電子部件內(nèi)置基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種可以實現(xiàn)高性能化的電子部件內(nèi)置基板。其具備具有基板配線層（121～123）的樹脂基板（110）、以及埋入到樹脂基板（110）的半導(dǎo)體IC（200）。樹脂基板（110）具有使設(shè)置在半導(dǎo)體IC（200）的多個外部電極（230）露出的多個通孔（143a）、以及埋入到多個通孔（143a）內(nèi)并將基板配線層（123）與外部電極（130）連接的多個貫通導(dǎo)體（143）。多個通孔（143a）的至少一部分具有彼此不同的形狀或尺寸。根據(jù)本發(fā)明，可以使例如規(guī)定的貫通導(dǎo)體（143）低電阻化，因而可以提供更高性能的電子部件內(nèi)置基板。
【專利說明】電子部件內(nèi)置基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子部件內(nèi)置基板及其制造方法，特別是涉及可以實現(xiàn)低成本化、薄型化和高性能化的電子部件內(nèi)置基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在一般的印刷基板中，在基板的表面安裝有多個半導(dǎo)體IC等的電子器件，這些電子器件的連接經(jīng)由基板內(nèi)部的配線層來進行。然而，由于這樣的類型的印刷基板將整體的厚度減薄是困難的，因此，作為面向智能手機等要求薄型化的設(shè)備的印刷基板，有時使用將半導(dǎo)體IC等的電子部件埋入到樹脂層的類型的電子部件內(nèi)置基板。
[0003]例如，在專利文獻I中，記載了將半導(dǎo)體IC嵌入設(shè)置在樹脂基板的凹部，其后，使設(shè)置在半導(dǎo)體IC的釘頭凸點(stud bump)露出的半導(dǎo)體IC內(nèi)置基板的制造方法。另外，在專利文獻2中，記載了通過將激光照射到埋入了半導(dǎo)體IC的樹脂基板而使設(shè)置在半導(dǎo)體IC的外部電極露出，由此將半導(dǎo)體IC的焊盤電極與樹脂基板的配線層連接的方法。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本特開平9-321408號公報
[0007]專利文獻2:日本特開2002-246500號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0009]然而，專利文獻1，2所記載的半導(dǎo)體IC內(nèi)置基板有必要預(yù)先在半導(dǎo)體IC的焊盤形成釘頭凸點或過渡層等，存在制造成本高這樣的問題。而且，專利文獻1，2所記載的半導(dǎo)體IC內(nèi)置基板由于釘頭凸點或過渡層等的存在而有難以減薄基板整體的厚度的問題。此夕卜，在專利文獻1，2所記載的半導(dǎo)體IC內(nèi)置基板中，連接于半導(dǎo)體IC的焊盤電極的貫通導(dǎo)體的直徑或形狀全部相同，因而例如使特定的電源配線低電阻化這樣的特性的改善是困難的。這樣的問題是不僅在半導(dǎo)體IC內(nèi)置基板而且在埋入了半導(dǎo)體IC以外的電子部件的電子部件內(nèi)置基板中也普遍會產(chǎn)生的問題。
[0010]因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種可以實現(xiàn)低成本化、薄型化和高性能化的電子部件內(nèi)置基板及其制造方法。
[0011]解決技術(shù)問題的手段
[0012]本發(fā)明的電子部件內(nèi)置基板，其特征在于，具備:樹脂基板，具有基板配線層；以及電子部件，埋入到所述樹脂基板；所述樹脂基板具有使設(shè)置在所述電子部件的多個外部電極露出的多個通孔、以及埋入到所述多個通孔內(nèi)并將所述基板配線層與所述外部電極連接的多個貫通導(dǎo)體，所述多個通孔的至少一部分具有彼此不同的形狀或尺寸。
[0013]根據(jù)本發(fā)明，多個通孔的至少一部分具有彼此不同的形狀或尺寸，因而可以使例如規(guī)定的貫通導(dǎo)體低電阻化。由此，可以提供更高性能的電子部件內(nèi)置基板。[0014]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述電子部件是半導(dǎo)體1C。半導(dǎo)體IC具有電源用的外部電極或信號用的外部電極等種類不同的多種外部電極，因而通過根據(jù)外部電極的種類或形狀選擇通孔的形狀或尺寸，能夠使電子部件內(nèi)置基板更高性能化。
