用于衰減來(lái)自機(jī)殼的電磁輻射的傳播的裝置制造方法
【專利摘要】用于衰減機(jī)殼電磁輻射的傳播的裝置。第一平面管腳毗鄰于并且平行于機(jī)殼的側(cè)部的外部。第二平面管腳平行于機(jī)殼的側(cè)部的內(nèi)部并且與機(jī)殼的側(cè)部的內(nèi)部間隔開而且抵靠機(jī)殼的側(cè)部壓縮第一可壓縮襯墊。此外，第二平面管腳形成位于第二平面管腳的第一側(cè)部和機(jī)殼的側(cè)部的內(nèi)部之間的隔間，所述隔間平行于機(jī)殼的側(cè)部的內(nèi)部并且與所述內(nèi)部間隔開。第一平面管腳和第二平面管腳的平面基部毗鄰于機(jī)殼的蓋。第一平面構(gòu)件的一個(gè)端部垂直聯(lián)接到第二平面管腳的第二側(cè)部并且將第二可壓縮襯墊支撐在形成在平面構(gòu)件和蓋之間的第二隔間中。
【專利說(shuō)明】用于衰減來(lái)自機(jī)殼的電磁輻射的傳播的裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開整體涉及一種電磁干擾，并且更加具體地涉及控制由電子機(jī)殼發(fā)射以及接收的電磁干擾的發(fā)射水平。

【背景技術(shù)】
[0002]電磁干擾(EMI)是中斷、阻礙、降低或者限制電子設(shè)備和電氣設(shè)備有效性能的干擾。因雜散發(fā)射和響應(yīng)導(dǎo)致無(wú)意發(fā)生電磁干擾。電磁兼容(EMC)意欲通過(guò)發(fā)射或者吸收EMI確保設(shè)備項(xiàng)目或者系統(tǒng)不會(huì)干擾或者妨礙其它設(shè)備項(xiàng)或者系統(tǒng)的正確操作。EMI的破壞性影響在多個(gè)【技術(shù)領(lǐng)域】均構(gòu)成不可接受的危害并且必須控制EMI而且將這種風(fēng)險(xiǎn)降低到可接受水平。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在此公開一種裝置的實(shí)施例，所述裝置用于當(dāng)安裝在機(jī)殼中時(shí)衰減電磁發(fā)射傳播，所述裝置包括雙管腳構(gòu)件。第一平面管腳構(gòu)造成大體毗鄰于且大體平行機(jī)殼的側(cè)部的外部。第二平面管腳構(gòu)造成大體平行于機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部并且與所述機(jī)殼的側(cè)部的內(nèi)部間隔開而且構(gòu)造成抵靠機(jī)殼的側(cè)部壓縮第一可壓縮襯墊。此外，大體平行于機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部并且與所述機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部間隔開地，第二平面管腳在第二平面管腳的第一側(cè)部和機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部之間形成第一隔間。此外，雙管腳構(gòu)件可以具有大體毗鄰于蓋的、第一平面管腳和第二平面管腳的平面基部。另外，裝置可以包括第一平面構(gòu)件，所述第一平面構(gòu)件具有大體垂直地聯(lián)接到第二平面管腳的第二側(cè)部的一個(gè)端部，并且構(gòu)造成在形成在第一平面構(gòu)件和蓋之間的第二隔間中支撐第二可壓縮襯墊。
[0004]還在此公開的是一種成套裝備的實(shí)施例，所述成套裝備用于當(dāng)安裝在機(jī)殼中時(shí)衰減電磁發(fā)射的傳播。在實(shí)施例中，這種成套裝備可以包括第一可壓縮襯墊、第二可壓縮襯墊和裝置。在這個(gè)實(shí)施例中，這種裝置可以包括雙管腳構(gòu)件。第一平面管腳構(gòu)造成基本毗鄰于并且大體平行于機(jī)殼側(cè)部的外部。第二平面管腳構(gòu)造成基本平行于機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部并且與機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部間隔開而且構(gòu)造成抵靠機(jī)殼側(cè)部壓縮第一可壓縮襯墊。此外，基本平行于機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部并且與機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部間隔開地，第二平面管腳形成位于第二平面管腳的第一側(cè)部和機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部之間的第一隔間。而且，雙管腳構(gòu)件可以具有大體毗鄰于蓋的第一平面管腳和第二平面管腳的平面基部。另外，裝置可以包括第一平面構(gòu)件，所述第一平面構(gòu)件具有大體垂直地聯(lián)接到第二平面管腳的第二側(cè)部的一個(gè)端部，并且構(gòu)造成在形成在第一平面構(gòu)件和蓋之間的第二隔間中支撐第二可壓縮襯墊。
