氧化硅玻璃坩堝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明有效抑制氧化硅玻璃坩堝12的壓曲或者向側(cè)壁部15的坩堝內(nèi)部的翻倒。提供一種氧化硅玻璃坩堝12，其具備：具有上面開口的邊緣部的圓筒狀的側(cè)壁部15、由曲線構(gòu)成的研缽狀的底部16、和連接側(cè)壁部15和底部16的彎曲部17。該氧化硅玻璃坩堝12中，側(cè)壁部15的厚度方向的每單位面積的熱阻大于彎曲部17的厚度方向的每單位面積的熱阻。
【專利說明】氧化硅玻璃坩堝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及氧化硅玻璃坩堝。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，花費(fèi)精力開發(fā)能夠通過簡單的結(jié)構(gòu)來防止坩堝側(cè)壁部上端向內(nèi)側(cè)翻倒的 硅單晶提拉用石英玻璃坩堝。作為這種技術(shù)，例如，在專利文獻(xiàn)1中記載了一種硅單晶提拉 用石英玻璃坩堝，其中，在側(cè)壁部外周、即初期熔融線的上方設(shè)置圓周狀的槽。該槽設(shè)置在 碳基座上端的下方位置上。
[0003] 另一方面，花費(fèi)精力開發(fā)如下方法，S卩：通過切克勞斯基法制造單晶時(shí)，有效并且 確實(shí)地設(shè)計(jì)在單晶提拉中在生長單晶的生長界面以外難以發(fā)生固化的提拉條件。作為這種 的技術(shù)，例如，在專利文獻(xiàn)2中記載了通過切克勞斯基法由收容原料熔液的坩堝生長單晶 時(shí)的、單晶的提拉條件的設(shè)計(jì)方法。該方法中記載了如下所述的單晶提拉條件的設(shè)計(jì)方法， 艮P，求出通過綜合傳熱分析得到的、從生長的單晶的外周面到坩堝內(nèi)壁的熔液內(nèi)的溫度差 ΛΤ(Κ)除以從生長的單晶的外周面到坩堝內(nèi)壁的熔液表面上的水平方向的距離L(cm)而 得到的、平均熔液內(nèi)溫度梯度G(K/cm)，根據(jù)該平均熔液內(nèi)溫度梯度G與在單晶提拉中在生 長單晶的生長界面以外發(fā)生的固化的發(fā)生率的關(guān)系，設(shè)定提拉條件。
[0004] 【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】 【專利文獻(xiàn)】 【專利文獻(xiàn)1】日本特開2008-273788號(hào)公報(bào) 【專利文獻(xiàn)2】日本特開2004-67452號(hào)公報(bào)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]【發(fā)明要解決的課題】 但是，上述文獻(xiàn)記載的先前技術(shù)，在以下的方面具有改善的余地。
[0006] 第一，在專利文獻(xiàn)1記載的氧化硅玻璃坩堝中，在使用者單獨(dú)準(zhǔn)備用于保持氧化 硅玻璃坩堝的基座、或使用者單獨(dú)確定投入到氧化硅玻璃坩堝中的多晶硅的量的情況下， 可能有時(shí)無法在初期熔融線的上方且碳基座上端的下方位置上預(yù)先設(shè)置圓周狀的槽。
[0007] 第二，在專利文獻(xiàn)2記載的方法中，從平均熔液內(nèi)溫度梯度G與在單晶提拉中在生 長單晶的生長界面以外發(fā)生的固化的發(fā)生率的關(guān)系考慮，即使設(shè)定提拉條件也難以有效地 抑制坩堝的壓曲或者側(cè)壁部向坩堝內(nèi)部的翻倒。
[0008] 另外，近年來，直徑300mm的晶片成為半導(dǎo)體芯片制造工藝的主流，使用直徑 450_的晶片的工藝也在開發(fā)中。為了制造這樣的晶片，當(dāng)然在用于制造單晶硅錠的CZ法 中使用的氧化硅玻璃坩堝也要求為28英寸（71cm)、32英寸（81cm)、36英寸（約91cm)或 40英寸（102cm)的大口徑坩堝。直徑101cm的坩堝為重量約120kg的巨大的坩禍，在其中 收容的硅熔液的質(zhì)量為900kg以上。