[0015]在這種情況下，優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體IC具有多個片狀配線層，在所述多個片狀配線層中最上層的片狀配線層，設(shè)置有所述多個外部電極、以及至少在所述最上層的片狀配線層中不與所述多個外部電極的任一個相連接的內(nèi)部配線。這樣的半導(dǎo)體IC不設(shè)置所謂的焊盤層，因而能夠削減用于形成焊盤層的成本，并且由于焊盤層不存在的理由，可以更薄型化。
[0016]在本發(fā)明中，所述多個外部電極中，開口面積相對大的第I通孔分配在面積相對大的第I外部電極，開口面積相對小的第2通孔分配在面積相對小的第2外部電極。據(jù)此，可以匹配外部電極的尺寸而使貫通導(dǎo)體的尺寸最大化。
[0017]在這種情況下，優(yōu)選地，所述第I外部電極是電源用的電極，所述第2外部電極是信號用的電極。據(jù)此，可以使電源用的貫通導(dǎo)體低電阻化。
[0018]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述多個通孔的至少一部分具有沿著相對應(yīng)的外部電極的外形的平面形狀。據(jù)此，可以使貫通導(dǎo)體的尺寸最大化。
[0019]在這種情況下，優(yōu)選地，所述多個外部電極的至少一部分具有在第I方向上延伸的第I電極部分、以及在與所述第I方向交叉的第2方向上延伸的第2電極部分，分配在所述多個外部電極的所述至少一部分的通孔具有使所述第I電極部分露出的第I開口部、以及使所述第2電極部分露出的第2開口部。據(jù)此，外部電極即使是L字型、U字型、H字型等沒有被整形的不同形狀，也可以使貫通導(dǎo)體的尺寸最大化。
[0020]另外，本發(fā)明的電子部件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于，具有:第I工序，將電子部件埋入到樹脂基板；第2工序，通過在所述樹脂基板形成多個通孔，從而使設(shè)置在所述電子部件的多個外部電極露出；以及第3工序，通過形成填埋所述多個通孔的多個貫通導(dǎo)體，從而將設(shè)置在所述樹脂基板的基板配線層與設(shè)置在所述電子部件的所述外部電極連接；在所述第2工序中，將所述多個通孔的至少一部分制成彼此不同的直徑或形狀。
[0021]根據(jù)本發(fā)明，多個通孔的至少一部分具有彼此不同的形狀或尺寸，因而可以使例如規(guī)定的貫通導(dǎo)體低電阻化。由此，可以提供更高性能的電子部件內(nèi)置基板。
[0022]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述第2工序包含除去所述基板配線層的一部分的工序、以及通過將除去了所述一部分的所述基板配線層作為掩模的噴砂(blast)加工而形成所述多個通孔的工序。據(jù)此，可以一概地形成具有不同的形狀或尺寸的多個通孔。
[0023]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述電子部件是半導(dǎo)體1C。如上述那樣，半導(dǎo)體IC具有電源用的外部電極或信號用的外部電極等種類不同的多種外部電極，因而通過根據(jù)外部電極的種類或形狀選擇通孔的形狀或尺寸，能夠使電子部件內(nèi)置基板更高性能化。
[0024]在這種情況下，優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體IC具有多個片狀配線層，在所述多個片狀配線層中的最上層的片狀配線層，設(shè)置有所述多個外部電極、以及至少在所述最上層的片狀配線層中不與所述多個外部電極的任一個相連接的內(nèi)部配線。這樣的半導(dǎo)體IC不設(shè)置所謂的焊盤層，因而能夠削減用于形成焊盤層的成本，并且由于焊盤層不存在的理由，可以更薄型化。
