元器件內(nèi)置基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的元器件內(nèi)置基板包括：具有搭載面(4)和包圍搭載面(4)周圍的周面的樹(shù)脂基板；搭載在搭載面(4)上的第一搭載元器件(10)；搭載在搭載面(4)上且與第一搭載元器件(10)間隔設(shè)置的第二搭載元器件(11)；以及配置在樹(shù)脂基板內(nèi)的第一內(nèi)置芯片型電子元器件，第一內(nèi)置芯片型電子元器件設(shè)置在靠近樹(shù)脂基板的周面的位置上，搭載面(4)具有第一區(qū)域(R1)和第二區(qū)域(R2、R3)，該第一區(qū)域(R1)位于第一搭載元器件(10)與第二搭載元器件(11)之間，且在與第一搭載元器件(10)和第二搭載元器件(11)的排列方向相交叉的交叉方向上延伸，該第二區(qū)域(R2、R3)位于第一區(qū)域(R1)的外側(cè)，當(dāng)從搭載面(4)的上方俯視元器件內(nèi)置基板時(shí)，第一內(nèi)置芯片型電子元器件橫跨第一區(qū)域(R1)和第二區(qū)域(R2、R3)而設(shè)置。
【專利說(shuō)明】元器件內(nèi)置基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及元器件內(nèi)置基板，尤其涉及內(nèi)部搭載有電子元器件的元器件內(nèi)置基 板。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，移動(dòng)通信終端、筆記本電腦等各種電子設(shè)備正在往高功能化和小型化發(fā) 展，隨之而來(lái)的是在電子設(shè)備中搭載半導(dǎo)體模塊等。
[0003] 例如日本專利特開(kāi)2005-197389號(hào)公報(bào)中記載的半導(dǎo)體模塊包括：具有絕緣層和 導(dǎo)體層的基板、設(shè)置在基板周邊部的增強(qiáng)部、以及設(shè)置在基板的元器件搭載區(qū)域中的電子 元器件。
[0004] 在該半導(dǎo)體模塊中，設(shè)置于周邊部的增強(qiáng)部對(duì)基板的周邊部進(jìn)行增強(qiáng)，從而抑制 基板的端面產(chǎn)生裂紋。
[0005] 另外，日本專利特開(kāi)2005-197354號(hào)公報(bào)中記載的半導(dǎo)體模塊包括：多層基板、形 成在多層基板的元器件搭載面上的空腔；以及設(shè)置在該空腔中的電子元器件。上述空腔一 直延伸到多層基板的側(cè)面，空腔的端部在多層基板的側(cè)面上呈開(kāi)放狀態(tài)。 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利特開(kāi)2005 - 197389號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 :日本專利特開(kāi)2005 - 197354號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】
發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0007] 但是，日本專利特開(kāi)2005-197389號(hào)公報(bào)中記載的半導(dǎo)體模塊需要設(shè)置增強(qiáng)部， 存在電子元器件的搭載面積會(huì)減小的問(wèn)題。
[0008] 而日本專利特開(kāi)2005-197354號(hào)公報(bào)中記載的半導(dǎo)體模塊中形成了空腔，反而容 易產(chǎn)生裂紋。
[0009] 本申請(qǐng)發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且能夠抑制 裂紋產(chǎn)生的元器件內(nèi)置基板。 解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案
[0010] 本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板包括：具有搭載面和包圍搭載面周圍的周面的樹(shù) 脂基板；搭載在搭載面上的第一搭載元器件；搭載在搭載面上且與第一搭載元器件間隔設(shè) 置的第二搭載元器件；以及配置在樹(shù)脂基板內(nèi)的一個(gè)以上的第一內(nèi)置芯片型電子元器件。 所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件設(shè)置在靠近樹(shù)脂基板的周面的位置上。所述搭載面包括 第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域是被夾在第一搭載元器件和第二搭載元器件之間的區(qū) 域，且在與第一搭載兀器件和第二搭載兀器件的排列方向相交叉的交叉方向上延伸，所述 第二區(qū)域位于第一區(qū)域的外側(cè)。從所述搭載面的上方俯視時(shí)，第一內(nèi)置芯片型電子元器件 橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域而設(shè)置。
[0011] 優(yōu)選的是，還具備一個(gè)以上的第二內(nèi)置芯片型電子元器件，該第二內(nèi)置芯片型電 子元器件設(shè)置在所述樹(shù)脂基板內(nèi)，并且從搭載面的上方俯視時(shí)，該第二內(nèi)置芯片型電子元 器件橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域而設(shè)置。
[0012] 優(yōu)選的是，從搭載面的上方俯視時(shí)，所述第二內(nèi)置芯片型電子元器件從第一搭載 元器件的下方橫跨至第二搭載元器件的下方。
[0013] 優(yōu)選的是，所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件的尺寸比第二內(nèi)置芯片型電子元器件 的尺寸要大。
[0014] 優(yōu)選的是，所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件設(shè)置在比第一搭載元器件及第二搭載 元器件更靠近樹(shù)脂基板的周面的位置上。
