元件結(jié)構(gòu)體以及元件結(jié)構(gòu)體的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種保護(hù)元件免受氧氣、水分等的侵害，能夠抑制元件劣化等的元件結(jié)構(gòu)體以及元件結(jié)構(gòu)體的制造方法。元件結(jié)構(gòu)體(1)具有基板(2)、器件層(3)、第1保護(hù)層(4)、第2保護(hù)層(5)以及密封層(6)。器件層(3)形成于基板2上的第1區(qū)域(11)。第1保護(hù)層(4)由無機(jī)物構(gòu)成，具有形成于器件層(3)周圍的第1邊緣部(4A)，覆蓋器件層(3)，形成于基板(2)上包含第1區(qū)域(11)的第2區(qū)域(12)。第2保護(hù)層(5)由有機(jī)物構(gòu)成，形成于第1保護(hù)層(4)上與第2區(qū)域(12)相對(duì)應(yīng)的第3區(qū)域(13)。密封層(6)由無機(jī)物構(gòu)成，具有形成于第1邊緣部(4A)與第2保護(hù)層(5)周圍的第2邊緣部(6A)，覆蓋第2保護(hù)層(5)，形成于基板(2)上包含第2區(qū)域(12)的第4區(qū)域(14)。
【專利說明】元件結(jié)構(gòu)體以及元件結(jié)構(gòu)體的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種具有保護(hù)器件等免受氧氣、水分等侵害的層積結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)體 以及元件結(jié)構(gòu)體的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 作為含有容易因水分或氧氣而劣化的化合物的元件，例如，近年來盛行研究的有 機(jī)EL(Electro Luminescence)元件等眾所周知。對(duì)于這樣的元件，人們正在嘗試通過由含 有該化合物的層和覆蓋該層的保護(hù)層層積形成的層積結(jié)構(gòu)來抑制水分等滲入元件內(nèi)部。
[0003] 作為具有上述層積結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)體的公知的制造方法，人們公知一種利用與各 層的形成區(qū)域相對(duì)應(yīng)的具有多個(gè)開口的掩膜來形成保護(hù)層的方法。例如，在專利文獻(xiàn)1中， 公示了一種不易受熱變形等引起的歪曲的影響，且具有較大開口面積的掩膜裝置。上述掩 膜裝置具有一端被固定于框體且由此端只向一個(gè)方向延伸的帶狀的蔭罩。
[0004] 專利文獻(xiàn)1:日本發(fā)明專利公開公報(bào)特開2010-168654號(hào)
[0005] 但是，在使用上述掩膜裝置制造元件結(jié)構(gòu)體時(shí)，由于各層的邊緣沒有被覆蓋，所以 存在很難抑制從各層周圍滲入水分等的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠保護(hù)元件免受氧氣、水分等侵 害，抑制元件劣化等的元件結(jié)構(gòu)體以及元件結(jié)構(gòu)體的制造方法。
[0007] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體具有基板、器件層、第1 保護(hù)層、第2保護(hù)層以及密封層。
[0008] 上述器件層形成于上述基板上的第1區(qū)域。
[0009] 上述第1保護(hù)層由無機(jī)物構(gòu)成，具有形成于器件層周圍的第1邊緣部，覆蓋上述器 件層，形成于上述基板上包含上述第1區(qū)域的第2區(qū)域。
[0010] 上述第2保護(hù)層由有機(jī)物構(gòu)成，形成于上述第1保護(hù)層上與上述第2區(qū)域相對(duì)應(yīng) 的第3區(qū)域。
[0011] 上述密封層由無機(jī)物構(gòu)成，具有形成于上述第1邊緣部與上述第2保護(hù)層周圍的 第2邊緣部，覆蓋上述第2保護(hù)層，形成于上述基板上包含上述第2區(qū)域的第4區(qū)域。
[0012] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的制造方法包括在基板 上的第1區(qū)域形成保護(hù)層的工序。
[0013] 在上述基板上包含上述第1區(qū)域的第2區(qū)域形成第1保護(hù)層，以覆蓋上述器件層。
[0014] 在上述第1保護(hù)層上與上述第2區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第3區(qū)域形成第2保護(hù)層。
[0015] 在上述基板上包含上述第2區(qū)域的第4區(qū)域形成密封層，以覆蓋上述第1保護(hù)層 和上述第2保護(hù)層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的示意圖，（A)是大致表 示該元件結(jié)構(gòu)體的剖視圖，（B)是大致表示該元件結(jié)構(gòu)體的俯視圖。
[0017] 圖2是大致表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的制造方法的俯視 圖，（A)表示在基板上形成器件層的狀態(tài)，（B)表示將第1掩膜配置在基板上的狀態(tài)。
[0018] 圖3為大致表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的制造方法的俯視 圖，（A)表示將第2掩膜配置在基板上的狀態(tài)，（B)表示將第3掩膜配置在基板上的狀態(tài)。
[0019] 圖4是大致表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的制造方法所使用的 成膜裝置的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
[0020] 圖5是大致表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的剖視圖。
[0021] 圖6是大致表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體具有基板、器件層、第1 保護(hù)層、第2保護(hù)層和密封層。
[0023] 上述器件層形成于上述基板上的第1區(qū)域。