[0025]發(fā)明的效果[0026]如此，根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化、薄型化和高性能化的電子部件內(nèi)置基板及其制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1表示本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的電子部件內(nèi)置基板100的構(gòu)造的示意的截面圖。
[0028]圖2是用于說明半導(dǎo)體IC200的構(gòu)造的示意的截面圖。
[0029]圖3是表示形成于片狀配線層M3的配線圖案的一個例子的平面圖。
[0030]圖4 Ca)是一般的半導(dǎo)體IC的大致截面圖，圖4 (b)是一般的半導(dǎo)體IC的大致平面圖。
[0031]圖5是用于說明使片狀配線層M3露出的通孔143a的位置、形狀和尺寸的平面圖。
[0032]圖6 Ca)表示將貫通導(dǎo)體143的平面形狀設(shè)為矩形的情形，圖6 (b)表示將貫通導(dǎo)體143的平面形狀設(shè)為橢圓形的情形。
[0033]圖7是用于說明電子部件內(nèi)置基板100的制造方法的工序圖。
[0034]圖8是用于說明電子部件內(nèi)置基板100的制造方法的工序圖。
[0035]圖9是用于說明 電子部件內(nèi)置基板100的制造方法的工序圖。
[0036]圖10是用于說明電子部件內(nèi)置基板100的制造方法的工序圖。
[0037]圖11是用于說明電子部件內(nèi)置基板100的制造方法的工序圖。
[0038]圖12是用于說明電子部件內(nèi)置基板100的制造方法的工序圖。
[0039]圖13是用于說明電子部件內(nèi)置基板100的制造方法的工序圖。
[0040]符號說明:
[0041]100 電子部件內(nèi)置基板
[0042]110樹脂基板
[0043]121~123 基板配線層
[0044]123a金屬膜
[0045]124配線
[0046]131~133 樹脂層
[0047]133a熱硬化性樹脂
[0048]141~143 貫通導(dǎo)體
[0049]142a, 143a, 143al ~143a9 通孔
[0050]200半導(dǎo)體 IC
[0051]200a半導(dǎo)體IC的表面
[0052]210半導(dǎo)體基板
[0053]221~223 層間絕緣膜
[0054]224，225 鈍化膜
[0055]230外部電極
[0056]231~239 配線圖案
[0057]231a ~234a, 231b ~235b 矩形狀區(qū)域
[0058]235a幅寬區(qū)域[0059]237a第I電極部分
[0060]237b第2電極部分
[0061]240內(nèi)部配線
[0062]D漏區(qū)域
[0063]G柵電極
[0064]GL, Ml, M2, M3 片狀配線層
[0065]M4焊盤層
[0066]P焊盤電極
[0067]S源區(qū)域
【具體實施方式】
[0068]以下，一邊參照附圖，一邊詳細地說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
[0069]圖1表示本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的電子部件內(nèi)置基板100的構(gòu)造的示意的截面圖。再有，上下左右等的位置關(guān)系只要沒有事先說定，則為基于附圖所示的位置關(guān)系。另外，附圖的尺寸比例不限定于附圖的比例。此外，以下的實施方式是用于說明本發(fā)明的例示，并不是旨在將本發(fā)明只限定于該實施方式。再者，本發(fā)明只要不偏離其要旨，可以進行各種各樣的變形。
[0070]如圖1所示，本實`施方式的電子部件內(nèi)置基板100具備樹脂基板110、以及埋入到樹脂基板110的裸芯片狀態(tài)的半導(dǎo)體IC200。雖然沒有特別限定，但半導(dǎo)體IC200的厚度薄型化至例如200 u m以下、更優(yōu)選50~100 y m左右。關(guān)于半導(dǎo)體IC200的種類沒有特別限定，可以舉出 CPU (Central Processing Unit)或 DSP (Digital Signal Processor)那樣工作頻率非常高的數(shù)字IC、F-Rom或SDRAM等的存儲類1C、高頻放大器或天線開關(guān)、高頻振蕩電路這樣的模擬IC等。