[0015] 優(yōu)選的是，所述周面包括在交叉方向上排列的第一側(cè)面和與第一側(cè)面相對(duì)的第二 側(cè)面。所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件包括：設(shè)置在比第二搭載元器件更靠近第一側(cè)面的 位置上的第一芯片型電子元器件、以及設(shè)置在比第一搭載元器件更靠近第二側(cè)面的位置上 的第二芯片型電子元器件。
[0016] 優(yōu)選的是，所述樹(shù)脂基板包括位于搭載面相反側(cè)的下表面。所述第一內(nèi)置芯片型 電子元器件設(shè)置在比下表面更靠近搭載面的位置上。優(yōu)選的是，所述第一內(nèi)置芯片型電子 元器件包括：第三芯片型電子元器件、以及設(shè)置在比第三芯片型電子元器件更靠近搭載面 的位置上的第四芯片型電子元器件。
[0017] 優(yōu)選的是，所述第四芯片型電子元器件的尺寸比第三芯片型電子元器件的尺寸要 大。 發(fā)明效果
[0018] 根據(jù)本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板，能夠抑制裂紋產(chǎn)生。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019] 圖1是表示本實(shí)施方式1所涉及的電子設(shè)備1的一部分的俯視圖。 圖2是圖1所示的II-II線的剖視圖。 圖3是圖1所示的III-III線的剖視圖。 圖4是表示形成第一層樹(shù)脂層30的工序的剖視圖。 圖5是表示形成第二層樹(shù)脂層35的工序的剖視圖。 圖6是表示形成第三層樹(shù)脂層38的工序的剖視圖。 圖7是表示形成第四層樹(shù)脂層40的工序的剖視圖。 圖8是表示形成第五層樹(shù)脂層44的工序的剖視圖。 圖9是表示形成第六層樹(shù)脂層47的工序的剖視圖。 圖10是表示形成第七層樹(shù)脂層49的工序的剖視圖。 圖11是表示形成第八層的樹(shù)脂層51的工序的剖視圖。 圖12是表示形成最上層樹(shù)脂層53的工序的剖視圖。 圖13是表示將多個(gè)樹(shù)脂層層疊起來(lái)的工序的剖視圖。 圖14是表示圖13所示的工序之后的工序的剖視圖。 圖15是表不圖14所不的工序之后的制造工序的剖視圖。 圖16是表不圖15所不的工序之后的制造工序的剖視圖。 圖17是表不圖16所不的工序之后的制造工序的剖視圖。 圖18是表示本實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備la的俯視圖。 圖19是圖18所示的XIX-XIX線的剖視圖。 圖20是圖18所示的XX-XX線的剖視圖。 圖21是表示本實(shí)施方式3所涉及的電子設(shè)備lb的俯視圖。 圖22是表示本實(shí)施方式4所涉及的電子設(shè)備lc的俯視圖。 圖23是圖22所示的XXIII-XXIII線的剖視圖。 圖24是圖22所示的XXIV-XXIV線的剖視圖。 圖25是表示本實(shí)施方式5所涉及的電子設(shè)備Id及元器件內(nèi)置基板3d的俯視圖。 圖26是圖25所示的XXVI-XXVI線的剖視圖。 圖27是圖25所示的XXVII-XXVII線的剖視圖。 圖28是表示實(shí)施方式6所涉及的電子設(shè)備le的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 對(duì)本發(fā)明所涉及的樹(shù)脂基板及具備該樹(shù)脂基板的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。 實(shí)施方式1 圖1是表示本實(shí)施方式1所涉及的電子設(shè)備1的一部分的俯視圖，圖2是圖1所示的 II-II線的剖視圖。圖3是圖1所示的III-III線的剖視圖。
[0021] 如圖1所示，電子設(shè)備1包括電路基板2、以及安裝在該電路基板2的主表面上的 元器件內(nèi)置基板3。電路基板2的主表面上形成有電路布線37,元器件內(nèi)置基板3通過(guò)焊 錫等接合構(gòu)件26與電路布線37相連接。
[0022] 圖2中，元器件內(nèi)置基板3包括：具有搭載面4的樹(shù)脂基板5、形成在搭載面4上 的表面導(dǎo)體6、形成在樹(shù)脂基板5內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)體8、以及設(shè)置在搭載面上并通過(guò)焊錫等接合 構(gòu)件9與表面導(dǎo)體6相連接的安裝元器件10及安裝元器件11。
[0023] 元器件內(nèi)置基板3具備設(shè)置在樹(shù)脂基板5內(nèi)的芯片型電子元器件12、13、14。
[0024] 樹(shù)脂基板5在圖1等所示的例子中，形成為方形，其橫向長(zhǎng)度L1例如為6. 5mm左 右，其縱向長(zhǎng)度例如為5mm左右。
[0025] 樹(shù)脂基板5的周面包括在排列方向D1上排列的側(cè)面20和側(cè)面21、以及在方向D2 上排列的側(cè)面22和側(cè)面23。
[0026] 樹(shù)脂基板5通過(guò)將多個(gè)樹(shù)脂層層疊之后，在加壓的狀態(tài)下加熱而形成。樹(shù)脂層的 構(gòu)成材料采用環(huán)氧樹(shù)脂之類的熱固化性樹(shù)脂、或聚酰亞胺或液晶聚合物之類的熱塑性樹(shù)脂 等。由于層疊或壓接容易實(shí)現(xiàn)多層化，因此優(yōu)選使用聚酰亞胺或液晶聚合物之類的熱塑性 樹(shù)脂。尤其是液晶聚合物材料的Q值較高，其吸水性也較小，因此，適合用作為高頻電路用 模塊所使用的芯片元器件內(nèi)置樹(shù)脂基板的樹(shù)脂層的材料。樹(shù)脂層的厚度沒(méi)有特別限定，優(yōu) 選為10?100 μ m。
[0027] 表面導(dǎo)體6典型地由金屬材料形成。這種金屬材料例如可以采用由銅、銀、鋁、 SUS、鎳、金、或它們的合金等形成的金屬箔。由于比電阻較小，高頻帶下的損耗也較小，因此 優(yōu)選使用銅（Cu)箔。表面導(dǎo)體6的厚度沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為5?50μπι。
