準單晶鑄錠爐的水冷盤的制作方法
【專利摘要】準單晶鑄錠爐的水冷盤，其特征在于：所述的水冷盤為矩形箱體，箱體內(nèi)設有一道薄壁一將箱體內(nèi)部分為兩個內(nèi)腔，其中，薄壁一的任意一端與箱體內(nèi)壁形成一個缺口一，使兩個內(nèi)腔相聯(lián)通，薄壁一的另一端的兩側(cè)箱體上分別設有進水孔和出水孔，在每個內(nèi)腔里至少設有兩道與薄壁一垂直設置的薄壁二，將每個內(nèi)腔分割成至少三個小腔體，且每個薄壁二的一端與內(nèi)腔內(nèi)壁形成一個缺口二，使每個小腔體相聯(lián)通。這樣可以是整個水道流通起來，形成良好的循環(huán)效果，所述的結(jié)構主要有內(nèi)部環(huán)形水道組成，在制作上確保水道間不發(fā)生水堵，使得整個水冷盤表面冷卻一致。
【專利說明】 準單晶鑄錠爐的水冷盤
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種準單晶鑄錠爐的水冷盤。
【背景技術】
[0002]目前，太陽能用單晶硅主要通過直拉法制得，現(xiàn)在也有通過鑄造法生產(chǎn)單晶硅，其方法是在坩堝的底部加入籽晶，再在籽晶的上面裝填硅料，在硅原料熔化的過程中，控制籽晶的熔化，使籽晶或者籽晶的一部分始終保持固態(tài)，在冷卻的過程中，準單晶硅沿著籽晶的晶向結(jié)晶，這種方法生產(chǎn)的晶體的缺陷密度較低，同時這種方法的熔化方式也對坩堝的內(nèi)部的涂層提出了更高的要求，間接增加了成本，因此為了解決這些問題需要對定向凝固法制備鑄造單晶硅的裝置進行結(jié)構上的改進，現(xiàn)有通過對多晶硅鑄錠爐進行改造以適合單晶硅的鑄造生產(chǎn)。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種使得整個水冷盤表面冷卻一致的準單晶鑄錠爐的水冷盤。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種準單晶鑄錠爐的水冷盤，其特征在于:所述的水冷盤為矩形箱體，箱體內(nèi)設有一道薄壁一將箱體內(nèi)部分為兩個內(nèi)腔，其中，薄壁一的任意一端與箱體內(nèi)壁形成一個缺口一，使兩個內(nèi)腔相聯(lián)通，薄壁一的另一端的兩側(cè)箱體上分別設有進水孔和出水孔，在每個內(nèi)腔里至少設有兩道與薄壁一垂直設置的薄壁二，將每個內(nèi)腔分割成至少三個小腔體，且每個薄壁二的一端與內(nèi)腔內(nèi)壁形成一個缺口二，使每個小腔體相聯(lián)通。
[0005]所述的結(jié)構主要有內(nèi)部環(huán)形水道組成，在制作上確保水道間不發(fā)生水堵，使得整個水冷盤表面冷卻一致。
[0006]以下對本實用新型所述的一種準單晶鑄錠爐的水冷盤進行進一步的優(yōu)化:
[0007]所述的每個薄壁二的一端與內(nèi)腔內(nèi)壁形成一個缺口二的位置呈交錯布置，這樣可以是整個水道流通起來，行形成良好的循環(huán)效果，有利于整個水冷盤表面冷卻一致。
[0008]所述的兩個內(nèi)腔里薄壁二在相應的內(nèi)腔里均勻分布，這樣使得每個小腔體內(nèi)的水流效果一直，有利于整個水冷盤表面冷卻一致。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是準單晶鑄錠爐的水冷盤示意圖。
[0010]圖2是準單晶鑄錠爐的水冷盤A-A剖視圖。
【具體實施方式】
[0011]下面通過實施方式及附圖對本裝置作進一步詳細的說明:
[0012]參見圖1和圖2，一準單晶鑄錠爐的水冷盤，所述的水冷盤為矩形箱體1，可采用紫銅材料制作而成，箱體I內(nèi)設有一道薄壁一 4將箱體內(nèi)部分為兩個內(nèi)腔，其中，薄壁一 4的任意一端與箱體I內(nèi)壁形成一個缺口一，使兩個內(nèi)腔相聯(lián)通，薄壁一 4的另一端的兩側(cè)箱體I上分別設有進水孔3和出水孔5，在每個內(nèi)腔里設有五道與薄壁一垂直設置的薄壁二 2，將每個內(nèi)腔分割成六個小腔體，所述的兩個內(nèi)腔里薄壁二 2在相應的內(nèi)腔里均勻分布，即兩個內(nèi)腔內(nèi)的五道薄壁二 2以薄壁一 4對稱設置,且每個薄壁二 2的一端與內(nèi)腔內(nèi)壁形成一個缺口二，所述的每個薄壁二 2的一端與內(nèi)腔內(nèi)壁形成的缺口二的位置呈交錯布置，使每個小腔體相聯(lián)通，這樣可以使整個水道流通起來，行形成良好的循環(huán)效果，所述的結(jié)構主要有內(nèi)部環(huán)形水道組成，在制作上確保水道間不發(fā)生水堵，使得整個水冷盤表面冷卻一致。
[0013]同理，可以根據(jù)箱體I的大小不同，可以在每個內(nèi)腔里設置三道或六道薄壁二 2，形成良好的冷卻結(jié)構。
【權利要求】
1.準單晶鑄錠爐的水冷盤，其特征在于:所述的水冷盤為矩形箱體，箱體內(nèi)設有一道薄壁一將箱體內(nèi)部分為兩個內(nèi)腔，其中，薄壁一的任意一端與箱體內(nèi)壁形成一個缺口一，使兩個內(nèi)腔相聯(lián)通，薄壁一的另一端的兩側(cè)箱體上分別設有進水孔和出水孔，在每個內(nèi)腔里至少設有兩道與薄壁一垂直設置的薄壁二，將每個內(nèi)腔分割成至少三個小腔體，且每個薄壁二的一端與內(nèi)腔內(nèi)壁形成一個缺口二，使每個小腔體相聯(lián)通。
2.根據(jù)權利要求1所述的準單晶鑄錠爐的水冷盤，其特征在于:所述的每個薄壁二的一端與內(nèi)腔內(nèi)壁形成一個缺口 二的位置呈交錯布置。
3.根據(jù)權利要求1所述的準單晶鑄錠爐的水冷盤，其特征在于:所述的兩個內(nèi)腔里薄壁二在相應的內(nèi)腔里均勻分布。
【文檔編號】C30B11/00GK203569231SQ201320469888
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年8月3日 優(yōu)先權日:2013年8月3日
【發(fā)明者】水川, 許柏, 魯廷云 申請人:安徽大晟新能源設備科技有限公司