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基于多種樣品的合拼板及其生產(chǎn)工藝的制作方法

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基于多種樣品的合拼板及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于多種樣品的合拼板及其生產(chǎn)工藝,它包括至少兩個(gè)拼接在同一合拼板上的不同種類(lèi)樣板的拼接單元(1),拼接單元(1)保留有間隔;所述的拼接單元(1)由至少兩個(gè)拼接子單元(11)構(gòu)成,拼接子單元(11)由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元(11)之間設(shè)有間隔;所述的拼接單元(1)拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)(2)為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域;所述的非導(dǎo)電區(qū)(2)的表面覆有油墨。本發(fā)明將板材相同、結(jié)構(gòu)相同的同一類(lèi)板拼成一個(gè)大板來(lái)生產(chǎn),以滿(mǎn)足PCB板生產(chǎn)設(shè)備和工具的要求,從而降低了PCB樣板的生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)速率、縮短了生產(chǎn)進(jìn)度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】基于多種樣品的合拼板及其生產(chǎn)工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及PCB板制作領(lǐng)域,特別是涉及一種基于多種樣品的合拼板及其生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]印制電路板簡(jiǎn)稱(chēng)PCB板,采用在絕緣材料上按預(yù)先電路原理圖設(shè)計(jì)制成印制線路、印制元件或者兩者的組合而成的導(dǎo)電圖形稱(chēng)為印制電路,而在絕緣基材上提供元器件之間的電連接的導(dǎo)電圖形,稱(chēng)為印制線路,將上述印制電路或印制線路制作成成品板稱(chēng)為印制線路板,或稱(chēng)為印制板或印制電路板。其主要由線路與圖面、介電層以及能夠使兩層以上的線路彼此導(dǎo)通的孔構(gòu)成,除此之外,對(duì)于一些印制電路板還會(huì)會(huì)印一層隔絕銅面吃錫的物質(zhì),避免非吃錫的線路間短路的防焊油墨以及一些用于識(shí)別各零件的名稱(chēng)、位置框,以便于后序組裝及維修識(shí)別用的絲印。
[0003]在PCB板批量投入制作加工前,需對(duì)每種的PCB板進(jìn)行試樣過(guò)程,當(dāng)試樣的產(chǎn)品成功后才進(jìn)行小批量的生產(chǎn)、測(cè)試以及試用,待小批量的樣品在試用過(guò)程中全部符合商家所規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)后才進(jìn)行批量生產(chǎn)。隨著電子技術(shù)的發(fā)展,電子產(chǎn)品的不斷升級(jí)換代,新產(chǎn)品的不斷開(kāi)發(fā)、試制,對(duì)PCB樣板的需求量越來(lái)越多。為了適應(yīng)電子產(chǎn)品試制的需求,PCB板制造商對(duì)PCB樣板采用拼板方式進(jìn)行樣板生產(chǎn),從而提高PCB樣板的生產(chǎn)速率。目前,PCB制作廠家采用的拼板方法為:將每一款樣板作為單獨(dú)的一個(gè)料號(hào)在正常的生產(chǎn)線上生產(chǎn),如圖1所示,生產(chǎn)完成后才將樣本進(jìn)行分板。采用上述拼板方法需將樣板拼成大板,以便滿(mǎn)足PCB板生產(chǎn)設(shè)備和工具的要求,將每一款樣板拼成大板以滿(mǎn)足PCB板生產(chǎn)設(shè)備和工具的要求,這樣將會(huì)增加PCB樣板的加工成本以及降低生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種將板材相同、結(jié)構(gòu)相同的同一類(lèi)板拼成一個(gè)大板來(lái)生產(chǎn),以滿(mǎn)足PCB板生產(chǎn)設(shè)備和工具的要求,從而降低PCB樣板的生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)速率、縮短生產(chǎn)進(jìn)度的基于多樣品的合拼板及其生產(chǎn)工藝。
[0005]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:基于多種樣品的合拼板,它包括至少兩個(gè)拼接在同一合拼板上的不同種類(lèi)樣板的拼接單元,拼接單元保留有間隔。
[0006]優(yōu)選的,所述的拼接單元由至少兩個(gè)拼接子單元構(gòu)成,拼接子單元由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元之間設(shè)有間隔。
[0007]優(yōu)選的,所述的合拼板上設(shè)有線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū),所述的拼接單元拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域。
[0008]優(yōu)選的,所述的非導(dǎo)電區(qū)的表面覆有油墨。
[0009]基于多種樣品的合拼板的生產(chǎn)工藝,它包括:
圖形設(shè)計(jì):將由不同種類(lèi)樣板構(gòu)成的拼接單元設(shè)計(jì)在同一合拼板上,并制成線路紙
片; 圖形轉(zhuǎn)移:線路紙片貼覆在基板上,依次進(jìn)行曝光和顯影;