[0028] 表面導(dǎo)體6形成在樹(shù)脂基板5的搭載面4上，樹(shù)脂基板5的背面（與搭載面相對(duì) 的面）上形成有電極25。電極25也由與表面導(dǎo)體6相同的金屬材料形成。電極25通過(guò)焊 錫等接合構(gòu)件26與電路布線37相連接。
[0029] 內(nèi)部導(dǎo)體8由多根內(nèi)部布線15和多個(gè)通孔導(dǎo)體16形成。內(nèi)部布線15可以采用 由與形成表面導(dǎo)體6的金屬材料相同的金屬材料所形成的金屬箔等。通孔導(dǎo)體16也是通 過(guò)由導(dǎo)電性金屬材料形成的導(dǎo)電性糊料的固化物所形成的。
[0030] 安裝元器件（本發(fā)明的第一搭載元器件、第二電子元器件）1〇、11包括設(shè)置在安 裝元器件10、11下表面的電極24,安裝元器件10、11的電極24通過(guò)焊錫等接合構(gòu)件9而 與表面導(dǎo)體6相連接。安裝元器件10、11例如是半導(dǎo)體芯片。如圖1所示，安裝元器件10 和安裝元器件11相互間隔地設(shè)置。安裝元器件10和安裝元器件11之間的長(zhǎng)度L3例如為 0. 5mm左右。
[0031] 搭載面4被劃分為區(qū)域R1、區(qū)域R2、區(qū)域R3。區(qū)域R1位于安裝元器件10與安裝 元器件11之間，是在與安裝元器件10和安裝元器件11的排列方向D1相交叉的方向D2上 延伸的區(qū)域。區(qū)域R1從側(cè)面20 -直延伸到側(cè)面21。區(qū)域R1被夾在安裝元器件10的最接 近安裝元器件11的那部分與安裝元器件11的最接近安裝元器件10的那部分之間。在圖 1所示的例子中，安裝元器件10和安裝元器件11形成為大致長(zhǎng)方體的形狀，因此，區(qū)域R1 被夾在安裝元器件10的周邊部中最接近安裝元器件11的邊部與安裝元器件11的最接近 安裝元器件10的邊部之間。
[0032] 區(qū)域R2是相對(duì)于區(qū)域R1位于安裝元器件11的相反側(cè)的區(qū)域。區(qū)域R3是相對(duì)于 區(qū)域R1位于安裝元器件10的相反側(cè)的區(qū)域。
[0033] 芯片型電子元器件12、13、14被埋在樹(shù)脂基板5內(nèi)。這些芯片型電子元器件12、 13、14例如是矩形的元器件坯體，是側(cè)面具有側(cè)面端子電極的元器件。
[0034] 芯片型電子元器件12、13、14例如可以是芯片型電容器、芯片型電阻、芯片型電感 器之類的無(wú)源元器件、和1C等有源元器件。
[0035] 本實(shí)施方式中，對(duì)芯片型電子元器件12、13、14采用芯片型電容器的例子進(jìn)行說(shuō) 明。本實(shí)施方式1中，芯片型電子兀器件12、13、14的尺寸是：橫向尺寸0. 6mm，縱向尺寸 0. 3_，高度尺寸0. 15_。這一尺寸是個(gè)舉例，也可以采用其它尺寸設(shè)計(jì)的元器件。
[0036] 圖2中，芯片型電子兀器件13包括：具有內(nèi)部電極的電介質(zhì)述體27、設(shè)置于電介 質(zhì)述體27的一個(gè)側(cè)面的電極28、以及設(shè)置于電介質(zhì)述體27的另一個(gè)側(cè)面的電極29。電極 28、29由Ni (鎳）和Sn (錫）的層疊金屬膜等形成。
[0037] 圖3中，芯片型電子元器件12包括：具有內(nèi)部電極的電介質(zhì)坯體17、設(shè)置于電介 質(zhì)述體17的一個(gè)側(cè)面的電極18、以及設(shè)置于電介質(zhì)述體17的另一個(gè)側(cè)面的電極19。電極 18、19由Ni (鎳）和Sn (錫）的層疊金屬膜等形成。芯片型電子元器件14采用與芯片型電 子元器件12、13相同的結(jié)構(gòu)。
[0038] 圖1中，芯片型電子元器件12設(shè)置在比安裝元器件10、11更靠近側(cè)面23的一側(cè)。 并且，在從搭載面4的上方俯視元器件內(nèi)置基板3時(shí)，芯片型電子元器件12橫跨區(qū)域R2、區(qū) 域R1和區(qū)域R3而設(shè)置。
[0039] 在從搭載面4的上方俯視元器件內(nèi)置基板3時(shí)，芯片型電子元器件13從安裝元器 件10的下方穿過(guò)區(qū)域R1直到到達(dá)安裝元器件11的下方。
[0040] 芯片型電子元器件14設(shè)置在比安裝元器件10、11更靠近側(cè)面22的一側(cè)。在從搭 載面4的上方俯視元器件內(nèi)置基板3時(shí)，芯片型電子元器件14橫跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域 R3而設(shè)置。芯片型電子元器件12和芯片型電子元器件14設(shè)置在比芯片型電子元器件13 更靠近搭載面4的外周邊緣部的位置上。
[0041] 這里，在圖2和圖3中，芯片型電子元器件12、13、14設(shè)置在比樹(shù)脂基板5的下表 面更靠近搭載面4的位置上。
[0042] 樹(shù)脂基板5的彈性模量要高于安裝元器件10和安裝元器件11、以及芯片型電子元 器件12、13、14的彈性模量。樹(shù)脂基板5的尺寸要大于安裝元器件10、11、以及芯片型電子 元器件12、13、14的尺寸。
[0043] 對(duì)上述結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備1及元器件內(nèi)置基板3從外部受到?jīng)_擊力時(shí)的情況進(jìn)行說(shuō) 明。對(duì)于電子設(shè)備1和元器件內(nèi)置基板3受到?jīng)_擊力的情況，可以考慮設(shè)有電子設(shè)備1和 元器件內(nèi)置基板3的移動(dòng)終端等從用戶身上掉落時(shí)等的情況。
[0044] 這種情況下，由于樹(shù)脂基板5的彈性模量要高于安裝元器件10、11的彈性模量，因 此，當(dāng)元器件內(nèi)置基板3受到?jīng)_擊力時(shí)，樹(shù)脂基板5會(huì)受到因彎曲沖擊而造成的彎曲應(yīng)力， 而樹(shù)脂基板5中位于安裝元器件10與安裝元器件11之間的部分將受到很大的應(yīng)力。