[0009] 而且，氧化硅玻璃的軟化點(diǎn)為約120(Tl300°C，相對(duì)于此，CZ法中將硅熔液在加熱 至145(Γ1500?的高溫的狀態(tài)下經(jīng)過兩周以上的長時(shí)間進(jìn)行提拉。即，在硅單晶的提拉時(shí)， 在坩堝中收容約1500°C的硅熔液為900kg以上。此時(shí)，為了使硅熔液升溫至約1500°C，必 須提高在氧化硅玻璃坩堝的外側(cè)設(shè)置的加熱器的加熱溫度，氧化硅玻璃坩堝通過加熱而發(fā) 生軟化，容易壓曲或翻倒的問題變顯著。
[0010] 被提拉的硅單晶的純度要求為99. 999999999%以上，因此，要求沒有從用于提拉 的氧化硅玻璃坩堝中混入氧化硅的碎片等。因此，氧化硅玻璃坩堝通過加熱發(fā)生軟化而引 起壓曲或翻倒時(shí)，有時(shí)氧化硅的碎片掉下，引起大問題。
[0011] 本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種有效地抑制氧化硅玻璃坩 堝的壓曲或者側(cè)壁部向坩堝內(nèi)部的翻倒的技術(shù)。
[0012] 【用于解決問題的方法】 根據(jù)本發(fā)明，提供一種氧化硅玻璃坩堝，其是用于單晶硅的提拉的氧化硅玻璃坩堝，具 備：具有上面開口的邊緣部的圓筒狀的側(cè)壁部、由曲線構(gòu)成的研缽狀的底部、和連接該側(cè)壁 部和該底部的彎曲部，該側(cè)壁部的厚度方向的每單位面積的熱阻大于該彎曲部的厚度方向 的每單位面積的熱阻。
[0013] 根據(jù)該構(gòu)成，側(cè)壁部的厚度方向的每單位面積的熱阻大于該彎曲部的厚度方向的 每單位面積的熱阻，因此，進(jìn)行單晶硅的提拉時(shí)在硅熔液的液面接近彎曲部的時(shí)刻能夠緩 和氧化硅玻璃坩堝的加熱強(qiáng)度。其結(jié)果，根據(jù)該構(gòu)成，能夠抑制在硅熔液的液面接近彎曲部 的時(shí)刻氧化硅玻璃坩堝的側(cè)壁部或者彎曲部被過度加熱，因此，能夠抑制氧化硅玻璃坩堝 的壓曲或者側(cè)壁部向坩堝內(nèi)部的翻倒。
[0014] 【發(fā)明效果】 根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制氧化硅玻璃坩堝的壓曲或者側(cè)壁部向坩堝內(nèi)部的翻倒。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是用于對(duì)實(shí)施方式1的氧化硅玻璃坩堝的構(gòu)成進(jìn)行說明的截面圖。
[0016] 圖2是用于對(duì)實(shí)施方式1的氧化硅玻璃坩堝的側(cè)壁部的溫度梯度進(jìn)行說明的截面 圖。
[0017] 圖3是用于對(duì)實(shí)施方式1的氧化硅玻璃坩堝的彎曲部的溫度梯度進(jìn)行說明的截面 圖。
[0018] 圖4是用于對(duì)實(shí)施方式2的氧化硅玻璃坩堝的側(cè)壁部的溫度梯度進(jìn)行說明的截面 圖。
[0019] 圖5是用于對(duì)實(shí)施方式2的氧化硅玻璃坩堝的彎曲部的溫度梯度進(jìn)行說明的截面 圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 以下，使用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在所有附圖中，對(duì)同樣的構(gòu)成要素 賦予同樣的符號(hào)，并適當(dāng)省略說明。
[0021] 〈氧化硅玻璃坩堝〉 圖1是用于對(duì)氧化硅玻璃坩堝的構(gòu)成進(jìn)行簡要說明的截面圖。本實(shí)施方式的氧化硅玻 璃坩堝12在內(nèi)表面?zhèn)染哂型该鞯难趸璨Ａ?1，在外表面?zhèn)染哂泻袣馀莸难趸璨?璃層14。該氧化硅玻璃坩堝12應(yīng)用在通過切克勞斯基法（CZ法）等提拉單晶硅的場合時(shí)， 以開口部朝上的方式載置于基座（未圖示）上。
[0022] 該氧化硅玻璃坩堝12具有：曲率比較大的彎曲部（也稱為角部）17,具有向上面 開口的邊緣部的圓筒狀的側(cè)壁部15,以及由直線或曲率比較小的曲線構(gòu)成的研缽狀的底部 16。本實(shí)施方式中，彎曲部17是連接側(cè)壁部15與底部16的部分，是指從彎曲部17的曲線 的切線與氧化硅玻璃坩堝12的側(cè)壁部15重合的點(diǎn)到與底部16具有共同切線的點(diǎn)為止的 部分。
