用于將載體液體蒸汽從墨分離的設(shè)備和方法
【專利摘要】提供了包括或使用卡盤、噴墨打印頭以及氣體刀來在基底上形成膜層的系統(tǒng)、設(shè)備和方法，膜層具有均勻的特征尺寸并且避免噴墨墨的堆疊。在一些系統(tǒng)中，替代氣體刀而使用氣體運(yùn)動(dòng)器件。所述系統(tǒng)、設(shè)備和方法能夠被用于在基底上打印被用在有機(jī)發(fā)光器件中的層。
【專利說明】用于將載體液體蒸汽從墨分離的設(shè)備和方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2011年7月I日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)N0.61/504,051以及2012年5月25日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)N0.61/651，847的益處，通過引用將這兩者整體地合并于此。本申請(qǐng)還通過引用將2012年4月17日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)N0.61/625,659整體地合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本教導(dǎo)涉及在多種產(chǎn)品一例如，有機(jī)發(fā)光器件一的制造中將墨向基底上打印期間把載體液體蒸汽從墨分離的方法、設(shè)備和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0003]有機(jī)發(fā)光器件(OLED)的制造牽涉高的精確度以實(shí)現(xiàn)恰當(dāng)?shù)仄鹱饔貌M足客戶期望的產(chǎn)品。將有機(jī)材料打印到基底上以在這樣的器件中形成像素提出了各種挑戰(zhàn)。目的是利用材料在基底上的正確位置處的均勻沉積來在這些位置中沉積有機(jī)材料。這種目的一般地可應(yīng)用于打印技術(shù)，例如熱打印和噴墨打印。當(dāng)這樣產(chǎn)生的OLED未能滿足設(shè)計(jì)期望時(shí)，可能難以將失效的原因追蹤到特定源。即使由于失效的原因而將打印孤立，也經(jīng)常不能確定是打印的什么方面負(fù)有責(zé)任，更不用說如何解決問題。
[0004]美國專利申請(qǐng)公開US 2008/0308037AUUS 2008/0311307AUUS 2010/0171780A1和US 2010/0188457A1描述了包括用于將有機(jī)材料以墨的形式沉積到基底上來作為膜的轉(zhuǎn)印表面的熱打印設(shè)備。美國專利申請(qǐng)公開N0.US 2011/0293818A1描述了調(diào)節(jié)單元以將并非為被沉積的膜的一部分的材料，例如載體液體從墨中清除。調(diào)節(jié)單元可能是熱和/或氣體源，并且能夠?qū)⑤椛?、?duì)流熱或傳導(dǎo)熱傳送至轉(zhuǎn)印表面。然而，在各種情形下，單獨(dú)憑熱可能不會(huì)必然地掃除載體液體蒸汽，并且氣體可能簡單地將其掃至設(shè)備的不同部分。在這樣的情形下，載體液體蒸汽可能不會(huì)被充分地去除并且可能例如在轉(zhuǎn)印表面的不同位置處或者在沉積系統(tǒng)的不同部分處再凝結(jié)。再凝結(jié)可能造成不想要的材料在設(shè)備中堆積。這樣的在轉(zhuǎn)印表面上的堆積可能導(dǎo)致載體液體轉(zhuǎn)印到想要的基底，造成被沉積膜的污染或再溶解。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例，提供了一種基底打印系統(tǒng)，包括卡盤、噴墨打印頭和氣體刀。卡盤包括被配置成支撐基底的頂部表面。噴墨打印頭被配置成用于向由卡盤支撐的基底的打印表面上噴墨打印。氣體刀包括用于接收來自被加壓的氣體源的被加壓氣體的入口，以及具有長度并被配置成將來自氣體刀的被加壓氣體以片狀流動(dòng)的形式朝向由卡盤支撐的基底的頂部表面引導(dǎo)的出口槽。噴墨打印頭可能與墨的供給裝置流體連通。墨可能是噴墨墨并且可能包括載體流體或液體以及被溶解或懸浮在載體流體中的成膜有機(jī)材料。成膜有機(jī)材料可能對(duì)用于形成有機(jī)發(fā)光器件的功能層有用。在一些實(shí)施例中，基底被卡盤支撐并且基底包括至少兩行的像素堤。每個(gè)像素堤能夠被配置成圍住在干化時(shí)能夠形成用于有機(jī)發(fā)光器件的像素的有機(jī)材料。每行像素堤能夠具有長度并且每個(gè)像素堤能夠具有長度和比長度短的寬度。在一些實(shí)施例中，在每一行中像素堤的長度被布置成基本上垂直于相應(yīng)行的長度。出口槽的長度能夠被定向成基本上平行于每個(gè)像素堤的長度并且基本上垂直于每一行的長度。在其它實(shí)施例中出口槽的長度被定向成基本上垂直于每個(gè)像素堤的長度并且基本上平行于每一行的長度。
[0006]根據(jù)各種實(shí)施例，基底打印系統(tǒng)可能包括抽空端口和與抽空端口流體連通的真空源。抽空端口能夠被相對(duì)于氣體刀定位以使得由氣體刀產(chǎn)生的氣體的片狀流動(dòng)經(jīng)抽空端口被吸走。能夠相鄰于噴墨打印頭安裝抽空端口并且抽空端口和噴墨打印頭能夠被配置成相對(duì)于卡盤的頂部表面一前一后地運(yùn)動(dòng)。
[0007]在一些實(shí)施例中，基底能夠被定位在卡盤的頂部表面上并且基底能夠包括頂部表面、側(cè)向邊緣、長度和寬度，其中氣體刀與側(cè)向邊緣分隔開第一距離。第一距離能夠是基底的長度的至少兩倍，并且基底的長度能夠被定向成基本上垂直于出口槽的長度。在一些情況中第一距離能夠是基底的寬度的至少兩倍并且基底的寬度能夠基本上垂直于出口槽的長度。
[0008]在一些實(shí)施例中，基底打印系統(tǒng)被封閉在封閉罩中以使得封閉罩包含卡盤、噴墨打印頭和氣體刀。封閉罩可能包括惰性氣氛以及被配置成生成并維持這樣的氣氛的循環(huán)系統(tǒng)。惰性氣氛可能是氮?dú)鈿夥盏取?br> [0009]基底打印系統(tǒng)還可能包括被配置成在向由卡盤支撐的基底上噴墨打印期間使噴墨打印頭相對(duì)于卡盤運(yùn)動(dòng)的打印頭致動(dòng)器。在一些情況中，能夠提供被配置成在打印期間使卡盤和氣體刀相對(duì)于噴墨打印頭運(yùn)動(dòng)的至少一個(gè)致動(dòng)器。
[0010]在本教導(dǎo)的又一實(shí)施例中，提供了一種用于在形成于基底上的像素堤中獲得成膜有機(jī)材料的基本上均勻的分布的方法。該方法可能包括利用卡盤支撐基底，其中基底包括形成在基底的打印表面上的多個(gè)像素堤。為了便利噴墨墨在每個(gè)像素堤中的平均分布并且在像素堤中形成墨的均勻?qū)佣鴽]有墨堆疊，能夠從氣體刀的出口槽朝向基底的打印表面引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)。氣體刀可能包括具有長度的出口槽。該方法可能牽涉向形成在基底上的第一多個(gè)像素堤上打印來自第一噴墨打印頭的第一噴墨墨。然后，能夠向形成在基底上的第二多個(gè)像素堤上打印來自相同的噴墨打印頭的更多的噴墨墨，或者打印來自不同噴墨打印頭的不同(第二)噴墨墨。在一些情況中，第一噴墨打印頭和第二噴墨打印頭可能是相同的噴墨打印頭。在其它的情況中，使用不同的噴墨打印頭和/或不同的墨。被引導(dǎo)到打印表面處的氣體的片狀流動(dòng)能夠便利噴墨墨在每個(gè)像素堤內(nèi)的平均分布并且能夠防止在每個(gè)像素堤內(nèi)的被稱為墨“堆疊”的現(xiàn)象。
[0011]在一些實(shí)施例中，該方法可能牽涉在打印第一多個(gè)和第二多個(gè)像素堤這兩者期間朝向基底引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)。能夠從處于任意適當(dāng)?shù)膲毫σ焕缣幱趶拇蠹s1.0 PSig到大約25 psig,或者從2.0 psig到大約15 psig的壓力一的氣體刀引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)?；椎拇蛴”砻婵赡馨ㄖ辽賰尚械南袼氐?，其中每一行具有長度。每個(gè)像素堤可能具有長度和比長度短的寬度。每個(gè)像素堤的長度可能被布置或定向成基本上垂直于該像素堤作為其中一部分的相應(yīng)行的長度。
[0012]在一些情況中，氣體刀的出口槽具有基本上平行于每個(gè)像素堤的長度并且基本上垂直于每一行長度的長度。在其它的情況中，氣體刀的出口槽具有基本上垂直于每個(gè)像素堤的長度并且基本上平行于每一行的長度的長度。對(duì)于具有不同的粘性和其它性質(zhì)的不同的墨，可能優(yōu)選不同的定向。本方法可能還包括在朝向基底引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)之后經(jīng)抽空端口施加真空以吸收氣體的片狀流動(dòng)。
[0013]在本教導(dǎo)的其它實(shí)施例中，提供了一種基底打印系統(tǒng)，包括卡盤、噴墨打印頭以及被以相對(duì)于噴墨打印頭固定的關(guān)系并且相鄰于噴墨打印頭定位的氣體運(yùn)動(dòng)器件?？ūP可能包括頂部表面，該頂部表面被配置成在其上支撐基底。噴墨打印頭可能被配置成用于在基底被卡盤支撐的同時(shí)向基底的打印表面上打印噴墨墨。能夠與噴墨打印頭流體連通地提供噴墨墨的供給，并且噴墨墨可能包括載體流體或液體以及被溶解或懸浮在載體流體中的成膜有機(jī)材料。氣體運(yùn)動(dòng)器件可能被配置成在噴墨打印頭向打印表面上打印噴墨墨的同時(shí)向基底的打印表面上引導(dǎo)氣體流動(dòng)。氣體運(yùn)動(dòng)器件可能包括風(fēng)扇、兩個(gè)或更多個(gè)風(fēng)扇或者氣體刀。氣體運(yùn)動(dòng)器件可能與諸如氮?dú)獾亩栊詺怏w源流體連通。
[0014]在一些實(shí)施例中，基底打印系統(tǒng)可能進(jìn)一步包括抽空端口和與抽空端口流體連通的真空源。抽空端口能夠被相對(duì)于氣體運(yùn)動(dòng)器件定位以使得由氣體運(yùn)動(dòng)器件產(chǎn)生的氣體流動(dòng)被從打印表面經(jīng)抽空端口吸走。在一些情況中，能夠提供封閉罩以包含卡盤、噴墨打印頭以及氣體運(yùn)動(dòng)器件，并且該封閉罩可能包含諸如氮?dú)鈿夥盏亩栊詺夥?。能夠提供被配置成加熱卡盤或者加熱由卡盤支撐的基底的至少一個(gè)加熱器。在示例實(shí)施例中，氣體運(yùn)動(dòng)器件包括至少兩個(gè)風(fēng)扇并且以從大約0.5 m/s到大約5.0 m/s的速率引導(dǎo)氣體流動(dòng)。
[0015]在本教導(dǎo)的再一實(shí)施例中，提供了用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備。該設(shè)備可能對(duì)于熱打印有用并且可能包括例如用于接收載體液體中的成膜材料并且然后用于向基底上沉積被干化的成膜材料的轉(zhuǎn)印構(gòu)件。該設(shè)備可能包括至少部分地由轉(zhuǎn)印構(gòu)件的表面部分定義的汽化區(qū)。表面部分可能被沿著第一平面設(shè)置并且汽化區(qū)可能被配置成支承載體液體中的成膜材料的一部分。能夠布置加熱器以加熱汽化區(qū)。能夠相鄰于汽化區(qū)提供抽空端口并且抽空端口能夠被定向?yàn)槭沟闷渑c基本上正交于第一平面地遠(yuǎn)離汽化區(qū)延伸的線交叉。進(jìn)一步地，能夠提供與抽空端口流體連通的真空源。在操作中，真空源可能引起從汽化區(qū)延伸經(jīng)過抽空端口并且充分流動(dòng)的氣體流動(dòng)以帶出并去除被置于汽化區(qū)處或接近汽化區(qū)的蒸汽。
[0016]根據(jù)各種實(shí)施例，替代單個(gè)抽空端口，該設(shè)備可能包括相鄰于汽化區(qū)并且與遠(yuǎn)離汽化區(qū)延伸并且基本上正交于第一平面的線交叉的抽空端口陣列。在這樣的情況中，真空源能夠被配置成用于與抽空端口陣列流體連通。在操作中，真空源可能引起從汽化區(qū)延伸經(jīng)過抽空端口陣列并且充分流動(dòng)的氣體流動(dòng)以帶出并去除被置于汽化區(qū)處或接近汽化區(qū)的蒸汽。
[0017]在又一實(shí)施例中，該設(shè)備能夠包括相鄰于汽化區(qū)并被置于汽化區(qū)的與抽空端口相對(duì)的側(cè)上的第一平面中的清除氣體端口。能夠提供被配置成與清除氣體端口流體連通的清除氣體源。在操作中，清除氣體源和真空源可能引起沿著延伸經(jīng)過汽化區(qū)的附近并基本上平行于汽化區(qū)、并且經(jīng)過抽空端口的流動(dòng)路徑的氣體流動(dòng)。該氣體流動(dòng)能夠有充分的體積和流動(dòng)速度以帶出并去除被置于汽化區(qū)處或接近汽化區(qū)的蒸汽。
【專利附圖】

【附圖說明】[0018]通過參考意圖圖解而非限制本教導(dǎo)的所附附圖將獲得對(duì)本教導(dǎo)的特征和優(yōu)點(diǎn)的更好的理解。在下面的圖解中，相似的元件被類似地編號(hào)。
[0019]圖1A是根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的能夠被打印的基底的俯視圖。
[0020]圖1B是已經(jīng)利用一種或多種墨打印的如在圖1A中示出的基底的俯視圖。
[0021]圖1C是已經(jīng)利用一種或多種墨打印的如在圖1A中示出的基底的俯視圖。
[0022]圖2A是根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的上面已經(jīng)被部分地打印的基底的橫截面視圖。
[0023]圖2B是已經(jīng)由第一和第二次打印機(jī)通過打印的在圖2A中示出的基底的橫截面視圖。
[0024]圖2C是已經(jīng)被打印并且部分地干化的在圖2A中示出的基底的橫截面視圖。
[0025]圖3A是已經(jīng)使用噴墨打印頭的至少兩次通過來利用一種或多種墨打印的基底的俯視圖。
[0026]圖3B是已經(jīng)使用根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的噴墨打印頭的至少兩次通過來利用一種或多種墨打印的基底的俯視圖。
[0027]圖4是展示馬拉高尼(Marangoni)效應(yīng)的示意性圖。
[0028]圖5A是包含多個(gè)像素的基底和引導(dǎo)空氣的片狀流動(dòng)流在與多個(gè)像素的長度一致的方向上跨過基底的氣體刀的俯視圖。
[0029]圖5B是包含多個(gè)像素的基底和引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)流跨過基底的氣體刀的俯視圖，其中基底被配置成使得氣體流垂直于多個(gè)像素的長度。
[0030]圖6A是根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的、被配置成使得包含多個(gè)像素的基底擱放在卡盤上并且氣體刀能夠產(chǎn)生氣體的片狀流動(dòng)流來在與多個(gè)像素的長度一致的方向上跨過基底的噴墨打印系統(tǒng)的右頂透視視圖。
[0031]圖6B是在圖6A中示出的噴墨打印系統(tǒng)的替換的被放大的右頂透視視圖。
[0032]圖6C是在圖6A中示出的噴墨打印系統(tǒng)的替換的右頂透視視圖。
[0033]圖6D是在圖6A中示出的噴墨打印系統(tǒng)的俯視圖。
[0034]圖7A是根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的噴墨打印系統(tǒng)的右頂透視視圖，其中基底包含多個(gè)像素并且氣體刀被配置成使得氣體刀引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)流跨過基底，其中氣體的片狀流動(dòng)流垂直于多個(gè)像素的長度。