[0045] 區(qū)域R2中安裝有安裝元器件10,因此，即使區(qū)域R2受到?jīng)_擊力，也不易產(chǎn)生彎曲 應(yīng)力。同樣，區(qū)域R3中安裝有安裝元器件11，因此，即使區(qū)域R3受到?jīng)_擊力，也不易產(chǎn)生 彎曲應(yīng)力。其結(jié)果是，應(yīng)力容易主要集中于區(qū)域R1在側(cè)面22 -側(cè)的端部和區(qū)域R1在側(cè)面 23 -側(cè)的端部。
[0046] 另一方面，由于芯片型電子元器件12將區(qū)域R1在側(cè)面23 -側(cè)的端部與不易彎曲 的區(qū)域R2、R3連接起來(lái)，因此區(qū)域R1在側(cè)面23 -側(cè)的端部因芯片型電子元器件12而增 強(qiáng)。
[0047] 此外，芯片型電子元器件14將區(qū)域R1在側(cè)面22 -側(cè)的端部與不易彎曲的區(qū)域 R2、R3連接起來(lái)，因此區(qū)域R1在側(cè)面22 -側(cè)的端部因芯片型電子元器件14而增強(qiáng)。
[0048] 因此，即使元器件內(nèi)置基板3受到?jīng)_擊力，也能夠抑制側(cè)面22、23中區(qū)域R1所在 的部分產(chǎn)生裂紋源，從而能夠抑制元器件內(nèi)置基板3受損。由此，能夠可靠地抑制元器件內(nèi) 置基板3產(chǎn)生裂紋，而無(wú)需設(shè)置特殊的增強(qiáng)構(gòu)件。
[0049] 此外，芯片型電子元器件13將區(qū)域R1中位于安裝元器件10與安裝元器件11之 間的部分和不易彎曲的區(qū)域R2、R3連接起來(lái)，因此區(qū)域R1中位于安裝元器件10與安裝元 器件11之間的部分得到增強(qiáng)。
[0050] 從而根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備1及元器件內(nèi)置基板3,即使電子設(shè)備1和 元器件內(nèi)置基板3受到外部的沖擊力，也能夠抑制元器件內(nèi)置基板3受損。
[0051] 這里，當(dāng)元器件內(nèi)置基板3受到?jīng)_擊力時(shí)，由于搭載面4上設(shè)有安裝元器件10和 安裝元器件11，因此，樹(shù)脂基板5的搭載面4 一側(cè)將受到很大的彎曲應(yīng)力。
[0052] 本實(shí)施方式1所涉及的元器件內(nèi)置基板3中，芯片型電子元器件12、13、14設(shè)置在 比樹(shù)脂基板5的下表面更靠近搭載面4的位置上，因此，樹(shù)脂基板5的搭載面4 一側(cè)因芯片 型電子元器件12、13、14而增強(qiáng)。
[0053] 因此，即使樹(shù)脂基板5受到?jīng)_擊力，也能夠有效地抑制樹(shù)脂基板5產(chǎn)生裂紋等。
[0054] 利用圖4?圖17,對(duì)上述結(jié)構(gòu)的元器件內(nèi)置基板3及電子設(shè)備1的制造方法進(jìn)行 說(shuō)明。
[0055] 元器件內(nèi)置基板3的制造工序大致包括：形成多個(gè)樹(shù)脂層的工序；將多個(gè)樹(shù)脂層 層疊的工序；對(duì)多個(gè)樹(shù)脂層進(jìn)行加熱，從而形成第一基板的工序，該第一基板具有用于收容 芯片型電子元器件12、13、14的空腔；以及將芯片型電子元器件12、13、14收容到該第一基 板上的工序。元器件內(nèi)置基板3的制造工序還包括：在收容了芯片型電子元器件12、13、14 的第一基板上層疊多個(gè)樹(shù)脂層的工序；以及在芯片型電子元器件12、13、14上形成了多個(gè) 樹(shù)脂層之后進(jìn)行加熱處理的工序。
[0056] 圖4?圖12是表示各樹(shù)脂層的制造工序的剖視圖。 圖4是表示形成第一層樹(shù)脂層30的工序的剖視圖。在形成樹(shù)脂層30時(shí)，首先，準(zhǔn)備樹(shù) 脂片31，該樹(shù)脂片31的表面形成有由銅（Cu)等金屬箔構(gòu)成的金屬膜，且該樹(shù)脂片31的角 部形成有孔34。然后，對(duì)金屬膜進(jìn)行刻蝕等來(lái)形成圖案，從而在樹(shù)脂片31上形成電極25。 接下來(lái)，利用激光等在樹(shù)脂片31中形成通孔32。然后，在通孔32內(nèi)填充含有金屬粉和有機(jī) 溶劑等的糊料33。由此，形成圖4所示的樹(shù)脂層30?？?4是供后述的模具上所設(shè)置的柱 部插入的洞，其形成于樹(shù)脂層30的角部等。
[0057] 圖5是表示形成第二層樹(shù)脂層35的工序的剖視圖，圖6是表示形成第三層樹(shù)脂層 38的工序的剖視圖。
[0058] 在形成樹(shù)脂層35、38時(shí)，首先，準(zhǔn)備上表面形成有由金屬箔構(gòu)成的金屬膜的樹(shù)脂 片36、39,并通過(guò)對(duì)金屬膜進(jìn)行刻蝕來(lái)形成圖案，由此形成內(nèi)部布線15。接下來(lái)，在樹(shù)脂片 36、39中形成通孔32,并填充糊料33。由此形成樹(shù)脂層35、38。
[0059] 圖7是表示形成第四層樹(shù)脂層40的工序的剖視圖，圖8是表示形成第五層樹(shù)脂層 44的工序的剖視圖。在圖7和圖8中，當(dāng)形成樹(shù)脂層40、44時(shí)，首先準(zhǔn)備上表面形成有金屬 膜的樹(shù)脂片41、45。然后，對(duì)金屬膜進(jìn)行刻蝕，從而在各樹(shù)脂片41、45的上表面形成內(nèi)部布 線15。
[0060] 接下來(lái)，利用激光在樹(shù)脂片41、45中形成通孔32。然后，在通孔32內(nèi)填充糊料33。 由此形成樹(shù)脂層40和樹(shù)脂層44。
[0061] 圖9是表示形成第六層樹(shù)脂層47的工序的剖視圖，圖10是表示形成第七層樹(shù)脂 層49的工序的剖視圖。圖11是表示形成第八層樹(shù)脂層51的工序的剖視圖。
[0062] 在這些圖9?11中，當(dāng)形成樹(shù)脂層47、49、51時(shí)，首先準(zhǔn)備上表面形成有金屬膜的 樹(shù)脂片48、50、52。然后，對(duì)金屬膜進(jìn)行刻蝕，從而形成內(nèi)部布線15。