[0005]而且在此公開的是一種系統(tǒng)的實(shí)施例，所述系統(tǒng)用于衰減電磁發(fā)射的傳播，所述系統(tǒng)包括機(jī)殼，所述機(jī)殼具有:側(cè)部；蓋，所述蓋在閉合時(shí)基本毗鄰側(cè)部的端部。在實(shí)施例中，這種系統(tǒng)可以包括第一可壓縮襯墊和第二可壓縮襯墊。另外，這種系統(tǒng)可以具有包括雙管腳構(gòu)件的裝置。第一平面管腳構(gòu)造成基本毗鄰于機(jī)殼側(cè)部的外部并且大體平行于機(jī)殼側(cè)部的外部。第二平面管腳構(gòu)造成基本平行于機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部并且與機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部間隔開而且構(gòu)造成抵靠機(jī)殼側(cè)部壓縮第一可壓縮襯墊。而且，基本平行于機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部并且與機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部間隔開地，第二平面管腳形成位于第二平面管腳的第一側(cè)部和機(jī)殼側(cè)部的內(nèi)部之間的第一隔間。而且，雙管腳構(gòu)件可以具有基本毗鄰于蓋的第一平面管腳和第二平面管腳的平面基部。另外，裝置可以包括第一平面構(gòu)件，所述第一平面構(gòu)件具有大體垂直地聯(lián)接到第二平面管腳的第二側(cè)部的一個(gè)端部，并且構(gòu)造成在形成在第一平面構(gòu)件和蓋之間的第二隔間中支撐第二可壓縮襯墊。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于衰減電磁發(fā)射的傳播和接收的系統(tǒng)；
[0007]圖2示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于衰減電磁發(fā)射的傳播和接收的裝置；
[0008]圖3示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于衰減電磁發(fā)射的傳播和接收的裝置。

【具體實(shí)施方式】
[0009]來(lái)自電氣設(shè)備外部或者內(nèi)部源的電磁能通過(guò)致使電氣設(shè)備具有不理想的響應(yīng)，諸如，降低的性能或者故障而對(duì)這種設(shè)備造成不利影響。當(dāng)發(fā)生這種情況時(shí)，電磁能稱作電磁干涉(EMI)，受到不利影響的設(shè)備被稱作易受EMI干擾。
[0010]EMI通過(guò)設(shè)備機(jī)殼中的任何種類的開口:通風(fēng)口、進(jìn)入口、電纜或者計(jì)量孔；圍繞門邊緣、艙口、抽屜和面板；以及通過(guò)機(jī)殼中的有缺陷的連結(jié)點(diǎn)而被輻射。還可以從離開源的引線和電纜輻射EMI或者因進(jìn)入到敏感裝置中的引線和電纜而在增加EMI。
[0011]電磁屏蔽件的目的是衰減源和易感設(shè)備之間的EMI。關(guān)于屏蔽件如何工作的一種解釋是EMI場(chǎng)在屏蔽件中引發(fā)循環(huán)電流，并且由這些循環(huán)電流建立的場(chǎng)與EMI場(chǎng)相對(duì)，使得減小“屏蔽”側(cè)上的凈場(chǎng)。另一種解釋是屏蔽件通過(guò)反射和吸收的組合衰減EMI場(chǎng)。而且，互反律適用。認(rèn)為屏蔽件包容來(lái)自源的EMI或者從易感設(shè)備排斥EMI。對(duì)于被屏蔽的源，將屏蔽件外側(cè)的EMI水平大幅降低到屏蔽件內(nèi)部的水平以下，并且所有易感設(shè)備將受益。當(dāng)電磁波撞擊屏蔽件時(shí)，屏蔽件的表面反射其能量的一部分，屏蔽件吸收其能量中的一部分，并且一部分能量傳遞通過(guò)屏蔽件。
[0012]為了最大化隔離，作為屏蔽件的機(jī)殼應(yīng)當(dāng)由單片均質(zhì)材料無(wú)接縫、連結(jié)點(diǎn)或者開口地制造而成。當(dāng)為了定期檢查、維護(hù)、修理或者其它目的必須設(shè)置開口時(shí)，所述開口能夠以緊密搭接的方式裝配有與機(jī)殼材料相同制成的蓋、門、窗戶或者面板。然而，這種連結(jié)部代表機(jī)殼表面的連續(xù)性的異常，并且有泄露傾向。襯墊可以以這種方式密封這種連結(jié)部，以便恢復(fù)機(jī)殼作為大體整體元件的屏蔽完整性。當(dāng)將彈性材料的襯墊安裝在多個(gè)表面之間時(shí)，施加閉合壓力，襯墊使其自身符合兩個(gè)配合表面中的不規(guī)則部，并且使得其自身適應(yīng)在連結(jié)部上的局部負(fù)荷壓縮的漸變，從而有助于密封機(jī)殼。然而，仍然存在能夠使得EMI發(fā)射傳播的間隙。
[0013]在另一個(gè)示例中，能夠保護(hù)位于整體式導(dǎo)電外殼內(nèi)部的電子裝置，這是因?yàn)閬?lái)自電磁波的流不能被傳導(dǎo)到導(dǎo)電外殼內(nèi)部。導(dǎo)電外殼不會(huì)全部吸收電磁場(chǎng)，而是存在沿著其表面流動(dòng)的流，這產(chǎn)生分離的電磁場(chǎng)，以便抵消原始電磁場(chǎng)的影響。因?yàn)殡姶帕魍ǔ２扇∽杩棺钚〉穆窂?，所以它們沿著防護(hù)殼的外部行進(jìn)。然而，無(wú)論開口多小，外殼中的任何間隙或者開口均將影響電磁流并且致使所述電磁流通過(guò)防護(hù)殼。
[0014]已經(jīng)示出了具有重疊以及密封程度不充分的上覆蓋的系統(tǒng)機(jī)殼，從而泄露以及吸收電磁發(fā)射。通常，對(duì)于某些現(xiàn)有產(chǎn)品，機(jī)殼的蓋或者側(cè)部均不能作出改變。而且，放置在頂部拐角內(nèi)部中的襯墊能夠與邊緣相干涉，但是眾所周知的是接觸片材金屬機(jī)殼的邊緣的襯墊因在襯墊和邊緣接觸部處存在高阻抗而使得屏蔽效率欠佳。