[0024] 上述第1保護(hù)層由無機(jī)物構(gòu)成，具有形成于器件層周圍的第1邊緣部，覆蓋上述器 件層，形成于上述基板上包含上述第1區(qū)域的第2區(qū)域。
[0025] 上述第2保護(hù)層由有機(jī)物構(gòu)成，形成于上述第1保護(hù)層上與上述第2區(qū)域相對(duì)應(yīng) 的第3區(qū)域。
[0026] 上述密封層由無機(jī)物構(gòu)成，具有形成于上述第1邊緣部與上述第2保護(hù)層周圍的 第2邊緣部，覆蓋上述第2保護(hù)層，形成于上述基板上包含上述第2區(qū)域的第4區(qū)域。
[0027] 在上述元件結(jié)構(gòu)體中，由第1保護(hù)層的第1邊緣部和密封層的第2邊緣部覆蓋器 件層的周圍。從而能夠有效抑制水分、氧氣從器件層周圍滲入。此外，第1保護(hù)層以及密封 層由無機(jī)物構(gòu)成，第2保護(hù)層由有機(jī)物構(gòu)成。通過使像這樣的由無機(jī)物以及有機(jī)物構(gòu)成的 保護(hù)層交替層積，也能夠抑制水分等從層積方向滲入。
[0028] 還有，通過由上述第2邊緣部來覆蓋第1保護(hù)層的第1邊緣部和第2保護(hù)層的周 圍，能夠抑制水分等從這些層之間滲入。因此，上述元件結(jié)構(gòu)體能夠非常高效地發(fā)揮抑制水 分等向器件層滲入的作用，從而抑制器件層出現(xiàn)劣化和故障等。
[0029] 上述第1保護(hù)層和密封層由硅化合物構(gòu)成，更具體來說，可以包含硅氮化合物、硅 氧氮化合物以及硅氧化合物中的一種。此外，也可以使用通過濺射法形成的氧化鋁（A1 203)。
[0030] 由于由這些材料所形成的第1保護(hù)層和密封層的透濕性非常低，所以能夠更有效 地保護(hù)器件層免受水分的侵害，抑制其劣化。
[0031] 上述第2保護(hù)層由丙烯酸樹脂構(gòu)成，例如也可以具有紫外線硬化性。此外也可以 使用聚脲樹脂。
[0032] 由于由這些材料構(gòu)成的第2保護(hù)層形成于由無機(jī)物構(gòu)成的第1保護(hù)層和密封層之 間，因而能夠構(gòu)成透濕性非常低的層積結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠更有效地保護(hù)器件層免受水分等的 侵害。
[0033] 上述元件結(jié)構(gòu)體還可以具有第3保護(hù)層和第4保護(hù)層，其中，第3保護(hù)層由無機(jī)物 構(gòu)成，形成于上述第2保護(hù)層上與上述第3區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第5區(qū)域和上述密封層之間，其周 圍被上述第2邊緣部所覆蓋。第4保護(hù)層由有機(jī)物構(gòu)成，形成于上述第3保護(hù)層上與上述 第5區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第6區(qū)域和上述密封層之間。
[0034] 從而能夠進(jìn)一步抑制水分等從層積方向滲入。此外，由于密封層也形成于上述第 3保護(hù)層與上述第4保護(hù)層的周圍，因而也能夠抑制水分等從這些層的周圍滲入。
[0035] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的制造方法，其包括在基板上的上述 第1區(qū)域形成器件層的工序。
[0036] 在上述基板上包含上述第1區(qū)域的第2區(qū)域形成第1保護(hù)層，以覆蓋上述器件層。
[0037] 在上述第1保護(hù)層上與上述第2區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第3區(qū)域形成第2保護(hù)層。
[0038] 在上述基板上包含上述第2區(qū)域的第4區(qū)域形成密封層，以覆蓋上述第1保護(hù)層 和上述第2保護(hù)層。
[0039] 此外，例如，在上述元件結(jié)構(gòu)體的制造方法中，在上述第1保護(hù)層的形成工序中， 可以利用具有與上述第2區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第1開口的第1掩膜來形成上述第1保護(hù)層；
[0040] 在上述第2保護(hù)層的形成工序中，可以利用具有與上述第3區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第2開 口的第2掩膜來形成上述第2保護(hù)層；
[0041] 在上述密封層的形成工序中，可以利用具有與上述第4區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第3開口的 第3掩膜來形成上述密封層。
[0042] 在上述方法中，可以使用具有與各區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)開口的掩膜來形成各層。從 而，通過在大型基板上制作多個(gè)元件結(jié)構(gòu)體，并按照每個(gè)元件對(duì)這些元件結(jié)構(gòu)體進(jìn)行分離， 能夠一次制造出多個(gè)元件構(gòu)成體。因此，可以提高生產(chǎn)效率。
[0043] 下面參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0044] 〈第1實(shí)施方式〉
[0045] [元件結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)]
[0046] 圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體的示意圖，（A)是大致表 示該元件結(jié)構(gòu)體的剖視圖，（B)是大致表示該元件結(jié)構(gòu)體的俯視圖。元件結(jié)構(gòu)體1具有基 板2、器件層3、第1保護(hù)層4、第2保護(hù)層5以及密封層6。在本實(shí)施方式中，這些部分具有 在Z軸方向?qū)臃e的結(jié)構(gòu)。此外，在圖中，X軸方向以及Y軸方向表不水平方向。Z軸方向表 不與X軸方向和Y軸方向垂直的方向，在本實(shí)施方式中表不鉛直方向。
[0047] 基板2例如由玻璃基板、塑料基板等構(gòu)成。此外，雖然對(duì)于基板2的形狀并沒有特 別限定，但在本實(shí)施方式中，其具有包含與Z軸方向垂直的XY平面的矩形板狀結(jié)構(gòu)。元件 結(jié)構(gòu)體1的基板2的大小、厚度并沒有特別限定，例如其尺寸可以為縱向約730_、橫向約 920mm、厚度約 0. 7mm。