[0063] 接下來(lái)，利用激光在樹(shù)脂片48、50、52中形成通孔32。然后，在通孔32內(nèi)填充糊料 33。由此形成樹(shù)脂層51。
[0064] 接下來(lái)，利用模具對(duì)樹(shù)脂片48和樹(shù)脂片50進(jìn)行沖壓，形成孔部42、46。由此形成 樹(shù)脂層47和樹(shù)脂層49。
[0065] 圖12是表示形成最上層樹(shù)脂層53的工序的剖視圖。在該圖12中，當(dāng)形成樹(shù)脂層 53時(shí)，首先準(zhǔn)備上表面形成有由金屬箔構(gòu)成的金屬膜的樹(shù)脂片54。然后，使金屬膜形成圖 案，從而形成表面導(dǎo)體6。接下來(lái)，利用激光在樹(shù)脂片54中形成孔34。由此形成樹(shù)脂層53。
[0066] 圖13是表示將多個(gè)樹(shù)脂層層疊起來(lái)的工序的剖視圖。如圖13所示，在層疊樹(shù)脂 層時(shí)，使用模具55來(lái)層疊多個(gè)樹(shù)脂層。
[0067] 模具55由臺(tái)子56和設(shè)置于該臺(tái)子56上表面的多個(gè)柱部57構(gòu)成。在該圖13所 示的工序中，將樹(shù)脂層30、35、38、40、44、47、49層疊到模具55的上表面。
[0068] 此時(shí)，柱部57插入各樹(shù)脂層30、35、38、40、44、47、49中所形成的孔34中。這樣， 在樹(shù)脂層30、35、38、40、44、47、49層疊后，孔部42和孔部46將對(duì)齊。
[0069] 圖14是表示圖13所示的工序之后的工序的剖視圖。如該圖14所示，在對(duì)由樹(shù)脂 層層疊而成的層疊體加壓的狀態(tài)下，實(shí)施加熱處理。該加熱處理的加熱溫度要低于之后將 實(shí)施的用于使中間基板60與各樹(shù)脂層51、53形成為一體的加熱溫度。具體而言，在各樹(shù)脂 層不會(huì)發(fā)生流動(dòng)的溫度下進(jìn)行該加熱處理。通過(guò)這一加熱處理，能夠提高各樹(shù)脂層彼此之 間的緊貼性，從而抑制芯片型電子元器件12、14插入時(shí)等發(fā)生樹(shù)脂層之間的移位。
[0070] 由此形成中間基板60。在該中間基板60的上表面形成有空腔61。
[0071] 在該圖14所示的剖面中，僅僅示出了供芯片型電子元器件13插入的空腔61，但中 間基板60中還形成有供芯片型電子元器件12插入的空腔、和供芯片型電子元器件14插入 的空腔?？涨?1的底面有一部分內(nèi)部布線15露出。
[0072] 圖15是表不圖14所不的工序之后的制造工序的剖視圖。如圖15所不，將芯片型 電子元器件13插入到空腔61內(nèi)。同樣，將芯片型電子元器件12和芯片型電子元器件14 也插入到其它空腔中。
[0073] 圖16是表示圖15所示的工序之后的制造工序的剖視圖。如圖16所示，在插入了 芯片型電子元器件12、13、14的中間基板60的上表面上，依次層疊樹(shù)脂層51、53。并使柱部 57插入樹(shù)脂層51、53中形成的孔34中。
[0074] 圖17是表示圖16所示的工序之后的制造工序的剖視圖。如該圖17所示，在中間 基板60的上表面上層疊了多個(gè)樹(shù)脂層51、53的狀態(tài)下，對(duì)中間基板60和樹(shù)脂層51、53加 壓，并實(shí)施加熱處理。通過(guò)在加壓狀態(tài)下對(duì)層疊體實(shí)施加熱處理，使各樹(shù)脂層軟化流動(dòng)，從 而將各樹(shù)脂層熱壓接。通過(guò)該熱壓接，各樹(shù)脂層至少表面形成為一體，填充在各通孔32中 的糊料33成為通孔導(dǎo)體16。
[0075] 由此使樹(shù)脂層30、35、38、40、44、47、49、51、53彼此形成為一體。然后利用焊錫等 將安裝元器件10和安裝元器件11安裝到元器件內(nèi)置基板的表面電極6上。然后，通過(guò)去 除形成了孔34的部分，形成元器件內(nèi)置基板3。之后，如圖3所示，將元器件內(nèi)置基板3安 裝到電路基板2上，形成電子設(shè)備1。
[0076] 本實(shí)施方式中，說(shuō)明了制造一塊元器件內(nèi)置基板3的工序，但也可以例如在成為 母板的大面積樹(shù)脂層上統(tǒng)一地形成多個(gè)元器件內(nèi)置基板用的內(nèi)部布線15等，并統(tǒng)一地層 疊，然后進(jìn)行切割，從而得到多塊元器件內(nèi)置基板3。
[0077] 實(shí)施方式2 利用圖18?圖20,對(duì)本實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備la及元器件內(nèi)置基板3a進(jìn)行說(shuō) 明。對(duì)于圖18所示的結(jié)構(gòu)中與上述圖1?圖17所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，有時(shí)會(huì)標(biāo) 注相同的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。
[0078] 圖18是表示實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備la的俯視圖。如圖18所示，元器件內(nèi) 置基板3a包括：樹(shù)脂基板5、設(shè)置在樹(shù)脂基板5內(nèi)的芯片型電子元器件62、設(shè)置在樹(shù)脂基板 5內(nèi)的芯片型電子元器件13、以及設(shè)置在樹(shù)脂基板5內(nèi)的芯片型電子元器件64。
[0079] 圖19是圖18所示的XIX-XIX線的剖視圖。如圖19所示，在本實(shí)施方式2中，元 器件內(nèi)置基板3a內(nèi)也形成有內(nèi)部導(dǎo)體8等。芯片型電子元器件13設(shè)置在樹(shù)脂基板5內(nèi)， 且設(shè)置在比樹(shù)脂基板5的下表面更靠近搭載面4的位置上。
[0080] 圖20是圖18所示的XX-XX線的剖視圖。如圖20所示，芯片型電子元器件62設(shè) 置在樹(shù)脂基板5內(nèi)。芯片型電子兀器件62包括電介質(zhì)述體65、以及設(shè)置在電介質(zhì)述體65 的一個(gè)側(cè)面的電極66。芯片型電子元器件64采用與芯片型電子元器件62相同的結(jié)構(gòu)。
