單晶爐中軸蓋的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明單晶爐中軸蓋，包括接觸板以及設(shè)置在所述接觸板上、下表面的內(nèi)圈及提拉環(huán)；其中所述接觸板為圓形，所述接觸板的直徑大于單晶爐中軸管道口的內(nèi)直徑；所述內(nèi)圈為圓形，所述內(nèi)圈的直徑小于單晶爐中軸管道口的內(nèi)直徑。所述接觸板與所述內(nèi)圈同軸設(shè)置。本發(fā)明單晶爐中軸蓋使用中軸蓋，在單晶爐熱場清掃過程中覆蓋在中軸管道之上，防止氧化物粉塵、顆粒堵塞管道。
【專利說明】單晶爐中軸蓋
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種單晶爐工具，特別是一種單晶爐中軸蓋。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶爐制取單晶晶棒過程中產(chǎn)生灰塵、顆粒，在爐體以及熱場部件中附著，需要清理，清理過程中容易進(jìn)入到爐體下部管道的波紋管中。容易導(dǎo)致波紋管損壞，以及影響單晶制取正常進(jìn)行。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種防止氧化物粉塵、顆粒堵塞管道的單晶爐中軸蓋。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明單晶爐中軸蓋，包括接觸板以及設(shè)置在所述接觸板上、下表面的內(nèi)圈及提拉環(huán)；其中所述接觸板為圓形，所述接觸板的直徑大于單晶爐中軸管道口的內(nèi)直徑；所述內(nèi)圈為圓形，所述內(nèi)圈的直徑小于單晶爐中軸管道口的內(nèi)直徑。所述接觸板與所述內(nèi)圈同軸設(shè)置。
[0005]本發(fā)明單晶爐中軸蓋使用中軸蓋，在單晶爐熱場清掃過程中覆蓋在中軸管道之上，防止氧化物粉塵、顆粒堵塞管道。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為本發(fā)明單晶爐中軸俯視視圖；
[0007]圖2為本發(fā)明單晶爐中軸蓋正視圖
[0008]圖3為本發(fā)明單晶爐中軸蓋使用示意圖。
[0009]本發(fā)明單晶爐中軸蓋附圖中附圖標(biāo)記說明:
[0010]1-單晶爐2-中軸蓋3-管道口
[0011]4-中軸 5-接觸板6-內(nèi)圈
[0012]7-提拉環(huán)
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明單晶爐中軸蓋作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0014]如圖1~圖3所示，本發(fā)明單晶爐中軸蓋，包括:圓形接觸板5以及設(shè)置在接觸板5下表面的圓形內(nèi)圈6，接觸板5與內(nèi)圈6同軸設(shè)置。在接觸板5上表面上安裝提拉環(huán)7。接觸板5的直徑大于單晶爐I中軸4管道口 3的內(nèi)直徑；內(nèi)圈6的直徑小于單晶爐I中軸4管道口 3的內(nèi)直徑。
[0015]單晶爐I臺(tái)制取單晶結(jié)束后，清掃爐臺(tái)時(shí)，或者在其他情況需要清掃爐臺(tái)時(shí)，下降中軸4至管道口 3下部，中軸4下降至平齊管道口 3之后，手拿提提拉環(huán)7，蓋上中軸4蓋2，使接觸板5與管道口 3后接觸良好，進(jìn)行正常清掃，包括單晶爐I爐內(nèi)熱場部件，熱場部件以及爐內(nèi)清掃結(jié)束后，手拿提拉環(huán)7，取出中軸4蓋2。[0016]本發(fā)明單晶爐中軸蓋使用中軸蓋，在單晶爐熱場清掃過程中覆蓋在中軸管道之上，防止氧化物粉塵、顆粒堵塞管道。
[0017]以上已對本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.單晶爐中軸蓋，其特征在于，包括接觸板以及設(shè)置在所述接觸板上、下表面的內(nèi)圈及提拉環(huán)；其中所述接觸板為圓形，所述接觸板的直徑大于單晶爐中軸管道口的內(nèi)直徑；所述內(nèi)圈為圓形，所述內(nèi)圈的直徑小于單晶爐中軸管道口的內(nèi)直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單 晶爐中軸蓋，其特征在于，所述接觸板與所述內(nèi)圈同軸設(shè)
【文檔編號(hào)】C30B35/00GK103572376SQ201310539134
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月4日
【發(fā)明者】陳小林, 賀賢漢 申請人:上海申和熱磁電子有限公司