[0048] 器件層3形成于基板2上的第1區(qū)域11。第1區(qū)域的大小以及形狀等并沒有特別 限定，在本實(shí)施方式中其為矩形的區(qū)域。此外，例如如圖1(A)那樣，第1區(qū)域11既能夠形 成于基板2的大致平坦的一個(gè)表面上，又能夠形成于基板2的一個(gè)表面上所形成的凹面上。
[0049] 在本實(shí)施方式中對(duì)器件層3沒有特別限定，可以由含有容易因水分、氧氣而劣化 的材料的有機(jī)發(fā)光元件、液晶元件、發(fā)電元件等構(gòu)成。此外，根據(jù)需要，也可以包含用于連接 這些元件與驅(qū)動(dòng)回路的電極等。器件層可以由單個(gè)元件構(gòu)成，也可以由在一個(gè)面內(nèi)排列的 多個(gè)元件構(gòu)成。
[0050] 第1保護(hù)層4覆蓋器件層3,形成于基板2上的第2區(qū)域12。第2區(qū)域12除要包 含第1區(qū)域11之外，對(duì)于其大小、形狀等沒有特別限定，在本實(shí)施方式中，例如，其構(gòu)成為， 縱橫尺寸分別比器件層3大3mm左右的矩形平面區(qū)域。即，在基板2上，第2區(qū)域12構(gòu)成 為面積與第1區(qū)域11相等或者大于該第1區(qū)域的區(qū)域。此外，對(duì)于第1保護(hù)層4的厚度沒 有特別限定，其在器件層3上的厚度可以為大約300nm?大約1 μ m。
[0051] 第1保護(hù)層4具有形成于器件層3周圍的第1邊緣部4A。在本實(shí)施方式中，由上 面（Z軸）來看的情況下，第1邊緣部4A形成為包圍器件層3的矩形環(huán)狀。此外，對(duì)于第1 邊緣部4A的形狀沒有特別限定。例如，在本實(shí)施方式中，雖然第1邊緣部4A到器件層3的 周面的寬度沿Z軸方向大致相同（參照?qǐng)D1 (A))，但第1邊緣部4A在第2保護(hù)層5 -側(cè)的 寬度可以大于其在基板2 -側(cè)的寬度，也可以小于其在基板2 -側(cè)的寬度。
[0052] 此外，在本實(shí)施方式中，第1保護(hù)層4由無機(jī)物形成，更具體的說由為硅氮化合物 的氮化硅（SiN x)形成。氮化硅具有水分等不易滲透的特性。再者，第1保護(hù)層4的材料不 局限于氮化硅，也可以采用其他的硅氮化合物、硅氧氮化合物以及硅氧化合物等硅化合物。 另外也可以使用以濺射法形成的氧化鋁（A1 203)。
[0053] 第2保護(hù)層5形成于第1保護(hù)層4上的與第2區(qū)域12相對(duì)應(yīng)的第3區(qū)域13,以覆 蓋第1保護(hù)層4的上表面。對(duì)第2保護(hù)層5的厚度沒有特別限制，例如，其厚度可以為大約 200nm?大約1 μ m的厚度。
[0054] 在此，"與第2區(qū)域12相對(duì)應(yīng)的第3區(qū)域13"的意思為，S卩如后面所述，第2區(qū)域 12和第3區(qū)域13為在制造時(shí)由配置在基板2上的掩膜的開口露出的平面區(qū)域，該掩膜以及 其開口具有大致相同的形狀以及面積。由此，第2區(qū)域12和第3區(qū)域13可以為具有大致 相同的配置、形狀以及面積的平面區(qū)域，在將第3區(qū)域13投影在基板2上的情況下，第3區(qū) 域與第2區(qū)域12的結(jié)構(gòu)大致相同。
[0055] 在本實(shí)施方式中，第2保護(hù)層5由有機(jī)物形成，具體來說，例如由具有紫外線硬化 性的丙烯酸樹脂形成。在將丙烯酸樹脂與硅化合物等無機(jī)物進(jìn)行層積的情況下，能夠更有 效地發(fā)揮抑制水分滲透的作用。此外，材料不局限于丙烯酸樹脂，也可以采用聚脲樹脂等。
[0056] 密封層6覆蓋第2保護(hù)層5形成于基板2上的第4區(qū)域14。第4區(qū)域14除要包 含第2區(qū)域之外，雖對(duì)于其大小、形狀等沒有特別限制，但在本實(shí)施方式中，其構(gòu)成為縱橫 尺寸分別比保護(hù)層5的大3mm左右的矩形平面區(qū)域。即，在基板2上，第4區(qū)域14構(gòu)成為面 積比第2區(qū)域12大的區(qū)域。此外，對(duì)于密封層6在第2保護(hù)層5上的厚度沒有特別限定， 例如其可以為大約500nm?大約1 μ m的厚度。
[0057] 密封層6具有形成于第1保護(hù)層4的第1邊緣部4A和第2保護(hù)層5的周圍的第2 邊緣部6A。在本實(shí)施方式中，在由Z軸來看的情況下，第2邊緣部6A形成為包圍第1保護(hù) 層4和第2保護(hù)層5的矩形環(huán)狀。此外，對(duì)于第2邊緣部6A的形狀沒有特別限制。例如， 在本實(shí)施方式中，第2邊緣部6A到第2保護(hù)層5周面的寬度沿Z軸方向大致相同，但是，第 2邊緣部6A在密封層6上表面一側(cè)的寬度可以大于其在基板2 -側(cè)的寬度，也可以小于其 在基板2-側(cè)的寬度。
[0058] 在本實(shí)施方式中，密封層6由為硅氧氮化合物的氮氧化硅（Si〇xNY)形成。氮氧化 硅具有水分等不易滲透的特性。此外，密封層6的材料不局限于氮氧化硅，例如可以采用其 他的硅氧氮化合物以及氮化硅（SiN x)等硅氮化合物、氧化硅等硅化合物。也可以采用以濺 射法形成的氧化鋁（A1203)。
[0059] 接下來，對(duì)元件結(jié)構(gòu)體1的制造方法進(jìn)行說明。
[0060] [元件結(jié)構(gòu)體的制造方法]
[0061] 圖2、圖3是大致表示本實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體1的制造方法的俯視圖。圖 4是大致示意性地表示本實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體1的制造方法所使用的成膜裝置的 結(jié)構(gòu)例的俯視圖。本實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體1的制造方法具有器件層的形成工序、 第1保護(hù)層的形成工序、第2保護(hù)層的形成工序、密封層的形成工序、分離工序。
[0062] 在本實(shí)施方式中，在第1保護(hù)層的形成工序以后的工序中，例如使用圖4所示的集 群式的成膜裝置91、92、93。成膜裝置91、92、93作為一個(gè)整體構(gòu)成成膜處理系統(tǒng)90,成膜 裝置91、92通過連接室94相連接，成膜裝置92、93通過連接室95相連接。下面簡(jiǎn)略說明 成膜處理系統(tǒng)90裝置的結(jié)構(gòu)例。