[0081] 圖18中，在從搭載面4的上方俯視元器件內(nèi)置基板3a時(shí)，芯片型電子元器件62 橫跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域R3而設(shè)置。
[0082] 芯片型電子元器件62設(shè)置在比安裝元器件10和安裝元器件11更靠近樹(shù)脂基板 5的側(cè)面23的位置上。本實(shí)施方式2中，在從搭載面4的上方俯視元器件內(nèi)置基板3a時(shí)， 芯片型電子元器件62的一部分與安裝元器件10、11的一部分重疊。
[0083] 芯片型電子元器件64設(shè)置在比安裝元器件10和安裝元器件11更靠近側(cè)面22的 位置上。芯片型電子元器件64橫跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域R3而設(shè)置。
[0084] 這里，芯片型電子元器件62和芯片型電子元器件64設(shè)置在比芯片型電子元器件 13更靠近樹(shù)脂基板5的周面的位置上，芯片型電子元器件62和芯片型電子元器件64的尺 寸要大于芯片型電子元器件13的尺寸。
[0085] 例如，芯片型電子元器件13的尺寸例如為0.6mmX0.3mmX0· 15mm。而芯片型電子 元器件 62、64 的尺寸為 1. OmmXO. 5mmX0. 15mm。
[0086] 由此，元器件內(nèi)置基板3a包括：橫跨安裝元器件10和安裝元器件11而設(shè)置的芯 片型電子元器件13 ;以及比該芯片型電子元器件13更靠近樹(shù)脂基板5的外周側(cè)且更靠近 區(qū)域R1的端部側(cè)的芯片型電子元器件62、64。芯片型電子元器件62、64的尺寸要大于芯片 型電子元器件13的尺寸。
[0087] 從而，芯片型電子元器件62、64能良好地對(duì)區(qū)域R1在側(cè)面22、23 -側(cè)的端部進(jìn)行 增強(qiáng)，即使元器件內(nèi)置基板3a受到?jīng)_擊力，也能夠抑制樹(shù)脂基板5受損。即，通過(guò)使設(shè)置在 靠近周面的位置上的芯片型電子元器件62和芯片型電子元器件64的尺寸大于其它部分的 芯片型電子元器件13的尺寸，能夠進(jìn)一步提高抑制裂紋產(chǎn)生的效果。例如，在要內(nèi)置多個(gè) 芯片型電子元器件的情況下，通過(guò)采用上述設(shè)計(jì)，能夠更加可靠地抑制元器件內(nèi)置基板產(chǎn) 生裂紋，而無(wú)需設(shè)置特殊的增強(qiáng)構(gòu)件等。
[0088] 實(shí)施方式3 利用圖21，對(duì)本實(shí)施方式3所涉及的電子設(shè)備lb及元器件內(nèi)置基板3b進(jìn)行說(shuō)明。對(duì) 于圖21所示的結(jié)構(gòu)中與上述圖1?圖20所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，有時(shí)會(huì)標(biāo)注相同 的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。
[0089] 圖21是表示實(shí)施方式3所涉及的電子設(shè)備lb的俯視圖。如圖21所示，元器件內(nèi) 置基板3b包括：樹(shù)脂基板5、設(shè)置在樹(shù)脂基板5內(nèi)的芯片型電子元器件70、以及設(shè)置在樹(shù)脂 基板5內(nèi)的芯片型電子元器件71。
[0090] 芯片型電子元器件70設(shè)置在比安裝元器件10和安裝元器件11更靠近側(cè)面23的 一側(cè)。在從搭載面4的上方俯視樹(shù)脂基板5時(shí)，芯片型電子元器件70從區(qū)域R1橫跨至區(qū) 域R2而設(shè)置。
[0091] 因此，區(qū)域R1中側(cè)面23-側(cè)的端部因芯片型電子元器件70而增強(qiáng)。芯片型電子 元器件71設(shè)置在比安裝元器件10和安裝元器件11更靠近側(cè)面22的位置上。
[0092] 在從搭載面4的上方俯視樹(shù)脂基板5時(shí)，芯片型電子元器件71橫跨區(qū)域R1和區(qū) 域R3而設(shè)置。區(qū)域R1中側(cè)面22 -側(cè)的端部因芯片型電子元器件71而增強(qiáng)。
[0093] 因此，本實(shí)施方式3所涉及的電子設(shè)備lb及元器件內(nèi)置基板3b也一樣，即使受到 外部的沖擊力，也能夠抑制樹(shù)脂基板5受損。
[0094] 由此，比安裝元器件10和安裝元器件11更靠近樹(shù)脂基板5的周面一側(cè)的位置上 的芯片型電子元器件橫跨位于區(qū)域R1外側(cè)的區(qū)域R2和R3中的至少一個(gè)區(qū)域、以及區(qū)域R1 而設(shè)置。從而，芯片型電子元器件無(wú)需橫跨所有區(qū)域R1、R2、R3,只要橫跨位于區(qū)域R1外側(cè) 的區(qū)域R2和R3中的至少一個(gè)區(qū)域，就能獲得本發(fā)明的效果。
[0095] 實(shí)施方式4 利用圖22?圖24，對(duì)本實(shí)施方式4所涉及的電子設(shè)備1 c及元器件內(nèi)置基板3c進(jìn)行說(shuō) 明。對(duì)于圖22?圖24所示的結(jié)構(gòu)中與圖1?圖21所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，有時(shí)會(huì) 標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。
[0096] 圖22是表示實(shí)施方式4所涉及的電子設(shè)備lc的俯視圖。如圖22所示，元器件內(nèi) 置基板3c包括：設(shè)置在樹(shù)脂基板5內(nèi)的芯片型電子元器件72、73、84、75、以及設(shè)置在樹(shù)脂 基板5內(nèi)的芯片型電子元器件13。
[0097] 圖23是圖22所示的XXIII-XXIII線的剖視圖。如圖23所示，芯片型電子元器件 72和芯片型電子兀器件73在兀器件內(nèi)置基板3c的厚度方向上排列。