第一蝕刻:加90%?100%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為8.0?9.0,氯離子的濃度為150g/L?190g/L,銅離子的濃度為130g/L?170g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,,使基板上露出銅面;
退膜:采用濃度為3%?5%、溫度為45°?55°的氫氧化鈉溶液對(duì)基板進(jìn)行退膜處理,避免因氫氧化鈉濃度不夠或者濃度過(guò)高而造成基板不能完全退膜或者退膜強(qiáng)度過(guò)大的情況;
鉆孔;
電鍍:鍍銅使孔壁上的非導(dǎo)體部分進(jìn)行金屬化,以及加厚線路及孔內(nèi)的銅厚,并在鍍銅后的基板上鍛一層錫;
第二蝕刻:加90%?100%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為8.0?9.0,氯離子的濃度為150g/L?190g/L,銅離子的濃度為130g/L?170g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上非線路底銅蝕刻掉,形成最終線路圖形。
[0010]優(yōu)選的,在圖形設(shè)計(jì)時(shí),各個(gè)拼接單元之間設(shè)有間隔,每個(gè)拼接單元至少由兩個(gè)拼接子單元構(gòu)成,拼接子單元由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元之間設(shè)有間隔。
[0011]優(yōu)選的,所述的合拼板上設(shè)有線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū),所述的拼接單元拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域,在完成所述第二蝕刻步驟后,對(duì)非導(dǎo)電進(jìn)行油墨處理,使非導(dǎo)電區(qū)的表面覆著油墨。
[0012]優(yōu)選的,它還包括一個(gè)在完成退膜之后鉆孔之前,對(duì)基板進(jìn)行貼鋁片的步驟。
[0013]本發(fā)明的有益效果是:
O將板材相同、結(jié)構(gòu)一樣的同一類(lèi)板拼成一個(gè)大板來(lái)生產(chǎn),以滿(mǎn)足PCB板生產(chǎn)設(shè)備和工具的要求,從而降低了 PCB樣板的生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)速率、縮短了生產(chǎn)進(jìn)度;
2)在拼接單元之間設(shè)置覆有油墨的非導(dǎo)電區(qū),因此,不需要對(duì)其進(jìn)行電鍍,從而減低了鍍金面積,進(jìn)一步降低了加工成本。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為現(xiàn)有的PCB拼板結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明的拼接單元結(jié)構(gòu)示意圖;
圖中,1-拼接單元,11-拼接子單元,2-非導(dǎo)電區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案,但本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0016]如圖2和3所示,基于多種樣品的合拼板,它包括至少兩個(gè)拼接在同一合拼板上的不同種類(lèi)樣板的拼接單元1,相鄰的兩個(gè)拼接單元I之間保留有間隔。
[0017]優(yōu)選的,所述的拼接單元I由至少兩個(gè)拼接子單元11構(gòu)成,拼接子單元11由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元11之間設(shè)有間隔。
[0018]優(yōu)選的,所述的合拼板上設(shè)有線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū)2,所述的拼接單元11拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)2為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域。
[0019]優(yōu)選的,所述的非導(dǎo)電區(qū)2的表面覆有油墨。
[0020]本發(fā)明基于多種樣品的合拼板的生產(chǎn)工藝的實(shí)施例一,它包括:
圖形設(shè)計(jì):將由不同種類(lèi)樣板構(gòu)成的拼接單元I設(shè)計(jì)在同一合拼板上,并制成線路紙片,其中所述的不同種類(lèi)的樣板是指用于拼接的樣板的電路原理不同,例如用于拼接的樣板分別為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)電路和聲控電路;
圖形轉(zhuǎn)移:線路紙片貼覆在基板上,依次進(jìn)行曝光和顯影;
第一蝕刻:加90%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為8.0,氯離子的濃度為190g/L,銅離子的濃度為170g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上露出銅面;
退膜:采用濃度為3%、溫度為45°的氫氧化鈉溶液對(duì)基板進(jìn)行退膜處理,避免因氫氧化鈉濃度不夠或者濃度過(guò)高而造成基板不能完全退膜或者退膜強(qiáng)度過(guò)大的情況;
鉆孔;
電鍍:鍍銅使孔壁上的非導(dǎo)體部分進(jìn)行金屬化,以及加厚線路及孔內(nèi)的銅厚,并在鍍銅后的基板上鍛一層錫;
第二蝕刻:加90%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為8.0,氯離子的濃度為190g/L,銅離子的濃度為170g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上非線路底銅蝕刻掉,形成最終線路圖形。