[0035]圖7B是在圖7A中示出的噴墨打印系統(tǒng)的替換的右頂透視視圖。
[0036]圖7C是在圖7A中示出的噴墨打印系統(tǒng)的俯視圖。
[0037]圖7D是在圖7A中示出的噴墨打印系統(tǒng)的左頂透視視圖。
[0038]圖8示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0039]圖9示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的能夠與轉(zhuǎn)印表面處于臨時(shí)關(guān)系的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0040]圖10圖解與圖9相同但處于在時(shí)間上的不同點(diǎn)的設(shè)備。
[0041]圖11示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的能夠與轉(zhuǎn)印表面處于臨時(shí)關(guān)系的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0042]圖12圖解與圖11相同但處于在時(shí)間上的不同點(diǎn)的設(shè)備。
[0043]圖13示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的其它實(shí)施例的能夠與轉(zhuǎn)印表面處于臨時(shí)關(guān)系的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0044]圖14示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的包括圖9的溶劑蒸汽去除設(shè)備的多個(gè)單元的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0045]圖15示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的其它實(shí)施例的包括圖8的溶劑蒸汽去除設(shè)備的更大單元的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0046]圖16不意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的另一實(shí)施例的作為轉(zhuǎn)動(dòng)鼓沉積系統(tǒng)的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0047]圖17不意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的另一實(shí)施例的作為轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓沉積系統(tǒng)的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0048]圖18示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的再一實(shí)施例的作為成膜設(shè)備的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0049]圖19示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的再一實(shí)施例的作為成膜設(shè)備的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0050]圖20示意性地圖解根據(jù)本教導(dǎo)的再一實(shí)施例的包括圖18的溶劑蒸汽去除設(shè)備的多個(gè)單元的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0051]圖21是圖解根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的用于形成膜的方法的流程圖。
[0052]圖22是圖解根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的用于形成膜的方法的流程圖。
[0053]圖23是示出根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的在基底上的各種定位處的不同氣體速度的示意性圖。
[0054]圖24是根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的已經(jīng)在干化時(shí)間不同的各種位置處被打印的基底的不意性表不。
[0055]圖25是根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的利用一種或多種墨打印的基底以及指示基底的干化時(shí)間不同的各種位置的示意性表示。
【具體實(shí)施方式】
[0056]本教導(dǎo)涉及發(fā)現(xiàn)并解決在基底上進(jìn)行各種墨打印所面臨的麻煩的問題。該問題牽涉在這里被稱作“堆疊”的現(xiàn)象。堆疊可能在像素的第一區(qū)被打印在基底上并且然后第二相鄰區(qū)被打印在相同的基底上時(shí)發(fā)生。在這兩個(gè)區(qū)之間的界面處，在第一打印區(qū)中的一行像素可能經(jīng)受堆疊，就是說，墨以在像素堤的一個(gè)端部處與在像素堤的相對(duì)的端部處相比留有更多的墨這樣的方式干化。結(jié)果，產(chǎn)生非均勻的像素。能夠參考圖1A、1B和IC更好地了解這種現(xiàn)象。
[0057]圖1A是基底40的示意性表示的俯視圖。示出了被劃分成第一區(qū)42和第二區(qū)44的兩個(gè)區(qū)的基底40，這兩個(gè)區(qū)的界面是邊界43。在第一區(qū)42中的第一行像素堤46中示出像素堤48。在第二區(qū)44中的第二行像素堤50中示出第二像素堤52。圖1B示出在第一區(qū)42和第二區(qū)44中的打印的后效應(yīng)。以黑色示出的墨被平均地分布在第二區(qū)44中的行52的像素堤中。墨被示出為集中在區(qū)42的行46中的像素堤的一個(gè)端部上。行46的像素堤已經(jīng)經(jīng)受了堆疊現(xiàn)象。圖1C示出能夠根據(jù)本教導(dǎo)實(shí)現(xiàn)的基底40的基底的被打印的基底，該被打印的基底得到墨在第一行46和第二行50這兩者的像素堤中的平均分布。
[0058]圖2A、2B和2C是包含第一像素堤62和第二像素堤64的基底60的橫截面視圖。圖2A示出在噴墨打印頭的第一次通過已經(jīng)發(fā)生并且將墨小滴66沉積到像素堤62中之后的基底60。圖2B示出在噴墨打印頭的第一次通過和第二次通過這兩者已經(jīng)發(fā)生之后的基底60。噴墨打印頭的第二次通過已經(jīng)將第二墨小滴68沉積到像素堤64中。在時(shí)間上的這個(gè)瞬時(shí)，在66處的第一墨滴已經(jīng)以均勻方式干化。圖2C示出在后續(xù)于在圖2B中所示的短的時(shí)間點(diǎn)處的基底60的橫截面視圖。在時(shí)間上的這個(gè)點(diǎn)處，盡管第二墨滴68已經(jīng)基本上均勻地干化，但堆疊效應(yīng)已經(jīng)造成在66處的第一墨滴以非均勻的方式干化。在66處的第一墨滴已經(jīng)聚集在像素堤62的遠(yuǎn)側(cè)上并且被從第一像素堤62的近側(cè)拉離。
[0059]圖3A是被劃分成第一區(qū)72和第二區(qū)74的基底70的俯視圖。這兩個(gè)區(qū)都包括被布置成行和列的多個(gè)像素。已經(jīng)利用來自噴墨打印頭的第一次通過的一種或多種墨打印了第一區(qū)72，并且在邊界76的另一側(cè)上，已經(jīng)在噴墨打印頭在第二區(qū)74中的第二次通過期間利用一種或多種墨對(duì)像素上墨。列78被示出為在第一區(qū)72中相鄰于邊界76。在第一行78中的像素已經(jīng)經(jīng)受了堆疊現(xiàn)象并且顯示與區(qū)72和第二區(qū)74中的其它像素相比更輕的密度。相比之下，在區(qū)74中并且相鄰于邊界76的像素行80已經(jīng)被用墨均勻地沉積并且也均勻地干化。
[0060]圖3B示出根據(jù)本教導(dǎo)的已經(jīng)利用一種或多種墨打印并且未展示出堆疊現(xiàn)象的基底84的俯視圖。與在圖3A中的基底70相似，基底84被劃分成由邊界90劃分的第一區(qū)86和第二區(qū)88。已經(jīng)利用噴墨打印頭的第一次通過打印了第一區(qū)86并且已經(jīng)利用噴墨打印頭的第二次通過打印了第二區(qū)88。與圖3A中的第一行78相比，第一區(qū)86中相鄰于邊界90的第一行像素92并未示出堆疊現(xiàn)象。相鄰于邊界90的第二像素行94被示出為具有可與第二行92中的像素類似的在像素中的墨的均勻分布。圖3B示出能夠根據(jù)在此描述的各種教導(dǎo)實(shí)現(xiàn)的令人驚訝的意外結(jié)果。
[0061]圖4是馬拉高尼效應(yīng)的示意性圖。在基底96上，水的小滴98被示出為在如用虛線箭頭指示的方向100上運(yùn)動(dòng)。異丙醇蒸汽源102被示出為相鄰于水小滴98。虛線箭頭104示出撞擊在水小滴98上的蒸汽方向。由于相對(duì)于在定位108處的異丙醇蒸汽的相對(duì)低的濃度，異丙醇蒸汽在定位106處有相對(duì)高的濃度，因此由于馬拉高尼效應(yīng)的結(jié)果水小滴98在由虛線箭頭100指示的方向上運(yùn)動(dòng)。例如,異丙醇蒸汽(大約22 dyne/cm的表面張力)能夠被用于把水(大約72 dyne/cm的表面張力)小滴“推離”玻璃表面。馬拉高尼效應(yīng)可能對(duì)本教導(dǎo)所要應(yīng)對(duì)的堆疊效應(yīng)負(fù)有責(zé)任。然而，本教導(dǎo)不取決于或被限制于有關(guān)堆疊現(xiàn)象的原因的任意特定的理論。
[0062]流體中的表面張力的梯度在更高的表面張力的方向上對(duì)流體施加力。這個(gè)表面張力梯度典型地因?yàn)榱黧w組分中的梯度的原因而導(dǎo)致。在所觀察的滴干化現(xiàn)象中觀察到這一效應(yīng):在墨滴中因?yàn)椴煌M成的不同的干化速率和滴的不同區(qū)的不同干化速率(對(duì)比于中心在邊緣處更快地干化)的組合的原因而導(dǎo)致在組分中存在梯度。還可能因?yàn)榻?jīng)由下述兩種現(xiàn)象所致的外界蒸汽梯度的原因而導(dǎo)致這樣的梯度發(fā)生:蒸汽被吸入到流體中和/或滴的干化被抑制(在這兩種情況中都與空間地變化的濃度成比例)。
[0063]圖5A是根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的噴墨打印系統(tǒng)和方法的一部分的示意性表示的俯視圖。在噴墨打印系統(tǒng)Iio中，氣體刀112采用片狀流動(dòng)形式發(fā)射氣體流114來跨過基底116以使得由間斷線箭頭表示的氣體流114的方向與各種像素的長度一致。就是說，氣體流動(dòng)114沿被稱作“像素內(nèi)”的定向跨過在基底115表面上的行116和列118中的像素地運(yùn)動(dòng)。圖5B是示出采用片狀流動(dòng)的形式發(fā)射氣體流114的氣體刀112的噴墨打印系統(tǒng)120的替換配置的示意性圖。在這個(gè)配置中，氣體流沿被稱作“跨像素”的定向垂直于列118并且跨過行116地運(yùn)動(dòng)，而且垂直于行116中的像素的長度地運(yùn)動(dòng)。
[0064]圖6A是根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的噴墨打印系統(tǒng)130的右頂透視視圖。系統(tǒng)130的各種組件被附接至基座132?？ūP134被經(jīng)卡盤支架136附接至基座132?？ūP134包括具有頂部卡盤表面140的頂部卡盤層136。頂部卡盤表面140能夠支承基底142。氣體刀144被經(jīng)氣體刀支承146連接至基座132。氣體刀144被定向成以像素內(nèi)配置來使氣體流跨過基底142流動(dòng)。托臺(tái)148包括允許噴墨打印頭組件152在X軸方向上進(jìn)行運(yùn)動(dòng)的軌梁150。噴墨打印頭組件152包括包含有第一墨滑架156的第一墨滑架槽154。豎直致動(dòng)器158在操作中關(guān)聯(lián)于并且允許噴墨打印頭組件152在z軸方向上的運(yùn)動(dòng)。第一 y軸致動(dòng)器160和第二 y軸致動(dòng)器162允許托臺(tái)148在y軸方向上的運(yùn)動(dòng)。沿著托臺(tái)148的相對(duì)的噴墨打印頭組件152是噴墨滑架供給夾架164。噴墨供給夾架164包括第二噴墨滑架槽166、第三墨滑架槽168、第四墨滑架槽170、第五墨滑架槽172和第六墨滑架槽174。第二墨滑架176被第二墨滑架槽166支撐，第三墨滑架178被第三墨滑架槽168支撐，第四墨滑架180被第四墨滑架槽170支撐，第五墨滑架182被第五墨滑架槽172支撐，并且第六墨滑架184被第六墨滑架槽174支撐。
[0065]圖6B是在圖6A中示出的噴墨打印系統(tǒng)130的替換的右頂透視視圖?？ūP頂部表面140相對(duì)于氣體刀144支承基底142，氣體刀144在像素內(nèi)配置下發(fā)射利用虛線箭頭186指示的氣體流。圖6C仍是在圖6A中示出的噴墨打印系統(tǒng)130的另一替換的右頂透視視圖。基底142擱放在卡盤頂部表面140上并且被相對(duì)于氣體刀144定位?？諝獾?44在像素內(nèi)配置下發(fā)射由虛線箭頭186指示的氣體流來跨過基底142。圖6D是在圖6A中示出的噴墨打印系統(tǒng)130的俯視圖?；?42再次被頂部卡盤表面140支承。氣體刀144在像素內(nèi)配置下相對(duì)于基底142發(fā)射由虛線箭頭186指示的氣體流。
[0066]圖7A是示出跨像素配置的噴墨打印系統(tǒng)130的右頂透視視圖?？ūP134被經(jīng)卡盤支承136附接至基座132。頂部卡盤層138具有支承基底142的頂部卡盤表面140。氣體刀144被經(jīng)氣體刀支承146連接至基座132。氣體刀144被配置成相對(duì)于基底142以在跨像素配置下吹動(dòng)氣體流跨過基底142。托臺(tái)148包括軌梁150，軌梁150允許噴墨打印頭組件152運(yùn)動(dòng)。圖7B是在圖7A中示出的噴墨打印系統(tǒng)130的替換的右頂透視視圖?？ūP頂部表面140相對(duì)于氣體刀144支承基底142。氣體流188被氣體刀144發(fā)射并且在跨像素配置下運(yùn)動(dòng)跨過基底142。圖7C是在圖7A中示出的噴墨打印系統(tǒng)130的俯視圖?？ūP頂部表面140相對(duì)于氣體刀144支承基底142。從氣體刀144在跨像素配置下跨過基底142地發(fā)射氣體流188。圖7D是在圖7A中示出的噴墨打印系統(tǒng)130的左頂透視視圖?？ūP頂部表面140支承基底142。氣體刀144被定向成使得氣體流188被氣體刀144發(fā)射并且氣體流188在跨像素配置下吹動(dòng)跨過基底142。
[0067]根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例，提供了包括卡盤、噴墨和打印頭的基底打印系統(tǒng)。卡盤能夠包括被配置成支撐基底的頂部表面。噴墨打印頭能夠被配置成用于向基底上噴墨打印。氣體刀能夠包括用于接收來自被加壓的氣體源的被加壓氣體的入口，以及具有長度并且被配置成將來自氣體刀的被壓縮氣體以片狀流動(dòng)朝向由卡盤支撐的基底引導(dǎo)的出口槽。