[0098] 如圖22所示，芯片型電子元器件72和芯片型電子元器件73設(shè)置在比安裝元器件 10、11更靠近側(cè)面23的位置上。在從搭載面4的上方俯視元器件內(nèi)置基板3c時(shí)，芯片型電 子元器件72和芯片型電子元器件73橫跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域R3而設(shè)置。
[0099] 因此，側(cè)面23中區(qū)域R1的端面所在的部分因芯片型電子元器件72和芯片型電子 元器件73而增強(qiáng)。
[0100] 圖24是圖22所示的XXIV-XXIV線的剖視圖。如圖24所示，芯片型電子元器件74 和芯片型電子元器件75在樹(shù)脂基板5的厚度方向上排列。
[0101] 如圖22所示，當(dāng)從搭載面4的上方俯視樹(shù)脂基板5時(shí)，芯片型電子元器件74和芯 片型電子元器件75設(shè)置在比安裝元器件10和安裝元器件11更靠近側(cè)面22的位置上。
[0102] 芯片型電子元器件75和芯片型電子元器件75橫跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域R3而 設(shè)置。
[0103] 因此，側(cè)面22中區(qū)域R1的端面所在的部分因芯片型電子元器件74和芯片型電子 元器件75而增強(qiáng)。
[0104] 本實(shí)施方式4中，芯片型電子元器件74和芯片型電子元器件75在樹(shù)脂基板5的 厚度方向上排列，芯片型電子兀器件72和芯片型電子兀器件73也在厚度方向上排列，但并 不一定要在厚度方向上排列。
[0105] 即，芯片型電子元器件74與芯片型電子元器件75也可以在搭載面4的平面方向 上錯(cuò)開(kāi)。
[0106] 同樣，芯片型電子元器件72與芯片型電子元器件73也可以在搭載面4的平面方 向上錯(cuò)開(kāi)。
[0107] 實(shí)施方式5 利用圖25?圖27，對(duì)本實(shí)施方式5所涉及的電子設(shè)備1 d及元器件內(nèi)置基板3d進(jìn)行說(shuō) 明。對(duì)于圖25?圖27所示的結(jié)構(gòu)中與圖1?圖24所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，有時(shí)會(huì) 標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。
[0108] 圖25是表示本實(shí)施方式5所涉及的電子設(shè)備Id及元器件內(nèi)置基板3d的俯視圖。 如圖25所示，元器件內(nèi)置基板3d包括：樹(shù)脂基板5、設(shè)置在該樹(shù)脂基板5內(nèi)的芯片型電子 元器件 13、72、73、74、75。
[0109] 芯片型電子元器件72和芯片型電子元器件73設(shè)置在比安裝元器件10、11更靠近 側(cè)面23的位置上，且橫跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域R3而設(shè)置。
[0110] 芯片型電子元器件74和芯片型電子元器件75設(shè)置在比安裝元器件10、11更靠近 側(cè)面22的位置上，且橫跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域R3而設(shè)置。
[0111] 圖26是圖25所示的XXVI-XXVI線的剖視圖。如圖26所示，芯片型電子元器件72 比芯片型電子元器件73大，且芯片型電子元器件72設(shè)置在比芯片型電子元器件73更靠近 搭載面4的位置上。
[0112] 圖27是圖25所示的XXVII-XXVII線的剖視圖。如圖27所示，芯片型電子元器件 74的尺寸比芯片型電子元器件75的尺寸大，且芯片型電子元器件74設(shè)置在比芯片型電子 元器件75更靠近搭載面4的位置上。
[0113] 這里，當(dāng)元器件內(nèi)置基板3d受到?jīng)_擊力時(shí)，區(qū)域R1的端部中位于樹(shù)脂基板5的搭 載面4 一側(cè)的那部分所產(chǎn)生的彎曲應(yīng)力要大于樹(shù)脂基板5的下表面所產(chǎn)生的彎曲應(yīng)力。
[0114] 另一方面，本實(shí)施方式5所涉及的電子設(shè)備Id及元器件內(nèi)置基板3d中，在靠近搭 載面4的位置上設(shè)有較大的芯片型電子元器件72、74,因此，樹(shù)脂基板5中位于搭載面4附 近的那部分因芯片型電子元器件72、74而增強(qiáng)。
[0115] 因此，本實(shí)施方式5所涉及的電子設(shè)備3d也一樣，即使受到外部的沖擊力，也能夠 抑制元器件內(nèi)置基板3d受損。
[0116] 實(shí)施方式6 圖28是表示實(shí)施方式6所涉及的電子設(shè)備le的俯視圖。對(duì)于圖28所示的結(jié)構(gòu)中與 上述圖1?圖27所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，有時(shí)會(huì)標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。
[0117] 如圖28所示，電子設(shè)備le具備設(shè)置在樹(shù)脂基板5內(nèi)的芯片型電子元器件12和芯 片型電子元器件14。
[0118] 芯片型電子元器件12設(shè)置在比安裝元器件10、11更靠近側(cè)面23的位置上，且橫 跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域R3而設(shè)置。芯片型電子元器件14設(shè)置在比安裝元器件10、11更 靠近側(cè)面22的位置上，且橫跨區(qū)域R2、區(qū)域R1和區(qū)域R3而設(shè)置。
[0119] 于是，區(qū)域R1在側(cè)面23 -側(cè)的端部因芯片型電子元器件12而增強(qiáng)，區(qū)域R2在側(cè) 面22 -側(cè)的端部因芯片型電子元器件13而增強(qiáng)。
[0120] 如圖28所示，將芯片型電子元器件設(shè)置在安裝元器件10與安裝元器件11之間 (圖1的芯片型電子元器件13等）并不是本發(fā)明的必要結(jié)構(gòu)。 實(shí)施例