[0015]在此描述的實(shí)施例提供了當(dāng)安裝在機(jī)殼中時(shí)用于衰減電磁發(fā)射的傳播的裝置和系統(tǒng)。為了解決此問(wèn)題，將兩個(gè)襯墊放置到機(jī)殼中，所述兩個(gè)襯墊中的一個(gè)由機(jī)殼的蓋壓縮，而另一個(gè)由機(jī)殼的側(cè)壁壓縮。保持襯墊的導(dǎo)電裝置形成為這樣的形狀，使得由機(jī)殼的側(cè)壁和機(jī)殼的蓋捕獲。裝置足夠薄，以便裝配在搭接接頭之間。而且，裝置成形為，使得從機(jī)殼的蓋至頂部襯墊的壓縮力轉(zhuǎn)移至側(cè)襯墊，反之亦然。
[0016]現(xiàn)在參照?qǐng)D1，其描繪了根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于衰減電磁發(fā)射的傳播和接收的系統(tǒng)100。這個(gè)系統(tǒng)100可以包括裝置111、機(jī)殼113、側(cè)襯墊116和頂部襯墊118。這個(gè)裝置111可以包括第一平面管腳(planar prong) 102、平面基部104、第二平面管腳106、第一平面構(gòu)件108和第二平面構(gòu)件110。機(jī)殼113可以包括蓋112和側(cè)壁114。
[0017]第一平面管腳102可以設(shè)置在裝置111上并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。較之如絕緣體的其它材料，導(dǎo)電材料可以賦予承載帶電粒子，已知為電子的流具有更好的運(yùn)動(dòng)性。較之使用絕緣材料的情況，對(duì)于第一平面管腳102使用導(dǎo)電材料可以保持第一平面管腳102和機(jī)殼113之間更低的阻抗連接，因此從而給信號(hào)提供了更好的連接以沿著機(jī)殼113行進(jìn)。
[0018]第一平面管腳102可以以這種方式構(gòu)造成，使得其可以幫助固定裝置111。例如，當(dāng)裝置111處于合適位置中時(shí)，第一平面管腳102可以具有因蓋112施加在裝置111的其它構(gòu)件上力而作用在第二平面管腳102上的力。由蓋112施加的力可以轉(zhuǎn)移到第一平面管腳102。第一平面管腳102可以足夠薄，以便裝配在側(cè)壁114的外側(cè)部和蓋112的側(cè)部之間。當(dāng)將力施加在第一平面管腳102上時(shí)，第一平面管腳102可以將力轉(zhuǎn)移到蓋112的側(cè)部上，并且根據(jù)牛頓第三定律，就每個(gè)力而言均存在相等且相反的力，蓋112的側(cè)部可以將力反向作用到第一平面管腳102上。因?yàn)榈谝黄矫婀苣_102位于側(cè)壁114的外側(cè)部和蓋112的側(cè)部之間，所以第一平面管腳102可以將力施加到側(cè)壁114的外側(cè)部上，從而固定第一平面管腳102和裝置111的其余部分。
[0019]根據(jù)特定實(shí)施例，平面基部104可以聯(lián)接到裝置111的第一平面管腳102并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成?？梢砸赃@種方式構(gòu)成平面基部104，使得其還可以有助于穩(wěn)定裝置111。例如，當(dāng)裝置111處于適當(dāng)位置中，平面基部104可以具有因由蓋112施加在裝置11的其它構(gòu)件上的力而作用在其上的力。由蓋112施加的力可以轉(zhuǎn)移到平面基部104。平面基部104可以將力轉(zhuǎn)移回到蓋112上。根據(jù)牛頓第三定律，蓋112可以將力反作用在平面基部104上。然后，因?yàn)槠矫婊?04可以聯(lián)接到第一構(gòu)件102，所以平面基部104可以將力中的一些轉(zhuǎn)移到第一平面管腳102并且有助于穩(wěn)定平面基部104和裝置111的其余部分。
[0020]而且，平面基部104可以形成這樣的形狀，使得其由蓋112捕獲。如在此所述，機(jī)殼113不會(huì)完全吸收電磁場(chǎng)，而是一些電磁流沿著其表面行進(jìn)并且電磁流通常沿著阻抗較小的路徑。因此，當(dāng)機(jī)殼113不具備直接的低阻抗路徑時(shí)，可能會(huì)傳遞EMI。當(dāng)平面基部104形成為這樣的形狀，使得其由蓋112捕獲時(shí)，裝置111可以建立與蓋112的表面接觸，所述表面接觸較之點(diǎn)接觸呈現(xiàn)更低阻抗。這可以降低本被傳播的EMI發(fā)射。
[0021]平面基部104的寬度還可以足夠?qū)?，以便充分保持?cè)襯墊116并且有助于限定用于側(cè)襯墊116的隔間。如在此所述，在施加有力時(shí)，襯墊能夠有助于密封機(jī)殼113。這可以降低本會(huì)傳播的EMI的發(fā)射。而且，襯墊要求一定量的壓縮力，以便適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能。結(jié)果，側(cè)襯墊116的高度可以降低。要求將多個(gè)襯墊壓縮至其原始高度的40%，以便保持充分的接觸以及密封性能。
[0022]在特定實(shí)施例中，第二平面管腳106可以聯(lián)接到裝置111的平面基部104并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成?？梢砸赃@種方式構(gòu)造第二平面管腳106，使得其基本平行于側(cè)壁114并且與側(cè)壁114間隔開一距離，所述距離有助于限定隔間并且在將力施加到第二平面管腳106時(shí)能夠充分保持側(cè)襯墊116。例如，通過(guò)蓋112可以將力施加到裝置111的其它構(gòu)件。力可以轉(zhuǎn)移到第二平面管腳106并且第二平面管腳106可以將力施加到保持在隔間中的合適位置中的側(cè)襯墊116，所述隔間由第二平面管腳106、平面基部104和側(cè)壁114限定。側(cè)襯墊116可以將力施加到側(cè)壁114，并且根據(jù)牛頓第三定律，側(cè)壁114可以將力反作用在側(cè)襯墊116上，從而將側(cè)襯墊116保持就位。