[0071]在樹脂基板110，設(shè)置有3個基板配線層121，122，123。在基板配線層121，122間設(shè)置有樹脂層131，在基板配線層122，123間設(shè)置有樹脂層132，133。基板配線層121是露出于樹脂基板110的一個表面(下表面)的配線層，基板配線層123是露出于樹脂基板110的另一個表面(上表面)的配線層。相對于此，基板配線層122是埋入到樹脂基板110的內(nèi)部的配線層?；迮渚€層121，122經(jīng)由貫通樹脂層131而設(shè)置的貫通導(dǎo)體141連接，基板配線層122，123經(jīng)由貫通樹脂層132，133而設(shè)置的貫通導(dǎo)體142而連接。
[0072]半導(dǎo)體IC200以面朝上方式載置于樹脂層132，并且埋入到樹脂層133。在半導(dǎo)體IC200的主面?zhèn)鹊谋砻?00a，設(shè)置有具有多個外部電極230的片狀配線層。雖然細節(jié)在后面敘述，但本實施方式中使用的半導(dǎo)體IC200與一般的半導(dǎo)體IC不同，不設(shè)置作為所謂焊盤電極定義的電極，在最上層的片狀配線層形成的配線照原樣地作為外部電極230使用。外部電極230通過設(shè)置在樹脂層133的多個通孔143a而露出，并且經(jīng)由填埋這些通孔143a的多個貫通導(dǎo)體143而連接于基板配線層123。
[0073]圖2是用于說明半導(dǎo)體IC200的構(gòu)造的示意的截面圖。
[0074]如圖2所示，半導(dǎo)體IC200具備由硅(Si)或鎵化合物(GaAs)等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板210、半導(dǎo)體基板210的表面所形成的多個片狀配線層GL，Ml, M2, M3、以及分離這些片狀配線層間的層間絕緣膜221，222，223。位于最下層的片狀配線層GL是形成有MOS晶體管的柵電極G等的配線層。在被柵電極G覆蓋的半導(dǎo)體基板210的兩側(cè)形成有源區(qū)域S和漏區(qū)域D，通過這些柵電極G、源區(qū)域S和漏區(qū)域D而形成MOS晶體管。
[0075]片狀配線層Ml，M2, M3是比片狀配線層GL位于更上層的配線層，在本實施方式中，片狀配線層M3位于最上層。位于最上層的片狀配線層M3可以直接地露出，也可以被鈍化膜224覆蓋。在片狀配線層M3直接地露出的情況下，外部電極230與樹脂層133直接接觸，在被鈍化膜224覆蓋的情況下，鈍化膜224介于外部電極230與樹脂層133之間。
[0076]圖3是表示片狀配線層M3所形成的配線圖案的一個例子的平面圖。
[0077]如圖3所示，在片狀配線層M3，形成有具有各種各樣的形狀和大小的多個配線圖案。例如，配線圖案231是在X方向上延伸的配線圖案，在其一端設(shè)置有寬幅的矩形狀區(qū)域231a，在另一端設(shè)置有寬幅的矩形狀區(qū)域231b。同樣地，配線圖案232是在Y方向上延伸的配線圖案，在其一端設(shè)置有寬幅的矩形狀區(qū)域232a，在另一端設(shè)置有寬幅的矩形狀區(qū)域232b。此外，配線圖案233是具有在X方向上延伸的第I電極部分和在Y方向上延伸的第2電極部分的J字型的配線圖案，在其一端設(shè)置有寬幅的矩形狀區(qū)域233a，在另一端設(shè)置有寬幅的矩形狀區(qū)域233b。
[0078]這里，矩形狀區(qū)域231a，232a, 233a比矩形狀區(qū)域231b，232b, 233b面積要大。矩形狀區(qū)域231a，232a, 233a是作為圖1所示的外部電極230來使用的區(qū)域，矩形狀區(qū)域231b, 232b, 233b是形成有用于與位于下層的配線層M2相連接的貫通導(dǎo)體的區(qū)域。這些配線圖案231，232，233配線寬度比較細且作為信號用的配線圖案來使用。
[0079]在片狀配線層M3，設(shè)置有多個更大面積的配線圖案。例如，配線圖案234具備在X方向上延伸的直線部分、設(shè)置在它們的一端的大面積的矩形狀區(qū)域234a、以及設(shè)置在另一端的矩形狀區(qū)域234b。另外，配線圖案235具備在X方向上延伸的直線部分、設(shè)置在它們的一端且在Y方向上延伸的直線的寬幅區(qū)域235a、以及設(shè)置在另一端的矩形狀區(qū)域235b。此外，配線圖案236是具有在X方向上延伸的寬幅的第I電極部分和在Y方向上延伸的寬幅的第2電極部分的L字型的配線圖案。配線圖案237是具有在X方向上延伸的寬幅的第I電極部分237a、以及在Y方向上延伸的2個寬幅的第2電極部分237b的U字型的配線圖案。配線圖案238，239是具有在X方向上延伸的多個第I電極部分和在Y方向上延伸的多個寬幅的第2電極部分的具有復(fù)雜形狀的配線圖案。在配線圖案239，也存在傾斜的部分。