[0068]噴墨打印頭能夠與墨的供給裝置流體連通并且墨包括載體流體以及被溶解或懸浮在載體流體中的成膜有機(jī)材料。能夠使用任意適當(dāng)?shù)哪?。墨的例子包括用于?gòu)建有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)射層、空穴傳輸層、空穴注入層和任意其它層等的那些墨。
[0069]任意適當(dāng)?shù)目ūP能夠被用作為基底打印系統(tǒng)的端口。例如，可以使用能夠支撐不同大小基底的多基底或通用卡盤?？ūP能夠包括多個(gè)層，其中的一個(gè)或多個(gè)層能夠提供具體的定位控制?；状蛴∠到y(tǒng)能夠進(jìn)一步包括由卡盤支撐的基底。能夠使用任意適當(dāng)類型的基底。例如，能夠使用玻璃基底以及/或者包括氧化銦錫(ITO)的基底。能夠在由基底打印系統(tǒng)處理基底之前對(duì)基底預(yù)先成層以使得提供各種集成的電子組件和被配置成用于接收并圍住墨的像素堤?；啄軌虬ㄈ我鈹?shù)量的像素、像素堤、像素行、像素堤的行、像素列和像素列的行。在一些實(shí)施例中，基底包括至少兩行的像素堤，每個(gè)像素堤被配置成圍住用于形成像素的有機(jī)材料，每一行具有長度，每個(gè)像素堤具有長度并且每個(gè)像素堤具有比其長度短的寬度。在每一行中像素堤的長度能夠被布置成基本上垂直于相應(yīng)行的長度，并且氣體刀的出口槽的長度能夠被定向成基本上平行于每個(gè)像素堤的長度并且基本上垂直于每一行的長度。
[0070]在一些實(shí)施例中，基底包括至少兩行的像素堤，每個(gè)像素堤被配置成圍住用于形成像素的有機(jī)材料。每一行具有長度并且每個(gè)像素堤具有長度和比長度短的寬度。在每一行中像素堤的長度能夠被布置成基本上垂直于相應(yīng)行的長度，并且氣體刀的出口槽的長度能夠被定向成基本上垂直于每個(gè)像素堤的長度并且基本上平行于每一行的長度。
[0071]任意適當(dāng)?shù)恼婵赵春退降恼婵赵O(shè)備能夠被用作為基底打印系統(tǒng)的一部分并且/或者與基底打印系統(tǒng)相結(jié)合地使用。在一些實(shí)施例中，基底打印系統(tǒng)包抽空端口和與抽空端口流體連通的真空源,其中抽空端口被相對(duì)于氣體刀定位以使得由氣體刀產(chǎn)生的氣體的片狀流動(dòng)經(jīng)抽空端口被吸走。能夠相鄰于噴墨打印頭安裝抽空端口并且抽空端口和噴墨打印頭被配置成相對(duì)于卡盤的頂部表面一前一后地運(yùn)動(dòng)。在這樣的布設(shè)的替換中或附加于這樣的布設(shè)，抽空端口能夠被置于其它定位。能夠使用任意適當(dāng)數(shù)量的抽空端口。能夠使用任意適當(dāng)強(qiáng)度的真空。例如，能夠在從大約-3.0 psig到大約-13 psig,從大約-5.0 psig到大約-10 psig,或者大約-7.5 psig的負(fù)壓力下經(jīng)抽空端口引出真空。
[0072]空氣刀相對(duì)于卡盤上的基底的定位能夠被改變以使得氣體的適當(dāng)?shù)墓┙o、流動(dòng)、壓力和速度被施加于并且/或者跨過基底的表面。在一些實(shí)施例中，基底被定位在卡盤的頂部表面上?；装敳勘砻?、側(cè)向邊緣、長度和寬度，其中氣體刀與側(cè)向邊緣分隔開第一距離。第一距離能夠大于基底的長度，例如，第一距離能夠是基底的長度的至少兩倍?；椎拈L度能夠被定向成基本上垂直于出口槽的長度。在一些實(shí)施例中，第一距離大于基底寬度的一半，或者大約等于基底的寬度，或者大于基底的寬度，或者是基底寬度的至少兩倍?；椎膶挾饶軌蛳鄬?duì)于出口槽的長度基本上垂直、基本上平行或成一些其它角度的定向。
[0073]基底打印系統(tǒng)能夠被包含卡盤、噴墨打印頭和氣體刀的封閉罩封閉。封閉罩能夠包含包括有與從氣體刀發(fā)射的氣體相同或不同的一種或多種氣體的氣氛。在一些實(shí)施例中，該一種或多種氣體包括惰性氣體。在一些實(shí)施例中，該一種或多種氣體的反應(yīng)氣體含量小于氣體流或氣體氣氛的總體積的1.0體積百分比。適當(dāng)?shù)亩栊詺怏w的例子包括氮?dú)狻⒅T如IS氣的稀有氣體或者它們的任意組合。
[0074]基底打印系統(tǒng)可能包括用于使諸如噴墨打印頭組件、卡盤和基底的一個(gè)或多個(gè)組件運(yùn)動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器。在一些實(shí)施例中，提供被配置成在向由卡盤支撐的基底上打印期間使噴墨打印頭相對(duì)于卡盤運(yùn)動(dòng)的打印頭致動(dòng)器。在一些實(shí)施例中，提供至少一個(gè)致動(dòng)器并且致動(dòng)器被配置成在打印期間使卡盤和氣體刀相對(duì)于噴墨打印頭運(yùn)動(dòng)。
[0075]根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例，提供了一種用于在像素堤中一例如，在形成于基底上的像素堤中一獲得成膜有機(jī)材料的基本上均勻的分布的方法。該方法可能包括一個(gè)或多個(gè)下面的步驟或特征。基底能夠被卡盤支撐。基底能夠包括形成在其打印表面上的多個(gè)像素堤。能夠朝向由卡盤支撐的基底引導(dǎo)來自氣體刀的出口槽的氣體的片狀流動(dòng)。出口槽能夠具有高度和長度，并且該長度能夠是該高度的尺寸的很多倍。
[0076]噴墨墨能夠被從第一噴墨打印頭打印到形成在打印表面上的第一多個(gè)像素堤上。來自相同的打印頭或來自第二噴墨打印頭的噴墨墨能夠被打印到形成在基底上的第二多個(gè)像素堤上。第一和第二墨可能是相同或者不同的。該方法能夠被執(zhí)行以使得氣體的片狀流動(dòng)便利噴墨墨在每個(gè)像素堤內(nèi)的平均分布并且防止噴墨墨在每個(gè)像素堤內(nèi)堆疊。在一些實(shí)施例中，第一噴墨打印頭和第二噴墨打印頭是相同的噴墨打印頭。
[0077]該方法能夠運(yùn)用任意適當(dāng)?shù)膰娔蛴∠到y(tǒng)或其組件。例如，該方法能夠運(yùn)用如在2012年4月17日提交的美國專利申請(qǐng)N0.61/625，659中描述的噴墨打印機(jī)工具或其任意組件，通過引用將美國專利申請(qǐng)N0.61/625,659整體地合并于此。
[0078]氣體流動(dòng)能夠在形狀、壓力、速率、溫度和方向上改變。任意適當(dāng)?shù)臍怏w刀，諸如常規(guī)的空氣刀能夠被用于提供氣體流動(dòng)。例如，能夠使用可從Exair公司(辛辛那提，俄亥俄)、AirTX國際(辛辛那提，俄亥俄)、JetAir技術(shù)、LLC (文圖拉，加利福尼亞)、STREAMTEK (夏洛特，北卡羅來納)、Sonic Air系統(tǒng)(布瑞亞,加利福尼亞)或Nex Flow Air產(chǎn)品公司(威廉斯維爾，紐約)獲得的空氣刀。在一些實(shí)施例中，在向第一多個(gè)和第二多個(gè)像素堤這兩者上打印期間朝向基底引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)。在一些實(shí)施例中，從處于從大約1.0 psig到大約25 psig,從大約2.0 psig到大約20 psig,從大約3.0 psig到大約12 psig,或者從大約5 psig到大約10 psig的壓力下的氣體刀引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)。在一些實(shí)施例中,在朝向基底引導(dǎo)氣體的片狀流動(dòng)之后經(jīng)抽空端口施加真空以吸收氣體的片狀流動(dòng)。
[0079]在一些實(shí)施例中，基底的打印表面能夠包括至少兩行像素堤，每一行具有長度，每個(gè)像素堤具有長度和比該長度短的寬度，并且每個(gè)像素堤的長度被布置成基本上垂直于其相應(yīng)行的長度。在這樣的情況下，氣體刀的出口槽能夠具有基本上平行于每個(gè)像素堤的長度并且基本上垂直于每一行的長度的長度。
[0080]在一些實(shí)施例中，基底的打印表面能夠包括至少兩行像素堤，每一行具有長度，每個(gè)像素堤具有長度和比該長度短的寬度，并且每個(gè)像素堤的長度被布置成基本上垂直于其相應(yīng)行的長度。在這樣的情況下，氣體刀的出口槽能夠具有基本上垂直于每個(gè)像素堤的長度并且基本上平行于每一行的長度的長度。
[0081]根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例，提供了一種基底打印系統(tǒng)，包括卡盤、噴墨打印頭、噴墨墨供給裝置和氣體運(yùn)動(dòng)器件。氣體運(yùn)動(dòng)器件可能不同于在此描述的氣體刀并且可能包括例如，風(fēng)扇、兩個(gè)或更多個(gè)風(fēng)扇、噴嘴或空氣泵等?？ūP能夠包括頂部表面并且被配置成在頂部表面上支撐基底?？ūP能夠是真空卡盤或者能夠包括夾具、對(duì)準(zhǔn)銷或其它固定特征或緊固器。噴墨打印頭能夠被配置成用于在基底被卡盤支撐的同時(shí)向基底的打印表面上打印嗔墨墨。嗔墨墨的供給裝直能夠與嗔墨打印頭流體連通，并且嗔墨墨可能包括載體流體以及被溶解或懸浮在載體流體中的成膜有機(jī)材料。氣體運(yùn)動(dòng)器件能夠被以相對(duì)于噴墨打印頭固定的關(guān)系并且相鄰于噴墨打印頭定位。氣體運(yùn)動(dòng)器件能夠被配置成在噴墨打印頭向打印表面上打印噴墨墨的同時(shí)向基底的打印表面上引導(dǎo)氣體流動(dòng)。在一些實(shí)施例中，氣體運(yùn)動(dòng)器件與諸如氮?dú)鈿怏w的惰性氣體源流體連通。
[0082]基底打印系統(tǒng)能夠包括抽空端口和與抽空端口流體連通的真空源，其中抽空端口能夠被相對(duì)于氣體運(yùn)動(dòng)器件定位以使得由氣體運(yùn)動(dòng)器件產(chǎn)生的氣體流動(dòng)被從打印表面經(jīng)抽空端口吸走?；状蛴∠到y(tǒng)能夠被封閉在包含卡盤、噴墨打印頭和氣體運(yùn)動(dòng)器件的封閉罩中。封閉罩能夠包含惰性氣體氣氛，例如包括氮?dú)鈿怏w的惰性氣體氣氛?；状蛴∠到y(tǒng)能夠包括被配置成加熱由卡盤支撐的基底的至少一個(gè)加熱器。在一些實(shí)施例中，氣體運(yùn)動(dòng)器件包括生成氣體流動(dòng)的至少兩個(gè)風(fēng)扇。能夠以任意適當(dāng)?shù)男螤?、流?dòng)速度、壓力或速率來供給氣體流動(dòng)。在示例實(shí)施例中，能夠以從大約0.1 m/s到大約10 m/s,從大約0.5 m/s到大約5.0 m/s,從大約1.0 m/s到大約3.5 m/s,或者從大約1.5 m/s到大約2.5 m/s的速率從氣體運(yùn)動(dòng)器件弓I導(dǎo)氣體流動(dòng)。
[0083]還提供了用于從墨去除被汽化的載體液體并且因此用于防止載體液體的再凝結(jié)的方法和設(shè)備。更具體地，該方法和設(shè)備能夠被用于在去除有機(jī)材料已經(jīng)分散或溶入其中的被汽化的載體液體的同時(shí)向基底上沉積例如有機(jī)發(fā)光器件材料的固體墨。該設(shè)備能夠包括轉(zhuǎn)印構(gòu)件、汽化區(qū)、加熱器、抽空端口和真空端口。轉(zhuǎn)印構(gòu)件能夠被配置成用于接收載體液體中的有機(jī)材料、干化該有機(jī)材料并且向基底上沉積被干化的有機(jī)材料。有機(jī)材料能夠是在形成有機(jī)發(fā)光器件的一個(gè)或多個(gè)層中有用的有機(jī)成膜材料。汽化區(qū)能夠至少部分地由轉(zhuǎn)印構(gòu)件的表面部分定義，其中表面部分被沿著第一平面設(shè)置，并且進(jìn)一步地其中汽化區(qū)被配置成支承載體液體中的成膜材料的一部分。加熱器能夠被適配成加熱汽化區(qū)。抽空端口能夠被置于與汽化區(qū)相鄰處并且與基本上正交于第一平面地遠(yuǎn)離汽化區(qū)延伸的線交叉。真空源能夠被適配成用于與抽空端口流體連通。在操作中，真空源能夠引起從汽化區(qū)延伸經(jīng)過抽空端口并有充分的體積和流動(dòng)速度的氣體流動(dòng)以帶出并去除被置于汽化區(qū)處或接近汽化區(qū)的蒸汽。
[0084]根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例，提供了一種用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備。該設(shè)備能夠包括轉(zhuǎn)印構(gòu)件、汽化區(qū)、加熱器、抽空端口陣列以及真空源。轉(zhuǎn)印構(gòu)件能夠被配置成用于接收載體液體中的成膜材料并且向基底上沉積被干化的成膜材料。能夠至少部分地由轉(zhuǎn)印構(gòu)件的表面部分定義汽化區(qū)，其中表面部分被沿著第一平面設(shè)置，并且進(jìn)一步地其中汽化區(qū)被配置成支承被布置成滴陣列的載體液體中的成膜材料的一部分。加熱器能夠被適配成加熱汽化區(qū)。抽空端口陣列能夠相鄰于汽化區(qū)并且與遠(yuǎn)離汽化區(qū)延伸并基本上正交于第一平面的線交叉地提供，其中抽空端口陣列在數(shù)量、陣列大小和陣列形狀上與滴陣列相對(duì)應(yīng)。真空源能夠被適配成用于與抽空端口流體連通。在操作中，真空源能夠引起從汽化區(qū)延伸經(jīng)過抽空端口并有充分的體積和流動(dòng)速度的氣體流動(dòng)以帶出并去除被置于或接近汽化區(qū)的蒸汽。
[0085]根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例，提供了一種用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備。該設(shè)備能夠包括轉(zhuǎn)印構(gòu)件、汽化區(qū)、加熱器、抽空端口、真空源、清除氣體端口和清除氣體源。轉(zhuǎn)印構(gòu)件能夠被配置成用于接收載體液體中的成膜材料，并且向基底上沉積被干化的成膜材料。能夠至少部分地由轉(zhuǎn)印構(gòu)件的表面部分定義汽化區(qū)，其中表面部分被沿著第一平面設(shè)置，并且進(jìn)一步地其中汽化區(qū)被配置成支承載體液體中的成膜材料的一部分。加熱器能夠被適配成加熱汽化區(qū)。抽空端口能夠被置于與汽化區(qū)相鄰處并且被置于第一平面中。真空源能夠被適配成用于與抽空端口流體連通。清除氣體端口能夠被置于與汽化區(qū)相鄰處并被置于汽化區(qū)的與抽空端口相對(duì)的側(cè)上的第一平面中。清除氣體源能夠被適配成用于與清除氣體端口流體連通。在操作中，清除氣體源和真空源引起沿著延伸經(jīng)過汽化區(qū)的附近并且基本上平行于汽化區(qū)、并且經(jīng)過抽空端口的流動(dòng)路徑的氣體流動(dòng)。該氣體流動(dòng)能夠有充分的體積和流動(dòng)速度以帶出并去除被置于或接近汽化區(qū)的蒸汽。
[0086]在一些實(shí)施例中,氣體流動(dòng)具有從大約0.03到大約1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘、或者從大約0.1到大約0.8標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘的流動(dòng)速度。抽空端口能夠具有從大約50到大約300微米，或者從大約100到大約200微米的直徑。在一些實(shí)施例中，抽空端口能夠與汽化區(qū)分離開從大約50到大約200微米，或者從大約100到大約200微米的距離。在一些實(shí)施例中，可能存在與抽空端口和真空源流體連通的溶劑捕集器。成膜材料能夠包括例如用于形成OLED層的有機(jī)發(fā)光器件材料。在一些實(shí)施例中，抽空端口和汽化區(qū)是相對(duì)于彼此可運(yùn)動(dòng)的。