[0023] 具體而言，坩堝的側(cè)壁部15是與坩堝的中心軸（Z軸）平行的圓筒狀的部分，從坩 堝的開口向大致正下方延伸的部分。但是，側(cè)壁部15無需與Z軸完全平行，也可以以朝向 開口緩慢變寬的方式傾斜。另外，側(cè)壁部15可以為直線形，也可以為緩慢彎曲的形狀。
[0024] 坩堝的底部16是包含與坩堝Z軸的交點(diǎn)的大致圓盤狀的部分，在底部16與側(cè)壁 部15之間形成彎曲部17。坩堝底部16的形狀可以是所謂的圓底，也可以是平底。另外， 彎曲部17的曲率和角度也可以任意設(shè)定。坩堝底部16為圓底時(shí)，底部16也具有適度的曲 率，因此，底部16與彎曲部17的曲率差與平底相比非常小。例如，氧化硅玻璃坩堝12的側(cè) 壁部15開始彎曲的點(diǎn)可以作為側(cè)壁部15與彎曲部17的邊界。另外，坩堝的底的曲率一定 的部分為底部16,距坩堝的底的中心的距離增加時(shí)，曲率開始變化的點(diǎn)可以作為底部16與 彎曲部17的邊界。
[0025] 此時(shí)，坩堝底部16為平底時(shí)，底部16平坦或構(gòu)成極平緩的彎曲面，彎曲部17的曲 率非常大。需要說明的是，底部16可定義為坩堝壁面的切線相對(duì)于與Z軸正交的XY平面 的傾斜角為5度以下、10度以下、15度以下、20度以下、25度以下或者30度以下的區(qū)域。
[0026] 在具有這樣的形狀的氧化硅玻璃坩堝12的情況下，利用切克勞斯基法（CZ法）等 提拉單晶硅時(shí)由于側(cè)壁部15的自重18由側(cè)壁部15對(duì)彎曲部17施加較大的力，側(cè)壁部15 上也會(huì)施加到向內(nèi)側(cè)翻倒的力。另一方面，在單晶硅的提拉初期，由于在氧化硅玻璃坩堝12 內(nèi)部填充硅熔液至側(cè)壁部15的上方，因此，由該硅熔液向側(cè)壁部15、彎曲部17以及底部16 施加較大的壓力，由此可以抑制對(duì)彎曲部17的壓曲19或側(cè)壁部15向內(nèi)側(cè)的翻倒。
[0027] 但是，硅熔液的液面下降至彎曲部17附近時(shí)，硅熔液對(duì)側(cè)壁部15的壓力消失。另 夕卜，硅熔液對(duì)彎曲部17以及底部16施加的壓力也減小。并且，來自設(shè)置于支撐氧化硅玻璃 坩堝12的模具（未圖示）外周部的碳加熱器（未圖示）的大量熱量仍然流入側(cè)壁部15,因 此，側(cè)壁部15被加熱至高溫。但是，被加熱至高溫的側(cè)壁部15已經(jīng)沒有與硅熔液接觸，因 此，熱量消失的場所減少，側(cè)壁部15達(dá)到所謂的空轉(zhuǎn)的狀態(tài)而被過度加熱，有時(shí)氧化硅玻 璃發(fā)生軟化而難以支撐自重18。因此，容易發(fā)生彎曲部17上的壓曲19或側(cè)壁部15向內(nèi)側(cè) 的翻倒。
[0028] 〈通過根據(jù)含有氣泡的氧化硅玻璃層的厚度的不同調(diào)節(jié)溫度梯度而產(chǎn)生的壓曲以 及翻倒的抑制〉 圖2是對(duì)實(shí)施方式1相關(guān)的氧化硅玻璃坩堝的側(cè)壁部的溫度梯度進(jìn)行說明的截面圖。 另外，圖3是對(duì)實(shí)施方式1相關(guān)的氧化硅玻璃坩堝的彎曲部的溫度梯度進(jìn)行說明的截面圖。
[0029] 本實(shí)施方式中，側(cè)壁部15的厚度方向的每單位面積的熱阻大于彎曲部17的厚度 方向的每單位面積的熱阻。另外，彎曲部17的厚度方向的每單位面積的熱阻大于底部16 的厚度方向的每單位面積的熱阻。在此，如下式所示，熱阻是表示在對(duì)物體加熱時(shí)引起的熱 移動(dòng)中熱的流動(dòng)困難度的系數(shù)，單位用（κ/w)或者（°C /W)表示。