[0080]這些配線圖案234?239均是比較大的面積，作為電源用的配線圖案來使用。這些配線圖案234?239中，大面積的部分或?qū)挿牟糠质亲鳛閳D1所示的外部電極230使用的區(qū)域。矩形狀區(qū)域234b，235b等是形成有用于與位于下層的配線層M2相連接的貫通導(dǎo)體的區(qū)域。
[0081]如圖3所示，在位于最上層的片狀配線層M3，不存在作為所謂焊盤電極定義的圖案，只不過形成多個通常的配線。因此，在配線層M3，也設(shè)置有在該配線層內(nèi)不連接于外部電極的內(nèi)部配線240。
[0082]若是一般的半導(dǎo)體1C，如作為大致截面圖的圖4 Ca)和是大致平面圖的圖4 (b)所示，在最上層規(guī)則地排列有彼此具有相同形狀和尺寸的多個焊盤電極P，這些焊盤電極P作為外部電極使用。相對于此，在本實施方式所使用的半導(dǎo)體IC200，不存在那樣的焊盤電極P。若是焊盤電極P存在的一般的半導(dǎo)體1C，如圖4 (a)所示，在配線層M3的更上層有必要形成焊盤層M4，但本實施方式中不需要這樣的焊盤層M4。因此，可以使半導(dǎo)體IC200更薄型化，從而減少這樣的焊盤層M4和覆蓋它的鈍化膜225的膜厚的量。而且，由于不需要形成焊盤層M4和鈍化膜225的工序，因此，這樣也可以削減半導(dǎo)體IC200的制造成本。
[0083]圖5是用于說明使片狀配線層M3露出的通孔143a的位置、形狀和尺寸的平面圖。
[0084]如圖5所示，在本實施方式中通孔143a具有各種各樣的形狀和尺寸。更具體而言地說明，使矩形狀區(qū)域231a，232a, 233a露出的通孔143al?143a3為大致圓形，其尺寸比較小。相對于此，使大面積的矩形狀區(qū)域234a露出的通孔143a4匹配矩形狀區(qū)域234a的形狀而為橢圓形，其尺寸比通孔143al?143a3大。另外，使直線的寬幅區(qū)域235a露出的通孔143a5匹配寬幅區(qū)域235a的形狀而為直線，其尺寸比通孔143al?143a3大。此外，使配線圖案236露出的通孔143a6設(shè)置在與在X方向上延伸的寬幅的第I電極部分相對應(yīng)的位置，其尺寸也比通孔143al?143a3大。
[0085]使配線圖案237露出的通孔143a7匹配U字狀的配線圖案237的形狀而具有U字狀的形狀，其尺寸也比通孔143al?143a3大。更具體地說明，通孔143a7具有使第I電極部分237a露出的第I開口部、以及使第2電極部分237b露出的第2開口部，它們具有相連的U字狀的形狀。使配線圖案238露出的通孔143a8匹配配線圖案238的一部分的形狀而具有E字狀的形狀，其尺寸也比通孔143al?143a3大。再者，使配線圖案239露出的通孔143a9匹配配線圖案239的形狀，具有連接2個橢圓的形狀，其尺寸也比通孔143al?143a3大。
[0086]如此，通常的半導(dǎo)體IC中位于焊盤層M4的下層的配線層M3在本實施方式中位于最上層，因而沿著在配線層M3形成的配線圖案的外形，能夠任意地設(shè)定通孔143a的平面形狀。由此，例如，可以使電源用的貫通導(dǎo)體那樣要低電阻化的貫通導(dǎo)體比信號用的導(dǎo)體更大型化。再有，不言而喻，不需要使全部通孔143a的形狀和尺寸彼此不同，只要就多個通孔143a的至少一部分而言使形狀或尺寸彼此不同便足夠了。
[0087]再有，貫通導(dǎo)體143的平面形狀，與矩形相比優(yōu)選為圓形或橢圓形那樣去除角的形狀。這是因為，如圖6 (a)所示，在貫通導(dǎo)體143為矩形的情況下，如用符號A表示那樣，相對于從貫通導(dǎo)體143引出的配線124容易與相鄰接的貫通導(dǎo)體143干擾而言，如圖6(b)所示，作為貫通導(dǎo)體143的形狀而成為去除角的圓形狀的情況，這樣的干擾難以產(chǎn)生，因而配線的設(shè)計自由度提高。但是，如圖6 (a)所示，去除角之前的矩形狀有利于貫通導(dǎo)體143的尺寸大從而低電阻化，因而就不產(chǎn)生配線的干擾的位置的貫通導(dǎo)體143特別是電源用的貫通導(dǎo)體143而言，也可以是圖6 (a)所示那樣的矩形狀。