[0087]表面部分能包括至少一個(gè)表面特征。在一些實(shí)施例中，至少一個(gè)表面特征包括在轉(zhuǎn)印構(gòu)件的第一面上的第一開口，并且進(jìn)一步地其中轉(zhuǎn)印構(gòu)件包括從第一開口延伸經(jīng)過轉(zhuǎn)印構(gòu)件到形成在轉(zhuǎn)印構(gòu)件的第二相對(duì)面上的第二開口的通道。汽化區(qū)能夠被配置成如同許多滴被布置成陣列那樣支承載體液體中的成膜材料的一部分，并且其中抽空端口被適配成引起在整個(gè)陣列上方的充分的氣體流動(dòng)以帶出并去除被置于或接近汽化區(qū)的蒸汽。在一些實(shí)施例中，氣體流動(dòng)具有從大約0.03到大約1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每滴成膜材料,或者從大約0.1到大約0.8標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每滴成膜材料的流動(dòng)速度。
[0088]在一些實(shí)施例中，汽化區(qū)被配置成如同許多滴被布置成陣列那樣支承載體液體中的成膜材料的一部分。氣體流動(dòng)能夠具有從大約0.03到大約1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每滴成膜材料，或者從大約0.1到大約0.8標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每滴成膜材料的流動(dòng)速度。清除氣體端口和抽空端口能夠被設(shè)定大小以使得端口中的氣體速率小于I馬赫。在一些實(shí)施例中，清除氣體端口和抽空端口與汽化區(qū)分離開從大約200微米到大約2毫米。清除氣體端口和/或抽空端口能夠是細(xì)長的。能夠提供清除氣體端口的線性陣列和/或抽空端口的線性陣列。
[0089]根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例，提供了一種用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備。該設(shè)備能夠包括轉(zhuǎn)印構(gòu)件、許多汽化區(qū)、加熱器、抽空端口陣列、真空源、清除氣體端口陣列和清除氣體源。轉(zhuǎn)印構(gòu)件能夠被配置成用于接收載體液體中的成膜材料，并且向基底上沉積被干化的成膜材料。許多汽化區(qū)能夠被布置成陣列，至少部分地由轉(zhuǎn)印構(gòu)件的相應(yīng)的表面部分來定義每個(gè)汽化區(qū)，其中每個(gè)相應(yīng)的表面部分被沿著第一平面設(shè)置，并且進(jìn)一步地其中每個(gè)汽化區(qū)被配置成支承載體液體中的成膜材料的相應(yīng)部分。加熱器能夠被適配成加熱汽化區(qū)陣列。抽空端口陣列能夠被置于第一平面中，以使得至少一個(gè)抽空端口與每個(gè)汽化區(qū)相鄰。真空源能夠被適配成用于與抽空端口流體連通。清除氣體端口陣列能夠被置于第一平面中以使得至少一個(gè)清除氣體端口與每個(gè)汽化區(qū)相鄰并且在汽化區(qū)的與相鄰于該汽化區(qū)的抽空端口相對(duì)的側(cè)上。清除氣體源能夠被適配成用于與清除氣體端口流體連通。在操作中，清除氣體源和真空源引起沿著延伸經(jīng)過汽化區(qū)的附近并基本上平行于汽化區(qū)、并且經(jīng)過抽空端口的流動(dòng)路徑的氣體流動(dòng)，該氣體流動(dòng)足以帶出并去除被置于或接近汽化區(qū)的蒸汽。在一些實(shí)施例中，氣體流動(dòng)具有從大約0.03到大約1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每滴成膜材料，或者從大約0.1到大約0.8標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每滴成膜材料的流動(dòng)速度。清除氣體端口和抽空端口能夠被設(shè)定大小以使得端口中的氣體速率小于I馬赫。
[0090]根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例，提供了一種用于使載體液體中的成膜材料干化并把被干化的成膜材料轉(zhuǎn)印到基底的設(shè)備。該設(shè)備能夠包括轉(zhuǎn)動(dòng)鼓成膜設(shè)備、膜材料遞送機(jī)構(gòu)、溶劑蒸汽去除設(shè)備、加熱器和材料轉(zhuǎn)印設(shè)備。具有轉(zhuǎn)印表面的轉(zhuǎn)動(dòng)鼓成膜設(shè)備能夠被配置成用于在第一定向上接收和支承載體液體中的成膜材料，并且在第二定向上向基底上沉積被干化的成膜材料。膜材料遞送機(jī)構(gòu)能夠被配置成用于在第一定向上向轉(zhuǎn)印表面上對(duì)載體液體中的成膜材料進(jìn)行量出。溶劑蒸汽去除設(shè)備能夠在第一和第二定向之間的中間的定向上置于與轉(zhuǎn)印表面相鄰處，溶劑蒸汽去除設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)抽空端口以及被適配成用于與一個(gè)或多個(gè)抽空端口流體連通的真空源。加熱器能夠被適配成在中間定向上加熱轉(zhuǎn)印表面。在第二定向上的材料轉(zhuǎn)印設(shè)備能夠被配置成用于將基本上干化的成膜材料轉(zhuǎn)印到基底。在操作中，載體液體中的成膜材料能夠在第一定向上被量出、加熱并且被干化，其中載體液體蒸汽經(jīng)由被在中間定向上引起進(jìn)入溶劑蒸汽去除設(shè)備的氣體流動(dòng)進(jìn)行的帶出而被去除，并且所述成膜材料采用基本上干化的形式在第二定向上被轉(zhuǎn)印到基底上。
[0091]在一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)動(dòng)鼓成膜設(shè)備包括分面的鼓。在第二定向上的材料轉(zhuǎn)印設(shè)備包括用于通過熱來轉(zhuǎn)印成膜材料的光源和光路徑。在一些實(shí)施例中，在第二定向上的材料轉(zhuǎn)印設(shè)備包括用于通過攪動(dòng)來轉(zhuǎn)印成膜材料的壓電材料。氣體流動(dòng)能夠具有在中間定向上的從大約0.03到大約1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每10-微微公升的成膜材料被量出部分，或者從大約0.1到大約0.8標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每10-微微公升的成膜材料被量出部分的流動(dòng)速度。在一些實(shí)施例中，溶劑蒸汽去除設(shè)備與轉(zhuǎn)印表面分離開從100到200微米的距離。能夠提供與一個(gè)或多個(gè)抽空端口和真空源流體連通的溶劑捕集器。在一些實(shí)施例中，成膜材料包括OLED材料。
[0092]根據(jù)本教導(dǎo)的各種方面，提供了一種用于形成膜的方法。該方法能夠包括一個(gè)或多個(gè)下面的步驟。載體液體中的成膜材料的小滴被支承在想要的位點(diǎn)處，其中該位點(diǎn)定義第一平面。載體液體被汽化，由此在該位點(diǎn)附近形成載體液體蒸汽并且使成膜材料基本上干化。沿著沿基本上正交于第一平面的線遠(yuǎn)離位點(diǎn)附近地延伸的路徑創(chuàng)建氣體流動(dòng)。通過在氣體流動(dòng)中帶出載體液體蒸汽來在該位點(diǎn)附近去除載體液體蒸汽?；旧媳桓苫某赡げ牧媳晦D(zhuǎn)印到基底，由此形成膜。
[0093]根據(jù)本申請(qǐng)的各種實(shí)施例，提供了一種用于形成膜的方法。該方法能夠包括一個(gè)或多個(gè)下面的步驟。載體液體中的成膜材料的小滴被支承在想要的位點(diǎn)處，其中該位點(diǎn)定義第一平面。載體液體被汽化，由此在該位點(diǎn)的附近形成載體液體蒸汽并且使成膜材料基本上干化。沿著在該位點(diǎn)附近的、沿基本上平行于第一平面的線的路徑創(chuàng)建氣體流動(dòng)。通過在氣體流動(dòng)中帶出載體液體蒸汽來去除在該位點(diǎn)附近的載體液體蒸汽?；旧媳桓苫某赡げ牧媳晦D(zhuǎn)印到基底上，由此形成膜。在替換的噴墨應(yīng)用中，成膜材料能夠被直接干化到基底上，在此該成膜材料將被使用而不是被轉(zhuǎn)印。
[0094]在一些實(shí)施例中，將基本上被干化的成膜材料轉(zhuǎn)印到基底的步驟包括汽化基本上被干化的成膜材料，以及使被汽化的成膜材料與基底接觸。成膜材料能夠包括有機(jī)發(fā)光器件材料。能夠包括第一平面中的多個(gè)想要的位點(diǎn)，每個(gè)位點(diǎn)支承載體液體中的成膜材料的小滴。
[0095]本教導(dǎo)提供用于去除在向基底上打印均勻厚度的膜當(dāng)中產(chǎn)生的載體液體蒸汽的設(shè)備和方法。成膜材料能夠包括有機(jī)墨組分。在本公開中使用的術(shù)語“墨” 一般地被定義為在載體液體(還被稱為流體組件、載體液體或載體液體)的體積中具有成膜材料(還被稱為固體材料或固體部分)體積的、在對(duì)設(shè)備操作有用的溫度范圍內(nèi)合在一起為液相的任意混合物。這樣被一般化的“墨”的例子包括懸浮或分散在載體液體中的固體顆粒和載體液體中的固體材料的溶液的混合物。在一些實(shí)施例中，載體液體能夠在外界溫度下處于固相但在設(shè)備的操作期間有用的更高溫度下處于液相。固體材料在外界溫度下為固體，但在一些實(shí)施例中在設(shè)備的操作期間所使用的更高的溫度下處于液相。載體液體關(guān)于固體材料的顯著特性是與固體材料的汽化或升華溫度相比，載體液體在更低的溫度下汽化，因此允許載體液體的選擇性的汽化。
[0096]在熱打印應(yīng)用期間，在成膜處理期間通過在轉(zhuǎn)印構(gòu)件上的熱來汽化載體液體。轉(zhuǎn)印構(gòu)件是被適配成用于接收載體液體中的成膜材料并且向基底上沉積被干化的成膜材料的構(gòu)件。在各種實(shí)施例中，轉(zhuǎn)印構(gòu)件能夠包括使載體液體汽化的汽化區(qū)并且能夠后續(xù)地將被干化的成膜材料轉(zhuǎn)印到想要的目標(biāo)，例如到基底。除了其它方面以外，本公開還描述了設(shè)備的各種實(shí)施例，包括例如，用于去除載體液體蒸汽以及用于防止或減輕載體液體蒸汽凝結(jié)在設(shè)備或基底上的別處的溶劑蒸汽去除設(shè)備。
[0097]在設(shè)備的各種實(shí)施例中，溶劑蒸汽去除設(shè)備被置于汽化區(qū)上方，就是說，基本上正交于汽化區(qū)。溶劑蒸汽去除設(shè)備包括被置于汽化區(qū)上方的一個(gè)或多個(gè)抽空端口，在汽化區(qū)上已經(jīng)被提供有一定量的墨組分。一定量的墨能夠是例如，直徑上在從10到200微米量級(jí)上的滴，汽化區(qū)能夠具有在200微米量級(jí)上的直徑，并且一個(gè)或多個(gè)抽空端口能夠在與汽化區(qū)相同的直徑量級(jí)上。其上被布設(shè)有墨組分的汽化區(qū)能夠充分地?zé)嵋允馆d體液體汽化。替換地，汽化區(qū)能夠首先處于載體液體沒有基本上被汽化的溫度并且然后后續(xù)地被加熱到充分汽化載體液體的溫度。汽化區(qū)能夠被直接地加熱或者被外部源加熱。溶劑蒸汽去除設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)抽空端口與用于在基本上正交于汽化區(qū)的方向上經(jīng)溶劑蒸汽去除設(shè)備的抽空端口牽弓丨氣體流動(dòng)的真空源連通。這種動(dòng)作還帶出載體液體蒸汽并經(jīng)抽空端口牽引載體液體蒸汽。根據(jù)各種實(shí)施例，為了去除載體液體蒸汽、復(fù)原被汽化的液體以及防止污染真空源的目的，溶劑蒸汽去除設(shè)備設(shè)計(jì)還能夠包括被置于抽空端口和真空源之間的路徑中的溶劑捕集器或冷卻器。針對(duì)這種設(shè)備的有效性的值得注意的考慮包括:氣體流動(dòng)的位置，其應(yīng)當(dāng)靠近載體液體蒸汽的源；氣體流動(dòng)方向，其應(yīng)當(dāng)被引導(dǎo)以在任意的再凝結(jié)能夠發(fā)生之前將載體液體蒸汽從成膜設(shè)備帶走；以及流動(dòng)速度，其應(yīng)當(dāng)是充分的以在不擾亂成膜處理的同時(shí)防止載體液體蒸汽分子逃逸或者返回到汽化區(qū)或成膜設(shè)備的其它部分。在一個(gè)非限制的例子中，墨滴直徑能夠一直到200微米，例如從10至100微米，溶劑蒸汽去除設(shè)備抽空端口能夠具有從50到300微米范圍內(nèi)的直徑，抽空端口能夠被布設(shè)在被加熱的墨滴上面50到200微米的間隙處，并且氣體流動(dòng)速度能夠在從0.1到1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘(slm)的范圍內(nèi)。
[0098]在各種實(shí)施例中，抽空端口和溶劑蒸汽去除設(shè)備能夠處于相對(duì)于汽化區(qū)固定的定位。在其它實(shí)施例中，抽空端口和溶劑蒸汽去除設(shè)備能夠相對(duì)于汽化區(qū)處于臨時(shí)定向。在本公開中，術(shù)語“處于臨時(shí)定向”或“處于臨時(shí)關(guān)系”將意指相應(yīng)的元件相對(duì)于彼此是可運(yùn)動(dòng)的。能夠提供相對(duì)運(yùn)動(dòng)以使抽空端口運(yùn)動(dòng)來進(jìn)入或脫離與汽化區(qū)的關(guān)系。這樣的實(shí)施例允許沿一個(gè)定向的載體液體蒸汽去除同時(shí)還允許沿其它定向的墨裝載或排放。
[0099]在多種實(shí)施例中，上面的溶劑蒸汽去除設(shè)備的多個(gè)單元能夠被布置成陣列以適用于能夠采用陣列來同時(shí)提供并加熱多個(gè)墨滴的成膜設(shè)備。
[0100]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，本公開提供上面的溶劑蒸汽去除設(shè)備作為具有被沿一個(gè)定向供給成膜材料并且在第二定向上將成膜材料遞送至基底以使得成膜材料基本上以固相沉積在基底上的至少一個(gè)轉(zhuǎn)印表面的轉(zhuǎn)動(dòng)或運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的一部分。沿第一定向供給的成膜材料能夠是如上面所描述的墨，就是說，被提供在載體液體中的固體成膜材料。能夠在第一和第二定向之間提供溶劑蒸汽去除站以使得能夠?qū)崿F(xiàn)用于通過由加熱轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)印表面而達(dá)成的汽化來去除載體液體的部件。溶劑蒸汽去除站能夠是與真空源連通并且非常鄰近轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的表面的抽空端口或抽空端口陣列。這樣的布置能夠用于經(jīng)抽空端口牽引氣體和載體液體蒸汽。它因此用于基本上減少或防止載體液體蒸汽分子逃逸或者再凝結(jié)在被加熱的表面上或成膜設(shè)備的另一部分上以及污染最終想要的膜的目的。
[0101]在各種實(shí)施例中，本公開提供了一種其中在汽化區(qū)的上方并且與汽化區(qū)平行地提供氣體的清除流動(dòng)的設(shè)備。該設(shè)備能夠包括例如被鄰近于汽化區(qū)布設(shè)并且被布設(shè)在由汽化區(qū)定義的平面中或者靠近由汽化區(qū)定義的平面的抽空端口。一定量的墨能夠是在直徑上直到200微米、并且典型地在直徑上從10到100微米的、體積在10微微公升量級(jí)上的滴。氣體流動(dòng)出口能夠在與汽化區(qū)的直徑相同的直徑量級(jí)上，就是說，從大約50到大約300微米。應(yīng)理解墨滴體積能夠更大或更小，并且能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員基于本公開的教導(dǎo)根據(jù)滴大小作出本公開的元件的大小和布設(shè)的修改。