[0023]根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，第一平面構(gòu)件108可以聯(lián)接到裝置111的第二平面管腳106的與隔間相對(duì)的一側(cè)，側(cè)襯墊116可以放置到所述隔間中。而且，第一平面構(gòu)件可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。可以以這種方式構(gòu)成第一平面構(gòu)件108，使得其基本垂直于第二平面管腳106、基本平行于蓋112并且與蓋112間隔開一距離，所述距離限定了隔間的高度，當(dāng)將力施加到第一平面構(gòu)件108時(shí)所述隔間能夠充分保持頂部襯墊118。例如，通過(guò)蓋112可以將力施加到頂部襯墊118上。力可以轉(zhuǎn)移到第一平面構(gòu)件108并且第一平面構(gòu)件108可以通過(guò)聯(lián)接到第二平面管腳106將力中的一些轉(zhuǎn)移到第二平面管腳106上。而且，根據(jù)牛頓第三定律，第一平面構(gòu)件108可以將力反作用在頂部襯墊118上，從而將頂部襯墊118在蓋112和第一平面構(gòu)件108之間保持就位。
[0024]在特定實(shí)施例中，第二平面構(gòu)件110可以聯(lián)接到裝置111的第二平面管腳106的端部和第一平面構(gòu)件108的端部并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。第二平面構(gòu)件110可以以這種方式構(gòu)造成，使得其向第二平面管腳106和第一平面構(gòu)件108提供額外支撐。例如，當(dāng)通過(guò)蓋112施加力并且在裝置111上轉(zhuǎn)移力時(shí)，施加在第二平面管腳106和第一平面構(gòu)件108的聯(lián)接點(diǎn)處的力巨大。通過(guò)將第二平面構(gòu)件110聯(lián)接到第二平面管腳106和第一平面構(gòu)件108兩者的端部，可以將力更加均勻地分布在這些構(gòu)件上并且可能消除對(duì)裝置111造成的損害。
[0025]圖2示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例用于衰減電磁發(fā)射的傳播和接收的裝置200。第一平面管腳202可以設(shè)置在裝置200上并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。較之如絕緣體的其它材料，導(dǎo)電材料可以賦予承載帶電粒子，已知為電子的流更好的運(yùn)動(dòng)性。從圖1中，較之使用絕緣材料的情況，對(duì)于第一平面管腳202而言使用導(dǎo)電材料可以保持第一平面管腳202和機(jī)殼113之間更低的阻抗連接，因此從而給信號(hào)提供了更好的連接以沿著機(jī)殼113行進(jìn)。
[0026]第一平面管腳202可以以這種方式構(gòu)造成，使得其可以幫助將裝置200穩(wěn)定在機(jī)殼113中。例如，當(dāng)裝置200處于機(jī)殼113中的合適位置中并且如圖1所示蓋112放置到機(jī)殼113上的合適位置時(shí)，第一平面管腳202可以具有由蓋112施加在裝置200的其它構(gòu)件上的力而施加在其上的力。由蓋112施加的力可以轉(zhuǎn)移到第一平面管腳102并且第一平面管腳102可以足夠薄，以便如圖1所示裝配在機(jī)殼113的側(cè)壁114的外側(cè)部和蓋112的側(cè)部之間。當(dāng)將力施加在第一平面管腳202上時(shí)，第一平面管腳202可以將力轉(zhuǎn)移到蓋112的側(cè)部上，并且根據(jù)牛頓第三定律，就每個(gè)力而言均存在相等且相反的力，蓋112的側(cè)部可以將力反作用在第一平面管腳202上。然后，因?yàn)榈谝黄矫婀苣_202位于機(jī)殼113的側(cè)壁114的外側(cè)部和蓋112的側(cè)部之間，所以第一平面管腳102可以將力施加到側(cè)壁114的外側(cè)部上，從而穩(wěn)定第一平面管腳和裝置200的其余部分。
[0027]根據(jù)特定實(shí)施例，平面基部204可以聯(lián)接到裝置200的第一平面管腳202并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成?？梢砸赃@種方式構(gòu)成平面基部204，使得其還可以有助于將裝置穩(wěn)定在機(jī)殼113中。例如，當(dāng)裝置處于機(jī)殼113中的適當(dāng)位置中并且將蓋112放置在機(jī)殼113上的位置中時(shí)，平面基部204可以具有由蓋112施加在裝置200的其它構(gòu)件上的力而施加于其上的力。由蓋112施加的力可以轉(zhuǎn)移到平面基部204。平面基部204可以將力轉(zhuǎn)移回到蓋112上。根據(jù)牛頓第三定律，蓋112可以將力反作用在平面基部104上。然后，因?yàn)槠矫婊?04可以聯(lián)接到第一平面管腳202，所以平面基部204可以將力中的一些轉(zhuǎn)移到第一平面管腳202并且有助于穩(wěn)定平面基部204和裝置200的其余部分。
