一種改善pcb金屬包邊局部開窗的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，通過對高頻PCB進(jìn)行第一次外層圖形制作，使需要金屬包邊開窗對應(yīng)板面位置的干膜比板邊、槽邊、孔邊長0.05mm~0.10mm，在蝕刻后進(jìn)行第二次外層圖形制作，使需要金屬包邊開窗對應(yīng)的板面位置比板邊、槽邊、孔邊短0.05mm~0.15mm，之后進(jìn)行第二次蝕刻，使開窗尺寸達(dá)到0~0.5mm，精度為+/-0.05mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過對高頻PCB進(jìn)行二次圖形制作和二次蝕刻的方式，實(shí)現(xiàn)了PCB金屬包邊局部開窗尺寸的有效控制。
【專利說明】—種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法
[0001]【技術(shù)領(lǐng)域】:
本發(fā)明屬于印制電路板制作【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及的是一種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法。
[0002]【背景技術(shù)】:
電子設(shè)備高頻化是電子技術(shù)的發(fā)展趨勢，隨著無線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通訊技術(shù)的日益發(fā)展，對電子設(shè)備中使用的PCB也提出了更高的要求，為了適應(yīng)電子產(chǎn)品的高頻化發(fā)展趨勢要求，出現(xiàn)了高頻PCB。
[0003]目前在高頻PCB的設(shè)計過程中，經(jīng)常會對PCB進(jìn)行金屬包邊(板邊、槽邊、孔邊)處理，以防止PCB內(nèi)層信號泄露而導(dǎo)致信號失真。在對PCB進(jìn)行金屬包邊加工時，通常要求PCB的部分線路與金屬包邊斷開，并使金屬包邊局部形成開窗，以防止焊接時短路；而同時金屬包邊斷開位置又不能延伸到需要防止信號泄露的區(qū)域，因此高頻PCB在進(jìn)行金屬包邊處理過程中，通常存在開窗尺寸難以控制的問題，如果開窗尺寸過小，則容易導(dǎo)致線路焊接時錫與金屬包邊連接造成短路；如果開窗尺寸過大，則容易破壞金屬包邊區(qū)域，導(dǎo)致信號泄露，引起信號失真，因此需要對金屬包邊開窗尺寸及其精度進(jìn)行有效的控制。
[0004]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
為此，本發(fā)明的目的在于提供一種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，以解決目前高頻PCB制作過程中，金屬包邊開窗尺寸及其精度難以控制的問題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明主要采用如下技術(shù)方案:
一種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法,包括:
5101、對高頻PCB進(jìn)行全板電鍍，使板邊、槽邊、孔邊銅厚控制為3ii m?10 ii m ;
5102、對上述高頻PCB進(jìn)行外層圖形制作，且使需要金屬包邊開窗對應(yīng)板面位置的干膜比板邊、槽邊、孔邊長0.05mnT0.1Omm ；
5103、對上述高頻PCB進(jìn)行圖形電鍍，使板邊、槽邊、孔邊的銅厚控制在20y m?30 y m ;
5104、進(jìn)行外層蝕刻；
5105、對上述高頻PCB進(jìn)行第二次外層圖形制作，且使需要金屬包邊開窗對應(yīng)的板面位置比板邊、槽邊、孔邊短0.05mnT0.15mm ；
5106、對上述高頻PCB進(jìn)行第二次外層蝕刻，使開窗尺寸達(dá)到(T0.5mm,精度為+/-0.05mm,蝕刻后退膜和退錫。
[0006]進(jìn)一步地，步驟SlOl之前還包括:對覆銅板進(jìn)行開料，然后進(jìn)行內(nèi)層圖形制作、AOI檢測、壓合、鉆孔、等離子處理和沉銅。
[0007]進(jìn)一步地，步驟S106之后還包括:對高頻PCB進(jìn)行AOI檢測、阻焊、文字、表面處理、成型及電測。
[0008]進(jìn)一步地，步驟S104中，外層蝕刻，蝕刻依線寬公差+/-10%控制，不退錫。
[0009]本發(fā)明通過對高頻PCB進(jìn)行第一次外層圖形制作，使需要金屬包邊開窗對應(yīng)板面位置的干膜比板邊、槽邊、孔邊長0.05mnT0.10mm，在蝕刻后進(jìn)行第二次外層圖形制作，使需要金屬包邊開窗對應(yīng)的板面位置比板邊、槽邊、孔邊短0.05mnT0.15_，之后進(jìn)行第二次蝕刻，使開窗尺寸達(dá)到0~0.5mm，精度為+/-0.05mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過對高頻PCB進(jìn)行二次圖形制作和二次蝕刻的方式，實(shí)現(xiàn)了 PCB金屬包邊局部開窗尺寸的有效控制。
[0010]【專利附圖】

【附圖說明】:
圖1為本發(fā)明改善PCB金屬包邊局部開窗的方法的工藝流程圖；
圖2為本發(fā)明在進(jìn)行第一次外層圖形制作時的PCB俯視圖；
圖3為本發(fā)明在進(jìn)行第一次外層圖形制作時的PCB剖視圖；