[0102]其上布設(shè)有墨組分的汽化區(qū)能夠充分地?zé)嵋云d體液體，或者汽化區(qū)能夠首先處于載體液體沒有基本上被汽化的溫度并且然后后續(xù)地被加熱到充分汽化載體液體的溫度。抽空端口與用于經(jīng)抽空端口牽引氣體流動(dòng)的真空源連通。在墨和汽化區(qū)的與抽空端口相對(duì)的側(cè)上，在由汽化區(qū)定義的平面中或者靠近由汽化區(qū)定義的平面鄰近于汽化區(qū)地布設(shè)清除氣體端口。清除氣體端口的直徑應(yīng)當(dāng)為從50到300微米。清除氣體被供給至清除氣體端口。墨和清除氣體端口之間，以及墨和抽空端口之間的分離在200微米或更小的量級(jí)上。被供給至清除氣體端口的清除氣體和與抽空端口連通的真空源的組合造成氣體在汽化區(qū)和墨上方在平行于汽化區(qū)的方向上流動(dòng)，并且將載體液體蒸汽從墨上面的區(qū)拉離并牽引至抽空端口。這減少或消除了載體液體蒸汽逃逸或者返回到汽化區(qū)或成膜設(shè)備的其它部分以及污染最終想要的膜的可能性。氣體流動(dòng)速度能夠在從0.1到1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘的范圍內(nèi)。為了去除載體液體蒸汽以及防止污染真空源的目的，抽空端口設(shè)計(jì)還能夠包括被置于在抽空端口和真空源之間的路徑上的溶劑捕集器。針對(duì)這種設(shè)備值得注意的考慮包括:氣體流動(dòng)的位置，其應(yīng)當(dāng)靠近載體液體蒸汽的源；氣體流動(dòng)應(yīng)當(dāng)被這樣引導(dǎo)以使得在任意的再凝結(jié)能夠發(fā)生之前在遠(yuǎn)離成膜設(shè)備的方向上攜帶載體液體蒸汽；以及流動(dòng)速度是充分的以在不擾亂成膜處理的同時(shí)防止載體液體蒸汽分子逃逸或者返回到轉(zhuǎn)印表面或成膜設(shè)備的另一部分。
[0103]在一些實(shí)施例中，上面的設(shè)備的多個(gè)單元能夠被布置成陣列以適用于能夠采用陣列來同時(shí)提供并加熱多個(gè)墨滴的成膜設(shè)備。[0104]在各種實(shí)施例中，上面描述的氣體流動(dòng)布置是打印頭機(jī)構(gòu)的一部分。例如，包括載體液體的墨滴能夠被供給至汽化區(qū)。汽化區(qū)能夠包括微孔、微柱、微通道或其它被微圖案化的結(jié)構(gòu)。載體液體基本上在汽化區(qū)上方被汽化。從清除氣體端口到抽空端口的氣體流動(dòng)在墨的上面通過并且把載體液體蒸汽從墨上面的區(qū)拉離并牽引至抽空端口。這減少或消除了載體液體蒸汽逃逸或者返回到汽化區(qū)或成膜設(shè)備的另一部分的可能性。成膜材料能夠然后被轉(zhuǎn)印至基底。
[0105]在多種實(shí)施例中，提供了用于去除通過加熱墨而產(chǎn)生的載體液體蒸汽的方法。根據(jù)各種實(shí)施例，該方法能夠包括下述的步驟:在想要的位點(diǎn)處支承載體液體中的成膜材料的小滴，其中該位點(diǎn)定義第一平面；使載體液體汽化，由此在該位點(diǎn)附近形成載體液體蒸汽并且使成膜材料基本上干化；沿著沿基本上正交于第一平面的線遠(yuǎn)離該位點(diǎn)附近地延伸的路徑創(chuàng)建氣體流動(dòng)；通過在氣體流動(dòng)中帶出載體液體蒸汽來在該位點(diǎn)附近去除載體液體蒸汽；以及將基本上被干化的成膜材料轉(zhuǎn)印到基底，由此形成膜。根據(jù)其它實(shí)施例，該方法能夠包括下述的步驟:在想要的位點(diǎn)處支承載體液體中的成膜材料的小滴，其中該位點(diǎn)定義第一平面；使載體液體汽化，由此在該位點(diǎn)的附近形成載體液體蒸汽并且使成膜材料基本上干化；沿著在該位點(diǎn)附近的沿基本上平行于第一平面的線的路徑創(chuàng)建氣體流動(dòng)；通過在氣體流動(dòng)中帶出載體液體蒸汽來去除在該位點(diǎn)附近的載體液體蒸汽；以及將基本上被干化的成膜材料轉(zhuǎn)印到基底，由此形成膜。向基底上沉積的膜材料能夠具有被圖案化的形狀或者能夠是在整個(gè)沉積區(qū)域上方的均勻涂覆。
[0106]圖8示意性地圖解根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備。溶劑蒸汽去除設(shè)備200包括抽空端口 220和真空源235。真空源235被適配成用于與抽空端口 220流體連通以引起經(jīng)抽空端口 220至真空源235的氣體流動(dòng)(例如，氣體流動(dòng)240)。氣體流動(dòng)240能夠來自圍繞的環(huán)境，例如，空氣。在一些實(shí)施例中，溶劑蒸汽去除設(shè)備200還能夠包括溶劑捕集 器230。
[0107]用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備進(jìn)一步包括轉(zhuǎn)印構(gòu)件203。在一些有用的實(shí)施例中，轉(zhuǎn)印構(gòu)件203具有汽化區(qū)205和非汽化區(qū)270。汽化區(qū)205至少部分地由轉(zhuǎn)印構(gòu)件203的表面部分定義，并且汽化區(qū)205定義第一平面。在多種實(shí)施例中，轉(zhuǎn)印構(gòu)件203還能夠包括非汽化區(qū)270。汽化區(qū)205被配置成支承如由墨210示出那樣的載體液體中的成膜材料的一部分。抽空端口 220被置于與汽化區(qū)205相鄰處，以使得抽空端口 220與在基本上正交于由汽化區(qū)205定義的平面的方向上遠(yuǎn)離汽化區(qū)205延伸的線212交叉。為了簡化本公開中的解釋，抽空端口 220能夠被描述為“在汽化區(qū)205上方”或者“被置于汽化區(qū)205上方”。將會(huì)理解術(shù)語“在…上方”和“被置于…上方”在這一上下文中指抽空端口220和汽化區(qū)205相對(duì)于彼此的定位而不考慮那些特征的絕對(duì)定向。
[0108]轉(zhuǎn)印構(gòu)件203能夠是用于向基底上沉積有機(jī)材料作為膜的設(shè)備或者設(shè)備的一部分。轉(zhuǎn)印構(gòu)件203能夠是用于向基底上沉積有機(jī)發(fā)光二極管膜的設(shè)備或者設(shè)備的一部分。在美國專利申請(qǐng)公開 N0.US 2008/0308037 AU US 2008/0311307 AU US 2010/0171780Al以及US 2010/0188457 Al—通過引用將這些專利的內(nèi)容整體地合并于此一中描述了這樣的還被稱為熱噴射打印機(jī)或熱噴射打印設(shè)備的設(shè)備。汽化區(qū)205能夠是未被圖案化的表面，或者能夠包含諸如從第一開口經(jīng)轉(zhuǎn)印構(gòu)件203延伸到形成在轉(zhuǎn)印構(gòu)件的第二相對(duì)面上的第二開口的微孔、微柱、微通道的被微圖案化的表面特征，或者其它的被微圖案化或納米圖案化的結(jié)構(gòu)，并且可以進(jìn)一步包括這樣的結(jié)構(gòu)的陣列(可互換地，微陣列)。用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備還包括被適配成加熱汽化區(qū)205的加熱器。加熱器(未示出)能夠是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任意的加熱器。在一些非限制的例子中，在一些實(shí)施例中，被設(shè)計(jì)成選擇性地加熱汽化區(qū)205的電阻類型的加熱器能夠被合并到轉(zhuǎn)印構(gòu)件203中。在其它實(shí)施例中，加熱器能夠是例如紅外或微波的、被置于汽化區(qū)205上方并且被設(shè)計(jì)成選擇性地加熱汽化區(qū)205的輻射類型的加熱器。
[0109]墨210被沉積到汽化區(qū)205上。為了本公開的目的，墨210是具有固體部分和載體液體部分的混合物，其中與固體部分相比載體液體部分在更低的溫度下汽化。這樣被一般化的墨的例子包括懸浮在載體液體中的固體顆粒和載體液體中的固體材料的溶液的混合物。使用術(shù)語“固體”以描述在正常外界溫度下處于固相的材料。固體顆粒或被溶解的固體材料包括成膜材料。在本公開的各種實(shí)施例中，墨210的固體材料包括被基本上以固相沉積在基底上作為膜的有機(jī)發(fā)光二極管材料。汽化區(qū)205能夠然后被充分地加熱以汽化墨210中的載體液體，因此在汽化區(qū)205上方形成載體液體蒸汽215。然后在蒸發(fā)之后實(shí)質(zhì)上由其構(gòu)成固體材料組成的墨210能夠在后續(xù)的步驟中通過如例如，附加加熱到更高溫度的瞬間脈沖、壓電脈沖或氣體排放這樣的方法被排放。
[0110]真空源235被適配成用于與抽空端口 220流體連通并且引起從汽化區(qū)205到抽空端口 220中的氣體流動(dòng)240。氣體流動(dòng)240是充分的以帶出載體液體蒸汽215，并且去除被置于汽化區(qū)205處或接近汽化區(qū)205的載體液體蒸汽215，如通過載體液體蒸汽流動(dòng)245圖解的那樣，氣體流動(dòng)240還將載體液體蒸汽215帶到抽空端口 220中。抽空端口 220具有孔徑直徑260以及與汽化區(qū)205的分離距離265。抽空端口 220相對(duì)于汽化區(qū)205的位置能夠是固定的或者能夠?yàn)榕R時(shí)關(guān)系。在本公開進(jìn)一步的實(shí)施例中將使后者變得清楚。在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，孔徑直徑260和分離距離265在與汽化區(qū)205的直徑相同的幅度量級(jí)上。在一些有用的實(shí)施例中，孔徑直徑260在從50到300微米的范圍內(nèi)，并且分離距離265在從100到200微米的范圍內(nèi)，同時(shí)汽化區(qū)205的直徑為200微米或更小。在調(diào)整這種設(shè)備的性能中值得注意的考慮包括氣體流動(dòng)240的位置，其在各種實(shí)施例中應(yīng)當(dāng)靠近載體液體蒸汽215的源。氣體流動(dòng)240應(yīng)當(dāng)起作用以在能夠發(fā)生任意的再凝結(jié)之前把載體液體蒸汽215從諸如汽化區(qū)205的成膜設(shè)備的轉(zhuǎn)印表面帶走。氣體流動(dòng)240能夠是來自設(shè)備的環(huán)境的空氣。氣體流動(dòng)速度是充分的以防止載體液體蒸汽分子逃逸或者返回到汽化區(qū)205或成膜設(shè)備的其它部分，同時(shí)氣體流動(dòng)速度不是大到使得例如由于在載體液體蒸發(fā)前使墨滴210扭曲而擾亂成膜處理。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，墨滴210具有10微微公升量級(jí)的體積以及一直到200微米的并且典型地在從10到100微米范圍內(nèi)的直徑。在這種實(shí)施例中，能夠在抽空端口 220具有大致為300微米的孔徑直徑260、分離距離265為200微米或更小以及氣體流動(dòng)速度為從0.1到1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘時(shí)獲得很好的清除條件。
[0111]進(jìn)一步的理論的和實(shí)際的考慮是在確定最佳分離距離、孔徑直徑和氣體流動(dòng)速度，以及這些因素當(dāng)中的相互作用時(shí)被考慮的。分離距離265能夠是充分的以允許在轉(zhuǎn)印構(gòu)件203和抽空端口 220之間的空氣流動(dòng)。這能夠通過使分離距離265大于空氣分子在設(shè)備的操作壓力下的平均自由路徑來達(dá)成。在外界壓力下，平均自由路徑小于0.1微米，從而比這大的分離距離265將準(zhǔn)許非粘滯性的空氣流動(dòng)。然而，實(shí)際的考慮是想要通過設(shè)定針對(duì)分離距離265的最小值來避免轉(zhuǎn)印構(gòu)件203與抽空端口 220的碰撞。要考慮的重要因素包括制造容限、在操作期間的設(shè)備振動(dòng)以及在其中轉(zhuǎn)印構(gòu)件203和抽空端口對(duì)于彼此處于臨時(shí)關(guān)系的實(shí)施例中各部分相對(duì)于彼此的運(yùn)動(dòng)。盡管這些因素的確切本質(zhì)能夠確定在給定的系統(tǒng)中針對(duì)分離距離265的最小值是多少，但能夠指定從50到100微米的一般最小。分離距離265的最大值由設(shè)備的有效性確定。已經(jīng)確定當(dāng)分離距離265為200微米或更小時(shí)載體液體蒸汽215能夠基本上被去除。
[0112]墨滴210的體積典型地在10微微公升的量級(jí)上。為了基本上去除載體液體蒸汽215，氣體流動(dòng)240的速度應(yīng)當(dāng)為至少0.03標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘(slm)，并且利用0.1標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘或更大來獲得很好的結(jié)果?？讖街睆?60應(yīng)當(dāng)是充分的以使氣體流動(dòng)經(jīng)過孔徑的線性速率小于I馬赫，即聲音速度(在大氣壓力下大致為340 m/s)。這導(dǎo)致想要的大致為50微米的最小孔徑直徑以支持0.03 slm的流動(dòng)速度，以及想要的大致為100微米的最小直徑以支持0.1 slm的流動(dòng)速度。通過考慮幾何形狀，并且特別通過多個(gè)墨滴210的大小和間隔以及因此多個(gè)抽空端口 220之間的允許的距離來確定最大孔徑直徑260，如在在此(以下)公開的一些實(shí)施例中那樣。實(shí)際的最大孔徑直徑260是300微米，針對(duì)其中單個(gè)抽空端口 220被設(shè)計(jì)成從單個(gè)墨滴210去除載體液體蒸汽的實(shí)施例，300微米的最大孔徑260導(dǎo)致1.5 slm的最大氣體流動(dòng)速度。
[0113]應(yīng)當(dāng)了解，汽化區(qū)205經(jīng)常不是孤立地存在而是作為其中許多部分可以不被加熱的更大的設(shè)備的一部分。例如，非汽化區(qū)270能夠圍繞汽化區(qū)205。既不將墨提供至非汽化區(qū)270，也不加熱非汽化區(qū)270。因此，即使載體液體蒸汽215沒有再凝結(jié)在汽化區(qū)205上，載體液體蒸汽215也可能再凝結(jié)在汽化區(qū)205作為其一部分的設(shè)備的另一部分上。如果載體液體蒸汽215的確靠近汽化區(qū)205而再凝結(jié)，則它會(huì)與墨210的固體部分汽化并且污染想要的膜。通過溶劑蒸汽去除設(shè)備200來基本上去除載體液體蒸汽215能夠顯著地減少或消除這些問題。
[0114]真空源235可能是能夠產(chǎn)生在此公開的空氣流動(dòng)速度的本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任意真空源。溶劑捕集器230可能是例如即使在減小的壓力下也能夠凝結(jié)載體液體蒸汽的冷捕集器。例如將通過載體液體蒸汽215的性質(zhì)以及真空源235的性質(zhì)和操作模式來確定溶劑捕集器230是否是想要的。