[0063] 例如，在成膜裝置91中進(jìn)行第1保護(hù)層的形成工序。成膜裝置91具有核心室910、 分別與核心室910相連接的成膜室911、912、913、914、基板插入室915?；宀迦胧?15用 于使基板由其他裝置等插入成膜裝置91內(nèi)。在核心室910中，例如設(shè)置有并未圖示的基板 傳送機(jī)械手。從而不僅能夠在各成膜室911?914與基板插入室915之間傳送基板，還能 夠經(jīng)由連接室94向成膜裝置92 -側(cè)傳送基板。核心室910、各成膜室911?914、基板插 入室915構(gòu)成為分別與未圖示的真空排氣系統(tǒng)相連接的真空腔。
[0064] 連接室94連接核心室910和核心室920,連接室95連接核心室920和核心室930。 此外，在連接室94、94內(nèi)部，能夠分別設(shè)置未圖示的基板傳送機(jī)械手，從而能夠在各裝置之 間傳送基板。再者，也可以使用多個(gè)能夠轉(zhuǎn)動(dòng)的金屬輥來傳送基板，還可以使用傳送帶來傳 送基板。
[0065] 在成膜裝置92中，例如進(jìn)行第2保護(hù)層的形成工序。成膜裝置92可以具有與成 膜裝置91相同的結(jié)構(gòu)。即，成膜裝置92具有核心室920、分別與核心室920相連接的成膜 室921、922、923、924。經(jīng)由連接室94傳送到成膜裝置92的基板經(jīng)核心室920被傳送給各 成膜室921?924。
[0066] 在成膜裝置93中，例如進(jìn)行密封層的形成工序。另外，成膜裝置93也可以具有與 成膜裝置91、92相同的結(jié)構(gòu)。即，成膜裝置93具有核心室930、分別與核心室930相連接的 成膜室931、932、933、934、基板取出室935。經(jīng)由連接室95傳送到成膜裝置93的基板經(jīng)核 心室930被傳送給各成膜室931?934。經(jīng)過規(guī)定成膜處理后的基板經(jīng)核心室930從基板 取出室935向成膜處理系統(tǒng)90外被傳送。
[0067] 例如，通過使用上述結(jié)構(gòu)的成膜處理系統(tǒng)90來制造元件結(jié)構(gòu)體1，不僅能夠?qū)崿F(xiàn) 各制造工序的自動(dòng)化，還能夠同時(shí)使用多個(gè)成膜室高效率地進(jìn)行制造，從而能夠提高生產(chǎn) 效率。
[0068] 另外，本實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體1形成于基板W上的多個(gè)元件區(qū)域。在W 基板的與Z軸方向垂直的XY平面上，多個(gè)的元件區(qū)域例如2個(gè)2個(gè)配置在X軸方向、Y軸方 向上。如后面所述，在分離工序中，通過沿虛線L分離基板W的方式制成元件結(jié)構(gòu)體1。被 分離的基板W分別變?yōu)榘谠Y(jié)構(gòu)體1中的基板2。此外，形成于基板W上的元件結(jié)構(gòu) 體的個(gè)數(shù)不局限于上述的例子。
[0069] 下面對(duì)各個(gè)工序進(jìn)行說明。
[0070](器件層的形成工序的例子）
[0071] 首先，在基板W上的第1區(qū)域11形成器件層3。圖2中（A)表示在基板W上的第 1區(qū)域11形成器件層3的狀態(tài)。在本實(shí)施方式中，例如，第1區(qū)域11在基板W上總共配置 有4個(gè)，而且以規(guī)定間隔分別在X軸方向以及Y軸方向兩處兩處的排列。
[0072] 對(duì)于器件層3的形成方法沒有特別限定，可以因元件3的材料、結(jié)構(gòu)等做適宜的選 擇。例如，將基板W向并未圖示的成膜裝置的成膜室傳送，通過在基板W上進(jìn)行規(guī)定材料的 蒸鍍、濺射等并進(jìn)一步進(jìn)行圖案化加工等，從而能夠在第1區(qū)域11形成所期望的器件層3。 對(duì)于圖案化加工的方法沒有特別限定，例如，可以采用蝕刻法等方法。
[0073] 此外，也可以通過連接本工序中使用的成膜裝置和在下面的工序中使用的成膜裝 置91的基板插入室915,來構(gòu)成一個(gè)成膜處理系統(tǒng)。從而，不僅能夠降低所形成的器件層3 與大氣相接觸的可能性，還能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率。
[0074](第1保護(hù)層的形成工序的例子）
[0075] 接下來，在包含第1區(qū)域11的基板W上的第2區(qū)域12形成第1保護(hù)層4,以覆蓋 器件層3。在本工序中，使用具有與第2區(qū)域12相對(duì)應(yīng)的4個(gè)開口 121 (第1開口）的掩膜 Ml (第1掩膜），形成例如由氮化硅構(gòu)成的第1保護(hù)層4。
[0076] 例如，使用成膜裝置91進(jìn)行本工序。在此情況下，成膜裝置91的各成膜室911? 914均可以作為具有相同結(jié)構(gòu)的CVD裝置。此外，雖然并未圖示，但是，在各成膜室911? 914內(nèi)部設(shè)置有放置臺(tái)、掩膜Ml、掩膜校準(zhǔn)裝置等，其中，放置臺(tái)用于配置基板W，掩膜Ml配 置在基板W上，掩膜校準(zhǔn)裝置用于支承掩膜Ml，且相對(duì)于放置臺(tái)上的基板W對(duì)掩膜Ml進(jìn)行 位置校準(zhǔn)等。
[0077] 首先，將形成有器件層3的基板W由基板插入室915向成膜裝置91內(nèi)傳送，然后 由設(shè)置在核心室910的基板傳送機(jī)械手等將基板W傳送到成膜室911?914中的一個(gè)成膜 室。在放置臺(tái)上配置的基板W上，由掩膜校準(zhǔn)裝置等將掩膜Ml配置在基板W上的規(guī)定位置。
[0078] 圖2中⑶表示將掩膜Ml設(shè)置在基板W上的狀態(tài)。掩膜Ml以基板W上的第2區(qū) 域12和形成于第1區(qū)域11的器件層3由開口 121露出的方式配置在基板W上。并且，例 如通過CVD法使由氮化硅等構(gòu)成的第1保護(hù)層4形成于第2區(qū)域12上，以覆蓋器件層3。 此外，第1保護(hù)層4的形成方法不局限于CVD法，例如也可以采用濺射法。在此種情況下， 成膜裝置91的各成膜室911?914分別作為濺射裝置而構(gòu)成。
[0079] 掩膜Ml呈具有與Z軸方向垂直的XY平面的板狀結(jié)構(gòu)，而且具有在X軸方向以及 Y軸方向上以規(guī)定間隔2個(gè)2個(gè)排列的共4個(gè)開口 121。此外，在本實(shí)施方式中，掩膜Ml由 氧化鋁（A1203)、SUS、因瓦合金等熱膨脹系數(shù)較小的金屬等形成。