[0030] 熱阻（°C /W)=溫度差（°C ) +熱源的熱量（W) 本實(shí)施方式中，其厚度方向的每單位面積的熱阻優(yōu)選在與實(shí)際的硅單晶的提拉時(shí)的條 件接近的條件下測定。具體而言，優(yōu)選是在氧化硅玻璃坩堝的外側(cè)的周圍溫度為1000°c、 1050 °C > 1100 °C > 1200 °C > 1300 °C > 1400 °C > 1500 °C > 1600 °C > 1700 °C > 1800 °C > 1900 °C >2000 °C 中的任意一種的條件下測定的值。另外，優(yōu)選為在氧化硅玻璃坩堝的內(nèi)側(cè)的周圍溫度與 外側(cè)的周圍溫度相比僅僅低 l°c、2°C、3°C、4°C、5°C、6°C、7°C、8°C、9°C、10°C、20°C、30°C、 40°C、50°C、60°C、70°C、80°C、90°C、100°C中的任意一個(gè)溫度的條件下測定的值。
[0031] 本實(shí)施方式中，為了順利地從填充到氧化硅玻璃坩堝12中的硅熔液的液面24提 拉單晶硅，需要將液面24的溫度維持在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)。而且，在單晶硅的提拉初期，由 于該氧化硅玻璃坩堝12的側(cè)壁部15的厚度方向的每單位面積的熱阻大，因此，如圖2所 示，側(cè)壁部15的外側(cè)與內(nèi)側(cè)的溫度差（溫度梯度28)增大。因此，為了將液面24的溫度維 持在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，需要從在支撐氧化硅玻璃坩堝12的模具（未圖示）的外周部設(shè)置 的碳加熱器20向氧化硅玻璃坩堝12供給大量熱量22。其結(jié)果，被加熱至高溫的側(cè)壁部15 容易發(fā)生軟化，但由硅熔液向側(cè)壁部15、彎曲部17以及底部16施加較大壓力，因此，抑制彎 曲部17上的壓曲19或側(cè)壁部15向內(nèi)側(cè)的翻倒。
[0032] 另一方面，硅熔液的液面下降至彎曲部17附近時(shí)，硅熔液對(duì)側(cè)壁部15施加的壓力 消失。另外，硅熔液對(duì)彎曲部17以及底部16施加的壓力也減小。但是，本實(shí)施方式中，該 氧化硅玻璃坩堝12的彎曲部17的厚度方向的每單位面積的熱阻比側(cè)壁部15小，因此，如 圖3所示，彎曲部17的外側(cè)與內(nèi)側(cè)的溫度差（溫度梯度28)減小。因此，為了將液面24的 溫度維持在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，可以從在支撐氧化硅玻璃坩堝12的模具（未圖示）的外周 部設(shè)置的碳加熱器20向彎曲部17中流入少量熱量，因此，彎曲部17不會(huì)被過度加熱。另 夕卜，雖然側(cè)壁部15已不與硅熔液接觸而導(dǎo)致熱量的消失場所減少且側(cè)壁部15達(dá)到所謂的 空轉(zhuǎn)的狀態(tài)，但是，從碳加熱器20中僅僅流入少量的熱量，因此，能夠避免氧化硅玻璃軟化 至難以支撐自重18程度為止。因此，能夠抑制發(fā)生彎曲部17上的壓曲19或側(cè)壁部15向 內(nèi)側(cè)的翻倒。
[0033] 另外，硅熔液的液面進(jìn)一步下降至底部16附近時(shí)，硅熔液對(duì)側(cè)壁部15以及彎曲部 17施加的壓力消失。另外，硅熔液對(duì)底部16施加的壓力也進(jìn)一步減小。但是，本實(shí)施方式 中，該氧化硅玻璃坩堝12的底部16的厚度方向的每單位面積的熱阻小于側(cè)壁部15以及彎 曲部17,因此，底部的外側(cè)與內(nèi)側(cè)的溫度差（溫度梯度）進(jìn)一步減小。因此，為了將液面24 的溫度維持在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，從在支撐氧化硅玻璃坩堝12的模具（未圖示）的外周部 設(shè)置的碳加熱器20流入到底部16內(nèi)的熱量可以控制到更小，因此，底部16不會(huì)被過度加 熱。另外，雖然側(cè)壁部15以及彎曲部17已不與硅熔液接觸而導(dǎo)致熱量的消失場所減少且 側(cè)壁部15以及彎曲部17達(dá)到所謂的空轉(zhuǎn)的狀態(tài)，但是，從碳加熱器20中僅僅流入更少量 的熱量，因此，能夠避免氧化硅玻璃軟化至難以支撐自重18程度為止。因此，能夠抑制發(fā)生 彎曲部17上的壓曲19或側(cè)壁部15向內(nèi)側(cè)的翻倒。