[0115]圖9示意性地圖解根據(jù)本公開的其它各種實(shí)施例的能夠與汽化區(qū)處于臨時(shí)關(guān)系的溶劑蒸汽去除設(shè)備。圖10圖解相同但處于在時(shí)間上的不同點(diǎn)的設(shè)備。溶劑蒸汽去除設(shè)備如在上面針對(duì)圖8描述的那樣，包括與真空源235流體連通的抽空端口 220，并且在一些實(shí)施例中包括溶劑捕集器230。在這種設(shè)備中，溶劑蒸汽去除設(shè)備是包括墨源275的打印頭機(jī)構(gòu)的一部分。汽化區(qū)205還是打印頭機(jī)構(gòu)的一部分，并且能夠相對(duì)于墨源和溶劑蒸汽去除設(shè)備運(yùn)動(dòng)，如由箭頭237所示出的那樣。在圖9中，汽化區(qū)205在墨裝載定位處。能夠由墨源275提供墨280以在汽化區(qū)205上形成墨210。然后能夠提供其中使汽化區(qū)205從圖9的墨裝載定位去除并且被布設(shè)在如在圖10中所示的墨汽化定位處的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，如由箭頭237所示出的那樣。在圖10的墨汽化定位處，墨210能夠被加熱以形成載體液體蒸汽，并且能夠通過抽空端口 220基本上去除在汽化區(qū)205處或接近汽化區(qū)205的載體液體蒸汽，如在上面針對(duì)圖8描述的那樣。
[0116]圖11示意性地圖解根據(jù)本公開的其它各種實(shí)施例的能夠與汽化區(qū)處于臨時(shí)關(guān)系的溶劑蒸汽去除設(shè)備。圖12圖解相同但處于在時(shí)間上的不同點(diǎn)的設(shè)備。溶劑蒸汽去除設(shè)備如在上面針對(duì)圖8描述的那樣，包括與真空源235流體連通的抽空端口 220，并且在一些實(shí)施例中包括溶劑捕集器230。這種設(shè)備還包括墨源275。轉(zhuǎn)印構(gòu)件203能夠相對(duì)于墨源和溶劑蒸汽去除設(shè)備轉(zhuǎn)動(dòng)。在圖11中，汽化區(qū)205在墨裝載定位處。能夠由墨源275提供墨280以在汽化區(qū)205上形成墨210。如由箭頭255所示出的那樣，轉(zhuǎn)印構(gòu)件203然后被從圖11的墨裝載定位轉(zhuǎn)動(dòng)并且被布設(shè)在如在圖12中所示的墨汽化定位處。在這一定位處，墨210能夠被加熱以形成載體液體蒸汽，并且能夠通過抽空端口 220基本上去除在汽化區(qū)205處或接近汽化區(qū)205的載體液體蒸汽，如在上面針對(duì)圖8描述的那樣。
[0117]圖13示意性地圖解根據(jù)本公開的其它各種實(shí)施例的能夠與汽化區(qū)處于臨時(shí)關(guān)系的溶劑蒸汽去除設(shè)備。溶劑蒸汽去除設(shè)備200如在上面針對(duì)圖8描述的那樣，包括與真空源235連通的抽空端口 220，并且在一些實(shí)施例中包括溶劑捕集器230。在這種設(shè)備中，溶劑蒸汽去除設(shè)備200能夠相對(duì)于汽化區(qū)運(yùn)動(dòng)。轉(zhuǎn)印構(gòu)件283是打印頭機(jī)構(gòu)的一部分，并且在汽化區(qū)285中具有孔290的陣列，如在美國專利申請(qǐng)公開N0.US 2008/0308037 Al中公開的那樣?？?90為在轉(zhuǎn)印構(gòu)件283的第一面上地第一開口，具有從第一開口經(jīng)過轉(zhuǎn)印構(gòu)件283延伸至轉(zhuǎn)印構(gòu)件283的第二相對(duì)面上的第二開口的通道。能夠由墨源275提供墨280以在汽化區(qū)285處形成墨210?？?90允許墨210經(jīng)轉(zhuǎn)印構(gòu)件283通過并且最后被沉積在基底293上。如由箭頭295指示的那樣，溶劑蒸汽去除設(shè)備200和基底293能夠相對(duì)于轉(zhuǎn)印構(gòu)件283運(yùn)動(dòng)至正交于汽化區(qū)285的定位處，并且然后墨210能夠被加熱以形成能夠基本上由抽空端口 220去除的載體液體蒸汽，如在上面針對(duì)圖8描述的那樣。后續(xù)地，溶劑蒸汽去除設(shè)備能夠然后運(yùn)動(dòng)回到在圖13中示出的非蒸汽去除定位，如由箭頭297指示的那樣，并且墨210能夠然后被轉(zhuǎn)印到基底293以形成基本上無載體液體污染的膜。
[0118]圖14示意性地圖解根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備，其中溶劑蒸汽去除設(shè)備包括圖8的溶劑蒸汽去除設(shè)備的多個(gè)單元。溶劑蒸汽去除設(shè)備300包括多個(gè)抽空端口 220以及真空源235，真空源235被適配成用于經(jīng)由歧管375與抽空端口 220流體連通以引起經(jīng)過抽空端口 220到真空源235的氣體流動(dòng)。在一些實(shí)施例中，溶劑蒸汽去除設(shè)備300還能夠包括溶劑捕集器230。
[0119]轉(zhuǎn)印構(gòu)件303是用于向基底上沉積有機(jī)材料作為膜的設(shè)備并且能夠是用于向基底上沉積OLED膜的設(shè)備，例如是在此所指的一個(gè)或多個(gè)參考專利公開申請(qǐng)中描述的一個(gè)。如所示出的那樣，轉(zhuǎn)印構(gòu)件303能夠是一個(gè)其上被沉積有墨210的滴陣列并且由非汽化區(qū)370接壤的汽化區(qū)305。在其它實(shí)施例中，轉(zhuǎn)印構(gòu)件303能夠包括更小的汽化區(qū)(例如，圖8的汽化區(qū)205)陣列，其中墨210能夠被沉積到汽化區(qū)陣列中的每一個(gè)上并且汽化區(qū)陣列被非汽化區(qū)分離開。所述墨滴陣列能夠包括墨210的一維陣列，如所示出的那樣，或者墨210的二維陣列。該陣列能夠包括任意滴數(shù)的墨210并且能夠是任意想要的圖案，例如方形、矩形、圓形、三角形、V形形狀或其它想要的形狀。溶劑蒸汽去除設(shè)備300包括在數(shù)量、陣列大小和陣列形狀上與墨210的滴陣列相對(duì)應(yīng)的抽空端口陣列。溶劑蒸汽去除設(shè)備300的抽空端口 220被置于汽化區(qū)305的上方。抽空端口 220相對(duì)于汽化區(qū)305的位置能夠是固定的或者能夠是臨時(shí)關(guān)系，如例如在上面的圖9到圖13中那樣。在本公開的各種實(shí)施例中，抽空端口 220的直徑與抽空端口 220和汽化區(qū)305之間的分離距離在與墨滴210的直徑相同的幅度量級(jí)上，并且氣體流動(dòng)速度為從0.1到1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘，如在上面所公開的那樣。墨滴210在直徑上能夠一直到200微米，并且在直徑上典型地為10到100微米。抽空端口220能夠具有在從50到300微米的范圍內(nèi)的直徑，并且分離距離265能夠?yàn)?00微米或更小。
[0120]墨210被接收到汽化區(qū)305上。汽化區(qū)305然后能夠被充分地加熱以汽化墨210中的載體液體，因此在汽化區(qū)305和墨210的上面形成載體液體蒸汽215，在蒸發(fā)之后實(shí)質(zhì)上由其構(gòu)成固體材料組成的墨210能夠然后在后續(xù)的步驟中被排放。真空源235被適配成用于與抽空端口 220流體連通并且造成氣體流動(dòng)到抽空端口 220中，如由氣體流動(dòng)240 (虛線線)所示出的那樣。從汽化區(qū)305延伸經(jīng)過抽空端口 220的氣體流動(dòng)240是充分的以還把載體液體蒸汽215帶入到抽空端口 220中，如由載體液體蒸汽流動(dòng)245所示出的那樣，因此在任意的載體液體蒸汽的再凝結(jié)能夠發(fā)生之前去除被置于汽化區(qū)305處或接近汽化區(qū)305的載體液體蒸汽215。氣體流動(dòng)240能夠由圍繞設(shè)備的環(huán)境供給。通過溶劑蒸汽去除設(shè)備300來基本上去除載體液體蒸汽215能夠顯著地減少或消除載體液體蒸汽向成膜設(shè)備上再凝結(jié)的問題。
[0121]圖15示意性地圖解根據(jù)本公開各種實(shí)施例的溶劑蒸汽去除設(shè)備，其中溶劑蒸汽去除設(shè)備包括圖8的溶劑蒸汽去除設(shè)備的更大的單元。溶劑蒸汽去除設(shè)備350包括抽空端口 320和真空源235，真空源235被適配成用于與抽空端口 320流體連通以引起經(jīng)過抽空端口 320到真空源235的氣體流動(dòng)。溶劑蒸汽去除設(shè)備350還能夠包括溶劑捕集器230。
[0122]轉(zhuǎn)印構(gòu)件303是用于向基底上沉積有機(jī)材料作為膜的設(shè)備，如在上面針對(duì)圖14公開的那樣。抽空端口 320在大小和形狀上與墨210的滴陣列相對(duì)應(yīng)。溶劑蒸汽去除設(shè)備350的抽空端口 320被置于汽化區(qū)305的上方。抽空端口 320相對(duì)于汽化區(qū)305的位置能夠是固定的或者能夠是臨時(shí)關(guān)系，如例如在圖9到圖13中那樣。在本公開的各種實(shí)施例中，抽空端口 320和汽化區(qū)305之間的分離距離在與墨滴210的直徑相同的幅度量級(jí)上，如在上面所公開的那樣。墨滴210在直徑上能夠一直到200微米，并且在直徑上典型地為10到100微米。分離距離265能夠?yàn)?00微米或更小。氣體流動(dòng)速度能夠?yàn)閺?.03到1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘(slm)每墨滴210，并且想要的是從0.1到0.8 slm每墨滴210。
[0123]墨210被接收到汽化區(qū)305上。汽化區(qū)305然后能夠被充分地加熱以汽化墨210中的載體液體，因此在汽化區(qū)305和墨210的上面形成載體液體蒸汽215。在蒸發(fā)之后實(shí)質(zhì)上由其構(gòu)成固體材料組成的墨210能夠然后在后續(xù)的步驟中被排放。真空源235被適配成用于與抽空端口 320流體連通并且造成氣體流動(dòng)到抽空端口 320中，如由氣體流動(dòng)240所示出的那樣。從汽化區(qū)305延伸經(jīng)過抽空端口 320的氣體流動(dòng)240是充分的以還把載體液體蒸汽215帶入到抽空端口 320中，如由載體液體蒸汽流動(dòng)245所示出的那樣，因此在任意的載體液體蒸汽的再凝結(jié)能夠發(fā)生之前去除被置于汽化區(qū)305處或接近汽化區(qū)305的載體液體蒸汽215。氣體流動(dòng)240能夠由圍繞設(shè)備的環(huán)境供給。通過溶劑蒸汽去除設(shè)備350來基本上去除載體液體蒸汽215能夠顯著地減少或消除載體液體蒸汽向成膜設(shè)備上再凝結(jié)的問題。
[0124]圖16示意性地圖解根據(jù)本公開多種實(shí)施例的作為轉(zhuǎn)動(dòng)鼓成膜設(shè)備的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備。美國專利申請(qǐng)公開N0.US 2011/0293818 Al已經(jīng)詳細(xì)公開了這樣的不具有溶劑蒸汽去除設(shè)備的轉(zhuǎn)動(dòng)鼓成膜設(shè)備，通過引用將美國專利申請(qǐng)公開N0.US2011/0293818 Al的內(nèi)容整體地合并于此。如由該公開所公開的那樣，轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415具有能夠等同于本公開的其它實(shí)施例中的汽化區(qū)的轉(zhuǎn)印表面。膜材料遞送機(jī)構(gòu)420把能夠是在此公開的載體液體中的成膜材料的膜材料425向轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面上進(jìn)行量出。被量出的膜材料425能夠被計(jì)量為一個(gè)或多個(gè)小滴或者被計(jì)量為流。在一個(gè)例子中，膜材料425能夠被作為液體墨遞送并且能夠以液相沉積在轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面上。轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面能夠起作用以沿第一定向接收被計(jì)量的膜材料425并且然后沿第二定向向沉積表面上一例如，基底405上一轉(zhuǎn)印膜材料425。被沿第一定向接收到轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面上的所計(jì)量的膜材料425朝向基底405運(yùn)動(dòng)并且通過鼓的轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)入到第二定向，如由箭頭430所示出的那樣。沿第二定向，能夠借助諸如例如來自集成的壓電材料的擾動(dòng)或壓力，或者通過諸如從光源435和光路徑440到被光激發(fā)的區(qū)445上的熱來移除在轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面上的被計(jì)量的膜材料425，以在基底405上形成被沉積的膜410。
[0125]作為一個(gè)實(shí)施例，美國專利申請(qǐng)公開N0.US 2011/0293818 Al公開了在第一定向、第二定向或不同的中間定向上的調(diào)節(jié)單元以清除并非是被沉積的膜410的一部分的材料，例如來自墨的載體液體。在該公開中所公開的調(diào)節(jié)單元能夠是熱和/或氣體源，并且能夠?qū)⑤椛?、?duì)流或傳導(dǎo)加熱傳送至轉(zhuǎn)印表面。然而，在各種情形下，單獨(dú)憑熱可能不會(huì)必然地掃除載體液體蒸汽，并且氣體可能簡單地將其掃至系統(tǒng)的不同部分。在這種情形下，載體液體蒸汽可能不會(huì)被充分地去除并且可能例如在轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面的不同位置處或者在沉積系統(tǒng)的不同部分處再凝結(jié)。
[0126]在圖16中，溶劑蒸汽去除設(shè)備400在中間定向上非常鄰近轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面的布設(shè)能夠減少或消除載體液體蒸汽再凝結(jié)。溶劑蒸汽去除設(shè)備400的抽空端口結(jié)構(gòu)455能夠包括被置于與轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面相鄰處并且在轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面上方的、如在上面的溶劑蒸汽去除設(shè)備200中那樣的抽空端口 220、如在上面的溶劑蒸汽去除設(shè)備300中那樣的這樣的抽空端口的陣列、如在上面的溶劑蒸汽去除設(shè)備350中那樣的更大的抽空端口 320或者甚至這樣的更大的抽空端口的陣列。抽空端口結(jié)構(gòu)的內(nèi)部表面和轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面之間的分離距離為300微米或更小。溶劑蒸汽去除設(shè)備400還包括如在上面所公開那樣的真空源235，并且還能夠包括溶劑捕集器230。通過轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)動(dòng)將已經(jīng)被沉積到轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面上的墨定位成與溶劑蒸汽去除設(shè)備400處于臨時(shí)關(guān)系。例如通過在轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415中的一個(gè)或多個(gè)加熱器或通過在抽空端口結(jié)構(gòu)455中的一個(gè)或多個(gè)加熱器來將熱供給至墨。因此轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面等同于本公開中的其它實(shí)施例的汽化區(qū)。