[0028]而且，平面基部204可以形成這樣的形狀，使得其由機(jī)殼113的蓋112捕獲。如在此所述，機(jī)殼113不會(huì)完全吸收電磁場(chǎng)，而是一些流沿著其表面行進(jìn)。流通常沿著阻抗最小的路徑。因此，當(dāng)機(jī)殼113不具備直接的低阻抗路徑時(shí)，可能會(huì)傳遞EMI。當(dāng)平面基部204形成為這樣的形狀，使得其由機(jī)殼113的蓋112捕獲時(shí)，裝置200可以建立與機(jī)殼113的蓋112的表面接觸，所述表面接觸較之點(diǎn)接觸呈現(xiàn)更低阻抗。這可以降低本被傳播的EMI的發(fā)射。
[0029]平面基部204的寬度還可以足夠?qū)挘员闳鐖D1所示充分保持側(cè)襯墊116并且有助于限定用于側(cè)襯墊116的隔間。如在此所述，在施加力時(shí)，襯墊能夠有助于密封機(jī)殼113。與裝置200組合，機(jī)殼113可以受益于襯墊的密封性能和裝置200的低阻抗特質(zhì)。這還可以降低本應(yīng)當(dāng)傳播的EMI的發(fā)射。此外，襯墊要求一定量的壓縮力，以便適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能。結(jié)果，側(cè)襯墊的高度可以降低。要求將多個(gè)襯墊壓縮至其原始高度的40%，以便保持充分接觸機(jī)殼113和裝置200以及保持密封性能。
[0030]在特定實(shí)施例中，第二平面管腳206可以聯(lián)接到裝置200的平面基部204并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。可以以這種方式構(gòu)造第二平面管腳206，使得其基本平行于機(jī)殼113的側(cè)部并且與機(jī)殼113的側(cè)部間隔開一距離，以便有助于限定隔間，在將力施加到第二平面管腳206時(shí)所述隔間能夠充分保持側(cè)襯墊116。例如，通過(guò)蓋112可以將力施加到裝置200的其它構(gòu)件。力可以轉(zhuǎn)移到第二平面管腳206并且第二平面管腳206可以將力施加到被保持到隔間中的合適位置中的側(cè)襯墊116，由第二平面管腳206、平面基部204和機(jī)殼113的側(cè)部產(chǎn)生所述隔間。側(cè)襯墊116可以將力施加到機(jī)殼113的側(cè)部上，并且根據(jù)牛頓第三定律，機(jī)殼113的側(cè)部可以將力反作用在側(cè)襯墊116上，從而將側(cè)襯墊116保持在合適位置中。這允許裝置200向機(jī)殼113提供襯墊的密封性能并且建立與機(jī)殼113的表面接觸，從而降低了本被傳播的EMI的發(fā)射。
[0031]根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，第一平面構(gòu)件208可以聯(lián)接到裝置200的第二平面管腳206的與隔間相對(duì)的一側(cè)，側(cè)襯墊116可以放置到所述隔間中。此外，第一平面構(gòu)件208可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成?？梢砸赃@種方式構(gòu)成第一平面構(gòu)件208，使得其基本垂直于第二平面管腳206、基本平行于機(jī)殼113的蓋112并且與機(jī)殼113的蓋112間隔開一距離，所述距離限定了隔間的高度，并且如圖1所示當(dāng)將力施加到第一平面構(gòu)件208時(shí)能夠充分保持頂部襯墊118。例如，通過(guò)機(jī)殼113的蓋112可以將力施加到頂部襯墊118上。力可以轉(zhuǎn)移到第一平面構(gòu)件208并且第一平面構(gòu)件208可以通過(guò)聯(lián)接到第二平面管腳206將力中的一些轉(zhuǎn)移到第二平面管腳206上。此外，根據(jù)牛頓第三定律，第一平面構(gòu)件208可以將力反作用在頂部襯墊118上，從而將頂部襯墊118保持在機(jī)殼113的蓋112和第一平面構(gòu)件208之間的合適位置中。這可以允許裝置200向機(jī)殼113提供襯墊的密封性能并且建立與機(jī)殼113的表面接觸，從而降低了本被傳播的EMI的發(fā)射。
[0032]在特定實(shí)施例中，第二平面構(gòu)件210可以聯(lián)接到裝置200的第二平面管腳206的端部和第一平面構(gòu)件208的端部并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。第二平面構(gòu)件210可以以這種方式構(gòu)造成，使得其向第二平面管腳206和第一平面構(gòu)件208提供額外支撐。例如，當(dāng)從機(jī)殼113的蓋112施加力并且在裝置200上轉(zhuǎn)移力時(shí)，施加在第二平面管腳206和第一平面構(gòu)件208的聯(lián)接點(diǎn)處的力巨大。通過(guò)將第二平面構(gòu)件210聯(lián)接到第二平面管腳206和第一平面構(gòu)件208兩者的端部，可以將力更加均勻地分布在這些構(gòu)件上并且可能消除對(duì)裝置200造成的損害。
[0033]圖3示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例用于衰減電磁發(fā)射的傳播和接收的裝置300。雙平面管腳構(gòu)件301可以設(shè)置在裝置300上并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。較之如絕緣體的其它材料，導(dǎo)電材料可以賦予承載帶電粒子，已知為電子的流更好的運(yùn)動(dòng)性。從圖1中，較之使用絕緣材料的情況，對(duì)于雙平面管腳構(gòu)件301使用導(dǎo)電材料可以保持雙平面管腳構(gòu)件301和機(jī)殼113之間更低的阻抗連接，因此從而給信號(hào)提供了更好的連接以沿著機(jī)殼113行進(jìn)。此外，雙平面管腳構(gòu)件301可以由第一平面管腳302、平面(彎曲)基部304和第二平面管腳306構(gòu)成。