[0034] 作為滿足這種條件的氧化硅玻璃坩堝12,可以具有各種結(jié)構(gòu)，因此，在此不做特別 限定。例如，如圖2以及圖3所示，氧化硅玻璃坩堝12具有：包括含有氣泡的氧化硅玻璃層 14以及透明的氧化硅玻璃層11的二層以上的結(jié)構(gòu)，可以列舉：側(cè)壁部15的含有氣泡的氧 化硅玻璃層14的厚度大于彎曲部17的含有氣泡的氧化硅玻璃層14的厚度、彎曲部17的 含有氣泡的氧化硅玻璃層14的厚度大于底部16的含有氣泡的氧化硅玻璃層14的厚度的 結(jié)構(gòu)。此時(shí)，含有氣泡的氧化硅玻璃層14由于每單位面積的熱阻大，因此，含有氣泡的氧化 硅玻璃層14的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫度梯度32)較大。另一方面，透明的氧化硅玻 璃層11的每單位面積的熱阻小于含有氣泡的氧化硅玻璃層14,因此，在透明的氧化硅玻璃 層11的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫度梯度30)較小。因此，如圖2所示，側(cè)壁部15的含 有氣泡的氧化娃玻璃層14的厚度大時(shí)，在側(cè)壁部15整體的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫 度梯度28)增大。
[0035] 另一方面，如圖3所示，彎曲部17的含有氣泡的氧化硅玻璃層14的厚度小于側(cè)壁 部15時(shí)，在彎曲部17整體的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫度梯度28)比側(cè)壁部15小。另 夕卜，底部16的含有氣泡的氧化硅玻璃層14的厚度比彎曲部17更小時(shí)，在底部16整體的外 側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫度梯度）也更小于彎曲部17。其結(jié)果，如果是側(cè)壁部15的含有 氣泡的氧化硅玻璃層14的厚度大于彎曲部17的含有氣泡的氧化硅玻璃層14的厚度、彎曲 部17的含有氣泡的氧化硅玻璃層14的厚度大于底部16的含有氣泡的氧化硅玻璃層14的 厚度的結(jié)構(gòu)，則得到滿足如上所述條件的氧化硅玻璃坩堝12。
[0036] 〈通過使用不同種類材料來調(diào)節(jié)溫度梯度而產(chǎn)生的壓曲以及翻倒的抑制〉 圖4是用于對(duì)實(shí)施方式2的氧化硅玻璃坩堝的側(cè)壁部的溫度梯度進(jìn)行說明的截面圖。 另外，圖5是用于對(duì)實(shí)施方式2的氧化硅玻璃坩堝的彎曲部的溫度梯度進(jìn)行說明的截面圖。
[0037] 本實(shí)施方式中，如圖4以及圖5所示，氧化硅玻璃坩堝12具有包含導(dǎo)熱率彼此不 同的不同種類材料的二層以上的結(jié)構(gòu)。具體而言，這些二層以上中的外側(cè)層44作為雜質(zhì)含 有鋁，因此，每單位面積的熱阻大。需要說明的是，含有鋁作為雜質(zhì)的外側(cè)層44通過在制造 氧化硅玻璃坩堝12時(shí)使用的模具的內(nèi)側(cè)將在天然石英粉中混合有氧化鋁粉末而成的材料 進(jìn)行電弧熔融而得到。另一方面，這些二層以上中的內(nèi)側(cè)層46含有氮作為雜質(zhì)，因此，每單 位面積的熱阻小。需要說明的是，含有氮作為雜質(zhì)的內(nèi)側(cè)層46通過將合成氧化硅粉末在氮 氣或氨氣氣氛下進(jìn)行電弧熔融而得到。
[0038] 此時(shí)，例如，如圖4以及圖5所示，氧化硅玻璃坩堝12具有包含導(dǎo)熱率彼此不同的 不同種類材料的二層以上的結(jié)構(gòu)，可以列舉：側(cè)壁部15的外側(cè)層44的厚度大于彎曲部17 的外側(cè)層44的厚度、且彎曲部17的外側(cè)層44的厚度大于底部16的外側(cè)層44的厚度的結(jié) 構(gòu)。此時(shí)，外側(cè)層44由于每單位面積的熱阻大，因此，在外側(cè)層44的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫 度差（溫度梯度32)大。另一方面，內(nèi)側(cè)層46的每單位面積的熱阻小于外側(cè)層44,因此，內(nèi) 側(cè)層46的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫度梯度30)大。因此，如圖4所示，側(cè)壁部15的外 側(cè)層44的厚度大時(shí)，在側(cè)壁部15整體的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫度梯度28)增大。