[0121] 利用下述的表1、表2、圖1和圖28等，來(lái)說(shuō)明本申請(qǐng)發(fā)明的實(shí)施例。下述表1是 表示比較例1的電子設(shè)備掉落測(cè)試結(jié)果的表格。比較例1的電子設(shè)備是如圖1的電子設(shè)備 1那樣在搭載面上安裝有2個(gè)安裝元器件的電子設(shè)備，但樹(shù)脂基板內(nèi)并沒(méi)有設(shè)置芯片型電 子元器件。
[0122] 該表1中所示的掉落測(cè)試是對(duì)36個(gè)比較例1的電子設(shè)備進(jìn)行的，使其從距離混凝 土地面1. Om的高度重復(fù)自由落體10次，其結(jié)果示出了樹(shù)脂基板受損的數(shù)量。
[0123] 下述表2是表示比較例2的電子設(shè)備和圖28所示的電子設(shè)備le的掉落測(cè)試的表 格。比較例2的電子設(shè)備是在圖1所示的例子中，樹(shù)脂基板5上設(shè)有芯片型電子元器件13， 但沒(méi)有設(shè)置芯片型電子元器件12和芯片型電子元器件14的電子設(shè)備。
[0124] 在該掉落測(cè)試中，使36個(gè)比較例2的電子設(shè)備、和圖28所示的電子設(shè)備從1. 2m 的高度向混凝土地面重復(fù)自由落體10次，其結(jié)果示出了樹(shù)脂基板中產(chǎn)生裂紋的數(shù)量。
[0125] [表 1] 掉落測(cè)試高度 1. 〇m

【權(quán)利要求】
1. 一種元器件內(nèi)置基板，其特征在于，包括： 具有搭載面和包圍所述搭載面周圍的周面的樹(shù)脂基板； 搭載在所述搭載面上的第一搭載元器件； 搭載在所述搭載面上且與所述第一搭載元器件隔開(kāi)設(shè)置的第二搭載元器件；以及 設(shè)置在所述樹(shù)脂基板內(nèi)的一個(gè)以上的第一內(nèi)置芯片型電子元器件； 所述第一內(nèi)置芯片型搭載元器件設(shè)置在靠近所述樹(shù)脂基板的周面的位置上， 所述搭載面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域是被夾在所述第一搭載元器件和 所述第二搭載元器件之間的區(qū)域，且在與所述第一搭載元器件和所述第二搭載元器件的排 列方向相交叉的交叉方向上延伸，所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域的外側(cè)， 從所述搭載面的上方俯視時(shí)，所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件橫跨所述第一區(qū)域和所 述第二區(qū)域而設(shè)置。
2. 如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 還包括一個(gè)以上的第二內(nèi)置芯片型電子元器件，該第二內(nèi)置芯片型電子元器件設(shè)置在 所述樹(shù)脂基板內(nèi)，并且從所述搭載面的上方俯視時(shí)，該第二內(nèi)置芯片型電子元器件橫跨所 述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域而設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求2所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 從所述搭載面的上方俯視時(shí)，所述第二內(nèi)置芯片型電子元器件從所述第一搭載元器件 的下方橫跨至所述第二搭載元器件的下方而設(shè)置。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件的尺寸比所述第二內(nèi)置芯片型電子元器件的尺寸要 大。
5. 如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件設(shè)置在比所述第一搭載元器件及所述第二搭載元器 件更靠近所述樹(shù)脂基板的周面的位置上。
6. 如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述周面包括在所述交叉方向上排列的第一側(cè)面和與所述第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面， 所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件包括：設(shè)置在比所述第二搭載元器件更靠近所述第一 側(cè)面的位置上的第一芯片型電子元器件、以及設(shè)置在比所述第一搭載元器件更靠近所述第 二側(cè)面的位置上的第二芯片型電子元器件。
7. 如權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述樹(shù)脂基板包括位于搭載面相反側(cè)的下表面， 所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件設(shè)置在比所述下表面更靠近所述搭載面的位置上。
8. 如權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述第一內(nèi)置芯片型電子元器件包括：第三芯片型電子元器件、以及設(shè)置在比所述第 三芯片型電子元器件更靠近所述搭載面的位置上的第四芯片型電子元器件。
9. 如權(quán)利要求8所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述第四芯片型電子元器件的尺寸比所述第三芯片型電子元器件的尺寸要大。
【文檔編號(hào)】H05K3/46GK104094679SQ201380007306
【公開(kāi)日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2013年2月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月17日
【發(fā)明者】足立登志郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所