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一種生產(chǎn)大型α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>單晶體的設(shè)備的制作方法

文檔序號:8172545閱讀:528來源:國知局
專利名稱:一種生產(chǎn)大型α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>單晶體的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
—種生產(chǎn)大型α-AI2O3單晶體的設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型設(shè)計(jì)一種化合物晶體的制造設(shè)備,尤其涉及一種生產(chǎn)大型a - Al2O3單晶體的設(shè)備。
背景技術(shù)
[0002]煅燒硫酸鋁胺可得到Y(jié) -Al2O3, Y -Al2O3具有強(qiáng)吸附力和催化活性,可做吸附劑和催化劑。同時(shí),若進(jìn)一步煅燒硫酸鋁胺,Y-Al2O3可向Ci-Al2O3轉(zhuǎn)變,而Ci-Al2O3可用于制造透光性良好的氧化鋁燒結(jié)體,廣泛應(yīng)用于釔鋁系列激光晶體、半透明氧化鋁陶瓷電弧管、 特種玻璃添加劑、三基色熒光粉及人造寶石等。[0003]目前,Y-Al2O3向Ci-Al2O3轉(zhuǎn)變通過單晶爐來實(shí)現(xiàn),單晶爐內(nèi)部原料在坩堝內(nèi)熔融,再通過結(jié)晶柱拉出單晶,但是目前在結(jié)晶過程,坩堝內(nèi)的原料容易被氧化,導(dǎo)致晶體生長成功率低,且單晶爐內(nèi)壁及坩堝在長時(shí)間高溫環(huán)境下容易老化,進(jìn)而影響設(shè)備性能。實(shí)用新型內(nèi)容[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種有效防止晶體氧化、使用方便且提高設(shè)備使用壽命的生產(chǎn)大型Ci-Al2O3單晶體的設(shè)備。[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用以下設(shè)計(jì)方案,其包括爐體、坩堝、結(jié)晶柱、固定板、支架、控制器、旋轉(zhuǎn)電機(jī)和升降電機(jī),所述的爐體和固定板固定在支架上,所述的爐體內(nèi)設(shè)有坩堝和保溫層,所述的保溫層設(shè)置在爐體內(nèi)壁上,保溫層內(nèi)壁上設(shè)有加熱裝置,所述的坩堝固定設(shè)置在爐體內(nèi),所述的爐體還與抽真空裝置相連接,所述的爐體上方設(shè)有托板, 所述的結(jié)晶柱與托板轉(zhuǎn)動(dòng)連接,所述的旋轉(zhuǎn)電機(jī)與結(jié)晶柱相連接并帶動(dòng)結(jié)晶柱轉(zhuǎn)動(dòng),所述的固定板上設(shè)有導(dǎo)軌,所述的托板的一端與固定板通過導(dǎo)軌滑動(dòng)連接,所述的升降電機(jī)與托板相連接并帶動(dòng)托板沿導(dǎo)軌上下滑動(dòng),所述的控制器分別與旋轉(zhuǎn)電機(jī)、升降電機(jī)、加熱裝置、抽真空裝置電連接。[0006]所述的爐體上還設(shè)有觀察口。[0007]所述的坩堝為鑰金成型。[0008]所述的加熱裝置為兩個(gè)以上的硅碳棒,所述的硅碳棒表面包裹有石英器材。[0009]所述的硅碳棒之間通過導(dǎo)流管相連接,導(dǎo)流管的另一端與保溫層相連接。[0010]本實(shí)用新型采用以上技術(shù)方案,通過設(shè)置抽真空裝置,可有效抽除爐體內(nèi)的空氣, 防止晶體氧化;通過在固定板上設(shè)計(jì)導(dǎo)軌,托板與固定板滑動(dòng)連接,可使得結(jié)晶柱上下移動(dòng),方便操作;通過結(jié)晶柱上設(shè)置旋轉(zhuǎn)電機(jī),可更好的攪拌晶體,使得晶體更好的吸附在結(jié)晶柱上;通過設(shè)計(jì)坩堝為鑰金成型,使得坩堝具有高熔點(diǎn),高強(qiáng)度及耐腐蝕性;通過硅碳棒包裹石英器材,使得硅碳棒加熱的同時(shí),更好的保護(hù)了硅碳棒;通過在爐體上設(shè)置觀察口, 可方便人員對爐體內(nèi)晶體進(jìn)行觀察。


[0011]