[0039] 另一方面，如圖3所示，彎曲部17的外側(cè)層44的厚度小于側(cè)壁部15時(shí)，在彎曲部 17整體的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫度梯度28)比側(cè)壁部15小。另外，底部16的外側(cè) 層44的厚度比彎曲部17更小時(shí)，在底部16整體的外側(cè)與內(nèi)側(cè)之間的溫度差（溫度梯度） 也比彎曲部17小。其結(jié)果，如果是側(cè)壁部15的外側(cè)層44的厚度大于彎曲部17的外側(cè)層 44的厚度、彎曲部17的外側(cè)層44的厚度大于底部16的外側(cè)層44的厚度的結(jié)構(gòu)，則得到滿 足如上所述的條件的氧化硅玻璃坩堝12。
[0040] 以上，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明，但這些為本發(fā)明的例示，也可以采 用上述以外的各種構(gòu)成。
[0041]【符號(hào)的說明】 11透明的氧化硅玻璃層 12氧化硅玻璃坩堝 14含有氣泡的氧化硅玻璃層 15側(cè)壁部 16底部 17彎曲部 18自重 19壓曲 20碳加熱器 22熱量 24液面 28溫度梯度 30溫度梯度 32溫度梯度 44外側(cè)層 46內(nèi)側(cè)層。
【權(quán)利要求】
1. 一種氧化硅玻璃坩堝，是用于單晶硅的提拉的氧化硅玻璃坩堝，其具備：具有上面 開口的邊緣部的圓筒狀的側(cè)壁部，由曲線構(gòu)成的研缽狀的底部，以及連接所述側(cè)壁部和 所述底部的彎曲部，其中，所述側(cè)壁部的厚度方向的每單位面積的熱阻大于所述彎曲部的 厚度方向的每單位面積的熱阻。
2. 如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝，其中，所述彎曲部的厚度方向的每單位面積 的熱阻大于所述底部的厚度方向的每單位面積的熱阻。
3. 如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝，其中，所述氧化硅玻璃坩堝具有包括含有氣 泡的氧化硅玻璃層以及透明的氧化硅玻璃層的二層以上的結(jié)構(gòu)，所述側(cè)壁部的含有氣泡 的氧化硅玻璃層的厚度大于所述彎曲部的含有氣泡的氧化硅玻璃層的厚度。
4. 如權(quán)利要求3所述的氧化硅玻璃坩堝，其中，所述彎曲部的含有氣泡的氧化硅玻璃 層的厚度大于所述底部的含有氣泡的氧化硅玻璃層的厚度。
5. 如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝，其中，所述氧化硅玻璃坩堝具有包含導(dǎo)熱率 彼此不同的不同種類材料的二層以上的結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求5所述的氧化硅玻璃坩堝，其中，所述二層以上中的外側(cè)層含有鋁作為 雜質(zhì)。
7. 如權(quán)利要求5所述的氧化硅玻璃坩堝，其中，所述二層以上中的內(nèi)側(cè)層含有氮作為 雜質(zhì)。
【文檔編號(hào)】C30B15/10GK104114754SQ201280065351
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月30日
【發(fā)明者】須藤俊明, 佐藤忠廣, 北原賢, 吉岡拓麿, 岸弘史 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Sumco