[0034]第一平面管腳構(gòu)件302可以以這種方式構(gòu)造成，使得其可以幫助將裝置300穩(wěn)定在機(jī)殼113中。例如，當(dāng)裝置300處于機(jī)殼113中的合適位置中并且如圖1所示蓋112放置到機(jī)殼113上的合適位置中時(shí)，第一平面管腳構(gòu)件302可以具有由蓋112施加在裝置300的其它構(gòu)件上的力而施加在其上的力。由蓋112施加的力可以轉(zhuǎn)移到第一平面管腳構(gòu)件302并且第一平面管腳構(gòu)件302可以足夠薄，以便如圖1所示裝配在機(jī)殼113側(cè)壁114的外側(cè)部和蓋112的側(cè)部之間。當(dāng)將力施加在第一平面管腳構(gòu)件302上時(shí)，第一平面管腳構(gòu)件302可以將力轉(zhuǎn)移到蓋112的側(cè)部上，并且根據(jù)牛頓第三定律，就每個(gè)力而言均存在相等且相反的力，蓋112的側(cè)部可以將力反作用在第一平面管腳構(gòu)件302上。然后，因?yàn)榈谝黄矫婀苣_構(gòu)件302位于機(jī)殼113的側(cè)壁114的外側(cè)部和蓋112的側(cè)部之間，所以第一平面管腳構(gòu)件302可以將力施加到側(cè)壁114的外側(cè)部上，從而穩(wěn)定第一平面管腳構(gòu)件302和裝置300的其余部分。
[0035]根據(jù)特定實(shí)施例，平面基部304可以聯(lián)接到裝置300的第一平面管腳構(gòu)件302并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。可以以這種方式構(gòu)成平面基部304，使得其還可以有助于將裝置穩(wěn)定在機(jī)殼113中。例如，當(dāng)裝置處于機(jī)殼113中的適當(dāng)位置中并且將蓋112放置在機(jī)殼113上的合適位置中時(shí)，平面基部304可以具有由蓋112施加在裝置300的其它構(gòu)件上的力而作用于其上的力。由蓋112施加的力可以轉(zhuǎn)移到平面基部304。平面基部204可以將力反向轉(zhuǎn)移回到蓋112上。根據(jù)牛頓第三定律，蓋112可以將力反作用在平面基部304上。然后，因?yàn)槠矫婊?04可以聯(lián)接到第一平面管腳構(gòu)件302，所以平面基部304可以將力中的一些分量轉(zhuǎn)移到第一平面管腳構(gòu)件302并且有助于穩(wěn)定平面基部304和裝置300的其余部分。
[0036]此外，平面基部304可以形成這樣的形狀，使得其由機(jī)殼113的蓋112捕獲。如在此所述，機(jī)殼113不會(huì)完全吸收電磁場(chǎng)，而且一些電磁流沿著其表面行進(jìn)。電磁流通常沿著阻抗最小的路徑。因此，當(dāng)機(jī)殼113不具備直接的低阻抗路徑時(shí)，可能會(huì)傳遞EMI。當(dāng)平面基部304形成為這樣的形狀，使得其由機(jī)殼113的蓋112捕獲時(shí)，裝置300可以建立與機(jī)殼113的蓋112的表面接觸，所述表面接觸較之點(diǎn)接觸呈現(xiàn)更低阻抗。這可以降低本應(yīng)當(dāng)被傳播的EMI的發(fā)射。
[0037]平面基部304的寬度還可以足夠?qū)?，以便產(chǎn)生隔間并且充分保持側(cè)襯墊116，如圖1所示。如在此所述，在施加力時(shí)側(cè)襯墊116能夠有助于密封機(jī)殼113。與裝置300組合，機(jī)殼113可以受益于側(cè)襯墊116的密封性能和裝置300的低阻抗特質(zhì)。這還可以降低本應(yīng)當(dāng)傳播的EMI的發(fā)射。此外，襯墊要求一定量的壓縮力，以便適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能。結(jié)果，襯墊的高度降低。需要將多個(gè)襯墊壓縮至其原始高度的40%，以便保持與機(jī)殼113和裝置300相接觸以及保持密封性能。
[0038]在特定實(shí)施例中，第二平面管腳構(gòu)件306可以聯(lián)接到裝置的平面基部304并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成?？梢砸赃@種方式構(gòu)造第二平面管腳構(gòu)件306，使得其基本平行于機(jī)殼113的側(cè)部并且與機(jī)殼113的側(cè)部間隔開一距離，以有助于限定隔間，并且在將力施加到第二平面管腳構(gòu)件306時(shí)能夠充分保持側(cè)襯墊116。例如，通過(guò)蓋112可以將力施加到裝置300的其它構(gòu)件。力可以轉(zhuǎn)移到第二平面管腳構(gòu)件306并且第二平面管腳構(gòu)件306可以將力施加到保持在隔間中的側(cè)襯墊116，由第二平面管腳構(gòu)件306、平面基部304和機(jī)殼113的側(cè)部產(chǎn)生所述隔間。側(cè)襯墊116可以將力施加到機(jī)殼113的側(cè)部，并且根據(jù)牛頓第三定律，機(jī)殼113的側(cè)部可以將力反作用在側(cè)襯墊116上，從而將襯墊116保持在合適位置中。這可以允許裝置300向機(jī)殼113提供襯墊的密封性能并且建立與機(jī)殼113的表面接觸，從而降低了本該傳播的EMI的發(fā)射。