[0127]對(duì)墨進(jìn)行加熱而在墨的上面并且在轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的轉(zhuǎn)印表面(汽化區(qū))的上面形成載體液體蒸汽。如針對(duì)本公開的其它實(shí)施例描述的那樣，溶劑蒸汽去除設(shè)備400的真空源被適配成用于與溶劑蒸汽去除設(shè)備400的一個(gè)或多個(gè)抽空端口流體連通，這引起從轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415的相鄰的轉(zhuǎn)印表面延伸經(jīng)過一個(gè)或多個(gè)抽空端口的氣體流動(dòng)。氣體流動(dòng)是充分的以帶出并去除被置于相鄰轉(zhuǎn)印表面處或接近相鄰轉(zhuǎn)印表面的載體液體蒸汽并把載體液體蒸汽帶入到抽空端口結(jié)構(gòu)455的一個(gè)或多個(gè)抽空端口中，因此減少或消除載體液體蒸汽在系統(tǒng)中的再凝結(jié)。
[0128]圖17示意性地圖解根據(jù)本公開多種實(shí)施例的作為轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓成膜設(shè)備的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備。美國專利申請(qǐng)公開N0.US 2011/0293818 Al已經(jīng)公開了這樣的不具有溶劑蒸汽去除設(shè)備的轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓成膜設(shè)備。轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465具有一系列的轉(zhuǎn)印表面，其中的每一個(gè)能夠等同于本公開其它實(shí)施例的汽化區(qū)。膜材料遞送機(jī)構(gòu)420對(duì)膜材料425進(jìn)行量出，膜材料425能夠是如在此公開那樣的墨，并且膜材料425能夠被計(jì)量為一個(gè)或多個(gè)小滴。在一個(gè)例子中，膜材料425能夠被作為液體墨遞送并且能夠以液相沉積在轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)印表面上。轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)印表面能夠起作用以沿第一定向接收被計(jì)量的膜材料425，鼓能夠如由箭頭470所示出那樣轉(zhuǎn)動(dòng)，并且然后能夠通過在上面針對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)鼓415描述的方式將被計(jì)量的膜材料沿第二定向轉(zhuǎn)印到沉積表面上，例如基底405上。
[0129]在圖17中，溶劑蒸汽去除設(shè)備450在中間定向上非常鄰近轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)印表面的布設(shè)能夠減少或消除載體液體蒸汽再凝結(jié)。溶劑蒸汽去除設(shè)備450的抽空端口結(jié)構(gòu)460能夠包括被置于非常鄰近轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)印表面并且在轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)印表面上方的、如在上面的溶劑蒸汽去除設(shè)備200中那樣的抽空端口 220、如在上面的溶劑蒸汽去除設(shè)備300中那樣的這樣的抽空端口的陣列、如在上面的溶劑蒸汽去除設(shè)備350中那樣的更大的抽空端口 320或者甚至這樣的更大的抽空端口的陣列。溶劑蒸汽去除設(shè)備450還包括如在上面所公開那樣的真空源235，并且還能夠包括溶劑捕集器230。通過轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)動(dòng)將已經(jīng)被沉積到轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)印表面上的墨定位成與溶劑蒸汽去除設(shè)備450處于臨時(shí)關(guān)系。例如通過在轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465中的一個(gè)或多個(gè)加熱器或通過在抽空端口結(jié)構(gòu)460中的一個(gè)或多個(gè)加熱器來將熱供給至墨。因此轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)印表面等同于本公開中的其它實(shí)施例的汽化區(qū)。對(duì)墨進(jìn)行加熱在墨的上面并且在轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的轉(zhuǎn)印表面(汽化區(qū))的上面形成載體液體蒸汽。如針對(duì)本公開的其它實(shí)施例描述的那樣，溶劑蒸汽去除設(shè)備450的真空源被適配成用于與溶劑蒸汽去除設(shè)備450的一個(gè)或多個(gè)抽空端口流體連通，這引起從轉(zhuǎn)動(dòng)分面鼓465的相鄰的轉(zhuǎn)印表面延伸經(jīng)過一個(gè)或多個(gè)抽空端口的氣體流動(dòng)。氣體流動(dòng)是充分的以帶出并去除被置于相鄰轉(zhuǎn)印表面處或接近相鄰轉(zhuǎn)印表面的載體液體蒸汽并把載體液體蒸汽帶入到溶劑蒸汽去除設(shè)備450的一個(gè)或多個(gè)抽空端口中，因此減少或消除載體液體蒸汽在系統(tǒng)中的再凝結(jié)。
[0130]圖18示意性地圖解根據(jù)本公開各種實(shí)施例的作為成膜設(shè)備的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備。成膜設(shè)備500包括具有汽化區(qū)505的轉(zhuǎn)印構(gòu)件503。轉(zhuǎn)印構(gòu)件503被適配成用于接收載體液體中的成膜材料，并且向基底上沉積被干化的成膜材料。汽化區(qū)505至少部分地由轉(zhuǎn)印構(gòu)件503的表面部分定義并且被沿著第一平面設(shè)置。汽化區(qū)505被配置成支承載體液體一例如墨210—中的成膜材料的一部分。轉(zhuǎn)印構(gòu)件503能夠進(jìn)一步包括被適配成加熱汽化區(qū)505的加熱器(未示出)。轉(zhuǎn)印構(gòu)件503進(jìn)一步包括相鄰于汽化區(qū)505并被置于第一平面中的抽空端口 520，以及相鄰于汽化區(qū)505并被置于在汽化區(qū)505的與抽空端口520相對(duì)的側(cè)上的第一平面中的清除氣體端口 525。真空源235被適配成用于與抽空端口520流體連通，并且清除氣體源555被適配成用于與清除氣體端口 525流體連通。清除氣體能夠是氮?dú)饣蛳∮袣怏w，例如氬氣。在一些實(shí)施例中，成膜設(shè)備500還能夠包括溶劑捕集器230。清除氣體源555和真空源235引起沿著延伸經(jīng)過汽化區(qū)505的附近并基本上平行于汽化區(qū)505、并且經(jīng)過抽空端口 520的流動(dòng)路徑的氣體流動(dòng)540，氣體流動(dòng)540是充分的以帶出并去除被置于汽化區(qū)505處或接近汽化區(qū)505的載體液體蒸汽215。汽化區(qū)505能夠是用于向基底上沉積有機(jī)材料作為膜一諸如有機(jī)發(fā)光二極管膜一的設(shè)備的一部分。汽化區(qū)505能夠是未被圖案化的表面，或者能夠包含諸如從第一開口經(jīng)轉(zhuǎn)印構(gòu)件503延伸到形成在轉(zhuǎn)印構(gòu)件的第二相對(duì)面上的第二開口的微孔、微柱、微通道的被微圖案化的表面特征，或者其它的被微圖案化或納米圖案化的結(jié)構(gòu)，并且可以進(jìn)一步包括這樣的結(jié)構(gòu)的陣列(可互換地，微陣列)。[0131]墨210被接收到汽化區(qū)505上。汽化區(qū)505然后能夠被充分地加熱以汽化墨210中的載體液體，因此形成接近于汽化區(qū)505和墨210的載體液體蒸汽215。在蒸發(fā)之后實(shí)質(zhì)上由其構(gòu)成固體材料組成的墨210能夠然后在后續(xù)的步驟中被排放。在一些實(shí)施例中，汽化區(qū)505能夠是固體或基本上為固體表面，如所示出的那樣。替換地在其它實(shí)施例中，汽化區(qū)505能夠具有一系列的通道或者否則對(duì)于墨210是可透過的以使得墨210通過轉(zhuǎn)印構(gòu)件503并且在與從墨210最初被沉積的方向相反的方向上轉(zhuǎn)印墨210。抽空端口 520和清除氣體端口 525被置于鄰近汽化區(qū)505處并且在汽化區(qū)505的相對(duì)側(cè)上，并且被置于由汽化區(qū)505定義的平面中或者靠近由汽化區(qū)505定義的平面。在汽化區(qū)505和墨210上方的氣體流動(dòng)540用于將載體液體蒸汽215從墨210和汽化區(qū)505的鄰近處拉離并到達(dá)抽空端口520，并且因此到達(dá)真空源235或到達(dá)溶劑捕集器230 (如果有的話)。這減少或消除了載體液體蒸汽215逃逸或者返回到汽化區(qū)505或成膜設(shè)備的其它部分的可能性，由此極大地減少或消除了載體液體蒸汽215在成膜設(shè)備的任意部分上的再凝結(jié)并且減少或消除了載體液體對(duì)想要的最終膜的污染。
[0132]在調(diào)整這種實(shí)施例的性能中值得注意的考慮包括端口和墨之間的距離、端口的直徑以及氣體流動(dòng)速度。在各種實(shí)施例中，墨滴210能夠具有一直到200微米，并且典型地從10到100微米的直徑。抽空端口 520和清除氣體端口 525的直徑應(yīng)當(dāng)為從50到300微米。分離距離565是端口的中心和墨210的中心之間的距離，并且應(yīng)當(dāng)為從100到200微米。氣體流動(dòng)速度是充分的以防止載體液體蒸汽分子逃逸或者返回到汽化區(qū)505或成膜設(shè)備的其它部分，同時(shí)氣體流動(dòng)速度不是大到使得例如由于在載體液體蒸發(fā)前使墨滴210扭曲而擾亂成膜處理。氣體流動(dòng)速度能夠在從0.03到1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘的范圍內(nèi)，并且有用地在從0.1到0.8標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘的的范圍內(nèi)。
[0133]圖19示意性地圖解根據(jù)本公開另一實(shí)施例的作為成膜設(shè)備508的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備。圖19圖解圖18的實(shí)施例的變形，其中轉(zhuǎn)印構(gòu)件510被設(shè)計(jì)成接納并且轉(zhuǎn)印被布置為陣列的許多墨滴210。在這種實(shí)施例中，抽空端口 520和清除氣體端口 525被置于墨滴210的陣列的外部。抽空端口 520和清除氣體端口 525能夠是單個(gè)端口或者端口的線性陣列，并且能夠是環(huán)形或細(xì)長的，并且端口的形狀和數(shù)量的選擇將取決于載體液體要被從其中去除的墨滴陣列的形狀和大小。轉(zhuǎn)印構(gòu)件510的轉(zhuǎn)印表面512被定義為被設(shè)計(jì)成接納并轉(zhuǎn)印墨滴210的區(qū)域。轉(zhuǎn)印表面512能夠被加熱以將墨滴210的載體液體汽化為被汽化的載體液體215。(一個(gè)或多個(gè))抽空端口 520和(一個(gè)或多個(gè))清除氣體端口 525被布設(shè)成使得在墨滴210的上方引導(dǎo)氣體流動(dòng)540以便將被汽化的載體液體215掃至抽空端口520。這減少或消除了載體液體蒸汽215逃逸或者返回到汽化區(qū)512或成膜設(shè)備的其它部分的可能性，由此極大地減少或消除了載體液體蒸汽215在成膜設(shè)備的任意部分上的再凝結(jié)并且減少或消除了載體液體在想要的最終膜中的污染。氣體流動(dòng)速度能夠在0.03到1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每墨滴的范圍內(nèi)，并且有用地在0.1到0.8標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每墨滴的范圍內(nèi)。抽空端口 520和氣體清除端口 525能夠如在此教導(dǎo)的那樣被設(shè)定大小以允許想要的氣體流動(dòng)速度。
[0134]圖20示意性地圖解根據(jù)本公開的各種實(shí)施例的作為成膜設(shè)備的一部分的溶劑蒸汽去除設(shè)備，其中溶劑蒸汽去除設(shè)備包括與更大的成膜設(shè)備的多個(gè)汽化區(qū)集成的圖18的溶劑蒸汽去除設(shè)備的多個(gè)單元。成膜設(shè)備600包括多個(gè)抽空端口 520、多個(gè)清除氣體端口525以及多個(gè)汽化區(qū)505，并且是用于向基底上沉積有機(jī)材料作為膜的設(shè)備。每個(gè)汽化區(qū)505是至少部分地由轉(zhuǎn)印構(gòu)件的相應(yīng)的表面部分定義的，其中每個(gè)相應(yīng)的表面部分是沿著第一平面布置的。成膜設(shè)備600能夠是用于向基底上沉積OLED膜的設(shè)備，如在在此參考的美國專利申請(qǐng)公開中所公開的那樣。成膜設(shè)備600能夠包括汽化區(qū)505的一維陣列以及相關(guān)的抽空端口 520和清除氣體端口 525，如所示出的那樣，或者汽化區(qū)505的二維陣列以及相關(guān)的抽空端口 520和清除氣體端口 525。該陣列能夠包括任意數(shù)量的汽化區(qū)505，并且能夠?yàn)槿我庀胍膱D案，例如方形、矩形、圓形、三角形、V形形狀或其它想要的形狀。
[0135]能夠在汽化區(qū)505之間將抽空端口 520和清除氣體端口 525布設(shè)成成行的交替圖案，或者在汽化區(qū)505的行之間將抽空端口 520和清除氣體端口 525布設(shè)成二維陣列，或者布設(shè)成這兩者。汽化區(qū)505被配置成其中每一個(gè)支承載體液體(例如，如在此定義的墨)中的成膜材料的相應(yīng)的部分。多個(gè)抽空端口 520經(jīng)由歧管(為了清楚而未示出)與真空源連通，并且多個(gè)清除氣體端口 525經(jīng)由第二歧管(未示出)與清除氣體源連通，以提供從清除氣體端口 525沿著延伸經(jīng)過汽化區(qū)505的附近并基本上平行于汽化區(qū)505、并經(jīng)過抽空端口 520的流動(dòng)路徑的氣體流動(dòng)。氣體流動(dòng)是充分的以帶出并去除被置于汽化區(qū)505處或接近汽化區(qū)505的載體液體蒸汽。在一些實(shí)施例中該設(shè)備還能夠包括溶劑捕集器，如在上面所公開的那樣。在本公開的一些實(shí)施例中，抽空端口 520的直徑以及抽空端口 520和汽化區(qū)505之間的分離距離在與墨滴的直徑相同的幅度量級(jí)上，并且氣體流動(dòng)速度為從0.03到1.5標(biāo)準(zhǔn)公升每分鐘每墨滴，如在上面所公開的那樣。