[0088]接著，就本實施方式的電子部件內(nèi)置基板100的制造方法進行說明。
[0089]圖7?圖13是用于說明電子部件內(nèi)置基板100的制造方法的工序圖。
[0090]首先，如圖7所示，準(zhǔn)備銅箔等的金屬膜貼合在由玻璃環(huán)氧等構(gòu)成的樹脂層131的兩面而成的基材(工作板)、即兩面CCL (敷銅箔疊層板，Copper Clad Laminate)。接著,通過鉆孔或激光而對樹脂層131穿孔，從而對通孔開口，再通過無電鍍和電鍍在通孔的內(nèi)部形成貫通導(dǎo)體141后，通過公知的手法對金屬膜圖案化，從而形成基板配線層121，122。
[0091]再有，基板配線層121，122不限定于上述的Cu，可以使用其他的金屬例如Au, Ag, Ni, Pd, Sn, Cr, Al, W，F(xiàn)e, Ti, SUS材等的金屬導(dǎo)電材料，從導(dǎo)電率或成本的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用Cu。對于后述的基板配線層123也是同樣的。
[0092]另外，樹脂層131所使用的材料只要是可以以薄片狀或薄膜狀成形的材料便可以無限制地使用，除了上述的玻璃環(huán)氧以外，還可以舉出例如乙烯基苯甲基樹脂、聚乙烯基苯甲基醚化合物樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、聚苯醚(聚苯醚氧化物)樹脂(PPE，PPO)、氰酸酯樹脂、環(huán)氧 + 活性酯硬化樹脂、聚苯醚樹脂(聚(二)苯醚樹脂)、硬化性聚烯烴樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂、聚酰亞胺樹脂、芳香族聚酯樹脂、芳香族液晶聚酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、氟樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、或苯并惡嗪樹脂的單體，或者在這些樹脂中添加了 二氧化硅、滑石、碳酸鈣、碳酸鎂、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鋁晶須、鈦酸鉀纖維、氧化鋁、玻璃片、玻璃纖維、氮化鉭、氮化鋁等的材料，還有在這些樹脂中添加了包含鎂、硅、鈦、鋅、鈣、鍶、鋯、錫、釹、釤、鋁、鉍、鉛、鑭、鋰和鉭中的至少I種金屬的金屬氧化物粉末的材料，再還有在這些樹脂中調(diào)配了玻璃纖維、芳綸纖維等的樹脂纖維等的材料，或者將這些樹脂浸潰在玻璃布、芳綸纖維、無紡布等的材料等，從電氣特性、機械特性、吸水性、回流耐性等的觀點出發(fā)，能夠適宜地選擇。
[0093]接著，如圖8所示，通過將例如樹脂薄片等真空壓接到樹脂層131的表面來進行層疊，從而形成樹脂層132。由此,得到所謂的RCC (Resin Coated Copper)構(gòu)造。
[0094]接著，如圖9所示，將例如薄型化至200 μ m以下更優(yōu)選50?100 μ m左右的半導(dǎo)體IC200以面朝上方式載置在樹脂層132的表面。如上述那樣，半導(dǎo)體IC200是裸芯片狀態(tài)的半導(dǎo)體1C，處于最上層的片狀配線層M3露出或者片狀配線層M3被鈍化膜覆蓋的狀態(tài)。半導(dǎo)體IC200的薄型化加工優(yōu)選在晶片狀態(tài)下對多個半導(dǎo)體IC200 —同進行。作為加工順序，優(yōu)選首先研削晶片的背面，其后通過切割而將多個半導(dǎo)體IC200單片化。作為其他的方法，可以在通過研削處理減薄前通過切割將多個半導(dǎo)體IC200單片化，也可對晶片半切割。在這種情況下，優(yōu)選在通過熱硬化性樹脂等覆蓋半導(dǎo)體IC200的主面的狀態(tài)下研削背面。如此，就半導(dǎo)體IC200的薄型化加工的方法而言沒有特別限定，可以使用各種方法。研削半導(dǎo)體IC200的背面后，優(yōu)選通過刻蝕、等離子處理、激光處理、噴砂加工、利用研磨機研磨、拋光處理、藥物處理來進行粗糙化。據(jù)此，可以提高與樹脂層132的密接性。