[0080] 這里，"與第2區(qū)域12相對(duì)應(yīng)的開口 121"的意思為，在基板W上配置掩膜Ml時(shí)， 由開口 121露出的基板W上的平面區(qū)域分別構(gòu)成第2區(qū)域12。此外，開口 121形成為面積 比第1區(qū)域11的面積大的矩形形狀。從而，在基板W上配置掩膜Ml時(shí)，由開口 121露出整 個(gè)第1區(qū)域11，第2區(qū)域12能夠形成為包含第1區(qū)域11在內(nèi)的區(qū)域。
[0081] (第2保護(hù)層的形成工序的例子）
[0082] 接下來，在與第2區(qū)域12相對(duì)應(yīng)的第1保護(hù)層4上的第3區(qū)域13形成第2保護(hù) 層5。在本工序中，使用具有與第3區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開口 131(第2開口）的掩膜M2(第2掩 膜）來形成例如由紫外線固化型丙烯酸樹脂構(gòu)成的第2保護(hù)層5。
[0083] 例如，使用成膜裝置92進(jìn)行本工序。在成膜裝置92的各成膜室911?914內(nèi)部 設(shè)置有放置臺(tái)、掩膜M2、掩膜校準(zhǔn)裝置等，其中，放置臺(tái)用于配置基板W，掩膜M2配置在基板 W上，掩膜校準(zhǔn)裝置用于支承掩膜M2,且相對(duì)于放置臺(tái)上的基板W對(duì)掩膜M2進(jìn)行位置校準(zhǔn) 等（未圖示）。
[0084] 首先，將形成有第1保護(hù)層的基板W由連接室94向成膜裝置92內(nèi)傳送，然后由設(shè) 置在核心室920的基板傳送機(jī)械手將基板傳送到成膜室921?924中的一個(gè)成膜室。在放 置臺(tái)上配置的的基板W上，由掩膜放置裝置等將掩膜M2配置在基板W上的規(guī)定位置。
[0085] 成膜裝置92的各成膜室921?924例如可以通過能在同一腔內(nèi)進(jìn)行丙烯酸樹脂 施涂和用于使施涂后的樹脂硬化的紫外線照射的方式而構(gòu)成。從而能夠使各成膜室921? 924采用相同的裝置結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠提高生產(chǎn)效率。另外，本發(fā)明不局限于上述的裝置結(jié)構(gòu)， 例如，也可以使成膜室921?923等構(gòu)成為采用旋涂、噴涂等來進(jìn)行丙烯酸樹脂施涂的裝 置、使成膜裝置924等構(gòu)成為UV照射裝置。
[0086] 圖3中（A)表示掩膜M2被配置于基板W上的狀態(tài)。通過像這樣將掩膜M2配置在 基板M2上，從而在第3區(qū)域13形成由紫外線硬化型丙烯酸樹脂等構(gòu)成的第2保護(hù)層5。對(duì) 于第2保護(hù)層5的形成方法沒有特別限制。例如，利用旋涂法、噴涂法等方法在第1保護(hù)層 4上施涂丙烯酸樹脂，通過對(duì)施涂后的丙烯酸樹脂進(jìn)行紫外線照射來使該丙烯酸樹脂硬化， 從而形成第2保護(hù)層5。
[0087] 在本實(shí)施方式中，掩膜M2具有與掩膜Ml相同的結(jié)構(gòu)。即，掩膜M2呈具有與Z軸 方向垂直的XY平面的板狀結(jié)構(gòu)，并具有在X軸方向以及Y軸方向上以與掩膜Ml的開口 121 大致相同的間隔2個(gè)2個(gè)排列的共4個(gè)開口 131。此外，在本實(shí)施方式中，開口 131具有與 掩膜Ml的開口 121大致相同的形狀、面積。由此，能夠在第1保護(hù)層4上與第2區(qū)域12相 對(duì)應(yīng)的第3區(qū)域13形成第2保護(hù)層5。此外，在本實(shí)施方式中，掩膜M2由氧化鋁（A1 203)、 SUS、因瓦合金等熱膨脹系數(shù)較小的金屬形成。
[0088] 此外，"與第3區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開口 131"的意思為，與開口 121相同，在基板W上設(shè) 置掩膜M2時(shí)，基板W上由開口 131露出的區(qū)域分別構(gòu)成第1保護(hù)層4上的第3區(qū)域13。 [0089](密封層的形成工序的例子）
[0090] 接下來，在包含第2區(qū)域12的基板W上的第4區(qū)域14形成密封層6,以覆蓋第1 保護(hù)層4和第2保護(hù)層5。在本工序中，使用具有與第4區(qū)域14相對(duì)應(yīng)的開口 141 (第3開 口）的掩膜M3 (第3掩膜）來形成密封層6。
[0091] 例如，使用成膜裝置93進(jìn)行本工序。在此種情況下，成膜裝置93的各成膜室 931?934均可以作為具有相同結(jié)構(gòu)的CVD裝置。此外，雖然并未圖示，但是在各成膜室 931?934內(nèi)部設(shè)置有放置臺(tái)、掩膜M3、掩膜校準(zhǔn)裝置等，其中，放置臺(tái)用于配置基板W，掩膜 M3配置在基板W上，掩膜校準(zhǔn)裝置用于支承掩膜M3,且相對(duì)于放置臺(tái)上的基板W對(duì)掩膜M3 進(jìn)行位置校準(zhǔn)等。
[0092] 首先，將形成完第2保護(hù)層5的基板W由連接室95向成膜裝置93內(nèi)傳送，由設(shè)置 在核心室930的基板傳送機(jī)械手將其傳送到成膜室931?934中規(guī)定的一個(gè)成膜室。在放 置臺(tái)上配置的基板W上，由掩膜放置裝置等將掩膜M3配置在基板W上的規(guī)定位置。
[0093] 圖3中⑶表示掩膜M3被配置到基板W上的狀態(tài)。此時(shí)，基板W上的第4區(qū)域 14、第2保護(hù)層5及第1保護(hù)層4由開口 141露出。并且，例如使用CVD法，在第4區(qū)域14 上形成由氮氧化硅等構(gòu)成的密封層6,以覆蓋第1保護(hù)層4和第2保護(hù)層5。此外，密封層6 的形成方法不局限于CVD法，例如也可以采用濺射法等。在此種情況下，成膜裝置93的各 成膜室931?934分別作為濺射裝置而構(gòu)成。
[0094] 在本實(shí)施方式中，掩膜M3呈具有與Z軸方向垂直的XY平面的板狀結(jié)構(gòu)，而且具有 在X軸方向以及Y軸方向上以規(guī)定間隔2個(gè)2個(gè)排列的共4個(gè)開口 141。此外，在本實(shí)施方 式中，掩膜M3由氧化鋁（A1203)、SUS、因瓦合金等熱膨脹系數(shù)較小的金屬等形成。
[0095] 此外，"與第4區(qū)域14相對(duì)應(yīng)的開口 141"的意思為，在基板W上設(shè)置掩膜M3時(shí)， 由開口 141露出的基板W上的區(qū)域分別構(gòu)成第4區(qū)域14。此外，開口 141形成為面積比第 2區(qū)域12面積大的矩形形狀。從而，在基板W上設(shè)置掩膜M3時(shí)，由開口 141露出整個(gè)第1 區(qū)域11，第4區(qū)域14能夠形成為包含第2區(qū)域12在內(nèi)的區(qū)域。
