的連接點(diǎn)相連接，其非同名端則與晶體管Q4的發(fā)射極相連接后接地。同時(shí)，晶體管Q4的發(fā)射極還與驅(qū)動(dòng)芯片M的TS管腳相連接，所述變壓器T的副邊線圈上設(shè)有抽頭Yl和抽頭Y2。
[0033]變壓器T的副邊線圈的同名端、抽頭Y1、抽頭Y2和副邊線圈的非同名端一起作為本發(fā)明的輸出端。根據(jù)實(shí)際的情況，用戶可以只選用這四個(gè)輸出端的任意一個(gè)或幾個(gè)端口使用即可。
[0034]如上所述，便可以很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，主要由驅(qū)動(dòng)芯片M，與驅(qū)動(dòng)芯片Μ相連接的驅(qū)動(dòng)電路，與驅(qū)動(dòng)芯片Μ相連接的開(kāi)關(guān)功率放大電路，以及與該開(kāi)關(guān)功率放大電路相連接的自舉電路組成，其特征在于，還設(shè)有與驅(qū)動(dòng)芯片Μ、開(kāi)關(guān)功率放大電路和自舉電路相連接的光束激發(fā)式邏輯放大電路；所述光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器Ρ4，與非門(mén)IC1，與非門(mén)IC2，與非門(mén)IC3，負(fù)極與功率放大器Ρ4的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D3后接地的極性電容C12，一端與極性電容C12的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D4后接地的電阻R14，正極與電阻R14和二極管D4的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極接地的極性電容C14，一端與與非門(mén)IC1的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器Ρ4的正極輸入端相連接的電阻R15，串接在功率放大器Ρ4的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R16，一端與與非門(mén)IC1的輸出端相連接、另一端與與非門(mén)IC3的負(fù)極輸入端相連接的電阻R17，正極與與非門(mén)IC2的輸出端相連接、負(fù)極與與非門(mén)IC3的負(fù)極輸入端相連接的電容C13，以及一端與極性電容C14的正極相連接、另一端與與非門(mén)IC2的負(fù)極輸入端相連接的電阻R18組成；所述與非門(mén)IC1的正極輸入端與功率放大器Ρ4的負(fù)極輸入端相連接，其輸出端與與非門(mén)IC2的正極輸入端相連接；與非門(mén)IC3的正極輸入端與功率放大器Ρ4的輸出端相連接，其輸出端則與驅(qū)動(dòng)芯片Μ的TD管腳相連接；所述功率放大器Ρ4的正極輸入端則與開(kāi)關(guān)功率放大電路相連接，極性電容C12的正極則與自舉電路相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)功率放大電路由功率放大器Ρ1，功率放大器Ρ2，功率放大器Ρ3，串接在功率放大器Ρ1的輸出端與負(fù)極輸入端之間的電阻R6和電容C3，串接在功率放大器Ρ2的輸出端與正極輸入端之間的電阻R7和電容C4，基極與功率放大器Ρ1的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R3后與功率放大器Ρ3的正極輸入端相連接的三極管Q1，基極與三極管Q1的發(fā)射極相連接、集電極經(jīng)電阻R8后與功率放大器Ρ3的負(fù)極輸入端相連接的三極管Q2，基極經(jīng)電阻R9后與功率放大器Ρ2的輸出端相連接、集電極經(jīng)電阻R12后與三極管Q2的基極相連接的三極管Q3，正極與功率放大器Ρ3的負(fù)極輸入端相連接、而負(fù)極與三極管Q2的發(fā)射極相連接并接地的電容C5，與電阻R9相并聯(lián)的電容C6，一端與三極管Q3的基極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R10，一端與三極管Q3的發(fā)射極相連接、另一端外接-4V電壓的電阻R11，與電阻R11相并聯(lián)的電容C7，Ν極與三極管Q1的集電極相連接、Ρ極外接-4V電壓的二極管D1，以及正極與驅(qū)動(dòng)芯片Μ的ΙΝΡ管腳相連接、負(fù)極與三極管Q2的發(fā)射極相連接后再接地的極性電容C8組成，所述功率放大器Ρ3的輸出端則與驅(qū)動(dòng)芯片Μ的VCC管腳相連接； 所述的自舉電路則由場(chǎng)效應(yīng)管MOS，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端與極性電容C12的正極相連接的電阻R5，負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極經(jīng)電阻R1后與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接的極性電容C1，與極性電容C1相并聯(lián)的電阻R2，正極與極性電容C1的正極相連接、負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C2，以及一端與極性電容C2的正極相連接、另一端接地的電阻R4組成；所述場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極與功率放大器Ρ1的正極輸入端相連接，且該漏極還同時(shí)外接+12V電壓，場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極則分別與功率放大器Ρ1的負(fù)極輸入端和功率放大器Ρ2的正極輸入端相連接，而功率放大器Ρ2的負(fù)極輸入端則與功率功率放大器Ρ4的正極輸入端相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路由變壓器Τ，串接于驅(qū)動(dòng)芯片Μ的VCC管腳與BOOST管腳之間的二極管D2，串接于驅(qū)動(dòng)芯片Μ的BOOST管腳與TG管腳之間的電容C9，串接于驅(qū)動(dòng)芯片Μ的TG管腳與TS管腳之間的電阻R13，以及基極與驅(qū)動(dòng)芯片Μ的TG管腳相連接、集電極順次經(jīng)電容C10和電容C11后接地、而發(fā)射極也接地的晶體管Q4組成；所述變壓器T的原邊線圈的同名端與電容C10和電容C11的連接點(diǎn)相連接，其非同名端則與晶體管Q4的發(fā)射極相連接；同時(shí)，晶體管Q4的發(fā)射極還與驅(qū)動(dòng)芯片Μ的TS管腳相連接，所述變壓器Τ的副邊線圈上設(shè)有抽頭Υ1和抽頭Υ2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種節(jié)能型功率放大式柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)芯片Μ為L(zhǎng)TC4440A集成芯片。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK104411047SQ201410685929
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月25日
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