[0039]根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，第一平面構(gòu)件308可以聯(lián)接到裝置300的第二平面管腳構(gòu)件306的與隔間相對(duì)的一側(cè)，襯墊可以放置到所述隔間中。此外，第一平面構(gòu)件308可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成?？梢砸赃@種方式構(gòu)成第一平面構(gòu)件308，使得其基本垂直于第二平面管腳構(gòu)件306、基本平行于機(jī)殼113的蓋112而且與機(jī)殼113的蓋112間隔開一距離，所述距離產(chǎn)生了隔間并且如圖1所示當(dāng)將力施加到第一平面構(gòu)件308時(shí)所述隔間能夠充分保持頂部襯墊118。例如，通過(guò)機(jī)殼113的蓋112可以將力施加到頂部襯墊118上。力可以將轉(zhuǎn)移到第一平面構(gòu)件308并且第一平面構(gòu)件308可以通過(guò)聯(lián)接到第二平面管腳構(gòu)件306將力中的一些分量轉(zhuǎn)移到第二平面管腳構(gòu)件306上。此外，根據(jù)牛頓第三定律，第一平面構(gòu)件308可以將力反作用在頂部襯墊118上，從而將頂部襯墊118保持在機(jī)殼113的蓋112和第一平面構(gòu)件308之間的合適位置中。這可以允許裝置300向機(jī)殼113提供襯墊的密封性能并且建立與機(jī)殼113的表面接觸，從而降低了本被傳播的EMI的發(fā)射。
[0040]在特定實(shí)施例中，第二平面管腳構(gòu)件310可以聯(lián)接到裝置300的第二平面管腳構(gòu)件306的端部和第一平面構(gòu)件308的端部并且可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。第二平面構(gòu)件310可以以這種方式構(gòu)造成，使得其向第二平面管腳構(gòu)件306和第一平面構(gòu)件308提供額外支撐。例如，當(dāng)從機(jī)殼113的蓋112施加力并且在裝置300上轉(zhuǎn)移力時(shí)，施加在第二平面管腳構(gòu)件306和第一平面構(gòu)件308的聯(lián)接點(diǎn)處的力巨大。通過(guò)將第二平面構(gòu)件310聯(lián)接到第二平面管腳構(gòu)件306和第一平面構(gòu)件308兩者的端部，可以將力更加均勻地分布在這些構(gòu)件上并且可能消除對(duì)裝置300造成的損害。
[0041 ] 盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的具體實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將可以在不背離本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍的前提下針對(duì)所述實(shí)施例實(shí)施多種修改方案。在此使用的術(shù)語(yǔ)和描述僅僅為闡釋目的并且并不旨在限制。本領(lǐng)域中的那些技術(shù)人員將意識(shí)到的是這些和其它變形方案在本實(shí)施例的由以下權(quán)利要求和其等效物限定的精神和范圍內(nèi)是可行的。
【權(quán)利要求】
1.一種當(dāng)處于機(jī)殼的安裝位置中時(shí)衰減電磁發(fā)射的傳播的裝置，所述機(jī)殼包括蓋和側(cè)部，所述裝置包括: 雙管腳構(gòu)件，其具有: 第一平面管腳，所述第一平面管腳基本毗鄰于并且基本平行于所述機(jī)殼的所述側(cè)部的外部； 第二平面管腳，所述第二平面管腳基本平行于所述機(jī)殼的所述側(cè)部的內(nèi)部并且與所述內(nèi)部間隔開，所述第二平面管腳構(gòu)造成抵靠所述機(jī)殼的所述側(cè)部壓縮第一可壓縮襯墊，并且在所述第二平面管腳的第一側(cè)部和所述機(jī)殼的所述側(cè)部的所述內(nèi)部之間形成第一隔間；和 基本毗鄰于所述蓋的、所述第一平面管腳和所述第二平面管腳的平面基部； 第一平面構(gòu)件，所述第一平面構(gòu)件具有一個(gè)端部，所述一個(gè)端部基本垂直聯(lián)接到所述第二平面管腳的第二側(cè)部并且構(gòu)造成將第二可壓縮襯墊支撐在形成在所述第一平面構(gòu)件和所述蓋之間的第二隔間中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括: 第二平面構(gòu)件，所述第二平面構(gòu)件具有:聯(lián)接到所述第二平面管腳的與所述平面基部相對(duì)的端部的第一端部；和聯(lián)接到所述第一平面構(gòu)件的與所述第一平面構(gòu)件的所述一個(gè)端部相對(duì)的第二端部的第二端部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一可壓縮襯墊被壓縮成所述第一可壓縮襯墊的原始高度的至少40%，并且所述第二可壓縮襯墊被壓縮成所述第二可壓縮襯墊的原始高度的至少40%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述裝置是導(dǎo)電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一可壓縮襯墊聯(lián)接到所述第二平面管腳，而所述第二可壓縮襯墊聯(lián)接到所述第一平面構(gòu)件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一可壓縮襯墊和所述第二可壓縮襯墊由EMI屏蔽材料制成。