[0136]來自墨貯存器530的墨被由墨沉積系統(tǒng)535沉積到相應(yīng)的汽化區(qū)505上。在圖20的設(shè)備中，汽化區(qū)505具有通道或者否則對(duì)于墨是可透過的。汽化區(qū)505能夠然后被充分地加熱以汽化墨中的載體液體，因此在汽化區(qū)505和墨的上面形成載體液體蒸汽。在蒸發(fā)之后實(shí)質(zhì)上由其構(gòu)成固體材料組成的墨能夠在后續(xù)的步驟中被排放到例如基底515上。從清除氣體端口 525到抽空端口 520的氣體流動(dòng)造成在汽化區(qū)505上方的氣體流動(dòng)并且在載體液體蒸汽的任意的再凝結(jié)能夠發(fā)生之前將載體液體蒸汽帶入到抽空端口 520中。將載體液體蒸汽基本上去除能夠基本上減少或消除載體液體蒸汽向成膜設(shè)備600上再凝結(jié)以及被與墨的成膜固體部分共同沉積的問題。
[0137]圖21是圖解根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的用于形成膜的方法的流程圖。能夠按照在此描述的各種設(shè)備實(shí)施例來理解圖21，例如，與圖8相關(guān)地理解圖21。在步驟1000中，載體液體(墨)中的一定量的成膜材料在想要的位點(diǎn)(汽化區(qū))處接收并且由該想要的位點(diǎn)支承。想要的位點(diǎn)定義第一平面。在步驟1005中，墨被加熱，這使載體液體汽化，在位點(diǎn)附近形成載體液體蒸汽并且基本上使成膜材料干化。在步驟1010中，沿著遠(yuǎn)離位點(diǎn)附近延伸的路徑創(chuàng)建氣體流動(dòng)，其中氣體流動(dòng)路徑沿著基本上正交于第一平面的線。在步驟1015中，氣體流動(dòng)帶出載體液體蒸汽，由此從位點(diǎn)附近去除載體液體蒸汽。在步驟1020中，現(xiàn)在基本上被干化的成膜材料被轉(zhuǎn)印到基底上，由此形成膜。
[0138]圖22是圖解根據(jù)本教導(dǎo)的各種實(shí)施例的用于形成膜的方法的流程圖。能夠按照在此描述的各種設(shè)備實(shí)施例來理解圖22，例如，與圖18相關(guān)地理解圖22。在步驟1100中，載體液體(墨)中的一定量的成膜材料在想要的位點(diǎn)(汽化區(qū))處接收并且由該想要的位點(diǎn)支承。想要的位點(diǎn)定義第一平面。在步驟1105中，墨被加熱，這使載體液體汽化，在位點(diǎn)附近形成載體液體蒸汽并且基本上使成膜材料干化。在步驟1110中，沿著在位點(diǎn)附近的路徑創(chuàng)建氣體流動(dòng)，其中氣體流動(dòng)路徑沿著基本上平行于第一平面的線。在步驟1015中，氣體流動(dòng)帶出載體液體蒸汽，由此從位點(diǎn)附近去除載體液體蒸汽。在步驟1020中，現(xiàn)在基本上被干化的成膜材料被轉(zhuǎn)印到基底上，由此形成膜。
[0139]例子
給出下面的例子以圖解本教導(dǎo)的本質(zhì)。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本教導(dǎo)并不被限制于在這些例子中列出的具體的條件或細(xì)節(jié)。
[0140]例子I
這一例子展示本教導(dǎo)的優(yōu)良益處。來自Exair公司(辛辛那提，俄亥俄)的3英寸空氣刀被連接至氮?dú)鈿怏w源并且被用在開放手套箱中。氣體刀被安裝以使得從空氣刀發(fā)射的氮?dú)鈿怏w處在支撐基底的卡盤的頂部表面的高度處?？諝獾侗恢糜谂c基底相距大致為10英寸的距離處?；妆皇孪戎苽溆须娮与娐穼印⒄w注入層和整體轉(zhuǎn)印層，而且利用中間烘烤步驟事先制備基底。在像素內(nèi)和跨像素這兩者的配置下在基底的相應(yīng)的區(qū)中對(duì)基底執(zhí)行噴墨打印。針對(duì)噴墨打印頭在基底上方的每次通過，以每像素10噴嘴的額度來運(yùn)用120個(gè)噴嘴，盡管每像素只有前五個(gè)噴嘴被使用。針對(duì)每個(gè)特定的區(qū)，執(zhí)行兩次噴墨打印頭跨過基底的通過?；椎膰娔蛴≡谔畛溆锌諝獾氖痔紫渲邪l(fā)生。將支撐基底的卡盤維持在室溫，或者大約25.3 Co在10 psig的壓力下從空氣刀發(fā)射氮?dú)鈿怏w。對(duì)預(yù)備好的與基底相對(duì)應(yīng)的玻璃面板執(zhí)行總共七次測試。面板的區(qū)或測試項(xiàng)被標(biāo)識(shí)為Tl到17。Tl是用作其中空氣刀被關(guān)斷的控制的測試。測試項(xiàng)T2到T4為跨像素定向。測試項(xiàng)T5到T7為像素內(nèi)定向。針對(duì)跨像素和像素內(nèi)這兩者的定向的測試，存在只有在噴墨打印頭的第一次通過之后才接通空氣刀的測試、一個(gè)總是使空氣刀開啟的測試以及其中只有在噴墨打印頭的第二次通過之后才接通空氣刀的一個(gè)測試。在表1中示出了測試Tl到17的結(jié)果。如顯見的那樣，讓空氣刀總是開啟給出了最好的結(jié)果，因?yàn)樵谙袼氐讨袥]有發(fā)生墨堆疊。針對(duì)T5的40/60標(biāo)識(shí)指不大致有60%的像素堤經(jīng)受了所施加墨的堆置。在測試中施加到基底的墨為G24墨。
[0141]表1
【權(quán)利要求】
1.一種基底打印系統(tǒng)，包括: 卡盤，包括被配置成支撐基底的頂部表面； 噴墨打印頭，被配置成用于向所述基底上噴墨打??；以及 氣體刀，包括用于接收來自被加壓的氣體源的被加壓氣體的入口，以及具有長度并且被配置成將來自所述氣體刀的被加壓氣體以片狀流動(dòng)朝向由所述卡盤支撐的基底引導(dǎo)的出口槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底打印系統(tǒng)，其中所述噴墨打印頭與墨供給裝置流體連通并且墨包括載體流體和被溶解或懸浮在所述載體流體中的成膜有機(jī)材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括由所述卡盤支撐的基底，其中所述基底包括至少兩行像素堤，每個(gè)像素堤被配置成圍住用于形成像素的有機(jī)材料，每一行具有長度，每個(gè)像素堤具有長度和比該長度短的寬度，在每一行中所述像素堤的長度被布置成基本上垂直于相應(yīng)行的長度，并且所述出口槽的長度被定向成基本上平行于每個(gè)像素堤的長度并且基本上垂直于每一行的長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括由所述卡盤支撐的基底，其中所述基底包括至少兩行像素堤，每個(gè)像素堤被配置成圍住用于形成像素的有機(jī)材料，每一行具有長度，每個(gè)像素堤具有長度和比該長度短的寬度，在每一行中所述像素堤的長度被布置成基本上垂直于相應(yīng)行的長度，并且所述出口槽的長度被定向成基本上垂直于每個(gè)像素堤的長度并且基本上平行于每一行的長度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底打印系統(tǒng),進(jìn)一步包括抽空端口和與所述抽空端口流體連通的真空源，其中所述抽空端口被相對(duì)于所述氣體刀定位以使得由所述氣體刀產(chǎn)生的氣體的片狀流動(dòng)經(jīng)所述抽空端口被吸走。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基底打印系統(tǒng)，其中所述抽空端口被相鄰于所述噴墨打印頭安裝并且所述抽空端口和所述噴墨打印頭被配置成相對(duì)于所述卡盤的所述頂部表面一前一后地運(yùn)動(dòng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括被定位在所述卡盤的所述頂部表面上的基底，所述基底包括頂部表面、側(cè)向邊緣、長度和寬度，其中所述氣體刀與所述側(cè)向邊緣分隔開第一距離，所述第一距離是所述基底的長度的至少兩倍，并且所述基底的長度基本上垂直于所述出口槽的長度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基底打印系統(tǒng)，其中所述第一距離是所述基底的寬度的至少兩倍并且所述基底的寬度基本上垂直于所述出口槽的長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括封閉罩，所述封閉罩包含所述卡盤、所述噴墨打印頭以及所述氣體刀，并且所述封閉罩包括氮?dú)鈿怏w惰性氣氛。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括被配置成在向由所述卡盤支撐的基底上打印期間使所述噴墨打印頭相對(duì)于所述卡盤運(yùn)動(dòng)的打印頭致動(dòng)器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括被配置成在向由所述卡盤支撐的基底上打印期間使所述卡盤和所述氣體刀相對(duì)于所述噴墨打印頭運(yùn)動(dòng)的至少一個(gè)致動(dòng)器。
12.—種用于在形成于基底上的像素堤中獲得成膜有機(jī)材料的基本上均勻的分布的方法，所述方法包括:利用卡盤支撐基底，其中所述基底包括形成在所述基底的打印表面上的多個(gè)像素堤； 朝向由所述卡盤支撐的所述基底引導(dǎo)來自氣體刀的出口槽的氣體的片狀流動(dòng)，并且所述出口槽具有長度； 向形成在所述基底上的第一多個(gè)像素堤上打印來自第一噴墨打印頭的噴墨墨；以及 向形成在所述基底上的第二多個(gè)像素堤上打印來自第二噴墨打印頭的噴墨墨， 其中所述氣體的片狀流動(dòng)便利了噴墨墨在每個(gè)像素堤內(nèi)的平均分布并且防止噴墨墨在每個(gè)像素堤內(nèi)的堆疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在向所述第一多個(gè)像素堤和所述第二多個(gè)像素堤這兩者上打印期間朝向所述基底引導(dǎo)所述氣體的片狀流動(dòng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述方法，其中從處于從大約1.0 psig到大約25 psig的壓力下的所述氣體刀引導(dǎo)所述氣體的片狀流動(dòng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基底的打印表面包括至少兩行像素堤，每一行具有長度，每個(gè)像素堤具有長度和比該長度短的寬度，每個(gè)像素堤的長度被布置成基本上垂直于其相應(yīng)行的長度，并且所述氣體刀的所述出口槽具有基本上平行于每個(gè)像素堤的長度并且基本上垂直于每一行的長度的長度。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基底的打印表面包括至少兩行像素堤，每一行具有長度，每個(gè)像素堤具有長度和比該長度短的寬度，每個(gè)像素堤的長度被布置成基本上垂直于其相應(yīng)行的長度，并且所述氣體刀的所述出口槽具有基本上垂直于每個(gè)像素堤的長度并且基本上平行于每一行的長度的長度。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括在朝向所述基底引導(dǎo)所述氣體的片狀流動(dòng)之后經(jīng)抽空端口施加真空以吸收所述氣體的片狀流動(dòng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一噴墨打印頭和所述第二噴墨打印頭是相同的噴墨打印頭。
19.一種基底打印系統(tǒng)，包括: 卡盤，其包括頂部表面并且被配置成在所述頂部表面上支撐基底； 噴墨打印頭，被配置成在基底被所述卡盤支撐的同時(shí)向所述基底的打印表面上打印噴墨墨; 與所述噴墨打印頭流體連通的噴墨墨供給裝置，噴墨墨包括載體流體和被溶解或懸浮在所述載體流體中的成膜有機(jī)材料；以及 被以相對(duì)于所述噴墨打印頭固定的關(guān)系并且相鄰于所述噴墨打印頭定位的氣體運(yùn)動(dòng)器件，所述氣體運(yùn)動(dòng)器件被配置成在所述噴墨打印頭向打印表面上打印噴墨墨的同時(shí)向所述基底的打印表面上引導(dǎo)氣體流動(dòng)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基底打印系統(tǒng)，其中所述氣體運(yùn)動(dòng)器件與惰性氮?dú)鈿怏w源流體連通。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括抽空端口和與所述抽空端口流體連通的真空源，其中所述抽空端口被相對(duì)于所述氣體運(yùn)動(dòng)器件定位以使得由所述氣體運(yùn)動(dòng)器件產(chǎn)生的氣體流動(dòng)被經(jīng)所述抽空端口從打印表面吸走。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括封閉罩，所述封閉罩包含所述卡盤、所述噴墨打印頭以及所述氣體運(yùn)動(dòng)器件，其中所述封閉罩包含包括氮?dú)鈿怏w的惰性氣氛。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的基底打印系統(tǒng)，進(jìn)一步包括被配置成加熱由所述卡盤支撐的基底的至少一個(gè)加熱器。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基底打印系統(tǒng)，其中所述氣體運(yùn)動(dòng)器件包括至少兩個(gè)風(fēng)扇并且以從大約0.5 m/s到大約5.0 m/s的速率引導(dǎo)氣體流動(dòng)。
25.一種用于使載體液體中的成膜材料干化的設(shè)備，包括: 轉(zhuǎn)印構(gòu)件，用于接收載體液體中的成膜材料，并且向基底上沉積被干化的成膜材料； 至少部分地由所述轉(zhuǎn)印構(gòu)件的表面部分定義的汽化區(qū)，其中所述表面部分是沿著第一平面設(shè)置的，并且進(jìn)一步地其中所述汽化區(qū)被配置成支承載體液體中的成膜材料的一部分； 加熱器，被適配成加熱所述汽化區(qū)； 抽空端口，其相鄰于所述汽化區(qū)并且與基本上正交于所述第一平面地遠(yuǎn)離所述汽化區(qū)延伸的線交叉；以及 真空源，被適配成與所述抽空端口流體連通； 由此在操作中所述真空源引起從所述汽化區(qū)延伸經(jīng)過所述抽空端口的氣體流動(dòng)，該氣體流動(dòng)足以帶出并去除被置于或接近所述汽化區(qū)的蒸汽。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括相鄰于所述汽化區(qū)并且與基本上正交于所述第一平面地遠(yuǎn)離所述汽化區(qū)延伸的線交叉的抽空端口陣列，其中所述抽空端口是所述抽空端口陣列的一部分，所述真空源被適配成用于與所述抽空端口陣列流體連通，并且在操作中，所述真空源引起從所述汽化區(qū)延伸經(jīng)過所述抽空端口陣列并且充分流動(dòng)的氣體流動(dòng)以帶出并去除被置于汽化區(qū)處或接近所述汽化區(qū)的蒸汽。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 清除氣體端口，其與所述汽化區(qū)相鄰并被置于所述汽化區(qū)的與所述抽空端口相對(duì)的側(cè)上的所述第一平面中；以及 清除氣體源，被適配成用于與所述清除氣體端口流體連通； 其中，在操作中，所述清除氣體源和所述真空源引起沿著延伸經(jīng)過所述汽化區(qū)的附近并基本上平行于所述汽化區(qū)、并且經(jīng)過所述抽空端口的流動(dòng)路徑并且充分流動(dòng)的氣體流動(dòng)，以帶出并去除被置于汽化區(qū)處或接近所述汽化區(qū)的蒸汽。
【文檔編號(hào)】H05B33/10GK103620812SQ201280032939
【公開日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2012年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月1日
【發(fā)明者】J.陳, E.馬丁內(nèi)斯, A.S-K.科, I.米拉德, E.弗倫斯基, C.F.馬迪甘 申請(qǐng)人:科迪華公司