[0095]接著，如圖10所示，通過將形成有金屬膜123a的未硬化或半硬化狀態(tài)的熱硬化性樹脂133a重疊于樹脂層132，從而將半導(dǎo)體IC200埋入到熱硬化性樹脂133a。然后，使用擠壓機構(gòu)進行熱擠壓，從而使未硬化或半硬化狀態(tài)的熱硬化性樹脂133a硬化，形成樹脂層133。由此，半導(dǎo)體IC200和金屬膜123a牢固地緊密附著于樹脂層133。再有，將未硬化或半硬化狀態(tài)的熱硬化性樹脂133a重疊于樹脂層132后，也可以通過無電鍍和電鍍形成金屬膜 123a。
[0096]接著，如圖11所示，通過圖案化除去位于半導(dǎo)體IC200的外部電極的正上方的金屬膜123a后，如圖12所示，將殘存的金屬膜123a作為掩模在樹脂層133形成通孔142a, 143a。由此，基板配線層122的一部分經(jīng)由通孔142a而露出，并且半導(dǎo)體IC200的外部電極230的一部分經(jīng)由通孔143a而露出。關(guān)于通孔142a，143a的形成方法沒有特別限定，優(yōu)選使用噴砂處理或激光處理，特別優(yōu)選使用噴砂處理。這是因為，若使用噴砂處理，則可以總括地形成形狀、尺寸和深度的不同的多個通孔142a，143a。另外，本實施方式中有必要形成具有各種形狀和尺寸的通孔143a，因而在激光處理的情況下，產(chǎn)生重復(fù)進行激光照射的區(qū)域，半導(dǎo)體IC200有損傷的擔(dān)憂，并且制造交貨時間增加。另外，在噴砂處理中，特別優(yōu)選選擇濕法噴砂處理。若使用濕法噴砂處理，則能夠防止將通孔142a，143a穿孔時會產(chǎn)生的靜電所引起帶電，因而保護半導(dǎo)體IC200受到靜電破壞。[0097]接著，如圖13所示，通過無電鍍在通孔143a的內(nèi)壁形成金屬膜后，施行電鍍，從而形成貫通導(dǎo)體143和基板配線層123。然后，只要將基板配線層123圖案化成所期望的形狀，便完成圖1所示的電子部件內(nèi)置基板100。再有，優(yōu)選在基板配線層123的圖案化中，以不對貫通導(dǎo)體142，143刻蝕的方式掩蓋貫通導(dǎo)體142，143的上部。換言之，覆蓋貫通導(dǎo)體142，143的部分的基板配線層123的尺寸優(yōu)選比貫通導(dǎo)體142，143大。這是因為，若基板配線層123的尺寸比貫通導(dǎo)體142，143小，則對基板配線層123圖案化時的刻蝕液會混入到通孔內(nèi)部，通孔接觸電阻變大。因此，覆蓋貫通導(dǎo)體142，143的部分的基板配線層123的尺寸優(yōu)選為設(shè)計成相對于該貫通導(dǎo)體142，143大一定程度以上。
[0098]如以上說明那樣，根據(jù)本實施方式，將不設(shè)置焊盤層的半導(dǎo)體IC200埋入到樹脂基板，因而能夠匹配外部電極230的形狀或尺寸而任意地設(shè)置貫通導(dǎo)體143的形狀和尺寸。由此，能夠使例如電源用的貫通導(dǎo)體143比信號用的貫通導(dǎo)體143更大型化，因而可以使電源低電阻化。而且，由于省略了焊盤層，因此不僅可以降低半導(dǎo)體IC200的制造成本，還可以進一步減薄電子部件內(nèi)置基板100的全體的厚度。
[0099]以上，就本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行了說明，但本發(fā)明不限定于上述的實施方式，在不偏離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進行各種變更，不言而喻，這些也是包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0100]例如，在上述實施方式中，I個半導(dǎo)體IC200內(nèi)置在樹脂基板110，但關(guān)于內(nèi)置的半導(dǎo)體IC的個數(shù)不限定于此，也可以是2個以上。在內(nèi)置2個以上的半導(dǎo)體IC的情況下，這些2個以上的半導(dǎo)體IC可以埋入到同一樹脂層內(nèi)，也可以分別埋入到不同的樹脂層。在分別將半導(dǎo)體IC埋入到不同的樹脂層的情況下，只要重復(fù)圖9?圖13的工序。
[0101]另外，上述實施方式中將半導(dǎo)體IC200埋入到樹脂基板110，但埋入到樹脂基板的電子部件不限定于半導(dǎo)體1C，也可以是其他電子部件例如可變電阻、電阻、電容器等無源部件。但是，半導(dǎo)體IC具有電源用的外部電極或信號用的外部電極等種類不同的多個外部電極，因而埋入半導(dǎo)體IC在本發(fā)明中最有效果。