[0096] 最后，將層積到密封層6為止的基板W分離為多個(gè)元件結(jié)構(gòu)體1。
[0097] (分離工序的例子）
[0098] 由成膜裝置93的基板取出室935將層積到密封層6為止的基板W取出，沿著虛線 L在X軸方向以及Y軸方向上分離元件結(jié)構(gòu)體1。作為分離方法，例如有使用切割鋸、激光 等加工技術(shù)、干法刻蝕等，但不局限于這些。通過該工序分離基板W，從而制造出包含基板2 的元件結(jié)構(gòu)體1。
[0099] 具有上述結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)體1通過由水分等滲透性低的氮化硅等無機(jī)物構(gòu)成的 第1保護(hù)層4、密封層6及由丙烯酸樹脂等有機(jī)物構(gòu)成的第2保護(hù)層5交替層積而成。從而 能夠更有效地抑制水分等從層積方向（Z軸方向）滲入。
[0100] 此外，元件結(jié)構(gòu)體1的器件層3的周圍均被由水分等不易滲透的氮化硅構(gòu)成的第1 保護(hù)層4的第1邊緣部4A和密封層6的第2邊緣部6A覆蓋。從而，不僅能夠有效地抑制 水分、氧氣等從層積方向（Z軸方向）滲入，還能夠抑制水分、氧氣等從器件層3周圍滲入。 [0101] 還有，元件結(jié)構(gòu)體1構(gòu)成為，由第2邊緣部6A覆蓋第1保護(hù)層4和第2保護(hù)層5 的周圍。從而也能夠抑制水分等由第1保護(hù)層4和第2保護(hù)層5的層間部分滲入。因此， 能夠制作出無需擔(dān)心水分等由層間部分的周圍滲入、高效抑制水分等的在Z軸方向上具有 層積結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)體1。
[0102] 〈第2實(shí)施方式〉
[0103] 圖5是大致表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體10的剖視圖。元件 結(jié)構(gòu)體10除具有與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)的基板20、器件層30、第1保護(hù)層40、第2保 護(hù)層50、密封層60以外，還具有第3保護(hù)層70、第4保護(hù)層80,在本實(shí)施方式中，元件結(jié)構(gòu) 體10具有上述各層在Z軸方向上層積的結(jié)構(gòu)。此外，在圖中，對(duì)于與上述第1實(shí)施方式相 對(duì)應(yīng)的部分，用與第1實(shí)施方式中相同的標(biāo)記進(jìn)行表示，并省略其詳細(xì)的說明。
[0104] 本實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體10為，在第2保護(hù)層50上形成第3保護(hù)層70,在 第3保護(hù)層70上形成第4保護(hù)層80。還有，在基板20上形成具有第2邊緣部60A的密封 層60,由第2邊緣部60A覆蓋第1保護(hù)層40、第2保護(hù)層50、第3保護(hù)層70及第4保護(hù)層 80的周圍。即，在第1實(shí)施方式中，在器件層30上共形成了包含密封層6在內(nèi)的共計(jì)3層 的層積結(jié)構(gòu)，但是在本實(shí)施方式中，形成的層積結(jié)構(gòu)共5層。
[0105] 第3保護(hù)層70形成于與第3區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第2保護(hù)層50上的第5區(qū)域150與密 封層60之間，該第3保護(hù)層70以覆蓋第2保護(hù)層50的上表面的方式形成。第3保護(hù)層70 與第1保護(hù)層40同樣由無機(jī)物形成，更具體來說由為硅氮化合物的氮化硅（SiN x)形成。此 夕卜，第3保護(hù)層70的材料不局限于SiNx，例如可以采用其他的硅氮化合物、硅氧氮化合物、 硅氧化合物等硅化合物等。另外，也可以采用通過濺射法形成的氧化鋁（A1203)。
[0106] 第4保護(hù)層80形成于與第5區(qū)域150相對(duì)應(yīng)的第3保護(hù)層70上的第6區(qū)域160 與密封層60之間，該第4保護(hù)層80以覆蓋第3保護(hù)層70的上表面的方式形成。第4保護(hù) 層80與第2保護(hù)層50同樣由有機(jī)物形成，更具體來說由具有紫外線硬化性的丙烯酸樹脂 形成。此外，第4保護(hù)層80的材料不局限于丙烯酸樹脂，也可以采用聚脲樹脂等材料。
[0107] 這里，"與第3區(qū)域130相對(duì)應(yīng)的第5區(qū)域150"表示的意思與"與第2區(qū)域12相 對(duì)應(yīng)的第3區(qū)域13"表示的意思相同。即，第3區(qū)域130與第5區(qū)域150為制造時(shí)由配置 在基板20上的掩膜的開口所露出的平面區(qū)域，該掩膜以及其開口具有大致相同的形狀和 面積。由此，第3區(qū)域130與第5區(qū)域150可以為具有大致相同的配置、形狀以及面積的區(qū) 域，在將第5區(qū)域150投影在基板20上的情況下，第5區(qū)域150與第3區(qū)域130的結(jié)構(gòu)大 致一致。
[0108] 此外，同樣，"與第5區(qū)域150相對(duì)應(yīng)的第6區(qū)域160"的意思為，第5區(qū)域150與 第6區(qū)域160為制造時(shí)由設(shè)置在基板20上的掩膜的開口所露出的平面區(qū)域，該掩膜以及其 開口分別具有大致相同的形狀和面積。由此，第2區(qū)域120、第3區(qū)域130、第5區(qū)域150、第 6區(qū)域160可以為具有大致相同的形狀以及面積的區(qū)域，在將第6區(qū)域160投影在基板20 上的情況下，第6區(qū)域160與第5區(qū)域150的結(jié)構(gòu)大致一致。
[0109] 密封層60覆蓋第1保護(hù)層40、第2保護(hù)層50、第3保護(hù)層70和第4保護(hù)層80,形 成于基板20上的第4區(qū)域140。第4區(qū)域140除要包含第2區(qū)域120之外，對(duì)于其大小、形 狀沒有特別限定。即，在此種情況下，第4區(qū)域140也包含第3區(qū)域130、第5區(qū)域150和第 6區(qū)域160。此外，對(duì)于密封層60在第4保護(hù)層80上的厚度沒有特別限定，例如，可以為大 約200nm?1 μ m的厚度。