[0021]優(yōu)選的,在圖形設(shè)計(jì)時(shí),各個(gè)拼接單元I之間設(shè)有間隔,每個(gè)拼接單元I至少由兩個(gè)拼接子單元11構(gòu)成,拼接子單元11由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元11之間設(shè)有間隔,所述的同種類(lèi)的樣板是指的樣板的層數(shù)相同,即都為單面板、雙面板或多層板。
[0022]優(yōu)選的,所述的合拼板上設(shè)有線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū)2,所述的拼接單元I拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)2為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域,在完成所述第二蝕刻步驟后,對(duì)非導(dǎo)電2進(jìn)行油墨處理,使非導(dǎo)電區(qū)2的表面覆著油墨。
[0023]優(yōu)選的,它還包括一個(gè)在完成退膜之后鉆孔之前,對(duì)基板進(jìn)行貼鋁片的步驟;鋁片的尺寸和需要鉆孔的基板的尺寸一樣,避免因鋁片太小而造成斷針;用膠紙貼鋁片時(shí)要盡量靠邊,避免造成斷針;用于粘貼鋁片的膠紙需貼在鋁片的四周,從而抱枕鋁片的平整牢固。
[0024]本發(fā)明基于多種樣品的合拼板的生產(chǎn)工藝的實(shí)施例二,它包括:
圖形設(shè)計(jì),將由不同種類(lèi)樣板構(gòu)成的拼接單元I設(shè)計(jì)在同一合拼板上,并制成線路紙片,其中所述的不同種類(lèi)的樣板是指用于拼接的樣板的電路原理不同,例如用于拼接的樣板分別為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)電路和聲控電路;
圖形轉(zhuǎn)移:線路紙片貼覆在基板上,依次進(jìn)行曝光和顯影;
第一蝕刻:加100%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為9.0,氯離子的濃度為150g/L,銅離子的濃度為130g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上露出銅面;
退膜:采用濃度為5%、溫度為55°的氫氧化鈉溶液對(duì)基板進(jìn)行退膜處理,避免因氫氧化鈉濃度不夠或者濃度過(guò)高而造成基板不能完全退膜或者退膜強(qiáng)度過(guò)大的情況;
鉆孔;
電鍍:鍍銅使孔壁上的非導(dǎo)體部分進(jìn)行金屬化,以及加厚線路及孔內(nèi)的銅厚,并在鍍銅后的基板上鍛一層錫; 第二蝕刻:加100%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為9.0,氯離子的濃度為150g/L,銅離子的濃度為130g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上非線路底銅蝕刻掉,形成最終線路圖形。
[0025]優(yōu)選的,在圖形設(shè)計(jì)時(shí),各個(gè)拼接單元I之間設(shè)有間隔,每個(gè)拼接單元I至少由兩個(gè)拼接子單元11構(gòu)成,拼接子單元11由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元11之間設(shè)有間隔,所述的同種類(lèi)的樣板是指的樣板的層數(shù)相同,即都為單面板、雙面板或多層板。
[0026]優(yōu)選的,所述的合拼板上設(shè)有線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū)2,所述的拼接單元I拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)2為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域,在完成所述第二蝕刻步驟后,對(duì)非導(dǎo)電2進(jìn)行油墨處理,使非導(dǎo)電區(qū)2的表面覆著油墨。
[0027]優(yōu)選的,它還包括一個(gè)在完成退膜之后鉆孔之前,對(duì)基板進(jìn)行貼鋁片的步驟;鋁片的尺寸和需要鉆孔的基板的尺寸一樣,避免因鋁片太小而造成斷針;用膠紙貼鋁片時(shí)要盡量靠邊,避免造成斷針;用于粘貼鋁片的膠紙需貼在鋁片的四周,從而抱枕鋁片的平整牢固。
[0028]本發(fā)明基于多種樣品的合拼板的生產(chǎn)工藝的實(shí)施例三,它包括:
圖形設(shè)計(jì):將由不同種類(lèi)樣板構(gòu)成的拼接單元I設(shè)計(jì)在同一合拼板上,并制成線路紙片,其中所述的不同種類(lèi)的樣板是指用于拼接的樣板的電路原理不同,例如用于拼接的樣板分別為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)電路和聲控電路;
圖形轉(zhuǎn)移:線路紙片貼覆在基板上,依次進(jìn)行曝光和顯影;
第一蝕刻:加95%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為8.5,氯離子的濃度為170g/L,銅離子的濃度為150g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上露出銅面;
退膜:采用濃度為4%、溫度為50°的氫氧化鈉溶液對(duì)基板進(jìn)行退膜處理,避免因氫氧化鈉濃度不夠或者濃度過(guò)高而造成基板不能完全退膜或者退膜強(qiáng)度過(guò)大的情況;
鉆孔;
電鍍:鍍銅使孔壁上的非導(dǎo)體部分進(jìn)行金屬化,以及加厚線路及孔內(nèi)的銅厚,并在鍍銅后的基板上鍛一層錫;
第二蝕刻:加95%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為8.5,氯離子的濃度為170g/L,銅離子的濃度為150g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上非線路底銅蝕刻掉,形成最終線路圖形。