7.一種當(dāng)處于機(jī)殼的安裝位置中時(shí)衰減電磁發(fā)射的傳播的成套裝備，所述機(jī)殼包括蓋和側(cè)部，所述成套裝備包括: 第一可壓縮襯墊； 第二可壓縮襯墊； 裝置，所述裝置具有: 雙管腳構(gòu)件，其具有: 第一平面管腳，所述第一平面管腳基本毗鄰于并且基本平行于所述機(jī)殼的所述側(cè)部的外部； 第二平面管腳，所述第二平面管腳基本平行于所述機(jī)殼的所述側(cè)部的內(nèi)部并且與所述內(nèi)部間隔開，所述第二平面管腳構(gòu)造成抵靠所述機(jī)殼的所述側(cè)部壓縮第一可壓縮襯墊，并且在所述第二平面管腳的第一側(cè)部和所述機(jī)殼的所述側(cè)部的所述內(nèi)部之間形成第一隔間；和 基本毗鄰于所述蓋的、所述第一平面管腳和所述第二平面管腳的平面基部； 第一平面構(gòu)件，所述第一平面構(gòu)件具有一個(gè)端部，所述一個(gè)端部基本垂直聯(lián)接到所述第二平面管腳的第二側(cè)部并且構(gòu)造成將第二可壓縮襯墊支撐在形成在所述第一平面構(gòu)件和所述蓋之間的第二隔間中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成套裝備，所述裝置還包括: 第二平面構(gòu)件，所述第二平面構(gòu)件具有:聯(lián)接到所述第二平面管腳的與所述平面基部相對(duì)的端部的第一端部和聯(lián)接到所述第一平面構(gòu)件的與所述第一平面構(gòu)件的所述一個(gè)端部相對(duì)的第二端部的第二端部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成套裝備，其中，所述第一可壓縮襯墊被壓縮成所述第一可壓縮襯墊的原始高度的至少40 %，并且所述第二可壓縮襯墊被壓縮成所述第二可壓縮襯墊的原始高度的至少40%。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成套裝備，其中，所述裝置是導(dǎo)電材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成套裝備，其中，所述第一可壓縮襯墊聯(lián)接到所述第二平面管腳，而所述第二可壓縮襯墊聯(lián)接到所述第一平面構(gòu)件。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成套裝備，其中，所述第一可壓縮襯墊和所述第二可壓縮襯墊由EMI屏蔽材料制成。
13.一種用于衰減電磁發(fā)射的傳播的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 機(jī)殼，所述機(jī)殼具有: 蓋，和 側(cè)部; 第一可壓縮襯墊； 第二可壓縮襯墊； 裝置，所述裝置具有: 雙管腳構(gòu)件，其具有: 第一平面管腳，所述第一平面管腳基本毗鄰于并且基本平行于所述機(jī)殼的所述側(cè)部的外部； 第二平面管腳，所述第二平面管腳基本平行于所述機(jī)殼的所述側(cè)部的內(nèi)部并且與所述內(nèi)部間隔開，所述第二平面管腳構(gòu)造成抵靠所述機(jī)殼的所述側(cè)部壓縮第一可壓縮襯墊，并且在所述第二平面管腳的第一側(cè)部和所述機(jī)殼的所述側(cè)部的所述內(nèi)部之間形成第一隔間；和 基本毗鄰于所述蓋的、所述第一平面管腳和所述第二平面管腳的平面基部； 第一平面構(gòu)件，所述第一平面構(gòu)件具有一個(gè)端部，所述一個(gè)端部基本垂直聯(lián)接到所述第二平面管腳的第二側(cè)部并且構(gòu)造成將第二可壓縮襯墊支撐在形成在所述第一平面構(gòu)件和所述蓋之間的第二隔間中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，所述裝置還包括: 第二平面構(gòu)件，所述第二平面構(gòu)件具有:聯(lián)接到所述第二平面管腳的與所述平面基部相對(duì)的端部的第一端部和聯(lián)接到所述第一平面構(gòu)件的與所述第一平面構(gòu)件的所述一個(gè)端部相對(duì)的第二端部的第二端部。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述第一可壓縮襯墊被壓縮成所述第一可壓縮襯墊的原始高度的至少40%，并且所述第二可壓縮襯墊被壓縮成所述第二可壓縮襯墊的原始高度的至少40%。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述裝置是導(dǎo)電材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述第一可壓縮襯墊聯(lián)接到所述第二平面管腳，而所述第二可壓縮襯墊聯(lián)接到所述第一平面構(gòu)件。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述機(jī)殼是導(dǎo)電材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述第一可壓縮襯墊和所述第二可壓縮襯墊由EMI屏蔽材料制成。
【文檔編號(hào)】H05K9/00GK104519727SQ201410512951
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月3日
【發(fā)明者】A·J·弗拉納, E·C·吉拉德, D·A·吉利蘭 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司