【權(quán)利要求】
1.一種電子部件內(nèi)置基板，其特征在于， 具備: 樹脂基板，具有基板配線層；以及 電子部件，埋入到所述樹脂基板， 所述樹脂基板具有使設(shè)置在所述電子部件的多個外部電極露出的多個通孔、以及埋入到所述多個通孔內(nèi)并將所述基板配線層與所述外部電極連接的多個貫通導(dǎo)體， 所述多個通孔的至少一部分具有彼此不同的形狀或尺寸。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述電子部件是半導(dǎo)體1C。
3.如權(quán)利要求2所述的電子部件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述半導(dǎo)體IC具有多個片狀配線層， 在所述多個片狀配線層中的最上層的片狀配線層，設(shè)置有所述多個外部電極、以及至少在所述最上層的片狀配線層中不與所述多個外部電極的任一個相連接的內(nèi)部配線。
4.如權(quán)利要求3所述的電子部件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述最上層的片狀配線層與構(gòu)成所述樹脂基板的樹脂層相接觸。
5.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述多個外部電極中，開口面積`相對大的第I通孔分配在面積相對大的第I外部電極，開口面積相對小的第2通孔分配在面積相對小的第2外部電極。
6.如權(quán)利要求5所述的電子部件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述第I外部電極是電源用的電極，所述第2外部電極是信號用的電極。
7.如權(quán)利要求1~6中任一項所述的電子部件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述多個通孔的至少一部分具有沿著相對應(yīng)的外部電極的外形的平面形狀。
8.如權(quán)利要求7所述的電子部件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述多個外部電極的至少一部分具有在第I方向上延伸的第I電極部分、以及在與所述第I方向交叉的第2方向上延伸的第2電極部分， 分配在所述多個外部電極的所述至少一部分的通孔具有使所述第I電極部分露出的第I開口部、以及使所述第2電極部分露出的第2開口部。
9.一種電子部件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 具有: 第I工序，將電子部件埋入到樹脂基板； 第2工序，通過在所述樹脂基板形成多個通孔，從而使設(shè)置在所述電子部件的多個外部電極露出；以及 第3工序，通過形成填埋所述多個通孔的多個貫通導(dǎo)體，從而將設(shè)置在所述樹脂基板的基板配線層與設(shè)置在所述電子部件的所述外部電極連接， 在所述第2工序中，將所述多個通孔的至少一部分制成彼此不同的直徑或形狀。
10.如權(quán)利要求9所述的電子部件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 所述第2工序包含除去所述基板配線層的一部分的工序、以及通過將除去了所述一部分的所述基板配線層作為掩模的噴砂加工而形成所述多個通孔的工序。
11.如權(quán)利要求9或10所述的電子部件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于，所述電子部件是半導(dǎo)體1C。
12.如權(quán)利要求11所述的電子部件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 所述半導(dǎo)體IC具有多個片狀配線層， 在所述多個片狀配線層中的最上 層的片狀配線層，設(shè)置有所述多個外部電極、以及至少在所述最上層的片狀配線層中不與所述多個外部電極的任一個相連接的內(nèi)部配線。
【文檔編號】H05K1/18GK103781278SQ201310487287
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月17日
【發(fā)明者】露谷和俊 申請人:Tdk株式會社