[0029]優(yōu)選的,在圖形設(shè)計(jì)時(shí),各個(gè)拼接單元I之間設(shè)有間隔,每個(gè)拼接單元I至少由兩個(gè)拼接子單元11構(gòu)成,拼接子單元11由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元11之間設(shè)有間隔,所述的同種類(lèi)的樣板是指的樣板的層數(shù)相同,即都為單面板、雙面板或多層板。
[0030]優(yōu)選的,所述的合拼板上設(shè)有線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū)2,所述的拼接單元I拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)2為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域,在完成所述第二蝕刻步驟后,對(duì)非導(dǎo)電2進(jìn)行油墨處理,使非導(dǎo)電區(qū)2的表面覆著油墨。
[0031]優(yōu)選的,它還包括一個(gè)在完成退膜之后鉆孔之前,對(duì)基板進(jìn)行貼鋁片的步驟;鋁片的尺寸和需要鉆孔的基板的尺寸一樣,避免因鋁片太小而造成斷針;用膠紙貼鋁片時(shí)要盡量靠邊,避免造成斷針;用于粘貼鋁片的膠紙需貼在鋁片的四周,從而抱枕鋁片的平整牢固。
【權(quán)利要求】
1.基于多種樣品的合拼板,其特征在于:它包括至少兩個(gè)拼接在同一合拼板上的不同種類(lèi)樣板的拼接單元(I ),拼接單元(I)保留有間隔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于多種樣品的合拼板,其特征在于:所述的拼接單元(I)由至少兩個(gè)拼接子單元(11)構(gòu)成,拼接子單元(11)由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元(11)之間設(shè)有間隔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于多種樣品的合拼板,其特征在于:所述的合拼板上設(shè)有線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū)(2),所述的拼接單元(I)拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)(2)為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于多種樣品的合拼板,其特征在于:所述的非導(dǎo)電區(qū)(2)的表面覆有油墨。
5.基于多種樣品的合拼板的生產(chǎn)工藝,其特征在于:它包括: 圖形設(shè)計(jì):將由不同種類(lèi)樣板構(gòu)成的拼接單元(I)設(shè)計(jì)在同一合拼板上,并制成線路紙片; 圖形轉(zhuǎn)移:線路紙片貼覆在基板上,依次進(jìn)行曝光和顯影; 第一蝕刻:加90%?100%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為8.0?9.0,氯離子的濃度為150g/L?190g/L,銅離子的濃度為130g/L?170g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上露出銅面; 退膜:采用濃度為3%?5%、溫度為45°?55°的氫氧化鈉溶液對(duì)基板進(jìn)行退膜處理; 鉆孔; 電鍍:鍍銅使孔壁上的非導(dǎo)體部分進(jìn)行金屬化,以及加厚線路及孔內(nèi)的銅厚,并在鍍銅后的基板上鍛一層錫; 第二蝕刻:加90%?100%的硫酸對(duì)蝕刻液進(jìn)行調(diào)節(jié),使得蝕刻液的PH值為8.0?9.0,氯離子的濃度為150g/L?190g/L,銅離子的濃度為130g/L?170g/L,對(duì)基板進(jìn)行蝕刻,使基板上非線路底銅蝕刻掉,形成最終線路圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于多種樣品的合拼板的生產(chǎn)工藝,其特征在于:在圖形設(shè)計(jì)時(shí),各個(gè)拼接單元(I)之間設(shè)有間隔,每個(gè)拼接單元(I)至少由兩個(gè)拼接子單元(11)構(gòu)成,拼接子單元(11)由至少一個(gè)同種類(lèi)的樣板構(gòu)成,拼接子單元(11)之間設(shè)有間隔。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于多種樣品的合拼板的生產(chǎn)工藝,其特征在于:所述的合拼板上設(shè)有線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū)(2),所述的拼接單元(I)拼接在線路區(qū),所述的非導(dǎo)電區(qū)(2)為不包含任何導(dǎo)電線路的區(qū)域,在完成所述第二蝕刻步驟后,對(duì)非導(dǎo)電(2)進(jìn)行油墨處理,使非導(dǎo)電區(qū)(2)的表面覆著油墨。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于多種樣品的合拼板的生產(chǎn)工藝,其特征在于:它還包括一個(gè)在完成退膜之后鉆孔之前,對(duì)基板進(jìn)行貼鋁片的步驟。
【文檔編號(hào)】H05K1/14GK103747614SQ201410050330
【公開(kāi)日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2014年2月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月13日
【發(fā)明者】周小兵 申請(qǐng)人:遂寧市廣天電子有限公司
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