圖4為本發(fā)明在進(jìn)行第一次蝕刻后金屬包邊局部開窗示圖；
圖5為本發(fā)明在進(jìn)行第二次外層圖形制作時的PCB俯視圖；
圖6為本發(fā)明在進(jìn)行第二次外層圖形制作時的PCB剖視圖；
圖7為本發(fā)明在進(jìn)行第二次外層蝕刻時的金屬包邊局部開窗示圖。
[0011]【具體實(shí)施方式】:
為闡述本發(fā)明的思想及目的，下面將結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。
[0012]請參見圖1，本發(fā)明實(shí)施例中所述的改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，具體包括如下:
首先對覆銅板進(jìn)行開料，然后進(jìn)行內(nèi)層圖形制作、AOI檢測、壓合、鉆孔、等離子處理和沉銅處理。
[0013]之后為步驟S101、對高頻PCB進(jìn)行全板電鍍，使板邊、槽邊、孔邊銅厚控制為3 iim~10 u m ；
S102、對上述高頻PCB進(jìn)行外層圖形制作，且使需要金屬包邊開窗對應(yīng)板面位置的干膜比板邊、槽邊、孔邊長0.05mm~0.1Omm ；
如圖2、圖3所示，圖2為本發(fā)明在進(jìn)行第一次外層圖形制作時的PCB俯視圖；圖3為本發(fā)明在進(jìn)行第一次外層圖形制作時的PCB剖視圖。在進(jìn)行第一次外層圖形制作時，在銅面上形成有線路，線路上覆蓋有干膜，所述干膜延長至PCB外側(cè)尺寸為0.05mm~0.1Omm ;全板電鍍后金屬包邊的銅厚為3 u m~lO u m ;而銅面上形成的線路到PCB邊側(cè)的距離≥0.15mm。
[0014]S103、對上述高頻PCB進(jìn)行圖形電鍍，使板邊、槽邊、孔邊的銅厚控制在20 μm~30 μ m ；
S104、進(jìn)行外層蝕刻；
如圖4所示，圖4為本發(fā)明在進(jìn)行第一次蝕刻后金屬包邊局部開窗示圖。在進(jìn)行外層蝕刻時，蝕刻依線寬公差+/-10%控制，不退錫，此時線路到板邊的距離> 0.15mm ;蝕刻后金屬包邊局部開窗尺寸為0 ii nT50 u m ;圖形電鍍后金屬包邊的銅厚為10 u nT40 u m。
[0015]S105、對上述高頻PCB進(jìn)行第二次外層圖形制作，且使需要金屬包邊開窗對應(yīng)的板面位置比板邊、槽邊、孔邊短0.05mm~0.15mm ；
如圖5、圖6所示，圖5為本發(fā)明在進(jìn)行第二次外層圖形制作時的PCB俯視圖；圖6為本發(fā)明在進(jìn)行第二次外層圖形制作時的PCB剖視圖。經(jīng)過第二次外層圖形制作之后，此時線路到板邊的距離≥0.15mm，干膜到板邊的距離≥0.075mm ;蝕刻后金屬包邊局部開窗尺寸為0 μ m~50μm ;圖形電鍍后銅厚10 u nm~40 u m。
[0016]S106、對上述高頻PCB進(jìn)行第二次外層蝕刻，使開窗尺寸達(dá)到0~0.5mm,精度為+/-0.05mm,蝕刻后退膜和退錫。[0017]如圖7所示，圖7為本發(fā)明在進(jìn)行第二次外層蝕刻時的金屬包邊局部開窗示圖。經(jīng)過第二次外層蝕刻之后，線路到邊的距離>0.15mm;圖形電鍍后金屬包邊銅厚為10 u m?40 u m ;金屬包邊局部開窗尺寸為0 y m?500 u m。
[0018]之后還需要對高頻PCB進(jìn)行AOI檢測、阻焊、文字、表面處理、成型及電測，最終完成質(zhì)檢、包裝和出貨。
[0019]以上是對本發(fā)明所提供的一種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法,其特征在于,包括: 5101、對高頻PCB進(jìn)行全板電鍍，使板邊、槽邊、孔邊銅厚控制為3ii m?10 ii m ; 5102、對上述高頻PCB進(jìn)行外層圖形制作，且使需要金屬包邊開窗對應(yīng)板面位置的干膜比板邊、槽邊、孔邊長0.05mnT0.1Omm ； 5103、對上述高頻PCB進(jìn)行圖形電鍍，使板邊、槽邊、孔邊的銅厚控制在20y m?30 y m ; 5104、進(jìn)行外層蝕刻； 5105、對上述高頻PCB進(jìn)行第二次外層圖形制作，且使需要金屬包邊開窗對應(yīng)的板面位置比板邊、槽邊、孔邊短0.05mnT0.15mm ； 5106、對上述高頻PCB進(jìn)行第二次外層蝕刻，使開窗尺寸達(dá)到(T0.5mm,精度為+/-0.05mm,蝕刻后退膜和退錫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，其特征在于，步驟SlOl之前還包括:對覆銅板進(jìn)行開料，然后進(jìn)行內(nèi)層圖形制作、AOI檢測、壓合、鉆孔、等離子處理和沉銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，其特征在于，步驟S106之后還包括:對高頻PCB進(jìn)行AOI檢測、阻焊、文字、表面處理、成型及電測。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，其特征在于，步驟S104中，外層蝕刻，蝕刻依線寬公差+/-10%控制，不退錫。
【文檔編號】H05K3/00GK103648236SQ201310754257
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】李長生, 嚴(yán)來良, 文澤生, 安國義 申請人:深圳市深聯(lián)電路有限公司