低頻諧振點(diǎn)火器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提出了一種低頻諧振點(diǎn)火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8；MOS管Q5的漏極、MOS管Q7的漏極均與正電源連接，MOS管Q6的源極、MOS管Q8的源極均接地；MOS管Q5的源極與MOS管Q6的漏極連接，且MOS管Q5的源極為負(fù)輸出端；MOS管Q7的源極與MOS管Q8的漏極連接，MOS管Q7的源極還與電感T3的一端連接，電感T3的另一端為正輸出端；正輸出端與負(fù)輸出端之間，還連接有諧振電容。本實(shí)用新型的低頻諧振點(diǎn)火器具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易控制，高壓穩(wěn)定性高，并且可調(diào)高壓及脈寬的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】低頻諧振點(diǎn)火器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及HID點(diǎn)火技術(shù)，具體涉及低頻諧振點(diǎn)火器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的在低頻方波的電子鎮(zhèn)流器方案中，點(diǎn)火技術(shù)采用電感倍壓式點(diǎn)火，高壓觸發(fā)二極管倍壓式點(diǎn)火，外接輔助的高壓?jiǎn)?dòng)電路式點(diǎn)火。這些點(diǎn)火方案，需要增加大量的外圍電路，從而增加了產(chǎn)品的成本。隨著光源的迅速發(fā)展，目前一些世界上主流的HID光源的啟動(dòng)條件，不僅僅只有高壓的條件限制，高壓的寬度也有一定的要求。傳統(tǒng)的啟動(dòng)方案已經(jīng)不能滿足現(xiàn)在光源啟動(dòng)的需求。
[0003]由于光源的需求，有些光源需要采用低頻方波的驅(qū)動(dòng)方式才能夠穩(wěn)定的工作，大多的低頻方波都采用全橋的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)(如圖1)，由MOS管Q5、Q6、Q7、Q8以及電感T3組成，OUT+,OUT-之間接HID光源。通過(guò)MOS管Q5，Q8與Q6、Q7的低頻開關(guān)(100赫茲)，使OUT+、OUT-之間所接的負(fù)載上面產(chǎn)生100赫茲的方波，以供HID光源的正常工作。HID光源需要一個(gè)高壓的觸發(fā)才能啟動(dòng)，傳統(tǒng)的點(diǎn)火方案，電路復(fù)雜，高壓的一致性不好。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易控制，高壓穩(wěn)定性高，并且可調(diào)高壓及脈寬的低頻點(diǎn)火器。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為，低頻諧振點(diǎn)火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8 ；M0S管Q5的漏極、MOS管Q7的漏極均與正電源連接，MOS管Q6的源極、MOS管Q8的源極均接地；M0S管Q5的源極與MOS管Q6的漏極連接，且MOS管Q5的源極為負(fù)輸出端；M0S管Q7的源極與MOS管Q8的漏極連接，MOS管Q7的源極還與電感T3的一端連接，電感T3的另一端為正輸出端；正輸出端與負(fù)輸出端之間,還連接有諧振電容。
[0006]優(yōu)選地，所述諧振電容為電容C32和電容C33的串聯(lián)支路。
[0007]優(yōu)選地，所述電容器C32的電容值為3.3nF，電容C33的電阻值為3.3nF，電感T3的電感值為970 ii H。
[0008]進(jìn)一步的技術(shù)方案為，還包括用于在光源點(diǎn)亮前產(chǎn)生在低頻方波邊緣疊加高頻方波成分的諧振波并在光源點(diǎn)亮后僅產(chǎn)生低頻方波的波形發(fā)生器；M0S管Q6的柵極、MOS管Q6的柵極、MOS管Q7的柵極、MOS管Q8的柵極均與所述波形發(fā)生器連接。
[0009]優(yōu)選地，正電源與地之間還連接有電容C29。
[0010]本實(shí)用新型的低頻諧振點(diǎn)火器具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易控制，高壓穩(wěn)定性高，并且可調(diào)高壓及脈寬的優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的點(diǎn)火器示意圖。[0012]圖2是本實(shí)用新型的低頻諧振點(diǎn)火器的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)敘述。