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明[0012]圖I為本實(shí)用新型剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0013]如圖I所示,本實(shí)用新型包括爐體I、坩堝2、結(jié)晶柱3、固定板4、支架5、控制器6、 旋轉(zhuǎn)電機(jī)7和升降電機(jī)8,所述的爐體I和固定板4固定在支架5上,所述的爐體I內(nèi)設(shè)有坩堝11和保溫層12,所述的保溫層12設(shè)置在爐體I內(nèi)壁上,保溫層12內(nèi)壁上設(shè)有加熱裝置13,所述的坩堝2固定放置在爐體I內(nèi),所述的爐體I還與抽真空裝置14相連接,所述的爐I體上方設(shè)有托板9,所述的結(jié)晶柱3與托板9轉(zhuǎn)動(dòng)連接,所述的旋轉(zhuǎn)電機(jī)7與結(jié)晶柱 3相連接并帶動(dòng)結(jié)晶柱3轉(zhuǎn)動(dòng),所述的固定板4上設(shè)有導(dǎo)軌41,所述的托板9的一端與固定板4通過導(dǎo)軌41滑動(dòng)連接,所述的升降電8與托板9相連接并帶動(dòng)托板9沿導(dǎo)軌41上下滑動(dòng),所述的控制器6分別與旋轉(zhuǎn)電機(jī)7、升降電機(jī)8、加熱裝置13、抽真空裝置14電連接。[0014]所述的控制器6與支架5相連接。[0015]所述的爐體I上還設(shè)有觀察口 15。[0016]所述的坩堝2為鑰金成型。[0017]所述的加熱裝置13為四個(gè)的硅碳棒,所述的硅碳棒表面包裹有石英器材131。[0018]所述的硅碳棒之間通過導(dǎo)流管15相連接,導(dǎo)流管15的另一端與保溫層12相連接。[0019]本實(shí)施例中以設(shè)有四個(gè)硅碳棒為例進(jìn)行說明,實(shí)際運(yùn)用中數(shù)量可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)計(jì)兩個(gè)以上即可。
權(quán)利要求1.一種生產(chǎn)大型a-Al2O3單晶體的設(shè)備,包括爐體、坩堝、結(jié)晶柱、固定板、支架、控制器、旋轉(zhuǎn)電機(jī)和升降電機(jī),其特征在于所述的爐體和固定板固定在支架上,所述的爐體內(nèi)設(shè)有坩堝和保溫層,所述的保溫層設(shè)置在爐體內(nèi)壁上,保溫層內(nèi)壁上設(shè)有加熱裝置,所述的坩堝固定設(shè)置在爐體內(nèi),所述的爐體還與抽真空裝置相連接,所述的爐體上方設(shè)有托板,所述的結(jié)晶柱與托板轉(zhuǎn)動(dòng)連接,所述的旋轉(zhuǎn)電機(jī)與結(jié)晶柱相連接并帶動(dòng)結(jié)晶柱轉(zhuǎn)動(dòng),所述的固定板上設(shè)有導(dǎo)軌,所述的托板的一端與固定板通過導(dǎo)軌滑動(dòng)連接,所述的升降電機(jī)與托板相連接并帶動(dòng)托板沿導(dǎo)軌上下滑動(dòng),所述的控制器分別與旋轉(zhuǎn)電機(jī)、升降電機(jī)、加熱裝置、抽真空裝置電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種生產(chǎn)大型a-Al2O3單晶體的設(shè)備,其特征在于所述的爐體上還設(shè)有觀察口。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種生產(chǎn)大型a-Al2O3單晶體的設(shè)備,其特征在于所述的坩堝為鑰金成型。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種生產(chǎn)大型a-Al2O3單晶體的設(shè)備,其特征在于所述的加熱裝置為兩個(gè)以上的硅碳棒,所述的硅碳棒表面包裹有石英器材。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種生產(chǎn)大型Ci-Al2O3單晶體的設(shè)備,其特征在于所述的硅碳棒之間通過導(dǎo)流管相連接,導(dǎo)流管的另一端與保溫層相連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種生產(chǎn)大型α-Al2O3單晶體的設(shè)備,其包括爐體、坩堝、結(jié)晶柱、固定板、支架、控制器、旋轉(zhuǎn)電機(jī)和升降電機(jī),所述的爐體和固定板固定在支架上,爐體內(nèi)設(shè)有坩堝和保溫層,保溫層設(shè)置在爐體內(nèi)壁上,保溫層內(nèi)壁上設(shè)有加熱裝置,所述的坩堝固定設(shè)置在爐體內(nèi),爐體還與抽真空裝置相連接,爐體上方設(shè)有托板,所述的結(jié)晶柱與托板轉(zhuǎn)動(dòng)連接,所述的旋轉(zhuǎn)電機(jī)與結(jié)晶柱相連接并帶動(dòng)結(jié)晶柱轉(zhuǎn)動(dòng),所述的固定板上設(shè)有導(dǎo)軌,所述的托板的一端與固定板通過導(dǎo)軌滑動(dòng)連接,所述的升降電機(jī)與托板相連接并帶動(dòng)托板沿導(dǎo)軌上下滑動(dòng),所述的控制器分別與旋轉(zhuǎn)電機(jī)、升降電機(jī)、加熱裝置、抽真空裝置電連接。其有效防止晶體的氧化、使用方便且提高設(shè)備使用壽命。
文檔編號C30B15/00GK202809004SQ20122047044
公開日2013年3月20日 申請日期2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月14日
發(fā)明者林志高 申請人:福建鑫磊晶體有限公司
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