[0110] 密封層60具有第2邊緣部60A，第2邊緣部60A覆蓋第1邊緣部40A、第2保護(hù)層 50、第3保護(hù)層70、第4保護(hù)層80四部分的周圍。此外，在本實(shí)施方式中，密封層60也由無 機(jī)物形成，具體來說，由為硅氧氮化合物的氮氧化硅（Si〇 xNY)等形成。Si〇xNY具有水分等不 易于滲透的特性。再者，密封層6的材料不局限于Si〇 xNY，例如可以采用其他的硅氧氮化合 物、氮化硅（SiNx)等硅氮化合物、硅氧化合物等硅化合物。另外，也可以采用通過濺射法形 成的氧化鋁（A1 203)。
[0111] 這里，元件結(jié)構(gòu)體1〇通過第1保護(hù)層40、第3保護(hù)層70、密封層60、第2保護(hù)層 50及第4保護(hù)層80在Z軸方向上交替層積而成，其中，第1保護(hù)層40、第3保護(hù)層70、密封 層60由氮化硅構(gòu)成，第2保護(hù)層50和第4保護(hù)層80由丙烯酸樹脂構(gòu)成。通過由
【發(fā)明者】進(jìn) 行的實(shí)驗(yàn)可證明像這樣的由無機(jī)物和有機(jī)物構(gòu)成的層積構(gòu)造能夠降低透濕度（WVTR :Water Vapor Transmission Rate，水蒸氣透過率）。
[0112] 例如，通過在PET薄膜基板上將由氮化硅構(gòu)成的層與由丙烯酸樹脂構(gòu)成的層2層2 層進(jìn)行層積，共層積4層，S卩，采用所謂鈣化法對(duì)WVTR進(jìn)行測(cè)定后，得到1. 0 X l(T6g/m2/day 以下的測(cè)定下限的測(cè)定值。從而由此可以推定，本實(shí)施方式所涉及的器件層3上的層積結(jié) 構(gòu)，尤其能夠非常高效地抑制水分等從Z軸方向滲入。
[0113] 由以上所知，本實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體10,不僅能夠抑制水分等從器件層 30以及各保護(hù)層之間的周圍滲入，還能夠非常高效地抑制水分等從Z軸方向滲入。
[0114] 〈第3實(shí)施方式〉
[0115] 圖6是大致表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的元件結(jié)構(gòu)體100的剖視圖。與第 1實(shí)施方式相同，元件結(jié)構(gòu)體100具有基板2、器件層300、第1保護(hù)層4、第2保護(hù)層5以及 密封層6,且具有上述各層在Z軸方向上層積的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中與第1實(shí)施方式所不 同的是，器件層300由有機(jī)EL發(fā)光兀件構(gòu)成。此外，在圖中，對(duì)于與上述第1實(shí)施方式相對(duì) 應(yīng)的部分，用與第1實(shí)施方式中相同的標(biāo)記進(jìn)行表示，并省略其詳細(xì)的說明。
[0116] 本實(shí)施方式所涉及的器件層300具有下部電極層310、空穴注入層320、發(fā)光層 330、電子注入層340以及上部電極層350,且具有上述各層在Z軸方向上層積的結(jié)構(gòu)。下部 電極層310作為陽(yáng)極例如由銦錫氧化物（ΙΤ0)、氧化鋅（ZnO)等透明陽(yáng)極構(gòu)成。上部電極層 350作為陰極，例如由鋁等構(gòu)成?？昭ㄗ⑷雽?20包含空穴傳輸層，由下部電極層310向發(fā) 光層330注入空穴。電子注入層340包含電子傳輸層，由上部電極層350向發(fā)光層330注 入電子。發(fā)光層330由發(fā)出所期望顏色的有機(jī)發(fā)光材料形成，通過注入的空穴以及電子的 重組進(jìn)行發(fā)光。
[0117] 器件層300在內(nèi)部可以含有多個(gè)發(fā)光層330。多個(gè)發(fā)光層可以形成為長(zhǎng)條狀或者 條紋狀。多個(gè)發(fā)光層，例如可以包含R(紅）、G(綠）、B(藍(lán)）的3種發(fā)光層，從而能夠使元 件結(jié)構(gòu)體1〇〇作為一個(gè)顯不器來構(gòu)成。
[0118] 下部電極層310與發(fā)光層330相對(duì)應(yīng)形成，并能夠向發(fā)光層330注入空穴，例如其 可以為沿Y軸方向延伸的電極。上部電極層350的一部分配置在發(fā)光層330上，并且，該上 部電極層350能夠經(jīng)電子注入層340向發(fā)光層330注入電子。上部電極層350,例如可以為 沿X軸方向延伸的電極。另外，根據(jù)需要，可以設(shè)置多個(gè)上部電極層350,在該情況下，可以 在Y軸方向上周期性地進(jìn)行設(shè)置。下部電極層310以及上部電極層350的一部分，例如通 過形成于不被密封層6所覆蓋的第4區(qū)域14的外部，而能夠與外部的驅(qū)動(dòng)電源等相連接。
[0119] 元件結(jié)構(gòu)體100的器件層300例如如下形成。例如可以通過用濺射法、蒸鍍法等方 法來形成薄膜，在形成薄膜之后，通過圖案化加工形成規(guī)定形狀，從而形成下部電極層310。 接下來，在下部電極層310上，用蒸鍍法等方法形成空穴注入層320。在空穴注入層320上， 例如用蒸鍍法等方法來形成薄膜，在形成薄膜后，通過圖案化加工形成規(guī)定形狀，從而形成 發(fā)光層330。在發(fā)光層330上，例如可以用蒸鍍法等方法來形成薄膜，從而形成電子注入層 340。還有，例如可以用濺射法蒸鍍法等方法來形成薄膜，在形成薄膜之后，通過圖案化加工 成形成規(guī)定形狀，從而形成上部電極層350。上述各層的形成可以在同一成膜室內(nèi)進(jìn)行，也 可以在不同的成膜室內(nèi)進(jìn)行。
[0120] 如上所述的元件結(jié)構(gòu)體100具有非常容易受水分氧氣等影響的器件層300,但是， 通過由第1保護(hù)層4、第2保護(hù)層5以及密封層6形成的層積構(gòu)造能夠抑制水分等滲入器件 層300。從而，通過元件結(jié)構(gòu)體100能夠提供故障少、耐久性高的有機(jī)EL顯示器等。
[0121] 上面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于此，可以根據(jù)本發(fā)明 的技術(shù)思想進(jìn)行各種變形。