[0014]如圖2所示，本實(shí)用新型的低頻諧振點(diǎn)火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8 ；M0S管Q5的漏極、MOS管Q7的漏極均與正電源V+連接，MOS管Q6的源極、MOS管Q8的源極均接地；M0S管Q5的源極與MOS管Q6的漏極連接，且MOS管Q5的源極為負(fù)輸出端OUT- ；M0S管Q7的源極與MOS管Q8的漏極連接，MOS管Q7的源極還與電感T3的一端連接，電感T3的另一端為正輸出端OUT+ ;正輸出端OUT+與負(fù)輸出端OUT-之間，還連接有電容C32和電容C33的串聯(lián)支路。正電源與地之間還連接有電容C29。
[0015]HID光源(圖未示出)連接在正輸出端OUT+和負(fù)輸出端OUT-之間，在HID光源未被擊穿之前電容C32、電容C33與電感T3構(gòu)成串聯(lián)的狀態(tài)，在電容與電感串聯(lián)的電路上加上一定的頻率，讓電感與電容構(gòu)成串聯(lián)諧振，那么將會(huì)在電容的兩端產(chǎn)生點(diǎn)火電壓，可以用于啟動(dòng)HID光源，當(dāng)光源被擊穿之后電容C32、電容C33相當(dāng)于被HID光源短路，低頻的方波電流電壓直接通過(guò)HID光源，即使HID正常工作。諧振頻率f=l/2*n V LC(Hz)，底頻方波的工作頻率約在IOOHz左右，如果按這個(gè)頻率去設(shè)計(jì)串聯(lián)諧振的高壓，那么電感量與電容都需要非常大的值，而電感的感量同時(shí)是由燈的電流來(lái)決定的，根據(jù)不同的電流大約都是在幾百微亨左右，考慮到綜合性價(jià)比，提高諧振頻率到幾十甚至幾百kHz，這時(shí)電容的容量很小，同時(shí)也易采購(gòu)。例如本實(shí)施例中電容C32、電容C33的電容值分別為3.3nF，電感T3的電感值為970 ii H，此時(shí)的高頻頻率為125kHz。
[0016]由于是低頻的方波輸出電路，頻率比較低，需要取消常規(guī)的高頻逆變電路中的隔直電容，才能使低頻的電流電壓到達(dá)HID光源。其中，常規(guī)的高頻逆變電路中的隔直電容是連接在MOS管Q7、MOS管Q8的節(jié)點(diǎn)與正輸出端OUT+之間。然而同時(shí)又需要高頻串聯(lián)諧振去觸發(fā)HID光源，在沒(méi)有隔直電容時(shí)，電感上面會(huì)出現(xiàn)直流偏磁問(wèn)題，輕則會(huì)使電感和功率半導(dǎo)體的功耗增加，溫升加劇，嚴(yán)重的情況還會(huì)損壞功率模塊。
[0017]針對(duì)這樣的問(wèn)題，本實(shí)用新型還包括用于在光源點(diǎn)亮前產(chǎn)生在低頻方波邊緣疊加高頻方波成分的諧振波并在光源點(diǎn)亮后僅產(chǎn)生低頻方波的波形發(fā)生器(圖未示出)；M0S管Q6的柵極、MOS管Q6的柵極、MOS管Q7的柵極、MOS管Q8的柵極均與所述波形發(fā)生器連接，即向各個(gè)MOS管輸入在低頻方波邊緣疊加了高頻方波成分的諧振波，并在光源點(diǎn)亮后取消該高頻方波成分。在本領(lǐng)域技術(shù)人員的常識(shí)中，所述低頻是指100Hz-400Hz的頻率范圍，一般實(shí)施中是采用100Hz-150Hz的頻率，所述高頻是指高于20kHz的頻率范圍，一般實(shí)施中采用幾十至幾百kHz的頻率。
[0018]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.低頻諧振點(diǎn)火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8；M0S管Q5的漏極、MOS管Q7的漏極均與正電源連接，MOS管Q6的源極、MOS管Q8的源極均接地；M0S管Q5的源極與MOS管Q6的漏極連接，且MOS管Q5的源極為負(fù)輸出端；M0S管Q7的源極與MOS管Q8的漏極連接，MOS管Q7的源極還與電感T3的一端連接，電感T3的另一端為正輸出端；其特征在于:正輸出端與負(fù)輸出端之間，還連接有諧振電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻諧振點(diǎn)火器，其特征在于:所述諧振電容為電容C32和電容C33的串聯(lián)支路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低頻諧振點(diǎn)火器，其特征在于:所述電容器C32的電容值為3.3nF，電容C33的電阻值為3.3nF，電感T3的電感值為970 U H。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻諧振點(diǎn)火器，其特征在于:還包括用于在光源點(diǎn)亮前產(chǎn)生在低頻方波邊緣疊加高頻方波成分的諧振波并在光源點(diǎn)亮后僅產(chǎn)生低頻方波的波形發(fā)生器；M0S管Q6的柵極、MOS管Q6的柵極、MOS管Q7的柵極、MOS管Q8的柵極均與所述波形發(fā)生器連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的低頻諧振點(diǎn)火器，其特征在于:正電源與地之間還連接有電容C29。
【文檔編號(hào)】H05B41/36GK203482478SQ201320523734
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月26日
【發(fā)明者】張玉杰, 張然, 褚青松 申請(qǐng)人:深圳市朗科智能電氣股份有限公司