[0122] 在以上的實(shí)施方式中例舉了保護(hù)層為兩層或四層，且其最上層由有機(jī)物構(gòu)成的情 況，但是并不局限于此。例如，在層積3層、5層等奇數(shù)的保護(hù)層的情況下，最上層也可以由 無機(jī)物構(gòu)成。
[0123] 此外，在以上的實(shí)施方式中，作為各層的圖案化加工方法，采用了使用由A120 3等 形成的掩膜的方法，但是并不局限于此。例如，當(dāng)然也可以采用蝕刻法等其他的圖案化加工 方法。
[0124] 另外，在以上的實(shí)施方式中，作為元件結(jié)構(gòu)體的制造方法，采用了在大型基板上形 成多個(gè)元件區(qū)域，然后將這些元件區(qū)域分離制成一個(gè)個(gè)元件結(jié)構(gòu)體的方法，但是并不局限 于此。例如，也可以采用在1個(gè)基板上形成1個(gè)元件結(jié)構(gòu)體，無分離工序的制造方法。
[0125] 另外，在以上的實(shí)施方式中，例舉了使用集群式的成膜裝置的制造方法，但是，當(dāng) 然并不局限于此，也可以使用內(nèi)聯(lián)式等其他結(jié)構(gòu)的成膜裝置。
[0126] 附圖標(biāo)記說明
[0127] 1、10、100 :元件結(jié)構(gòu)體；2、20 :基板；3、30、300 :器件層；4、40 :第1保護(hù)層；4A、 40A :第1邊緣部；5、50 :第2保護(hù)層；6、60 :密封層；6A、60A :第2邊緣部；70 :第3保護(hù)層； 80 :第4保護(hù)層；11、110 :第1區(qū)域；12、120 :第2區(qū)域；13、130 :第3區(qū)域；14、140 :第4區(qū) 域；150 :第5區(qū)域；160 :第6區(qū)域；121 :第1開口；131 :第2開口；141 :第3開口；Ml :第1 掩膜；M2:第2掩膜；M3 :第3掩膜。
【權(quán)利要求】
1. 一種元件結(jié)構(gòu)體，具有基板、器件層、第1保護(hù)層、第2保護(hù)層以及密封層，其中， 所述器件層形成于所述基板上的第1區(qū)域， 所述第1保護(hù)層由無機(jī)物構(gòu)成，具有形成于所述器件層周圍的第1邊緣部，形成于包含 所述第1區(qū)域的所述基板上的第2區(qū)域， 所述第2保護(hù)層由有機(jī)物構(gòu)成，形成于前述第1保護(hù)層上與所述第2區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第 3區(qū)域， 所述密封層由無機(jī)物構(gòu)成，具有形成于所述第1邊緣部與所述第2保護(hù)層的周圍的第 2邊緣部，形成于所述基板上包含所述第2區(qū)域的第4區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 所述第1保護(hù)層和密封層由硅化合物或通過濺射法形成的氧化鋁構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的元件結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 所述硅化合物包含硅氮化合物、硅氧氮化合物以及硅氧化合物中的一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任意一項(xiàng)所述的元件結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 所述第2保護(hù)層由丙烯酸樹脂或聚脲樹脂構(gòu)成。
5. 根據(jù)所述權(quán)利要求4所述的元件結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 所述丙烯酸樹脂具有紫外線硬化性。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件結(jié)構(gòu)體，其特征在于， 還具有第3保護(hù)層、第4保護(hù)層，其中， 所述第3保護(hù)層由無機(jī)物構(gòu)成，形成于所述第2保護(hù)層上與所述第3區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第 5區(qū)域和所述密封層之間，其周圍被所述第2邊緣部所覆蓋， 所述第4保護(hù)層由有機(jī)物構(gòu)成，形成于所述第3保護(hù)層上與所述第5區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第 6區(qū)域和密封層之間，其周圍被所述第2邊緣部所覆蓋。
7. -種元件結(jié)構(gòu)體的制造方法，包括： 在基板上的第1區(qū)域形成器件層； 在所述基板上包含所述第1區(qū)域的第2區(qū)域形成第1保護(hù)層； 在所述第1保護(hù)層上與前述第2區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第3區(qū)域形成第2保護(hù)層； 在所述基板上包含所述第2區(qū)域的第4區(qū)域形成密封層，以覆蓋所述第1保護(hù)層和所 述第2保護(hù)層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件結(jié)構(gòu)體的制造方法，其特征在于， 在所述第1保護(hù)層的形成工序中，使用具有與所述第2區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第1開口的第1 掩膜來形成所述第1保護(hù)層， 在所述第2保護(hù)層的形成工序中，使用具有與所述第3區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第2開口的第2 掩膜來形成所述第2保護(hù)層， 在所述密封層的形成工序中，使用具有與所述第4區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第3開口的第3掩膜 來形成所述密封層。
【文檔編號(hào)】H05B33/04GK104067692SQ201280067681
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2012年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月23日
【發(fā)明者】加藤裕子, 岡正, 矢島貴浩, 內(nèi)田一也, 大森大輔 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科